JPS5816548A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5816548A JPS5816548A JP11471381A JP11471381A JPS5816548A JP S5816548 A JPS5816548 A JP S5816548A JP 11471381 A JP11471381 A JP 11471381A JP 11471381 A JP11471381 A JP 11471381A JP S5816548 A JPS5816548 A JP S5816548A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- metal
- annealing
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 60
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract 3
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 23
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は辷特に金属配線膜表面のパ、シペーシ、ン膜
または絶縁膜の形成方法を改善した半導体装置の製造方
法に関する。
または絶縁膜の形成方法を改善した半導体装置の製造方
法に関する。
一般に半導体装置の製造において、半導体基板表面に回
路素子、例えばパイ４−ラトランジスタのペース、エミ
、りとなるＰ＋拡散層およびＮ＋拡散層等を形成し、さ
らＫこの回路素子間を接続するための金属配線膜を形成
後、一基板表面上に外部から有害なイオン岬が侵入して
汚染されることを防止するためにパ、シペーシ、ン膜を
形成する。また上記金属配線膜が多層配線を構成する場
合には、この金属配線膜間に絶縁膜を形成する必要があ
る・このようなパ、シペーシ誓ン膜または絶縁膜は、従
来化学的気相成長法（以下ＣＶＤ法と称する）によって
リン珪化ガラス膜の薄膜を気相成長させて形成している
・との方法では、成長温度を得るために基板の加熱が必
要であるが、上記金属配線膜には通常アルミニウム等の
軟化点（熱によって変形するときの温度）の低い゛金属
が用いられるため上記薄膜形成時の加熱の温度条件が規
制され、通常４００ｐ前後の温度で行なわれている。し
かし、とのような低い温度のＣＶＤ法によると上記リン
珪化がラス膜からなる薄膜は、クラ、り等の欠陥が生じ
やすく、汚染阻止には障害となることがある。またこの
リン珪化がラス膜は、リンが本来有している吸湿性のた
め半導体装置の雰囲気中の湿度の度合によっては、十分
な汚染阻止が行うことができない欠点もある０ このよりなパッジページ、ン膜または絶縁膜（以下保１
ＩＷＮと称する）の形成方法を改善するため、近年プラ
ズマ励起を応用した保護膜の形成が行われている。この
方法は、例えばシラン８１Ｈ４およびアンモニア冊、勢
のガスをプラズマ励起させて、２００℃〜４００℃程度
に加熱した基板表面に窒化シリコン８１．Ｎ４からなる
シリコン化合物膜を保護膜として形成する０このように
プラズマ励起によると比較的低温の温度条件下で保護膜
を形成できるが、上記のようにプラズマ励起によって形
成された窒化シリコン膜は、例えば高温のＣＶＤ ＠
Ｋよ□りて形成された窒化シリコン膜と比較して特に膜
質の密度および膜中の水素Ｈ３含有量に大きな差がある
。すなわち、プラズマ励起の応用による窒化シリコン膜
は多孔質であり、その膜中の水素含有量は２〇−程度も
ある。これに対し高温のＣＶＤ法によゐ窒化シリコン膜
は緻密であり、水素含有量は１−以下である。このため
、プラズマ励起により形成した窒化シリコン保護膜は、
多孔質であることから外部からのイオン侵入等の汚染阻
止の効果は小さく、また膜中の水素による影響で電気特
性の信頼性を低下させる不都合がある。このような欠点
を改善するには、高温の熱処理（アニール）を行えばよ
いが、アニールにはＡ常７ｏ。
路素子、例えばパイ４−ラトランジスタのペース、エミ
、りとなるＰ＋拡散層およびＮ＋拡散層等を形成し、さ
らＫこの回路素子間を接続するための金属配線膜を形成
後、一基板表面上に外部から有害なイオン岬が侵入して
汚染されることを防止するためにパ、シペーシ、ン膜を
形成する。また上記金属配線膜が多層配線を構成する場
合には、この金属配線膜間に絶縁膜を形成する必要があ
る・このようなパ、シペーシ誓ン膜または絶縁膜は、従
来化学的気相成長法（以下ＣＶＤ法と称する）によって
リン珪化ガラス膜の薄膜を気相成長させて形成している
・との方法では、成長温度を得るために基板の加熱が必
要であるが、上記金属配線膜には通常アルミニウム等の
軟化点（熱によって変形するときの温度）の低い゛金属
が用いられるため上記薄膜形成時の加熱の温度条件が規
制され、通常４００ｐ前後の温度で行なわれている。し
かし、とのような低い温度のＣＶＤ法によると上記リン
珪化がラス膜からなる薄膜は、クラ、り等の欠陥が生じ
やすく、汚染阻止には障害となることがある。またこの
リン珪化がラス膜は、リンが本来有している吸湿性のた
め半導体装置の雰囲気中の湿度の度合によっては、十分
な汚染阻止が行うことができない欠点もある０ このよりなパッジページ、ン膜または絶縁膜（以下保１
ＩＷＮと称する）の形成方法を改善するため、近年プラ
ズマ励起を応用した保護膜の形成が行われている。この
方法は、例えばシラン８１Ｈ４およびアンモニア冊、勢
のガスをプラズマ励起させて、２００℃〜４００℃程度
に加熱した基板表面に窒化シリコン８１．Ｎ４からなる
シリコン化合物膜を保護膜として形成する０このように
プラズマ励起によると比較的低温の温度条件下で保護膜
を形成できるが、上記のようにプラズマ励起によって形
成された窒化シリコン膜は、例えば高温のＣＶＤ ＠
Ｋよ□りて形成された窒化シリコン膜と比較して特に膜
質の密度および膜中の水素Ｈ３含有量に大きな差がある
。すなわち、プラズマ励起の応用による窒化シリコン膜
は多孔質であり、その膜中の水素含有量は２〇−程度も
ある。これに対し高温のＣＶＤ法によゐ窒化シリコン膜
は緻密であり、水素含有量は１−以下である。このため
、プラズマ励起により形成した窒化シリコン保護膜は、
多孔質であることから外部からのイオン侵入等の汚染阻
止の効果は小さく、また膜中の水素による影響で電気特
性の信頼性を低下させる不都合がある。このような欠点
を改善するには、高温の熱処理（アニール）を行えばよ
いが、アニールにはＡ常７ｏ。
℃以上の温度による熱処理が必要である。従って上記の
ように軟化点の低いアルミニウム等の金属配線膜を備え
た基板の保腹膜形成に適用するととは不可能である・ この発明は上記の事情を鑑みてなされたもので、軟化点
の低い金属配線膜を含む基板表面上に低温によるシリコ
ン化合物からなる多孔質薄膜を形成し、この薄膜に金属
配線膜に対し不都合な温度影響を与えることなく高温の
アニールを施すととＫよって、緻密でしかも電気特性に
対して安定なパッジページ、ン膜または絶縁膜を有する
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
ように軟化点の低いアルミニウム等の金属配線膜を備え
た基板の保腹膜形成に適用するととは不可能である・ この発明は上記の事情を鑑みてなされたもので、軟化点
の低い金属配線膜を含む基板表面上に低温によるシリコ
ン化合物からなる多孔質薄膜を形成し、この薄膜に金属
配線膜に対し不都合な温度影響を与えることなく高温の
アニールを施すととＫよって、緻密でしかも電気特性に
対して安定なパッジページ、ン膜または絶縁膜を有する
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
以下図面を参照してこの発明の一実施例について説明す
る。＠１図はこの発明によりて製造される半導体装置の
構成を示すものであるＯその構成は、例えばＰ型半導体
基板１１の表面の一部に砒素勢を拡散させることにより
て、Ｎ＋埋込層１２が形成される。さらに基板１１の表
面上の全面にリン勢をドープさせた「臘エピタキシャル
層１ｊが形成され、このｒ型工ぜタキシャｈ層１２１に
選択エツチング後ホウ素勢を熱拡散させることにより、
Ｐ製分離層１４が形成され、およびリン勢を熱拡散させ
ることによりディー１１層１５が形成されるＯ上記ｒ型
エピタキシャル層１３表面上に酸化＠ ５ｉｎ２１ ｇ
が形成され、この酸化膜ＩＣＫ選択エツチングによるＡ
ターン形成後、ホウ素等を熱拡散させるととによってＰ
＋層１ｒ、１Ｂ、１９．１０が形成される。さらにこの
Ｐ＋層１７にリン岬を熱拡散させＮ＋層２１が形成され
る。このように、Ｐ型基板１１Ｆ２面上Ｋｆ層ｚ ｔ
、 ｐ”層ｘ ｙ オヨＵｙ”層ｘ ｓｏ−’ｆ−ｈぞ
れをエミッタ、ベースおよびコレクタとするＮＰＮ ）
ランジスタが形成され、またヤ１層目１「エピタキシャ
ル層１３およびＰ＋層２０のそれぞれをエミッタ、ベー
スおよびコレクタとするＰＮＰ ）ランゾスタが形成さ
れる０そしてこのＮＰＮ ）ランジスタおよびＰＮＰ
）ランジスタに配線がなされるととＫよって、ノクイポ
ーラＩＣが構成される。すなわち、上記１層１５．２１
、ｆｘピＩ’＋シャ／Ｉ／層Ｉ Ｊｊ？！びＰ＄１１．
１９゜２０の表面には、その表面上に形成されるコンタ
クトホールを介してアルミニウムまたはアルミニウム合
金等からなる金属配線膜２２を真空蒸着法等によって被
着させる０そしてこのようにバイポーラＩＣが構成され
た基板１１表面上の全面にプラズマ励起による通常のプ
ラズマ窒化シリコン形成装置によって、例えば約１μｍ
の窒化シリコンＳｉ、Ｎ４膜からなる保護膜２３が形成
される。このときの形成条件は、例えば高周波出力（Ｒ
Ｆ比出力が０．３Ｗ／ｊ、シランＳｉＨ４とアンモニア
冊、のがス流量がそれぞれ５ Ｑ ｅｅ／ｉ、 ２００
＠ｏ／ｓｉ＊ｂ圧力０，５トール（Ｔｏｒｒ）および
成長温度３００℃であり、とのときの成長速度は約３５
０ｉ／ｍ程度でＴｏ、１１０次にこのように形成された
窒化シリコン膜に対して、その全面にレーデを照射し、
アニールが施される◎とのアニールに使用されるレーデ
は、例えば走査ｖｉｉｏ連続発振式のアルシンＡｔレー
デであり、そのときの照射条件は、例えば出力５Ｗ、ス
ィート直径４０μｍおよびスヤヤン速度２．５傷／ｌ＠
ｅで行う・ レーデによりてアニールを行うと、照射条件に応じて深
さ方向への加熱を制御することが可能となる。したがう
て窒化シリコン保護膜２Ｊ（あるいは、その表頁側の一
部分）のみにアニールを施すことができるので、このよ
りなアニールによって保ｇ ｌｌ ｘ ｓ下の軟化点の
低いアルオーりム等の金属配ｌｌ！１１．ｆｊＫ対し高
温の加熱による悪影譬を防止することができる。上記の
ような工程によって形成される半導体装置の特性、すな
わち金属配線ｙＨｚに対する保＠膜１１ＪＣ）Ａツシペ
ーシ冒ン効果を具体的に示す。
る。＠１図はこの発明によりて製造される半導体装置の
構成を示すものであるＯその構成は、例えばＰ型半導体
基板１１の表面の一部に砒素勢を拡散させることにより
て、Ｎ＋埋込層１２が形成される。さらに基板１１の表
面上の全面にリン勢をドープさせた「臘エピタキシャル
層１ｊが形成され、このｒ型工ぜタキシャｈ層１２１に
選択エツチング後ホウ素勢を熱拡散させることにより、
Ｐ製分離層１４が形成され、およびリン勢を熱拡散させ
ることによりディー１１層１５が形成されるＯ上記ｒ型
エピタキシャル層１３表面上に酸化＠ ５ｉｎ２１ ｇ
が形成され、この酸化膜ＩＣＫ選択エツチングによるＡ
ターン形成後、ホウ素等を熱拡散させるととによってＰ
＋層１ｒ、１Ｂ、１９．１０が形成される。さらにこの
Ｐ＋層１７にリン岬を熱拡散させＮ＋層２１が形成され
る。このように、Ｐ型基板１１Ｆ２面上Ｋｆ層ｚ ｔ
、 ｐ”層ｘ ｙ オヨＵｙ”層ｘ ｓｏ−’ｆ−ｈぞ
れをエミッタ、ベースおよびコレクタとするＮＰＮ ）
ランジスタが形成され、またヤ１層目１「エピタキシャ
ル層１３およびＰ＋層２０のそれぞれをエミッタ、ベー
スおよびコレクタとするＰＮＰ ）ランゾスタが形成さ
れる０そしてこのＮＰＮ ）ランジスタおよびＰＮＰ
）ランジスタに配線がなされるととＫよって、ノクイポ
ーラＩＣが構成される。すなわち、上記１層１５．２１
、ｆｘピＩ’＋シャ／Ｉ／層Ｉ Ｊｊ？！びＰ＄１１．
１９゜２０の表面には、その表面上に形成されるコンタ
クトホールを介してアルミニウムまたはアルミニウム合
金等からなる金属配線膜２２を真空蒸着法等によって被
着させる０そしてこのようにバイポーラＩＣが構成され
た基板１１表面上の全面にプラズマ励起による通常のプ
ラズマ窒化シリコン形成装置によって、例えば約１μｍ
の窒化シリコンＳｉ、Ｎ４膜からなる保護膜２３が形成
される。このときの形成条件は、例えば高周波出力（Ｒ
Ｆ比出力が０．３Ｗ／ｊ、シランＳｉＨ４とアンモニア
冊、のがス流量がそれぞれ５ Ｑ ｅｅ／ｉ、 ２００
＠ｏ／ｓｉ＊ｂ圧力０，５トール（Ｔｏｒｒ）および
成長温度３００℃であり、とのときの成長速度は約３５
０ｉ／ｍ程度でＴｏ、１１０次にこのように形成された
窒化シリコン膜に対して、その全面にレーデを照射し、
アニールが施される◎とのアニールに使用されるレーデ
は、例えば走査ｖｉｉｏ連続発振式のアルシンＡｔレー
デであり、そのときの照射条件は、例えば出力５Ｗ、ス
ィート直径４０μｍおよびスヤヤン速度２．５傷／ｌ＠
ｅで行う・ レーデによりてアニールを行うと、照射条件に応じて深
さ方向への加熱を制御することが可能となる。したがう
て窒化シリコン保護膜２Ｊ（あるいは、その表頁側の一
部分）のみにアニールを施すことができるので、このよ
りなアニールによって保ｇ ｌｌ ｘ ｓ下の軟化点の
低いアルオーりム等の金属配ｌｌ！１１．ｆｊＫ対し高
温の加熱による悪影譬を防止することができる。上記の
ような工程によって形成される半導体装置の特性、すな
わち金属配線ｙＨｚに対する保＠膜１１ＪＣ）Ａツシペ
ーシ冒ン効果を具体的に示す。
第２図は高圧・高湿試験（Ｐｒｅｓｓｕｒ＠Ｃｏｏｋ＠
ｒ Ｔ＠５ｔ）−すなわち圧力２気圧、温度２００℃の
条件下で ・水蒸気等を半導体装置に加える試験におい
て試験時間（ロ）に対する不良率（金属配線の断線率）
（チ）を、この発明の半導体装ＷＬ１、従来のレーデに
よるアニールを施さないプラズマ窒化シリコン膜からな
る保＠膜を有する半導体装置すおよび従来のリン珪化が
２スからなる保１ｉｉＩを有する半導体装置Ｃそれぞれ
に対して示したものである・図から明らかな様にとの発
明による半導体装１１１ｍの金属配＆Ｉ膜の不良率は、
従来Ｏそれと比較して格段に少ない。
ｒ Ｔ＠５ｔ）−すなわち圧力２気圧、温度２００℃の
条件下で ・水蒸気等を半導体装置に加える試験におい
て試験時間（ロ）に対する不良率（金属配線の断線率）
（チ）を、この発明の半導体装ＷＬ１、従来のレーデに
よるアニールを施さないプラズマ窒化シリコン膜からな
る保＠膜を有する半導体装置すおよび従来のリン珪化が
２スからなる保１ｉｉＩを有する半導体装置Ｃそれぞれ
に対して示したものである・図から明らかな様にとの発
明による半導体装１１１ｍの金属配＆Ｉ膜の不良率は、
従来Ｏそれと比較して格段に少ない。
なお、上記保護膜２ＪはΔッシベーシ、ン膜に限ること
なく、多層金属配線構造の半導体装置において層間絶縁
膜として使用された場合でも同様の効果を得ることがで
きるものである。
なく、多層金属配線構造の半導体装置において層間絶縁
膜として使用された場合でも同様の効果を得ることがで
きるものである。
以上詳述したように１との発明によれば軟化点の低い金
属配線膜を含む基板表面上に低温によるシリコン化合物
からなる多孔質薄膜を形成し、この薄膜にレーデアニー
ルによる熱処理を施すことによりて、金属配線＠に加熱
による悪影響を与えることなく緻密でしかも電気特性に
対して安定なパ、シペーション膜または絶縁膜を有する
半導体装置の製造方法を提供できる。
属配線膜を含む基板表面上に低温によるシリコン化合物
からなる多孔質薄膜を形成し、この薄膜にレーデアニー
ルによる熱処理を施すことによりて、金属配線＠に加熱
による悪影響を与えることなく緻密でしかも電気特性に
対して安定なパ、シペーション膜または絶縁膜を有する
半導体装置の製造方法を提供できる。
第１図はこの発明の一実施例に係る半導体装置の概略的
構成図、第２図はその特性を説明する図であるの １１−Ｐ蓋半導体基板、１２−Ｎ＋塩込層、Ｉ Ｊ ＝
ｒＺ ｉ’ ｆｉ ’Ｐ シｑ ル層％ １４−ＰＷ
ｉ拡歓拡散１ ｓ 、 ｚ ｘ−Ｗ”拡散層、１ｇ・・
・酸化膜、１１゜１１１．１９．１０−・・Ｐ拡散層、
２２・−・金属配線膜、２３・・・保１！＠。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 試部門（Ｈ３
構成図、第２図はその特性を説明する図であるの １１−Ｐ蓋半導体基板、１２−Ｎ＋塩込層、Ｉ Ｊ ＝
ｒＺ ｉ’ ｆｉ ’Ｐ シｑ ル層％ １４−ＰＷ
ｉ拡歓拡散１ ｓ 、 ｚ ｘ−Ｗ”拡散層、１ｇ・・
・酸化膜、１１゜１１１．１９．１０−・・Ｐ拡散層、
２２・−・金属配線膜、２３・・・保１！＠。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 試部門（Ｈ３
Claims (2)
- （１） 半導体基板表面に回路素子を形成する工程と
、この回路素子間の配憩となる軟化点の低い金属からな
る金属膜を形成する１嚢と、仁の金属膜を含む上記基板
表面にΔツシペーシ、ン膜または絶縁膜となる多孔質薄
膜を形成する工程と、との多孔質薄１１［Ｋレーザビー
ムを照射してアニールを施す工程とから成ることを４Ｉ
徽とする半導体装置の製造方法。 - （２）上記多孔質薄膜を形成する１巻は低温のシーリコ
ン化舎物薄膜の形成工程であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11471381A JPS5816548A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11471381A JPS5816548A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5816548A true JPS5816548A (ja) | 1983-01-31 |
Family
ID=14644750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11471381A Pending JPS5816548A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5816548A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS556291A (en) * | 1978-06-26 | 1980-01-17 | Contraves Ag | Digital interporation system for three pahse analog signal period |
| JPS5519850A (en) * | 1978-07-31 | 1980-02-12 | Hitachi Ltd | Semiconductor |
| JPS5526619A (en) * | 1978-08-15 | 1980-02-26 | Toshiba Corp | Method of producing semiconductor device |
-
1981
- 1981-07-22 JP JP11471381A patent/JPS5816548A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS556291A (en) * | 1978-06-26 | 1980-01-17 | Contraves Ag | Digital interporation system for three pahse analog signal period |
| JPS5519850A (en) * | 1978-07-31 | 1980-02-12 | Hitachi Ltd | Semiconductor |
| JPS5526619A (en) * | 1978-08-15 | 1980-02-26 | Toshiba Corp | Method of producing semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6393144A (ja) | エピタキシャル累層のトランジスタ構造及びその製造方法 | |
| US4406053A (en) | Process for manufacturing a semiconductor device having a non-porous passivation layer | |
| JPS5816548A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0196155A2 (en) | Method of forming an oxide film on a semiconductor substrate | |
| JPS6234152B2 (ja) | ||
| JPS5852843A (ja) | 半導体集積回路装置の製造法 | |
| JPH0456453B2 (ja) | ||
| JPH029450B2 (ja) | ||
| JPH023539B2 (ja) | ||
| JPH06216118A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6339105B2 (ja) | ||
| JPS60193342A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100207470B1 (ko) | 필드절연막의 형성방법 | |
| JPS5835971A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0374842A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03291961A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0629282A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02106041A (ja) | 窒化酸化シリコン膜の製法 | |
| JPS58128732A (ja) | 金属シリサイド電極および配線の形成方法 | |
| JPS5856365A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6138852B2 (ja) | ||
| JPS5996723A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5858814B2 (ja) | 絶縁ゲ−ト半導体装置の製造法 | |
| JPS5889869A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03214735A (ja) | 半導体装置の製造方法 |