JPH06250232A - エレクトロクロミック素子電極の形成方法 - Google Patents
エレクトロクロミック素子電極の形成方法Info
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- JPH06250232A JPH06250232A JP5033474A JP3347493A JPH06250232A JP H06250232 A JPH06250232 A JP H06250232A JP 5033474 A JP5033474 A JP 5033474A JP 3347493 A JP3347493 A JP 3347493A JP H06250232 A JPH06250232 A JP H06250232A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 均一でクラックがない大面積のエレクトロク
ロミック電極の形成方法を提供する。 【構成】 金属モリブデン及び／又はタングステンを過
酸化水素水に溶解し、モリブデン及び／又はタングステ
ンのポリ酸溶液を作成する。この溶液は強酸性を示す。
この溶液から過酸化水素を除去（例えば、白金触媒で過
酸化水素を分解）した後、20℃〜25℃で濃縮して比重を
1.15〜1.35、好ましくは1.2 〜1.3 の範囲に濃縮調整し
たＭｏ及び／又はＷ−錯体の溶液とする。この濃縮液を
透明導電膜上にスピンコート等で塗布し、120 ℃〜140
℃程度の温度で焼成する。特に90〜120 ℃での仮焼の後
に塗布する工程を繰り返すことにより、エレクトロクロ
ミック素子の電極として好適な3000Å以上の膜厚を得る
ことができる。
ロミック電極の形成方法を提供する。 【構成】 金属モリブデン及び／又はタングステンを過
酸化水素水に溶解し、モリブデン及び／又はタングステ
ンのポリ酸溶液を作成する。この溶液は強酸性を示す。
この溶液から過酸化水素を除去（例えば、白金触媒で過
酸化水素を分解）した後、20℃〜25℃で濃縮して比重を
1.15〜1.35、好ましくは1.2 〜1.3 の範囲に濃縮調整し
たＭｏ及び／又はＷ−錯体の溶液とする。この濃縮液を
透明導電膜上にスピンコート等で塗布し、120 ℃〜140
℃程度の温度で焼成する。特に90〜120 ℃での仮焼の後
に塗布する工程を繰り返すことにより、エレクトロクロ
ミック素子の電極として好適な3000Å以上の膜厚を得る
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はエレクトロクロミック素
子電極の形成方法に係わる。
子電極の形成方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】電圧によって物質の色が可逆的に変化す
るエレクトロクロミック（ＥＣ）現象を応用した素子に
関心が高まっている。エレクトロクロミック素子（ＥＣ
Ｄ）は明るく見やすい、大面積表示が可能である、メモ
リー性がある（消費電力が少ない）などの特性を有し、
このような特徴を活かした応用として、株価表示、メッ
セージボード、案内板などの大型表示板、また自動車の
防眩ミラー、調光ガラス（窓）、サングラスなどの調光
素子、あるいは適度の応答速度を利用した防眩材料、メ
モリー性を利用した記憶センサーなどがある。
るエレクトロクロミック（ＥＣ）現象を応用した素子に
関心が高まっている。エレクトロクロミック素子（ＥＣ
Ｄ）は明るく見やすい、大面積表示が可能である、メモ
リー性がある（消費電力が少ない）などの特性を有し、
このような特徴を活かした応用として、株価表示、メッ
セージボード、案内板などの大型表示板、また自動車の
防眩ミラー、調光ガラス（窓）、サングラスなどの調光
素子、あるいは適度の応答速度を利用した防眩材料、メ
モリー性を利用した記憶センサーなどがある。
【０００３】ＥＣＤの構造は、代表的には、エレクトロ
クロミック電極（WO3, MoO3)と対極の間に電解質を配置
して成り、両電極間に電圧を印加するとWO3又はMoO3 が
電解質からのイオンと電源からの電子でカソード還元さ
れて着色するものである。対極は、これもエレクトロク
ロミック電極で構成して着色表示に利用することもでき
る。
クロミック電極（WO3, MoO3)と対極の間に電解質を配置
して成り、両電極間に電圧を印加するとWO3又はMoO3 が
電解質からのイオンと電源からの電子でカソード還元さ
れて着色するものである。対極は、これもエレクトロク
ロミック電極で構成して着色表示に利用することもでき
る。
【０００４】ところで、エレクトロクロミック電極は、
ガラス基板上に透明導電膜（ＩＴＯ）等を形成して導電
性を付与した後、その上に酸化タングステン又は酸化モ
リブデン薄膜を付けて形成する。酸化タングステン又は
酸化モリブデン薄膜の形成方法としては、WO3又はMoO3
の真空蒸着又はスパッタリング等による乾式製膜法であ
る。また、化学的又は電気化学的製膜法も知られてお
り、タングステン又はモリブデンの「固形」錯体を溶解
した溶液をスピンコートし、加熱分解して製膜する方法
などの湿式製膜法が知られている。
ガラス基板上に透明導電膜（ＩＴＯ）等を形成して導電
性を付与した後、その上に酸化タングステン又は酸化モ
リブデン薄膜を付けて形成する。酸化タングステン又は
酸化モリブデン薄膜の形成方法としては、WO3又はMoO3
の真空蒸着又はスパッタリング等による乾式製膜法であ
る。また、化学的又は電気化学的製膜法も知られてお
り、タングステン又はモリブデンの「固形」錯体を溶解
した溶液をスピンコートし、加熱分解して製膜する方法
などの湿式製膜法が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のエレクトロクロ
ミック電極（WO3)の形成方法のうち、乾式法は装置が大
型化し、コストの点で大面積化には問題がある。これに
対して、湿式法は、本質的に大面積化に適しているが、
従来の湿式法では、タングステン又はモリブデンのポリ
酸（固形物）を水に溶解して作成した溶液が用いられて
おり、この溶液では水に不溶の沈澱物が生成し、大面積
の膜が良好に得られない、膜に亀裂が発生したり、また
発色の鮮明さも劣るという問題があった。
ミック電極（WO3)の形成方法のうち、乾式法は装置が大
型化し、コストの点で大面積化には問題がある。これに
対して、湿式法は、本質的に大面積化に適しているが、
従来の湿式法では、タングステン又はモリブデンのポリ
酸（固形物）を水に溶解して作成した溶液が用いられて
おり、この溶液では水に不溶の沈澱物が生成し、大面積
の膜が良好に得られない、膜に亀裂が発生したり、また
発色の鮮明さも劣るという問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、上記
の問題点を解決するために、モリブデン及び／又はタン
グステンを過酸化水素水に溶解した後、過剰の過酸化水
素水を分解し、温度20℃〜25℃で比重を1.15〜1.35の範
囲に濃縮調整したＭｏ及び／又はＷ−錯体（ポリ酸）の
溶液を得、この濃縮液を透明電極膜上に塗布し、焼成す
ることを特徴とするエレクトロクロミック素子電極の形
成方法を提供する。
の問題点を解決するために、モリブデン及び／又はタン
グステンを過酸化水素水に溶解した後、過剰の過酸化水
素水を分解し、温度20℃〜25℃で比重を1.15〜1.35の範
囲に濃縮調整したＭｏ及び／又はＷ−錯体（ポリ酸）の
溶液を得、この濃縮液を透明電極膜上に塗布し、焼成す
ることを特徴とするエレクトロクロミック素子電極の形
成方法を提供する。
【０００７】具体的には、金属モリブデン及び／又はタ
ングステンを過酸化水素水に溶解し、モリブデン及び／
又はタングステンのポリ酸溶液を作成する。この溶液は
強酸性を示す。この溶液から過酸化水素を除去（例え
ば、白金触媒で過酸化水素を分解）した後、濃縮して温
度20℃〜25℃で比重を1.15〜1.35、好ましくは1.2 〜1.
3 の範囲に調整したＭｏ及び／又はＷ−錯体の濃縮液と
する。この溶液は均一な溶液であり、不溶性の固形物は
含まない。従って、この濃縮液を透明導電膜上に塗布
し、120℃〜140℃程度の温度で焼成することにより、均
一で亀裂発生のない酸化モリブデン及び／又は酸化タン
グステン膜（エレクトロクロミック電極）を大面積に得
ることができる。
ングステンを過酸化水素水に溶解し、モリブデン及び／
又はタングステンのポリ酸溶液を作成する。この溶液は
強酸性を示す。この溶液から過酸化水素を除去（例え
ば、白金触媒で過酸化水素を分解）した後、濃縮して温
度20℃〜25℃で比重を1.15〜1.35、好ましくは1.2 〜1.
3 の範囲に調整したＭｏ及び／又はＷ−錯体の濃縮液と
する。この溶液は均一な溶液であり、不溶性の固形物は
含まない。従って、この濃縮液を透明導電膜上に塗布
し、120℃〜140℃程度の温度で焼成することにより、均
一で亀裂発生のない酸化モリブデン及び／又は酸化タン
グステン膜（エレクトロクロミック電極）を大面積に得
ることができる。
【０００８】出発原料としての金属モリブデン及び金属
タングステンの相対量（即ち、最終溶液中のモリブデン
及びタングステンの相対比）は、特に限定されず、WO3,
MoO 3 のいずれもエレクトロクロミック電極として使用
できるが、１：１のモル比が好ましいことを工藤ら（東
京大学）が見出し報告ている。Ｍｏ：Ｗ＝１：１の酸化
物は単位注入電位量に対する着色効率の点で優れてい
る。
タングステンの相対量（即ち、最終溶液中のモリブデン
及びタングステンの相対比）は、特に限定されず、WO3,
MoO 3 のいずれもエレクトロクロミック電極として使用
できるが、１：１のモル比が好ましいことを工藤ら（東
京大学）が見出し報告ている。Ｍｏ：Ｗ＝１：１の酸化
物は単位注入電位量に対する着色効率の点で優れてい
る。
【０００９】金属モリブデン及び／又はタングステンを
過酸化水素水に溶解すると、２Ｗ＋７Ｈ2 Ｏ2 ＋（ｎ−
６）Ｈ2 Ｏ→２Ｗ０3 ・Ｈ2 Ｏ2 ・ｎＨ2 Ｏと実験的に
表現される反応により過酸化ポリ酸が生成する。これに
よって得られるモリブデン及び／又はタングステンのポ
リ酸溶液は、２Ｗ０3 ・Ｈ2 Ｏ2 ・ｎＨ2 Ｏであり、ポ
リアニオン（酸基）の酸素の一部が過酸化物基（Ｏ−
Ｏ）で置換されているのが特徴である。
過酸化水素水に溶解すると、２Ｗ＋７Ｈ2 Ｏ2 ＋（ｎ−
６）Ｈ2 Ｏ→２Ｗ０3 ・Ｈ2 Ｏ2 ・ｎＨ2 Ｏと実験的に
表現される反応により過酸化ポリ酸が生成する。これに
よって得られるモリブデン及び／又はタングステンのポ
リ酸溶液は、２Ｗ０3 ・Ｈ2 Ｏ2 ・ｎＨ2 Ｏであり、ポ
リアニオン（酸基）の酸素の一部が過酸化物基（Ｏ−
Ｏ）で置換されているのが特徴である。
【００１０】モリブデン及び／又はタングステンのポリ
酸溶液の比重が1.35以上になると焼成後電極にクラック
が発生し、また比重が1.20以下では薄膜が薄すぎてエレ
クトロクロミック特性が良好でなくなる。好ましくは、
溶液の比重を1.2 〜1.3 の範囲とする。焼成温度は120
℃〜140℃程度が好適である。焼成温度が低いと酸化物
が溶出してしまい、また高すぎるとＨ2Ｏの脱離が進行
する。
酸溶液の比重が1.35以上になると焼成後電極にクラック
が発生し、また比重が1.20以下では薄膜が薄すぎてエレ
クトロクロミック特性が良好でなくなる。好ましくは、
溶液の比重を1.2 〜1.3 の範囲とする。焼成温度は120
℃〜140℃程度が好適である。焼成温度が低いと酸化物
が溶出してしまい、また高すぎるとＨ2Ｏの脱離が進行
する。
【００１１】エレクトロクロミック電極膜の膜厚として
は一般に1500Å〜8000Åが好適であるが、3000Å以上を
一回のスピンコート印刷で付けるとクラックが入りやす
い。この点に関し、本発明者はスピンコート印刷した過
酸化ポリ酸溶液を90℃〜120℃で仮焼した後、再度スピ
ンコートすることで、クラックフリーの厚膜が得られる
ことを見出した。
は一般に1500Å〜8000Åが好適であるが、3000Å以上を
一回のスピンコート印刷で付けるとクラックが入りやす
い。この点に関し、本発明者はスピンコート印刷した過
酸化ポリ酸溶液を90℃〜120℃で仮焼した後、再度スピ
ンコートすることで、クラックフリーの厚膜が得られる
ことを見出した。
【００１２】本発明のエレクトロクロミック電極膜を用
いたエレクトロクロミック素子の構造は従来公知のもの
であることができる。本発明ＥＣ素子の１例について添
付図面に従って説明すると、図１は反射型表示素子とし
て用いる場合の本発明ＥＣ素子の１例の断面図であっ
て、基板１上に、対向電極２、背景板３、高分子電解質
薄膜４、ＥＣ電極を構成するＥＣ層５と透明導電膜６、
及び透明基板７が順次積層された構造を示す。この表示
素子は反射モードであるので、基板１は必ずしも透明体
である必要がなく、不透明板であってもよい。
いたエレクトロクロミック素子の構造は従来公知のもの
であることができる。本発明ＥＣ素子の１例について添
付図面に従って説明すると、図１は反射型表示素子とし
て用いる場合の本発明ＥＣ素子の１例の断面図であっ
て、基板１上に、対向電極２、背景板３、高分子電解質
薄膜４、ＥＣ電極を構成するＥＣ層５と透明導電膜６、
及び透明基板７が順次積層された構造を示す。この表示
素子は反射モードであるので、基板１は必ずしも透明体
である必要がなく、不透明板であってもよい。
【００１３】対向電極２は水素や酸素の発生が少なく、
かつ電気化学的酸化還元反応に対して可逆性の良い電気
容量の大きな材料が用いられる。このような材料として
は、例えばカーボン、遷移金属化合物とカーボンとの複
合材、金属酸化物とカーボンとの複合材などが挙げられ
る。この対向電極２の厚さは、通常1000Åないし10μｍ
の範囲で選ばれる。
かつ電気化学的酸化還元反応に対して可逆性の良い電気
容量の大きな材料が用いられる。このような材料として
は、例えばカーボン、遷移金属化合物とカーボンとの複
合材、金属酸化物とカーボンとの複合材などが挙げられ
る。この対向電極２の厚さは、通常1000Åないし10μｍ
の範囲で選ばれる。
【００１４】背景板３は、通常白色背景材、例えばアル
ミナ粉末をバインダーとともに混練してシート成形した
ものなどが用いられるが、対向電極２が兼ねることも可
能である。高分子電解質薄膜４としては、前記のように
して調製された空孔中にイオン導電体を充填して成る高
分子多孔性薄膜が用いられる。ＥＣ層５に用いられるＥ
Ｃ材料は、一般的には、還元着色するカソーディック材
料と酸化着色するアノーディック材料の２種類に大別す
ることができるが、本発明では代表的な還元着色材であ
るWO3 及び／又はMoO3を用いる。例えばWO3 について説
明すると、例えば電解質からＨ+ ，Ｌi + などイオン半
径の小さなカチオンと電源から電子が注入されると青色
に着色してくる。プロトン酸及びリチウム塩を電解質と
して用いた場合を例にすると、それぞれ ＷＯ3 （無色）＋ｘＨ+ ＋ｘｅ- ＝ Ｈx ＷＯ3 （青
色） ＷＯ3 （無色）＋ｘＬｉ+ ＋ｘｅ- ＝ Ｌｉx ＷＯ
3 （青色） で示される反応を行う。この反応は可逆的であるが Hx
WO3 又はLix WO3 の状で電源回路を開放すると、青色
（還元状態）は長時間保持される。
ミナ粉末をバインダーとともに混練してシート成形した
ものなどが用いられるが、対向電極２が兼ねることも可
能である。高分子電解質薄膜４としては、前記のように
して調製された空孔中にイオン導電体を充填して成る高
分子多孔性薄膜が用いられる。ＥＣ層５に用いられるＥ
Ｃ材料は、一般的には、還元着色するカソーディック材
料と酸化着色するアノーディック材料の２種類に大別す
ることができるが、本発明では代表的な還元着色材であ
るWO3 及び／又はMoO3を用いる。例えばWO3 について説
明すると、例えば電解質からＨ+ ，Ｌi + などイオン半
径の小さなカチオンと電源から電子が注入されると青色
に着色してくる。プロトン酸及びリチウム塩を電解質と
して用いた場合を例にすると、それぞれ ＷＯ3 （無色）＋ｘＨ+ ＋ｘｅ- ＝ Ｈx ＷＯ3 （青
色） ＷＯ3 （無色）＋ｘＬｉ+ ＋ｘｅ- ＝ Ｌｉx ＷＯ
3 （青色） で示される反応を行う。この反応は可逆的であるが Hx
WO3 又はLix WO3 の状で電源回路を開放すると、青色
（還元状態）は長時間保持される。
【００１５】このＥＣ層５は 500〜1500Å程度の厚さで
あり、透明導電膜６上に形成される。透明導電膜６は集
電電極であり、通常酸化インジウムスズや酸化スズなど
で形成され、その厚さは一般的に1000〜5000Å程度であ
る。この透明導電膜６は透明基板７上に形成されるが、
基板７は反射モードであるので透明でなければならな
い。
あり、透明導電膜６上に形成される。透明導電膜６は集
電電極であり、通常酸化インジウムスズや酸化スズなど
で形成され、その厚さは一般的に1000〜5000Å程度であ
る。この透明導電膜６は透明基板７上に形成されるが、
基板７は反射モードであるので透明でなければならな
い。
【００１６】ＥＣ層５と透明導電膜とで構成されるＥＣ
電極と対向電極２との間に電圧を印加するが、WO3 及び
／又はMoO3の還元時には負の電圧を通常1.３〜1.９Ｖ程
度印加すればよい。
電極と対向電極２との間に電圧を印加するが、WO3 及び
／又はMoO3の還元時には負の電圧を通常1.３〜1.９Ｖ程
度印加すればよい。
【００１７】
（実施例１）モリブデンとタングステンの混合金属粉末
（モル比１：１）56.0ｇを過酸化水素水（９％溶液）80
0 ｍｌ加え、次いで30％溶液 100ｍｌを加えると、完全
に溶解して強い酸性を示す溶液が得られる。過剰の過酸
化水素を白金触媒で分解した後、加熱して濃縮してスピ
ンコート用Ｍｏ／Ｗポリ酸溶液（以下、ポリ酸溶液とも
称する。）を得た。このＭｏ／Ｗポリ酸溶液の比重は約
１．１〜１．５の間でいくつかの種類のものを作成し
た。
（モル比１：１）56.0ｇを過酸化水素水（９％溶液）80
0 ｍｌ加え、次いで30％溶液 100ｍｌを加えると、完全
に溶解して強い酸性を示す溶液が得られる。過剰の過酸
化水素を白金触媒で分解した後、加熱して濃縮してスピ
ンコート用Ｍｏ／Ｗポリ酸溶液（以下、ポリ酸溶液とも
称する。）を得た。このＭｏ／Ｗポリ酸溶液の比重は約
１．１〜１．５の間でいくつかの種類のものを作成し
た。
【００１８】これらのＭｏ／Ｗポリ酸溶液を、４０ｃｍ
角のＩＴＯ膜（透明導電膜）を表面に形成したガラス基
板にスピンコートし、約１２０℃〜１４０℃の温度で焼
成してＭｏ／Ｗの酸化物からなるエレクトロクロミック
電極を形成した。このときのＭｏ／Ｗポリ酸溶液の比重
と焼成後に得られる膜の膜厚との関係を図２に示す。溶
液濃度と比例して膜厚が大きくなることが見られる。
角のＩＴＯ膜（透明導電膜）を表面に形成したガラス基
板にスピンコートし、約１２０℃〜１４０℃の温度で焼
成してＭｏ／Ｗの酸化物からなるエレクトロクロミック
電極を形成した。このときのＭｏ／Ｗポリ酸溶液の比重
と焼成後に得られる膜の膜厚との関係を図２に示す。溶
液濃度と比例して膜厚が大きくなることが見られる。
【００１９】（実施例２）上記の如くして作成した比重
１．２５のＭｏ／Ｗポリ酸溶液（Ｍｏ：Ｗモル比は１：
１）を、４０ｃｍ角のＩＴＯ膜付ガラス基板に１回目５
００ｒｐｍで１５秒間、２回目８００ｒｐｍで２０秒間
スピンコート印刷した後、昇温速度を２℃／分とし、か
つその間７０℃、９０℃及び１２０℃にそれぞれ１時間
保持して焼成した。
１．２５のＭｏ／Ｗポリ酸溶液（Ｍｏ：Ｗモル比は１：
１）を、４０ｃｍ角のＩＴＯ膜付ガラス基板に１回目５
００ｒｐｍで１５秒間、２回目８００ｒｐｍで２０秒間
スピンコート印刷した後、昇温速度を２℃／分とし、か
つその間７０℃、９０℃及び１２０℃にそれぞれ１時間
保持して焼成した。
【００２０】その結果、膜厚２０００Åのクラックのな
い良好な電極を得た。上記と同じ操作をもう１度繰り返
して合計膜厚４０００Åの電極を得た。図３を参照する
と、電解液として２，２−ジフェニルプロピオニトリル
溶媒に過塩素酸リチウムを溶液中の濃度が５重量％にな
るように溶解したイオン導電体溶液12を入れたビーカー
11に、上記のエレクトロクロミック電極13、対極14とし
て白金電極、参照電極15としてＡｇ／ＡｇＣｌを用い
て、印加電圧−1.0 〜0.5Ｖ、掃引速度２０ｍＶ／秒と
してエレクトロクロミック電極の電気化学的特性を測定
した。
い良好な電極を得た。上記と同じ操作をもう１度繰り返
して合計膜厚４０００Åの電極を得た。図３を参照する
と、電解液として２，２−ジフェニルプロピオニトリル
溶媒に過塩素酸リチウムを溶液中の濃度が５重量％にな
るように溶解したイオン導電体溶液12を入れたビーカー
11に、上記のエレクトロクロミック電極13、対極14とし
て白金電極、参照電極15としてＡｇ／ＡｇＣｌを用い
て、印加電圧−1.0 〜0.5Ｖ、掃引速度２０ｍＶ／秒と
してエレクトロクロミック電極の電気化学的特性を測定
した。
【００２１】図４に見られるように、良好なサイクリッ
クボルタモグラムを示した。 （実施例３）実施例２のエレクトロクロミック電極を用
い、対極としてイオンプレーティングにより金属Ｎｉと
Ｏ2 より製作した酸化ニッケル電極、電解質として実施
例２と同じ電解液を用いて、図２の如き構成のエレクト
ロクロミック素子を作製した。
クボルタモグラムを示した。 （実施例３）実施例２のエレクトロクロミック電極を用
い、対極としてイオンプレーティングにより金属Ｎｉと
Ｏ2 より製作した酸化ニッケル電極、電解質として実施
例２と同じ電解液を用いて、図２の如き構成のエレクト
ロクロミック素子を作製した。
【００２２】このエレクトロクロミック素子に印加電圧
−1.3 〜0.3 Ｖ、掃引速度２０ｍＶ／秒として特性を調
べた。良好な着色、消色反応を示し、注入電荷量は着色
時1.49mC/cm2、消色時1.38mC/cm2であった。サイクリッ
クボルタモグラムを図５に示す。消色電位 0.5Ｖまで掃
引することによりリーク電流が殆どないことがわかる。
−1.3 〜0.3 Ｖ、掃引速度２０ｍＶ／秒として特性を調
べた。良好な着色、消色反応を示し、注入電荷量は着色
時1.49mC/cm2、消色時1.38mC/cm2であった。サイクリッ
クボルタモグラムを図５に示す。消色電位 0.5Ｖまで掃
引することによりリーク電流が殆どないことがわかる。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、均一でクラックのない
均一なエレクトロクロミック電極を大面積に形成でき
る。
均一なエレクトロクロミック電極を大面積に形成でき
る。
【図１】図１はエレクトロクロミック表示素子の断面図
である。
である。
【図２】図２はＭｏ及び／又はＷ−ポリ酸溶液の比重と
焼成膜厚の関係を示す図である。
焼成膜厚の関係を示す図である。
【図３】図３は実施例２のエレクトロクロミック電極の
電気化学的測定装置を示す図である。
電気化学的測定装置を示す図である。
【図４】図４は実施例２のエレクトロクロミック電極の
電気化学的測定のサイクリックボルタモグラフである。
電気化学的測定のサイクリックボルタモグラフである。
【図５】図５は実施例３のエレクトロクロミック素子の
サイクリックボルタモグラフである。
サイクリックボルタモグラフである。
１…ガラス基板 ２…対向電極 ３…背景板 ４…高分子電解質薄膜層 ５…エレクトロクロミック電極層 ６…透明導電膜 ７…透明基板 １１…ビーカー １２…電解液 １３…エレクトロクロミック電極 １４…対極 １５…参照電極
フロントページの続き (72)発明者 櫻田 智 埼玉県入間郡大井町西鶴ヶ岡１丁目３番１ 号 東燃株式会社総合研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 モリブデン及び／又はタングステンを過
酸化水素水に溶解した後、過剰の過酸化水素水を分解
し、温度20℃〜25℃で比重を1.15〜1.35の範囲に濃縮調
整したＭｏ及び／又はＷ−錯体の溶液を得、この濃縮液
を透明電極膜上に塗布し、焼成することを特徴とするエ
レクトロクロミック素子電極の形成方法。 - 【請求項２】 前記Ｍｏ及び／又はＷ−錯体溶液を90℃
〜120℃ の間で仮焼する工程を繰り返してエレクトロク
ロミック素子として必要な酸化Ｍｏ／Ｗ電極の膜厚を得
る請求項１記載のエレクトロクロミック素子電極の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5033474A JPH06250232A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | エレクトロクロミック素子電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5033474A JPH06250232A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | エレクトロクロミック素子電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06250232A true JPH06250232A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12387551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5033474A Pending JPH06250232A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | エレクトロクロミック素子電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06250232A (ja) |
-
1993
- 1993-02-23 JP JP5033474A patent/JPH06250232A/ja active Pending
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