DE3308182C2 - Rauscharme CCD-Ausgangsschaltung - Google Patents
Rauscharme CCD-AusgangsschaltungInfo
- Publication number
- DE3308182C2 DE3308182C2 DE3308182A DE3308182A DE3308182C2 DE 3308182 C2 DE3308182 C2 DE 3308182C2 DE 3308182 A DE3308182 A DE 3308182A DE 3308182 A DE3308182 A DE 3308182A DE 3308182 C2 DE3308182 C2 DE 3308182C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- output
- input
- signal
- output signal
- coupled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 4
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 235000002566 Capsicum Nutrition 0.000 description 1
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 1
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 235000010678 Paulownia tomentosa Nutrition 0.000 description 1
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- 239000006002 Pepper Substances 0.000 description 1
- 235000016761 Piper aduncum Nutrition 0.000 description 1
- 235000017804 Piper guineense Nutrition 0.000 description 1
- 244000203593 Piper nigrum Species 0.000 description 1
- 235000008184 Piper nigrum Nutrition 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/762—Charge transfer devices
- H01L29/765—Charge-coupled devices
- H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/76816—Output structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Picture Signal Circuits (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Ausgangsschaltung für eine ladungs
gekoppelte Einrichtung mit den im Oberbegriff des Anspruchs 1
angegebenen Merkmalen.
Generell betrifft die Erfindung Schaltungsanordnungen zur Ver
arbeitung von Ausgangssignalen, beispielsweise von ladungsge
koppelten Einrichtungen (CCD), wie sie für die Bildaufnahme und
andere Zwecke verwendet werden, und insbesondere auf Signal
verarbeitungen zur Verbesserung des S/N-Verhältnisses (Signal-
Rausch-Verhältnis).
Das Ausgangssignal eines CCD-Bildaufnahmegerätes wird typischer
weise von einem taktgesteuerten "C"-Register abgegeben. Dieses
Ausgangssignal kann entweder über einen im gleichen Chip inte
grierten Ladungs-Spannungs-Wandler, wie beispielsweise eine
potentialfreie Diffusionszone oder als Signalstrom direkt aus
einer Drain-Diffusionszone wie beispielsweise einem Rückstell-
Drain gewonnen werden. Bei Abnahme des Ausgangssignals von
einer potentialfreien Diffusionszone wird es durch einen MOSFET-
Verstärker zwischenverstärkt, der gemeinsam mit der Bildauf
nahmeanordnung auf demselben Chip integriert sein muß, um eine
niedrige Eingangskapazität zu erreichen. Derartige Transistoren
zeigen jedoch ein starkes 1/f-Rauschen, d. h. die Rauschenergie
pro Bandbreiteneinheit nimmt mit abnehmender Frequenz zu. Ins
besondere im Frequenzbereich von 0 bis ungefähr 100 kHz ist
dieses Rauschen besonders störend und verursacht auf dem Bild
schirm regellos auftretende, horizontale Streifen und Flimmer
erscheinungen. Bei schwacher Beleuchtung sind diese Streifen-
und Flimmererscheinungen sehr deutlich sichtbar.
Aus der DE 29 36 704 A1 ist ein 1-Chip-Ladungs/Spannungswandler mit poten
tialfreier Gatezone als Ausgangsstufe eines Bildwandlers be
kannt, bei dem ähnliche Rauschprobleme auftreten. Bei Abnahme
des Ausgangssignals von einem Rückstell-Drain wird es einem
Verstärker zugeführt, der für ein niedriges 1/f-Rauschen mit
einem J-FET (Sperrschicht-Feldeffekttransistor) ausgestattet
werden kann, der wiederum von Natur aus eine hohe Eingangs
kapazität hat. Diese Eingangskapazität bewirkt einen Verlust
bei hohen Frequenzen, der durch eine Hochfrequenzanhebung
ausgeglichen werden kann. Diese Versteilerung führt jedoch zu
hochfrequentem Rauschen, das auf dem Bildschirm als "Schnee"
oder "Salz und Pfeffer" sichtbar wird.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, bei der Signalver
arbeitung von CCD-Ausgangssignalen das Signal-Rausch-Verhältnis
zu verbessern und so Streifenbildung und Schnee auf dem Bild
schirm zu verhindern.
Diese Aufgabe wird bei einer Ausgangsschaltung für eine ladungs
gekoppelte Einrichtung der eingangs erwähnten Art erfindungs
gemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
Bei der vorliegenden Erfindung kann eine Verbesserung des
Rauschabstandes immer dann erreicht werden, wenn ein erstes und
ein zweites Signal verfügbar sind, deren Informationsgehalt
gleich und deren Rausch-Frequenz-Charakteristik ungefähr ent
gegengesetzt ist, wie es bei einem CCD-Bildaufnahmegerät der
Fall ist oder erreicht werden kann. Die Erfindung umfaßt die
Filterung dieser Signale mit komplementären Tief- bzw. Hochpaß-
Filtern zur Erzeugung gefilterter Signale mit reduziertem Rau
schen und die Summation der gefilterten Signale.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung unter
Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines bekannten CCD-
Bildwandlers;
Fig. 2 eine Teilschnittzeichnung eines Teiles des Bildwandlers
gemäß Fig. 1 und ein teilweise in Blockform gehaltenes
Schaltbild einer Signalverarbeitungsschaltung ent
sprechend einer ersten Ausführungsform der Erfindung;
und
Fig. 3 eine zweite Ausführungsform der Erfindung.
Der CCD-Bildwandler in Fig. 1 ist typisch für eine Anwendung in
Fernsehkameras und eine solche soll im folgenden angenommen
werden. Ferner wird angenommen, daß es sich um einen Zweiphasen
wandler handelt, obwohl die Erfindung auch bei Drei- oder Vier
phasen-Bildwandlern verwendet werden kann. Allgemein umfaßt er
A-, B- und C-Register 10, 12 bzw. 14 und einen Ausgangsteil 16.
Das A-Register 10 umfaßt eine Matrix mit photoempfindlichen
Elementen, die von Strahlungsenergie, beispielsweise Licht, aus
einer nicht gezeigten Aufnahmeszene bestrahlt wird. Ladung wird
proportional zur Energieintensität freigesetzt und für etwas
weniger als eine Fernseh-Halbbildperiode aufakkumuliert. Wäh
rend des vertikalen Austastintervalls wird die akkumulierte
Ladung unter Taktsignalsteuerung
spaltenweise aus dem A-Register 10 in das
B-Register 12 übergeführt. Während jedes horizontalen
Austastintervalls wird das gesamte Ladungsbild im
B-Register 12 zeilenweise unter Steuerung durch ein Taktsignal von
einer nicht dargestellten Taktsignalquelle
parallel nach unten in das C-Register 14 verschoben.
Während des nächsten aktiven Zeitabschnittes der Horizontal
zeilenperiode werden die Ladungspakete aus dem Aus
gangsteil 16 unter Steuerung durch ein zweiphasiges Takt
signal von einer Quelle 18, deren Ausgangssignale mit Φ₁
und Φ₂ bezeichnet sind, seriell ausgelesen. Die Aus
gangssignalfrequenz der Taktsignalquelle kann beispiels
weise ca. 10 MHz für ein Bildaufnahmegerät, das mit NTSC-
Abtastfrequenzen arbeitet und ca. 500 Elemente in hori
zontaler Richtung aufweist, betragen. Während des näch
sten horizontalen Austastintervalls wird eine weitere
Horizontalzeile durch Parallelschiebung aus dem
B-Register 12 in das C-Register 14 gebracht, usw. Schließ
lich sind dann alle im B-Register 12 gespeicherte Zeilen
in das C-Register 14 verschoben und aus diesem
wieder ausgelesen worden. Jetzt kann das B-Register 12
ein anderes Feld der vom A-Register 10 akkumulierten
Ladungen aus dem A-Register 10 aufnehmen.
Fig. 2 zeigt im oberen linken Teil Einzelheiten
des rechten Endes des C-Registers 14 (hier ist eine
Ausführung mit verdeckter Kanalstruktur gezeigt
("buried channel device") - geeignet sind jedoch auch
Oberflächen-Kanalstrukturen ("surface channel device") -
und den Ausgangsteil 16. Auf einer nicht veranschaulichten
SiO₂-Schicht auf einem (für einen N-Kanal CCD) P-Substrat 20
ist eine Vielzahl von Gate-Elektroden 22 angeordnet,
denen alternierend die gegenphasigen Taktsignale Φ₁ und
Φ₂ zugeführt werden. Diese Elektrodenanordnung erstreckt
sich nach links im wesentlichen über die gesamte Substrat
länge 20. Durch eine N-leitend dotierte Schicht 19 werden
die Potentialwannen von der oberen Oberfläche weg verlagert,
um einen Betrieb mit verdecktem
Kanal zu erreichen.
Unter der Taktsignalsteuerung werden die Ladungspakete
(nicht gezeigt) nach rechts geschoben. Bei Abfall des
Taktsignals Φ₁ auf einen niedrigen oder negativen Pegelwert
(für eine Anordnung mit N-leitendem Kanal) wird
ein Paket fast momentan an einem Gate 23 vorbei zu
einer potentialfreien Diffusionszone 24 des Ausgangsteils 16
verschoben. Die Diffusionszone 24 dient als Source-Elektrode
eines FET mit einem Rückstell- oder Reset-Gate 26,
Gleichstrom- oder D.C.-Gates 25 und 27 und einem Reset-Drain
28. Das Drain 28 ist über einen weiter unten beschriebenen Verstärker 40 mit einer (für einen N-Kanal-CCD)
positiven
Spannungsquelle verbunden.
Über einen Anschluß 34 wird dem Gate 26 ein Rückstellsignal
R zugeführt. Das Gate 23 wird mit einer Gleichvorspannung
gespeist und schirmt die Diffusionszone 24
von den C-Taktsignalen an den Elektroden 22 ab. In ähnlicher
Weise verhindern die Gates 25 und 27 das Übersprechen
des Rückstell-Taktsignals auf die potentialfreie
Diffusionszone 24 bzw. das Reset-Drain 28. Weiterhin
verhindern die Gates 23, 25, 27 im wesentlichen die
Übertragung von weißen Rauschen in den Takt- und Rückstellsignalen,
je nach Fall, an die Diffusionszone 24
und das Drain 28. Man braucht daher keine rauschfreien
Takt- und Rückstellsignale. Beim Auftreten des R-Signals
(Übergang zu einem hohen ("H") oder positiven Wert) gelangt
die am Eingang des Verstärkers 40 liegende Spannung VRD
über einen leitenden Kanal im Substrat 20 an die Diffusionszone
24. Wenn das Signal R niedrig
("L") wird, wird der Kanal nichtleitend und nach einer
kleinen Zeitverzögerung wird auch das Signal Φ₁ niedrig.
Dadurch werden die Elektronen des Ladungspakets unter
einer Elektrode 92 zur Diffusionszone 24 transportiert,
wodurch deren positives Potential um einen zu der Zahl
der Elektronen in dem Ladungspaket proportionalen
Betrag gesenkt wird, der wiederum proportional zu der
Lichtenergie ist, die auf die Fläche des A-Registers 10
gefallen war, von der das spezielle Ladungspaket
ursprünglich stammte. Dieser neue, niedrigere Spannungs
wert der Diffusionszone 24 wird bis zum Übergang des
Signals R in den H-Bereich aufrechterhalten.
Eine brauchbare Ausgangsspannung kann wegen der relativ
geringen Zahl von Elektronen in einem Ladungspäckchen
nur bei einer kleinen Kapazität der Diffusionszone 24
erhalten werden. Der Ausgangsteil 16 enthält daher
einen MOSFET-Zwischen- oder Trennverstärker, der unter
anderem aus einem mit der Diffusionszone 24 verbundenen
Gate 35, einem über einen Anschluß 38 mit einer posi
tiven Spannungsquelle VDD verbundenen Drain 36 und
einer über einen Widerstand 44 mit Erde verbundenen
Source 42 besteht. Diese Anordnung stellt eine Source
folger-Schaltung dar. Im allgemeinen sollte der Wider
stand 44 für große Bandbreiten klein sein, jedoch nicht
zu klein, da er zusammen mit dem MOSFET-Innenwiderstand
einen Spannungsteiler bildet, der die Ausgangsspannung
reduziert. Ein Problem bei MOSFET ist der große An
teil an 1/f-Rauschen, das bedeutet den Anstieg der
Rauschenergie pro Bandbreiteneinheit bei sinkender
Frequenz, während andererseits die niedrige Kapazität
der Diffusionszone 24 ein hohes Signal-Rausch-Verhältnis
bei hohen Frequenzen garantiert. Im Gegensatz dazu wird
das vom Drain 28 erhaltene Ausgangsstromsignal dem Ver
stärker 40 zugeführt, der wegen der kapazitiven Eingangs
belastung des Drains 28 eine Hochfrequenzanhebung
erfordert und dadurch ein schlechtes Signal-Rausch-Ver
hältnis bei hohen Frequenzen aufweist. Der Verstärker 40
kann jedoch Sperrschicht-FETs oder bipolare Eingangs
transistoren, die relativ frei von 1/f-Rauschen sind,
enthalten. Derartige Transistoren können nicht ohne
weiteres mit dem CCD-Bildwandler auf einem ge
meinsamen Substrat hergestellt werden, um die Eingangs
kapazität zu reduzieren, und können daher auch nicht
als im gleichen Chip integrierter Sourcefolger anstelle
des MOSFET verwendet werden. Die vorliegende Erfin
dung ist auf die Vermeidung im wesentlichen der nach
teiligen Auswirkungen dieser Probleme gerichtet.
Das Ausgangssignal des auf dem Chip integrierten
Sourcefolgers wird über einen Emitterfolger 46 zur
Impedanzanpassung einem Tiefpaßfilter 48 zugeführt.
Der Tiefpaßfilter 48 hat vorzugsweise eine Grenzfrequenz
bei der halben C-Taktfrequenz 18, d. h. bei der Nyquist-
Frequenz, die für einen 10 MHz-Takt 5 MHz ist. Das
Tiefpaßfilter 48 reduziert auch die Spektrumüberlappung
("aliasing") des Basisband-Videosignals mit dem unteren
Seitenband der beiden um die Taktfrequenz zentrierten
Videosignal-Seitenbänder.
Das Ausgangssignal des Tiefpaßfilters 48 wird einer
getasteten Klemmschaltung 50 zugeführt. Der Klemmschal
tung 50 wird ein Klemmsignal von einer nicht gezeigten
Quelle zugeführt, das eine Dauer von ungefähr 0,5 µs
hat und während der Überabtastung des C-Registers 14 auf
tritt, während der die Taktsignale Φ₁ und Φ₂ für eine
kurze Dauer während des horizontalen Austastintervalls
nach dem vollständigen Auslesen der aus dem B-Register
12 übertragenen Ladung fortdauern. Das erlaubt den Dun
kelstrom aus dem C-Register 14 auf einen gewünschten
Referenzpegel zu klemmen. Während der gesamten Überab
tastzeit wird der Klemmschaltung 50 ein Austastsignal
zugeführt, um Rauschen und restliche C-Taktsignale
im Ausgangssignal der Klemmschaltung 50 zu unterdrücken.
Die Klemmschaltung 50 hat, wie später erklärt werden wird,
eine niedrige Ausgangsimpedanz und gibt ihre Ausgangs
signale an einen Kondensator 52 ab. Die Klemmschaltung 50
hat ferner einen invertierenden Ausgang, da die Signale
von der Diffusionszone 24 invertiert werden (ansteigende
Amplitude bedeutet Schwarzrichtung) und Signale mit
positivem Anstieg bei steigender Helligkeit bevorzugt
werden.
Das Ausgangssignal des Reset-Drains 28 wird dem mit einer
Gleichspannungsquelle 56, in einer speziellen Ausfüh
rungsform 20 Volt, verbundenen Verstärker 40 zugeführt.
Dieser Verstärker 40 legt ein 15 Volt-Potential VRD an
die Rückstell-Drain-Elektrode 28. Der Verstärker 40
enthält eine Sperrschicht-FET-Eingangsstufe mit sehr
niedrigem 1/f-Rauschen. Der Verstärker hat außerdem
eine sehr niedrige Eingangsimpedanz um einen ausrei
chend hohen Strom zur Rückstellung der Diffusionszone 24
in einen Anfangszustand während der zur Verfügung stehen
den Zeit liefern zu können. Diese niedrige Eingangs
impedanz kann man durch Gegenkopplung erreichen. Das
Ausgangssignal des Verstärkers 40 wird einem Tiefpaß
filter 58 zugeführt, das mit dem Tiefpaßfilter 48 iden
tisch sein kann. Dieses Filter entfernt die von der
C-Taktsignalquelle 18 durchgeschaltenen Signale aus dem
Ausgangsvideosignal, aber es braucht wegen der weiteren,
unten erläuterten Tiefpaßfilterung des Videosignals die
Spektrumüberlappung nicht zu unterdrücken. Das Ausgangs
signal des Tiefpaßfilters 58 wird einer getasteten
Klemmschaltung 60 zugeführt, die mit der Klemmschaltung
50 übereinstimmt und gleiche Tast- und Klemmsignale er
hält. Die Klemmschaltung 60 hat eine niedrige Ausgangs
impedanz und gibt ihr Ausgangssignal an einen variablen
Widerstand 62 ab.
Wegen der niedrigen Ausgangsimpedanz der Klemmschaltung
50 wird das Signal aus der Klemmschaltung 60 einem R-C-
Tiefpaßfilter mit dem Wider
stand 62 und dem Kondensator 52 zugeführt. Folglich
wird das wegen
der Hochfrequenzanhebung des Verstärkers 40 auftretende Hochfrequenzsignal und Rauschen abge
schwächt. Wegen der niedrigen Ausgangsimpedanz der
Klemmschaltung 60 wird das Ausgangssignal aus der Klemm
schaltung 50 dem R-C-Hochpaßfilter mit dem Widerstand 62
und dem Kondensator 52 zugeführt. Die so gefilterten
Signale werden summiert und gemeinsam einem Verstärker 64
beispielsweise einem Emitterfolger zugeführt, der das
Ausgangssignal liefert.
Da das Hochpaßfilter und das Tiefpaßfilter dieselben
Komponenten 62 und 52 enthalten, sind ihre Übertragungs
charakteristiken exakt komplementär. Dies ist auch dann
wichtig, wenn die Rauschverhältnisse nicht genau komple
mentär sind, da das Einschwingverhalten des Hoch- und
Tiefpasses genau gegenphasig sind. Daher heben sich
die Einschwingvorgänge bei der Addition der Ausgangs
signale im wesentlichen auf. Die Kontrolle der Über
schneidungsfrequenz erfolgt durch Änderung des Wider
standes 62 oder als Alternative des Kondensators 52.
Diese Frequenz ist nicht kritisch und Frequenzen zwischen
50 kHz und 1 MHz wurden erfolgreich verwendet. Es stellt
sich eine 3-dB-Verbesserung des Signal-Rausch-Abstandes
bei der Überschneidefrequenz ein, da sich die Signale
kohärent, das Rauschen aber inkohärent addiert. Für ein
richtiges Arbeiten des Hoch- und Tiefpaßfilters müssen
die dem Widerstand 62 und dem Kondensator 52 zugeführten
Signale in Phase sein. Dies kann eine Verzögerungs
leitung in einem der Ausgangssignalkanäle 46, 48 und
50 oder 40, 58 und 60 erforderlich machen.
Natürlich sind auch viele andere Ausführungsformen der
vorliegenden Erfindung möglich.
Beispielsweise können komplementäre Filter auch mittels
eines Tiefpaßfilters in dem an das Rückstell-Drain 28
angekoppelten Signalweg und eines Hochpaßfilters in der
an die freie Diffusionszone 24 angekoppelten Signallei
tung gebildet werden, wobei das Hochpaßfilter ein iden
tisches Tiefpaßfilter und ein Verzögerungselement, die
mit entsprechenden Eingängen einer Subtrahierschaltung
gekoppelt sind, enthält. Es soll auch darauf hingewiesen
werden, daß, wie in Fig. 3 gezeigt, das potentialfreie Gate
24′ als Signalausgang die potentialfreie Diffusionszone 24
in Fig. 2 ersetzen kann, wobei die Schaltkreise außer
halb des Chips dieselben bleiben. Dieses Gate 24′ wird
nicht über die CCD-Ausgangs-Drain-Diffusionszone 28 in
ihren Ausgangszustand rückgestellt, sondern mit einem
Rückstellsignal am Anschluß 34 über einen Transistor 90
auf die Spannung VDD. Dadurch wird die Forderung nach
einem niedrigen Eingangswiderstand für den Verstärker 40
gemildert. Der potentialfreie Gate-Ausgang kann einmal pro
Zeile mittels eines dem Anschluß 34 zugeführten Rück
stellsignals rückgestellt werden. Dieser Rückstellvorgang
liefert eine Störung mit der Zeilenfrequenz, die vom
Hochpaßfilter 52, 62 nicht übertragen wird.
Das Erfindungsprinzip kann auch auf andere ladungsge
koppelte Einrichtungen angewendet werden, beispielsweise
auf sog. Eimerkettenschaltungen ("bucket brigade
devices") und für andere Verwendungszwecke als Bild
wandler, beispielsweise auf eine Verwendung mit
Verzögerungsleitungen.
Claims (5)
1. Ausgangsschaltung für eine ladungsgekoppelte Einrichtung,
die ein taktgesteuertes Register (14), ein periodisch zurückge
stelltes Element (24, 24′) mit schwimmendem Potential und eine
Drain-Diffundierung (28) enthält, sowie mit
einer Einrichtung (16), die aus dem periodisch zurückge stellten Element ein erstes Ausgangssignal ab leitet, das repräsentativ für eine Folge von Ladungspaketen ist, die im Register unter Taktsteuerung übertragen werden, gekennzeichnet durch
eine Einrichtung (40), die aus der Drain-Diffundierung ein zweites Ausgangssignal ableitet, das ebenfalls repräsen tativ für die besagte Folge von Ladungspaketen ist, die im Register unter Taktsteuerung übertragen werden,
eine Filtereinrichtung (52, 62), die einen zum Empfang des ersten Ausgangssignals angeschlossenen ersten Eingang, einen zum Empfang des zweiten Ausgangssignals angeschlossenen zweiten Eingang und einen Ausgang hat, wo eine Kombination des ersten und des zweiten Ausgangssignals erscheint,
wobei die Filtereinrichtung die vom ersten Eingang zum Ausgang laufenden Signale einer Hochpaß-Filterung und die vom zweiten Eingang zum Ausgang laufenden Signale einer Tiefpaß-Filterung aussetzt.
einer Einrichtung (16), die aus dem periodisch zurückge stellten Element ein erstes Ausgangssignal ab leitet, das repräsentativ für eine Folge von Ladungspaketen ist, die im Register unter Taktsteuerung übertragen werden, gekennzeichnet durch
eine Einrichtung (40), die aus der Drain-Diffundierung ein zweites Ausgangssignal ableitet, das ebenfalls repräsen tativ für die besagte Folge von Ladungspaketen ist, die im Register unter Taktsteuerung übertragen werden,
eine Filtereinrichtung (52, 62), die einen zum Empfang des ersten Ausgangssignals angeschlossenen ersten Eingang, einen zum Empfang des zweiten Ausgangssignals angeschlossenen zweiten Eingang und einen Ausgang hat, wo eine Kombination des ersten und des zweiten Ausgangssignals erscheint,
wobei die Filtereinrichtung die vom ersten Eingang zum Ausgang laufenden Signale einer Hochpaß-Filterung und die vom zweiten Eingang zum Ausgang laufenden Signale einer Tiefpaß-Filterung aussetzt.
2. Ausgangsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Tiefpaß-Filtercharakteristik und die
Hochpaß-Filtercharakteristik zueinander komplementär sind.
3. Ausgangsschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Filtereinrichtung einen zwischen den
ersten Eingang und den Ausgang gekoppelten Kondensator (52)
und einen zwischen den zweiten Eingang und den Ausgang
gekoppelten Widerstand (62) aufweist.
4. Ausgangsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die das erste Ausgangssignal ableitende
Einrichtung einen Sourcefolger-Transistor (35, 36, 42)
enthält, dessen Gateelektrode mit dem potentialfreien Element
(24; 24′) gekoppelt ist, und der auf demselben Substrat wie
die ladungsgekoppelte Einrichtung gebildet ist.
5. Ausgangsschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß die das zweite Ausgangssignal ableitende
Einrichtung einen Verstärker (40) enthält, der extern vom
besagten Substrat angeordnet ist und dessen Eingang mit der
Drain-Diffundierung (28) gekoppelt ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/356,212 US4435730A (en) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | Low noise CCD output |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3308182A1 DE3308182A1 (de) | 1983-09-15 |
DE3308182C2 true DE3308182C2 (de) | 1995-09-07 |
Family
ID=23400591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3308182A Expired - Fee Related DE3308182C2 (de) | 1982-03-08 | 1983-03-08 | Rauscharme CCD-Ausgangsschaltung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4435730A (de) |
JP (1) | JPS58166821A (de) |
CA (1) | CA1191910A (de) |
DE (1) | DE3308182C2 (de) |
GB (1) | GB2116398B (de) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4580168A (en) * | 1982-05-27 | 1986-04-01 | Rca Corporation | Charge-storage-well dark current accumulator with CCD circuitry |
US4508975A (en) * | 1982-09-28 | 1985-04-02 | Rca Corporation | Pulse duration modulator using charge coupled devices |
US4499497A (en) * | 1982-12-27 | 1985-02-12 | Rca Corporation | CCD Imager with improved low light level response |
US4549215A (en) * | 1983-04-07 | 1985-10-22 | Rca Corporation | Low noise black level reference for CCD imagers |
DE3477119D1 (en) * | 1983-06-15 | 1989-04-13 | Toshiba Kk | Solid state image sensor with high resolution |
JPS6086980A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPS6086981A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
US4608606A (en) * | 1984-03-15 | 1986-08-26 | Rca Corporation | CCD floating-element output stages providing low reset noise with single sampling |
JPH0640665B2 (ja) * | 1984-04-13 | 1994-05-25 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置の出力信号再生回路 |
JPH0669049B2 (ja) * | 1984-08-20 | 1994-08-31 | 株式会社東芝 | Ccd出力信号処理回路 |
JPS6190574A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-08 | Canon Inc | 撮像装置 |
JPH079981B2 (ja) * | 1985-02-05 | 1995-02-01 | ソニー株式会社 | 電荷転送装置 |
US4677490A (en) * | 1985-09-13 | 1987-06-30 | Rca Corporation | CCD imager output signal processing using drain output signal and wide-band sampled detected floating-element output signal |
JP2564272B2 (ja) * | 1986-03-14 | 1996-12-18 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置の信号読み出し装置 |
US4717830A (en) * | 1986-07-18 | 1988-01-05 | Santa Barbara Research Center | Correlated sampling amplifier |
US4757386A (en) * | 1986-12-05 | 1988-07-12 | Recognition Equipment Incorporated | Dual channel signal processing system for an image sensor |
JPH084136B2 (ja) * | 1987-12-22 | 1996-01-17 | 日本電気株式会社 | 電荷転送装置 |
JP2777192B2 (ja) * | 1989-05-25 | 1998-07-16 | 日本放送協会 | 固体撮像装置 |
JPH05251480A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Sony Corp | 電荷電圧変換装置 |
EP0563846A1 (de) * | 1992-03-30 | 1993-10-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Öffnungskorrektur mit dynamischer Verzerrung zur Benutzung mit einer CCD-Kamera |
US7317484B2 (en) * | 2003-02-26 | 2008-01-08 | Digital Imaging Systems Gmbh | CMOS APS readout scheme that combines reset drain current and the source follower output |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2514022A (en) * | 1946-04-01 | 1950-07-04 | Rca Corp | Video signal circuit for noise limiting |
DE2936704A1 (de) * | 1979-09-11 | 1981-03-26 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Monolithisch integrierte schaltung mit einem zweidimensionalen bildsensor |
-
1982
- 1982-03-08 US US06/356,212 patent/US4435730A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-02-28 GB GB08305460A patent/GB2116398B/en not_active Expired
- 1983-03-07 JP JP58038135A patent/JPS58166821A/ja active Granted
- 1983-03-08 CA CA000423111A patent/CA1191910A/en not_active Expired
- 1983-03-08 DE DE3308182A patent/DE3308182C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1191910A (en) | 1985-08-13 |
GB2116398B (en) | 1986-01-15 |
JPS58166821A (ja) | 1983-10-03 |
US4435730A (en) | 1984-03-06 |
GB2116398A (en) | 1983-09-21 |
DE3308182A1 (de) | 1983-09-15 |
JPH0332267B2 (de) | 1991-05-10 |
GB8305460D0 (en) | 1983-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3308182C2 (de) | Rauscharme CCD-Ausgangsschaltung | |
DE2938499C2 (de) | Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung | |
DE3412861C2 (de) | ||
DE3533922C2 (de) | Festkörper-Bildabtastvorrichtung | |
DE69920687T2 (de) | Bildsensor mit erweitertem dynamikbereich | |
DE2936703C2 (de) | ||
DE3003992A1 (de) | Festkoerper-abbildungsvorrichtung | |
DE3345215C2 (de) | Festkörper-Bildaufnahmewandler | |
DE3120458A1 (de) | Festkoerper-bildsensoranordnung | |
DE3719967C2 (de) | ||
DE3437561A1 (de) | Bildaufnahmevorrichtung | |
DE3725004C2 (de) | Bildaufnahmeanordnung mit einem Feststoffbildaufnehmer und einem elektronischen Verschluß | |
DE69228734T2 (de) | Festkörperbildaufnahmeeinrichtung und Kamera mit einer derartigen Bildaufnahmeeinrichtung | |
DE69508345T2 (de) | Ansteuerverfahren einer CCD Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung und Videokamera nach dem Verfahren | |
DE3874775T2 (de) | Halbleiterbildsensor. | |
DE2933412B2 (de) | Festkörper-Abbildungsvorrichtung | |
DE2248423A1 (de) | Ladungsuebertragungsschaltung | |
DE2939403C2 (de) | ||
DE69030526T2 (de) | Verfahren zum Betreiben einer CCD-Bildaufnahmevorrichtung mit Zwischenzeilenrasterübertragung | |
DE3600253A1 (de) | Festkoerper-bildsensor | |
DE3407038C2 (de) | Halbleiter-Photodetektor und Verfahren zu dessen Betrieb | |
DE2847992A1 (de) | Festkoerper-bildaufnahmevorrichtung | |
DE3880562T2 (de) | Bildaufnahmeanordnung mit einem Festkörpersensor und einem elektronischen Verschluss. | |
DE2611771A1 (de) | Verfahren zum betrieb einer cid- sensormatrix | |
CH623960A5 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |