JPS58169068A - 半導体装置の特性測定方法 - Google Patents
半導体装置の特性測定方法Info
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- JPS58169068A JPS58169068A JP57053454A JP5345482A JPS58169068A JP S58169068 A JPS58169068 A JP S58169068A JP 57053454 A JP57053454 A JP 57053454A JP 5345482 A JP5345482 A JP 5345482A JP S58169068 A JPS58169068 A JP S58169068A
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- Japan
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- measuring
- spring
- oxide film
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07314—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置の特性測定方法に係り、特に液晶
表示の時計の素子を基板に組込んだ後のその特性を測定
する方法に関する。
表示の時計の素子を基板に組込んだ後のその特性を測定
する方法に関する。
液晶表示の時針用Ｌ８Ｉ（大規模集積回路）チップは、
通常両面に、液晶と接触をとるためのＬ ＣＤ （Ｌｉ
ｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）パッド等
の接触パッドがパターニングされた例えばガラスエポキ
シ基板の所定位置に組込まれるようになっている。
通常両面に、液晶と接触をとるためのＬ ＣＤ （Ｌｉ
ｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）パッド等
の接触パッドがパターニングされた例えばガラスエポキ
シ基板の所定位置に組込まれるようになっている。
ところで、この基板に組込まれたＬＳＩチップはその後
特性が良好か否かを判断し選別する必要がある。この測
定は、上記接触用パッドにそれぞれ測定用端子の先端を
接触させて行うものであるが、接触用パッドの数が極め
て多いため、従来、これら接触用パッドに対応して設け
られた複数の測定用端子に全ての接触用パッドを同時に
接触させてその測定を行っている。測定用端子としては
、例えば内部にスプリングを有し、このスプリングの弾
性力によって接触用パッドとの接触を保つスプリング付
測定用端子が用いられている。
特性が良好か否かを判断し選別する必要がある。この測
定は、上記接触用パッドにそれぞれ測定用端子の先端を
接触させて行うものであるが、接触用パッドの数が極め
て多いため、従来、これら接触用パッドに対応して設け
られた複数の測定用端子に全ての接触用パッドを同時に
接触させてその測定を行っている。測定用端子としては
、例えば内部にスプリングを有し、このスプリングの弾
性力によって接触用パッドとの接触を保つスプリング付
測定用端子が用いられている。
しかしながら、上記のようなガラスエポキシ基板の接触
用パッドでは、取扱い中にその表面に跡い酸化膜が形成
されてしまう。このような酸化膜が存在すると、測定用
端子のスプリングの弾性力のみでは、接触用パッドと測
定用端子との良好な接触を保つことができない。例えば
、測定用端子の先端が平面である場合には接触面積は大
きくなるが、単位面積当りの圧力が低下し、酸化膜を突
き破ることができず、接触不良となる。逆に、測定用端
♀の先端が鋭利になると、圧力が上がり酸化膜を突き破
ることができるが本質的に点接触になるため接触抵抗の
増大を招くことになる。従って、いずれにしてもスプリ
ング付測定用端子のみでは接触用パッドとの良好な接触
は望めなかった。
用パッドでは、取扱い中にその表面に跡い酸化膜が形成
されてしまう。このような酸化膜が存在すると、測定用
端子のスプリングの弾性力のみでは、接触用パッドと測
定用端子との良好な接触を保つことができない。例えば
、測定用端子の先端が平面である場合には接触面積は大
きくなるが、単位面積当りの圧力が低下し、酸化膜を突
き破ることができず、接触不良となる。逆に、測定用端
♀の先端が鋭利になると、圧力が上がり酸化膜を突き破
ることができるが本質的に点接触になるため接触抵抗の
増大を招くことになる。従って、いずれにしてもスプリ
ング付測定用端子のみでは接触用パッドとの良好な接触
は望めなかった。
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的
は、接触用パッドと測定用端子との接触を良好に保ち、
信頼性の向上した測定が可能な半導体装置の特性測定方
法を提供することにある。
は、接触用パッドと測定用端子との接触を良好に保ち、
信頼性の向上した測定が可能な半導体装置の特性測定方
法を提供することにある。
〔発明の概要〕
この発明は、接触用パッドの表面にスプリング付測定用
端子の先端を接触させて、測定試験を行う前に、例えば
ガラスエポキシ基板を超音波振動子により振動させ、こ
れによって生ずる接触用パッドと測定用端子との間の摩
擦により接触用パッド表面の酸化膜を除去するものであ
る。
端子の先端を接触させて、測定試験を行う前に、例えば
ガラスエポキシ基板を超音波振動子により振動させ、こ
れによって生ずる接触用パッドと測定用端子との間の摩
擦により接触用パッド表面の酸化膜を除去するものであ
る。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第１図において、１は液晶表示の時８Ｖ用ＬＳＩのガラ
スエポキシ基板であり、この基板１の表面には複数の接
触用のＬＣＤパッド２Ｉ〜２ｎ 、 ３．〜３ｎ及びそ
の他の接触用パッド４１〜４ｎ、５１〜５ｎがパターニ
ングされると共にその中央の開口部には第２図に示すよ
うにＬ８Ｉチップ６が固着され、さらにこのＬＳＩチッ
プ６が例えばエポキシ樹脂７により樹脂対Ｉトされてい
る。Ｌ８ Ｉｆツブ６の各電極と各ＬＣＤパッド２．−
２ｎ 、 ３．〜３ｎとはそれぞれボンディングワイヤ
８により接続されている。
スエポキシ基板であり、この基板１の表面には複数の接
触用のＬＣＤパッド２Ｉ〜２ｎ 、 ３．〜３ｎ及びそ
の他の接触用パッド４１〜４ｎ、５１〜５ｎがパターニ
ングされると共にその中央の開口部には第２図に示すよ
うにＬ８Ｉチップ６が固着され、さらにこのＬＳＩチッ
プ６が例えばエポキシ樹脂７により樹脂対Ｉトされてい
る。Ｌ８ Ｉｆツブ６の各電極と各ＬＣＤパッド２．−
２ｎ 、 ３．〜３ｎとはそれぞれボンディングワイヤ
８により接続されている。
なお、ガラスエポキシ基板１の裏面にも各種パッドがパ
ターニングされている。
ターニングされている。
第２図はこのＬＳＩチップ６が組込まれたガラスエポキ
シ基板１の特性を測定する方法を示すものである。同図
において、９は例えばアクリル樹脂製のソケットでおり
、このソケット９には上記ガラスエポキシ基板１゛の接
触用パッドに対応して複数の貫通孔が形成されており、
これら貫通孔にそれぞれスプリング付測定用端子１０が
植立して固定されている。このスプリング付測定用端子
１０は前述のように内部にスプリング１０ｍが設けられ
ており、このスプリングの弾性力によって内部端子１０
ｂを上方に押上げるようになっている。しかして、これ
ら測定用端子１０・・・の先端部は同一高さに設定され
、これら先端部上にはガラスエポキシ基板（第２図にお
いては第１図のｘ−ｘ’線に沿った断面図で示されてい
る。）１がＬ８Ｉテップ６を下にして所定の位置に載置
されており、これによリスブリング付測定用端子１０・
・・と接触用パッドとの接触が保たれている。さらに、
ガラスエポキシ基板１の裏面上には例えばエポキシ樹脂
製の保護板１ノが載置されており、この保護板１ノのＦ
而に超音波振動子１２の先端部が当接している。この超
音波振動子ノ２は図に矢印で示すように左右に振動する
もので、これによりガラスエポキシ基板１に振動を与え
るようになっている。
シ基板１の特性を測定する方法を示すものである。同図
において、９は例えばアクリル樹脂製のソケットでおり
、このソケット９には上記ガラスエポキシ基板１゛の接
触用パッドに対応して複数の貫通孔が形成されており、
これら貫通孔にそれぞれスプリング付測定用端子１０が
植立して固定されている。このスプリング付測定用端子
１０は前述のように内部にスプリング１０ｍが設けられ
ており、このスプリングの弾性力によって内部端子１０
ｂを上方に押上げるようになっている。しかして、これ
ら測定用端子１０・・・の先端部は同一高さに設定され
、これら先端部上にはガラスエポキシ基板（第２図にお
いては第１図のｘ−ｘ’線に沿った断面図で示されてい
る。）１がＬ８Ｉテップ６を下にして所定の位置に載置
されており、これによリスブリング付測定用端子１０・
・・と接触用パッドとの接触が保たれている。さらに、
ガラスエポキシ基板１の裏面上には例えばエポキシ樹脂
製の保護板１ノが載置されており、この保護板１ノのＦ
而に超音波振動子１２の先端部が当接している。この超
音波振動子ノ２は図に矢印で示すように左右に振動する
もので、これによりガラスエポキシ基板１に振動を与え
るようになっている。
すなわち、この方法においては、測定試験を開始する前
に、超音波振動子１２により保護板１１を介してガラス
エポキシ基板１に左右の振動を与え、スプリング付測定
用端子１０の先端部と接触用パッド（第２図ではＬＣＤ
パッド２、。＋ ３１０ ）との間に摩擦を起させるも
のである。ここで、測定用端子１０と接触用パッドとき
た薄い酸化膜が摩擦力により除去される。酸化膜が除去
されると、超音波振動子１２を停止させ、本来の測定試
験を行う。
に、超音波振動子１２により保護板１１を介してガラス
エポキシ基板１に左右の振動を与え、スプリング付測定
用端子１０の先端部と接触用パッド（第２図ではＬＣＤ
パッド２、。＋ ３１０ ）との間に摩擦を起させるも
のである。ここで、測定用端子１０と接触用パッドとき
た薄い酸化膜が摩擦力により除去される。酸化膜が除去
されると、超音波振動子１２を停止させ、本来の測定試
験を行う。
このように酸化膜が除去された接触用パッドでは、測定
用端子１０の接触性が向上し、測定試験の精度が向上す
る。
用端子１０の接触性が向上し、測定試験の精度が向上す
る。
尚、上記実施例においては、超音波振動子１２をガラス
エポキシ基板１側に当接させ接触用パッドを振動させる
ようにしたが、これに眼目を当接させスプリング付測定
用端子１０を振動させるようにしても良いことは勿論で
ある。
エポキシ基板１側に当接させ接触用パッドを振動させる
ようにしたが、これに眼目を当接させスプリング付測定
用端子１０を振動させるようにしても良いことは勿論で
ある。
以上のようにこの発明によれば、接触用パッドと測定用
端子との接触を良好に保つことができるので、測定精度
が著しく向−ヒする。
端子との接触を良好に保つことができるので、測定精度
が著しく向−ヒする。
第１図は時計用Ｌ８Ｉチップが組込まれたガラスエポキ
シ基板の平面図、＠２図はこの発明の一実施例を示す断
面図である。 １・・・ガラスエポキシ基板
シ基板の平面図、＠２図はこの発明の一実施例を示す断
面図である。 １・・・ガラスエポキシ基板
Claims (1)
- 半導体素子から複数の接触用パッドが取り出された半導
体装置の当該接触用パッドのそれぞれに、支持体上に植
立されたスプリング付測定用端子を接触させて特性を測
定する半導体装置の特性測定方法において、前記半導体
装置の接触用パッドを前記スプリング付測定用端子に接
触させて、前記半導体装置若しくは前記支持体に振動を
与えて測定を行うことを特徴とする半導体装置の特性測
定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053454A JPS58169068A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 半導体装置の特性測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053454A JPS58169068A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 半導体装置の特性測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58169068A true JPS58169068A (ja) | 1983-10-05 |
Family
ID=12943300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57053454A Pending JPS58169068A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 半導体装置の特性測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58169068A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63142826A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Tokyo Electron Ltd | プロ−ブカ−ド |
| JPH01173883A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Nec Corp | 半導体製品の測定治具 |
| US6761302B1 (en) | 1997-11-27 | 2004-07-13 | Nec Corporation | Device mounting method |
| JP2009204625A (ja) * | 2009-06-18 | 2009-09-10 | Nec Corp | 電気接点構造の素子検査方法 |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57053454A patent/JPS58169068A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63142826A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Tokyo Electron Ltd | プロ−ブカ−ド |
| JPH0582972B2 (ja) * | 1986-12-05 | 1993-11-24 | Tokyo Electron Ltd | |
| JPH01173883A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Nec Corp | 半導体製品の測定治具 |
| US6761302B1 (en) | 1997-11-27 | 2004-07-13 | Nec Corporation | Device mounting method |
| JP2009204625A (ja) * | 2009-06-18 | 2009-09-10 | Nec Corp | 電気接点構造の素子検査方法 |
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