JPS58166821A - 信号処理装置 - Google Patents

信号処理装置

Info

Publication number
JPS58166821A
JPS58166821A JP58038135A JP3813583A JPS58166821A JP S58166821 A JPS58166821 A JP S58166821A JP 58038135 A JP58038135 A JP 58038135A JP 3813583 A JP3813583 A JP 3813583A JP S58166821 A JPS58166821 A JP S58166821A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
low
output
noise
reset
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58038135A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0332267B2 (ja
Inventor
シドニ−・レオ・ベンデル
ピ−タ・アラン・リバイン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of JPS58166821A publication Critical patent/JPS58166821A/ja
Publication of JPH0332267B2 publication Critical patent/JPH0332267B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/762—Charge transfer devices
    • H01L29/765—Charge-coupled devices
    • H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/76816—Output structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Picture Signal Circuits (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は例えば撮像その他の目的に使用する電荷結合
装置（以下ＣＣＤと呼ぶ）のような出力信号の処理装置
に関し、特にＳＮ比（信号対雑音比）を改善するその処
理法に関する。
一般にＣＣＤ撮像装置の出力信号はクロッキングされｆ
ｃＣレジスタから引出さｈる。この出力信号は浮動拡散
域のようなオンチックｅ′（ｏｎ　−ｃｈｉｐ）型電荷
電圧変換器から引出すこともでき、またリセットドレン
のようなドレン拡散域から直接信号１流を得ることもで
きる。出力信号を浮動拡散域から引出すと、入カキャノ
でシタンスを低くするためその撮像装置の形成されるの
と同じチック０上に集積する必要のある金属酸化物半導
体（ＭＯＳ）電界効果トランジスタ（ＦＥＴ　）　Ｋよ
シ緩衝されるが、このトランジスタは大きなｌ／ｆ雑音
を有し１周波数が低くなるほど単位帯域幅当シの雑音エ
ネルギを増す。この雑音は特に直流から約、１ｏｏＫＨ
ｚまでの間で問題で、表示画面に不規則な水平流線やフ
リッカを生ずる。この流線やフリッカは輝度の低いとき
極めてよく見える。出力信号がリセットドレンから引出
されると、本来容量性人力負荷の高い接合型ＦＥＴ　（
Ｊ−ＦＥＴ）を用いることによシ１　／　ｆ雑音を低下
し得る増幅器に印加される。この負荷は高周波数の損失
を生じ、この損失は高周波数ピーキングによシ補償する
ことができるカニ、そのピーキングが高周波雑音の増大
を生じてこねが再生画面に「スノー（ｓｎｏＷ）Ｊまた
は［塩胡精又（５ａｌｔ　　ａｎｄ　ｐｅｐｐｅｒ　）
雑音」として表示される。
従ってＣＣＤの出力信号を処理して信号対雑音比を最大
とし、こねによって再生画面の流線やスノー現象を最小
にすることが望ましい。一般に信号対雑音比をできるだ
け大きくする必要かあることは事実で、この発明による
とこれがＣＣＤ撮像装置のように同じ情報内容とほぼ反
対の雑音対周波数特性を持つ第１および第２の信号が得
らｈる場合または人手し得る場合に達成される。この発
明においては、この２つの信号を相補的低域および高域
濾波器でそハぞわ濾波して雑音の少ないＮ波信号を生成
し、この濾波信号を組合せる。
第１図のＣＣＤ撮像装置はテレビカメラに一般に用いら
ねるものである４ため、そのような用途を想定する。ま
たこの発明は３ｏ相および４相の撮像装置にも用い得る
が、こｈも２相装置と仮定する。
一般ｖｃＡ％Ｂ、Ｃ（ＤＬ／ジ、１．　タ１０，１２．
１４ト出力部１６が含まれ、ＡレジスタｌＯは被写体（
図示せず）の配列を有する。そのエネルギの大きさに比
例する電荷が発生してその累積電荷が１テレビジヨンフ
イ一ルド期間より若干短い時間蓄積さｈる。垂直ブラン
キング期間中にこの蓄積さ＃、＆に荷かクロック信号（
信号源図示せず）の制御の下にＡレジスタ１０からＢ　
Ｌ／ジスタ１２に順次転送される。各水平ブランキング
期間中ＫＢレジスタ中の全電荷バタンかクロック信号（
信号源図示せず）の制御の下に線１本分下方に移動し、
水平線１本の電荷をＣレジスタ１４に並列移動する。水
平線期間の次の有効部分では、電荷量が信号源１８から
の２相りロック信号の制御の下に出力部１６から順次読
取られる。信号源１８／／ｉ例えばＮＴＳＣ周波数で動
作して水平方向に約５００素子を持つ撮像装置用の周波
数約１０ＭＨｚの出力信号φ１、φ２を生成すること′
ができる。次の水平ブランキング期間中に他の水平線が
Ｂレジスタ１２からＣレジスタ１４に並列に送シ込まれ
、以下同様に進行する。最後にＢレジスタ１２に記憶さ
ｈたすべての線がＣレジスタ１４・に送シ込まれた後そ
わから読取られる。こわによってＢレジスタ１２は電荷
を累積していたＡレジスタ１０から他のフィールドの電
荷を受は得る状態になる。
第２図はその左上に（表面チャンネル装置も使用し得る
が埋込みチャンネル装置として示した）Ｃレジスタ１４
の右端と出力部１６の細部を示す。Ｐ型基板２０（Ｎチ
ャンネルＣＣＤを仮定する）はその上の２酸化シリコン
層（図示せず）上に複数個のゲート電極２２？有し、そ
の電極２２が１つおきに互いに雑相したクロック信号φ
１．φ２を受ける。この複数の電極は基板２０の実質的
全長に亘シ左方に拡がっている。Ｎ型ドーグ層１９Ｆｉ
電荷ウェルの極めて一部を上面から離して埋込みチャン
ネル動作を行う。電荷量（図示せず）はクロック信号の
制御の下に右に移動し、φｌが（Ｎチャンネル装置のと
き）低下するか負になると、その電荷量か殆んど瞬間に
ゲート２３を通って出力部１６の浮動拡散域２４まで移
動する。拡散域２４はリセットゲート２６、ＤＣゲート
２５．２７およびリセットドレン２８を含むＰＥＴのソ
ース電極として働らく。ドレン２８は増幅器４０（下達
）から供給される正の亀′圧源に接続されている。ゲー
ト２６は端子３４からリセット信号Ｒを受け、ゲート２
３はＤＣバイアスを受けて電極２２に生ずるＣクロック
信号から拡散域２４を遮蔽する。同様にゲート２５．２
７はリセットクロック信号が浮動拡散域２４とリセット
ドレン２８にそれぞれ供給されるのを防止する。またゲ
ー）　２３．２５．２７はクロック信号とリセット信号
中の不規則雑音が場合によって拡散域２４やドレン２８
に供給されるのを実質的に防止する。これによって無雑
音クロックおよびリセット信号の必要がなくなる。
信号Ｒが生ずる（高くまたは正になる）と、基板２０内
に導電チャンネルを形成し、これを通って拡散域２４の
電子が前の電荷量から拡散域２８に流れ、さらに増幅器
４ＯＫその人力信号として流れてその人力に電圧ＶＲＤ
を生ずる。この電圧はその導電チャンネルの低インピー
ダンスを介して拡散域２４に印加される。信ＯＲ，が低
下するとそのチャンネルが非導通になり、僅かの遅延後
信号φ１も低下するため電極９２の下の電荷量の電子は
拡散域２４に移動してその正−電位をその電荷量の電子
数すなわちその１′荷団が最初発生しｆｃＡレジスタ１
０の領域に入射した光に比例する量だけ低下させる。こ
の拡散域２４の新しい低い電圧は信号Ｒが再び上昇する
まで保持される。
電荷皿内の電子数は比較的少ないため、拡散域２４のキ
ャパシタンスは可使出力電圧を得るために小さくなけれ
ばならない。従って出力部１６はゲート３５を拡散域２
４Ｋ、ドレン３６を端子３８を介して正電圧源ＶＤＤに
接続され、ソース４２を抵抗４４を介して接地されたＭ
Ｏ８ＦＥＴ緩衝増幅器を含んでいる。
この構成はソースホロワを形成することか判る。
一般に抵抗４４１／ｉ帯域幅を大きくするため小さくす
べきであるか、そｈがＭＯＳＦＥＴの内部抵抗と分圧器
を形成し、こわが出力電圧を低下させるため余シ小さ過
ぎてはならない。ＭＯＳＦＥＴに関する問題は、拡散域
２４のキャパシタンスか小さいため高周波数で高い８７
Ｎ比を示すが、１／ｆ雑音の量が大きく、すなわち単位
帯域幅当υの雑音エネルギが周波数が低いほど大きくな
ることである。こｈＫ対し、ドレン２８から取出される
出力信号はそのドレン２８の容量性入力負荷のため高周
波ピーキングを要する増幅器４０Ｖｃ印加されて高周波
数のＳ／Ｎ比が小さくなる。しかし増幅器４０け比較器
１／ｆ雑音の々いＪ−ＰＥＴまたはバイポーラ人力トラ
ンジスタを使用することができる。このようなトランジ
スタは入力キャパシタンスを減するためにＣＣＤ撮像装
置と共通の基板上に容易に形成することができず、従っ
てまｆｃ　ＭＯＳＦＥＴの代多ニオンチッフ０ソースホ
ロワの形成に使用することもできない。この発明はこれ
らの問題の効果を実質的に排除するためのものである。
オンチック０ソースホロワからの出力信号はインピーダ
ンス整合用エミッタホロワ４６を介して低域濾波器（Ｌ
ＰＦ　）　４ａＶｃ印加される。この低域濾器４８けＣ
クロック１８の周波数のｌ／２すなわち１０ＭＨｚタロ
ツクに対して５ＭＨｚのナイキスト周波数に等しい遮断
周波数を持つことが好ましい。低域濾波器４８はまたベ
ースバンド映像信号とほぼクロック周波数が中心の１対
の映像信号側波帯の下側側波帯との間のエーリアシング
（スペクトル重畳）を減する。
低域濾波器４８の出力信号はキードフラング回路５０に
印加される。このクラ７７０回路５０には信号源（図示
せず）からフランツ０信号が印加さｈるが、この信号は
持続時間約０．５μ秒で、Ｂレジスタ１２から転送され
た電荷が全部読取られた後、水平ブランキング期間中に
クロンク信号φｌ、φ２が短時間続くＣレジスタ１４の
過走査中に生ずる。こｈＫよってＣレジスタ１４からの
暗信号′電流が所敬の基準レベルにクランダされる。こ
の過走査期間を通じてブランキング信号が回路５０［も
印加され、雑音や残留Ｃクロック信号が全くクラン７０
回路５０の出力信号に生じないようにさハる。フラング
回路５０は低い出力インピーダンスな持ち（理由後述）
、その出力信号をコンデンサ５２に印加する。拡散域２
４からの信号は反転され（黒方向に振幅を増す）。
輝度を増す正向き信号が推奨されるため、クランク０回
路５０はまた反転出力を有する。
リセットドレ７２８の出力信号は例え、ば電位２０ボル
トの直流電源５６に結合さｈた増幅器４０に印加され、
こわによって増幅器４０は＋１５ボルトの電位ｖＲ，Ｄ
をリセットドレン２８に印加する。その上増幅器４０は
許容時間で拡散域２４をリセットするに足る充分高い電
流を供給するために人力インピーダンスが極めて低い。
この低−人力インピーダンスは負帰還を用いて得られる
。増幅器４０の出力信号は低域濾波器（ＬＰＦ　）　４
ａと向じでよい低域濾波器５８に印加さｈる。この濾波
器は出力映像信号からＣクロック１８からの信号の貫通
接続を除くが、後述のように映像信号はさらに低域濾波
さｈるためエーリアシングを除く必要はない。低域濾波
器５８の出力信号はクラン７６回路５０と同じで同じク
ランク０信号およびキーイング信号を受けるキードクラ
ン７０回路６０に印加さｈる。このフラング回路６０は
低い出力インピーダンスを有し、その出力信号を可変抵
抗６２に印加する。
フラング回路５０の出力インピーダンスは低いため、フ
ラング回路６０からの信号は抵抗６２とコンデンサ５２
から成るＲＣ低域濾波器に印加される。これによ邊増幅
器４０の高周波数ピーキングによる高周波数信号と雑音
が減じらハる。クラ７７０回路６０の出力インピーダン
スも低いため、フラッフ°回路５０の出力信号は抵抗６
２とコンデンサ５２から成るＲＣ高域濾波器（ＨＰＦ　
）に印加される。ここで濾波された信号は組合されてエ
ミッタホロワとし得る増幅器６４に印加さハてその出力
信号を得る。
高域濾波器と低域濾波器は同じ成分６２．５２を含むた
め、その伝達特性は完全相補性を有する。このとき両濾
波器の過渡応答は逆相のため、こｈは雑音特性が完全に
相補的でなくても重要である。
従って両者の出力信号を加え合すと２つの過渡特性が実
質的に相殺される。遷移周波数は抵抗６２かコンデンサ
５２を変えることによ多制御することができる。この周
波数は重要ではないが、　　５０ＫＩＩｚないし１ＭＨ
ｚか良好であった。雑音は非コヒーレントに加わるが信
号はコヒーレントに加わるため、遷移周波数においてＳ
／Ｎ比が３ｄＢ向上する。高域濾波器および低域濾波器
が正しく動作するためには、抵抗６２とコンデンサ５２
に印加さｈる信号が同相であることを要する。このため
に出力信号チャンネル４６．４８．５０または４ｏ、　
５８．６ｏの一方に遅延線を要することかある。
この発明の実施例は他にも多く可能なことが判る。
例えば、信号路の低域濾波器をリセット信号７２８に結
合し、高域濾波器を減算器の肉入力に接続された同じ低
域浦波器と遅延素子で構成し、高域濾波器の回路全体を
浮動拡散域２４に結合さｈた信号路に結合することによ
り、相補濾波器を作ることもできる。また第３図に示す
ように、浮動ゲート２４１を第２図の浮動拡散域２４に
対する信号出方とじて置換し、チン７°外回路をそのま
まとすることもできる。このゲート２４１ｄＣＣＤの出
力ドレン拡散域を介してリセットさｔないが、端子３４
のリセット信号によりトランジスタ９０を介して電圧Ｖ
ＤＤＫリセットされるため、増幅器４００Åカインピー
ダンスを低くする必要がなくなる。この浮動ゲート出力
は端子３４に受入れたリセット信号にょシ各線に付き１
回リセットすることができる。このため線周波数のリセ
ット信号か生じ、これは高域濾波器５２．６２を通過し
ない。
この発明の原理はまたパケットブリッジ装置のような他
の電荷転送装置にも適用することができ、また撮像装置
以外の例えば遅延線のような用途にも利用することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来法のＣＣＤ撮像装置の概略図、第２図は第
１図の撮像装置の一部の断面図とこの発明の第１の実施
例による信号処理回路の部分ブロック図、第３図はこの
発明の第２の実施例を示す図である。 １４・・・ＣＣＤ撮像装置、２４・・・浮動ゲートまた
は拡散域、２８・・・信号ドレン、　４０．４６・・・
信号印加手段、５２゜６２・・・濾波手段、５２．６２
．６４・・・信号組合せ手段。 特許出願人　アールシーニー　コーポレーション化　理
　人　　清　　水　　　哲　ほか２名才ｌｒｊｆＵ 手続補正書（自発） 昭和５８年４月ｊ日 特許庁長官　若　杉　和　夫　　　殿 １、事件の表示 特願昭５８−３８１３５号 ２、発明の名称 信号処理装置 住所　　　アメリカ合衆国　ニューヨーク州　１００２
０ニユーヨーク　ロックフェラー　プラザ　３０氏名（
６２２９）荘司正１！ｌｌ偏。 ５、　補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」および「発明の詳細な説明
」の各欄。 ６、　補正の内容 （１）　　特許請求の範囲を別紙の通りに訂正します。 （２）明細書の第５頁第１Ｏ行中の「離相」を「雌用」
と訂正します。 （３）同書第６頁第２行中の「リセット」を「リセット
」と訂正します。 （４）同書第７頁第７行中の「可使出力電圧Ｊを「可使
用出力電圧」と訂正します。 添付書類 特許請求の範囲 以　　上 （２） 特許請求の範囲 （１）反対の雑音対周波数特性を有する１対の信号をこ
の信号をそれぞれ相補的高域および低域濾波効果をもっ
て濾波する濾波手段に印加して雑音の少ない濾波信号を
生成する手段と、との濾波信号を組合せる手段とを含む
信号処理装置。 （２）上記信号印加手段が、上記１対の信号を上記濾波
手段にそれぞれ印加するための信号ドレンと浮動ゲート
または拡散域とを有するＣＣＤ撮像装置を含むことを特
徴とする特許請求の範囲（１）記載の装置。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）反対の雑音対周波数特性を有する１対の信号をこ
    の信号をそｈぞわ相補的高域および低域濾波効果をもっ
    て濾波する濾波手段に印加して雑音の少ない濾波信号を
    生成する手段と、との濾波信号を組合せる手段とを含む
    信号処理装置。
  2. （２）上記信号印加手段が、信号ドレンと、上記１対の
    信号を上記濾波手段にそれぞれ印加するための浮動ゲー
    トまたは拡散域とを有するＣＣＤ撮像装置を含むことを
    特徴とする特許請求の範囲（１）記載の装置。
JP58038135A 1982-03-08 1983-03-07 信号処理装置 Granted JPS58166821A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/356,212 US4435730A (en) 1982-03-08 1982-03-08 Low noise CCD output
US356212 1982-03-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58166821A true JPS58166821A (ja) 1983-10-03
JPH0332267B2 JPH0332267B2 (ja) 1991-05-10

Family

ID=23400591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58038135A Granted JPS58166821A (ja) 1982-03-08 1983-03-07 信号処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4435730A (ja)
JP (1) JPS58166821A (ja)
CA (1) CA1191910A (ja)
DE (1) DE3308182C2 (ja)
GB (1) GB2116398B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6265571A (ja) * 1985-09-13 1987-03-24 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 出力ビデオ信号発生回路

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4580168A (en) * 1982-05-27 1986-04-01 Rca Corporation Charge-storage-well dark current accumulator with CCD circuitry
US4508975A (en) * 1982-09-28 1985-04-02 Rca Corporation Pulse duration modulator using charge coupled devices
US4499497A (en) * 1982-12-27 1985-02-12 Rca Corporation CCD Imager with improved low light level response
US4549215A (en) * 1983-04-07 1985-10-22 Rca Corporation Low noise black level reference for CCD imagers
EP0131387B1 (en) * 1983-06-15 1989-03-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid state image sensor with high resolution
JPS6086981A (ja) * 1983-10-18 1985-05-16 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPS6086980A (ja) * 1983-10-18 1985-05-16 Toshiba Corp 固体撮像装置
US4608606A (en) * 1984-03-15 1986-08-26 Rca Corporation CCD floating-element output stages providing low reset noise with single sampling
JPH0640665B2 (ja) * 1984-04-13 1994-05-25 株式会社東芝 固体撮像装置の出力信号再生回路
JPH0669049B2 (ja) * 1984-08-20 1994-08-31 株式会社東芝 Ｃｃｄ出力信号処理回路
JPS6190574A (ja) * 1984-10-11 1986-05-08 Canon Inc 撮像装置
JPH079981B2 (ja) * 1985-02-05 1995-02-01 ソニー株式会社 電荷転送装置
JP2564272B2 (ja) * 1986-03-14 1996-12-18 株式会社日立製作所 固体撮像装置の信号読み出し装置
US4717830A (en) * 1986-07-18 1988-01-05 Santa Barbara Research Center Correlated sampling amplifier
US4757386A (en) * 1986-12-05 1988-07-12 Recognition Equipment Incorporated Dual channel signal processing system for an image sensor
JPH084136B2 (ja) * 1987-12-22 1996-01-17 日本電気株式会社 電荷転送装置
JP2777192B2 (ja) * 1989-05-25 1998-07-16 日本放送協会 固体撮像装置
JPH05251480A (ja) * 1992-03-04 1993-09-28 Sony Corp 電荷電圧変換装置
EP0563846A1 (en) * 1992-03-30 1993-10-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dynamic peaking aperture correction for use with a CCD camera
US7317484B2 (en) * 2003-02-26 2008-01-08 Digital Imaging Systems Gmbh CMOS APS readout scheme that combines reset drain current and the source follower output

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2514022A (en) * 1946-04-01 1950-07-04 Rca Corp Video signal circuit for noise limiting
DE2936704A1 (de) * 1979-09-11 1981-03-26 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Monolithisch integrierte schaltung mit einem zweidimensionalen bildsensor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6265571A (ja) * 1985-09-13 1987-03-24 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 出力ビデオ信号発生回路

Also Published As

Publication number Publication date
GB2116398A (en) 1983-09-21
GB8305460D0 (en) 1983-03-30
CA1191910A (en) 1985-08-13
US4435730A (en) 1984-03-06
DE3308182C2 (de) 1995-09-07
JPH0332267B2 (ja) 1991-05-10
DE3308182A1 (de) 1983-09-15
GB2116398B (en) 1986-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS58166821A (ja) 信号処理装置
US4549215A (en) Low noise black level reference for CCD imagers
US7317484B2 (en) CMOS APS readout scheme that combines reset drain current and the source follower output
JP3673620B2 (ja) 光電変換装置
US4499497A (en) CCD Imager with improved low light level response
JP2002517135A (ja) 拡張ダイナミックレンジ画像センサシステム
US4644287A (en) Low noise synchronous detection for a charge transfer device
JP2798670B2 (ja) サンプル毎に異なるリセット雑音成分を含む電荷転送装置によって生成される出力信号から情報信号成分を回復する装置
US4719512A (en) Noise cancelling image sensor
JPH0575226B2 (ja)
JPS6086981A (ja) 固体撮像装置
JPH0754973B2 (ja) 固体撮像素子の駆動方法
JP2000270267A (ja) 固体撮像素子用雑音除去回路
JP3818711B2 (ja) 相関二重サンプリング回路
JP2891880B2 (ja) 固体撮像装置
US4412190A (en) Apparatus for processing CCD output signals
JPH01208975A (ja) 電荷結合素子の信号処理装置
JPS63142781A (ja) 固体撮像装置
JPH08237557A (ja) 相関器回路
Sauer et al. A CCD comb filter IC for TV receivers
JP2767878B2 (ja) 電荷転送素子の出力回路
JPH099149A (ja) Ｃｃｄ撮像信号処理回路
JPS63124685A (ja) 固体撮像装置
JPS6160084A (ja) 固体撮像装置
JPS6178284A (ja) 固体撮像装置