JPS58163650A - 積層体の製造方法 - Google Patents
積層体の製造方法Info
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- JPS58163650A JPS58163650A JP4862482A JP4862482A JPS58163650A JP S58163650 A JPS58163650 A JP S58163650A JP 4862482 A JP4862482 A JP 4862482A JP 4862482 A JP4862482 A JP 4862482A JP S58163650 A JPS58163650 A JP S58163650A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本慟明は特に合破ガラスの予備接着に用いて好趨欺積膳
体ＯＩＩ造力法に調する。
体ＯＩＩ造力法に調する。
従車％冨秋Ｏガラスが可謹化ポリビニルグチツールから
なる中間膜に接着された合せガラス等０１ｌＩＩＩ体を
製造するＫは次ｅ＊＊方法が一般鈎てあり免。
なる中間膜に接着された合せガラス等０１ｌＩＩＩ体を
製造するＫは次ｅ＊＊方法が一般鈎てあり免。
即ち、先ず積層材Ｏ８に中−＊＊＊んτ得られ大組立体
を赤外縁ヒーター又は熱風供給装置を備見え加熱炉Ｋｍ
続鈎に送給して加熱し、積層材からや熱伝導によって中
−ａｔ加熱、軟化し＊＊に予備プレス等で加圧して予備
ａｍ体を得て、次いで該予備捺看体をオートクレーブに
入れてより高温高圧Ｏ条件下でガラスと中間膜とを鯖着
するのである。
を赤外縁ヒーター又は熱風供給装置を備見え加熱炉Ｋｍ
続鈎に送給して加熱し、積層材からや熱伝導によって中
−ａｔ加熱、軟化し＊＊に予備プレス等で加圧して予備
ａｍ体を得て、次いで該予備捺看体をオートクレーブに
入れてより高温高圧Ｏ条件下でガラスと中間膜とを鯖着
するのである。
しかしながら上記従来の方法は、加熱された積層材から
の伝Ｊ１飾によって中間膜を昇温、軟化曽しめる点、及
び予備被着工程では組立体をＪｌ熱炉に搬入、搬出する
ｌＩＩに昇温した空気ｅ −都が炉外Ｋｍでしまう点等
エネルギー的に効率が悪いも０？６りえ。
の伝Ｊ１飾によって中間膜を昇温、軟化曽しめる点、及
び予備被着工程では組立体をＪｌ熱炉に搬入、搬出する
ｌＩＩに昇温した空気ｅ −都が炉外Ｋｍでしまう点等
エネルギー的に効率が悪いも０？６りえ。
本侮明社、誘電体ＩＩＯ大きな物質が高周波電場に置か
れえＩＩＩＫ脅龜すＪｈ現象を応用してなされえもので
、上記従来の積層体Ｏ製造方法の欠点を要綱しえエネル
ギー的に有利な積層体の製造方法を提供することｔ９鈎
とする・しかしてそｏｓｗａ少（とも１枚Ｏガクスを含
む積層材ｔ）＠に可■剤がポリビニルブチツールに添加
すて、組立体に高周波電圧を加えて昇温ぜしめることを
特徴とする積層体の製造方法に存する。
れえＩＩＩＫ脅龜すＪｈ現象を応用してなされえもので
、上記従来の積層体Ｏ製造方法の欠点を要綱しえエネル
ギー的に有利な積層体の製造方法を提供することｔ９鈎
とする・しかしてそｏｓｗａ少（とも１枚Ｏガクスを含
む積層材ｔ）＠に可■剤がポリビニルブチツールに添加
すて、組立体に高周波電圧を加えて昇温ぜしめることを
特徴とする積層体の製造方法に存する。
高周波電圧をかけられ九誘電体の誘電体−は誘電Ｘ＊に
比例し、一方、一般にガラス社可■剤が添加され九ポリ
ビニルグチツールよりも誘電損角が極めて小さいので誘
電体損が小さい。
比例し、一方、一般にガラス社可■剤が添加され九ポリ
ビニルグチツールよりも誘電損角が極めて小さいので誘
電体損が小さい。
本発明ＫＭＩいられる積旙材乏しては、上記誘電体損が
可■化ポリビニルブチラールよす小す（従って中ｌＩＩ
Ｉｍ！より昇ｌ１ｌｌｉｉ度が小さいζ２及び積１ｉｌ
ｒｃ全ガラスが各種輸送機関０１Ｅ４１に広く用いられ
る点からガラスがＩＩｋｊ［であり、他ＯＩＩ層材の例
としてはポリカーダネート、ポリエステル、アクリル系
梼脂等を挙けることが出来る。
可■化ポリビニルブチラールよす小す（従って中ｌＩＩ
Ｉｍ！より昇ｌ１ｌｌｉｉ度が小さいζ２及び積１ｉｌ
ｒｃ全ガラスが各種輸送機関０１Ｅ４１に広く用いられ
る点からガラスがＩＩｋｊ［であり、他ＯＩＩ層材の例
としてはポリカーダネート、ポリエステル、アクリル系
梼脂等を挙けることが出来る。
本発明に用いられるポリビニルブチツーｋｔ）ブチラー
ル化度社、低過ぎると可■と０＠第性が悪（高温ぎると
積層安全ガラス等にし九１ｉｔ）種々の物性例ＪＬ＃ｆ
耐貫通性が低下するので６０〜８・そル％であるＯが＃
ＩＦ１１．い、叉そｏＪＰｅ重合度は、低温「ると得ら
れる中間膜Ｏグロッキング性が増大する傾向にあるので
１０００以上が好壇しく高ＩＩＩぎる′とポリビニルブ
チクールの鮎Ｒが必要以上に高くなるのでｓｏｍｅ以下
が好ましい。
ル化度社、低過ぎると可■と０＠第性が悪（高温ぎると
積層安全ガラス等にし九１ｉｔ）種々の物性例ＪＬ＃ｆ
耐貫通性が低下するので６０〜８・そル％であるＯが＃
ＩＦ１１．い、叉そｏＪＰｅ重合度は、低温「ると得ら
れる中間膜Ｏグロッキング性が増大する傾向にあるので
１０００以上が好壇しく高ＩＩＩぎる′とポリビニルブ
チクールの鮎Ｒが必要以上に高くなるのでｓｏｍｅ以下
が好ましい。
本発明積層体の製造方法は上記積層材６１６に中間膜を
挾んて得られ大組立体に高周波電圧を加え、遥常蝶、中
間膜を積層材以上に昇温せしめ、軟化せしめる。このと
自中閏−がその溶融温度ＩＩｉ城に迄昇温されると加圧
されるＩＩｉに或いは加圧中に組立体から大量に流れ出
て積層体を汚損するＯて、中間膜Ｏ嬉一温度と軟化下限
温度とＯｊ！は大きい程、工程の乱れ管により組立体が
後達するオープンに長時間滞留し大場合にも中−膜が流
出することがないＯ″ｆｌｌｉＦましい。
挾んて得られ大組立体に高周波電圧を加え、遥常蝶、中
間膜を積層材以上に昇温せしめ、軟化せしめる。このと
自中閏−がその溶融温度ＩＩｉ城に迄昇温されると加圧
されるＩＩｉに或いは加圧中に組立体から大量に流れ出
て積層体を汚損するＯて、中間膜Ｏ嬉一温度と軟化下限
温度とＯｊ！は大きい程、工程の乱れ管により組立体が
後達するオープンに長時間滞留し大場合にも中−膜が流
出することがないＯ″ｆｌｌｉＦましい。
上記の点て、本発明に玲いられるポリビニルブチツール
は、ブチラール化度をＸ（七ル％）とし縦軸を透過率、
横軸を波数とする赤外吸収スペクトルの水酸基吸収の半
値巾をＹ（ｍ−１）とするきき、（１）武を満足するも
のであるのが好壇しい・ （１３Ｙ ≧−３Ｘ ＋ ４８６ 卸ち、上記（１１式を満足するポリビニにグチクールに
可■削を添加して得られ良中閏ｌｌＩは、ブチクール化
度中重合度が陶程度で（１１式を満足しないポリビニル
ブチクールより得られた中ａＩＩＫと比較して、ｓａｈ
温度及び軟化温度が何れも高いがＳ―温度Ｏ方がより高
いので嬉一温度と軟化温度Ｏ差ｒｔ＊者の中間膜より大
きいＯ″ｔ″ある。
は、ブチラール化度をＸ（七ル％）とし縦軸を透過率、
横軸を波数とする赤外吸収スペクトルの水酸基吸収の半
値巾をＹ（ｍ−１）とするきき、（１）武を満足するも
のであるのが好壇しい・ （１３Ｙ ≧−３Ｘ ＋ ４８６ 卸ち、上記（１１式を満足するポリビニにグチクールに
可■削を添加して得られ良中閏ｌｌＩは、ブチクール化
度中重合度が陶程度で（１１式を満足しないポリビニル
ブチクールより得られた中ａＩＩＫと比較して、ｓａｈ
温度及び軟化温度が何れも高いがＳ―温度Ｏ方がより高
いので嬉一温度と軟化温度Ｏ差ｒｔ＊者の中間膜より大
きいＯ″ｔ″ある。
上記（１１式における水酸基吸収Ｏ半値巾Ｙｔｊ例えｄ
次の橡にして求、められる。
次の橡にして求、められる。
先ず、１１１図の如く縦軸を透過率−）、横軸を波数（
ｍ−１）とするポリビニルブチラール０１外吸収スペク
トルにおいて、特に赤外吸収のない波数ｍｌ＠Ｏ（１！
ｌｌ−１と２ Ｓ ＠ ｅａｓｔ−ｔ Ｋお轄る透過率
を示す位置を互に結んでこれを基準線とする。次に横軸
（透過率ＯＳ）から波数８ ＠ （Ｉ ０ｃＲ−１と鵞
３・・α−１ｔ）ｌａＫある水酸基Ｏ１ｍ収スペクトル
のピークＰｔｍる基早纏迄の距離を１０とし、該水酸基
の吸収スペクトルのピークｒ迄の距離ｔｌｘとすると、
牛偏巾を与える透過亭即ち横軸からの距離ＩＡは、ＩＯ
と■１の相乗平均卸ち夏ム冨Ｊ〒「７〒「とし、て求め
られる。
ｍ−１）とするポリビニルブチラール０１外吸収スペク
トルにおいて、特に赤外吸収のない波数ｍｌ＠Ｏ（１！
ｌｌ−１と２ Ｓ ＠ ｅａｓｔ−ｔ Ｋお轄る透過率
を示す位置を互に結んでこれを基準線とする。次に横軸
（透過率ＯＳ）から波数８ ＠ （Ｉ ０ｃＲ−１と鵞
３・・α−１ｔ）ｌａＫある水酸基Ｏ１ｍ収スペクトル
のピークＰｔｍる基早纏迄の距離を１０とし、該水酸基
の吸収スペクトルのピークｒ迄の距離ｔｌｘとすると、
牛偏巾を与える透過亭即ち横軸からの距離ＩＡは、ＩＯ
と■１の相乗平均卸ち夏ム冨Ｊ〒「７〒「とし、て求め
られる。
次に、縦軸からの距離が水酸基のスペクトルのビークデ
と同じて横軸からの距離が頁＾であるＩＱを考える。し
かしてＱｔ通０１１１１ｍ３の如く横軸に予行に引いえ
繊が水酸基のスペクトルに米わりて得られた線分Ｙが半
値中（Ｃ１１−”）で６る・ 本発明において上記ポリビニルグチツールに添加されて
中間膜とされる可■剤は、ポリビニルグチツールと相溶
性を有するものが特に限定される二となく広く用いられ
、その異体例としてはトリエチレングリコール・ジ２エ
チルブチレート、トリエチレングリコール・ジ２エチル
ヘキソエート、ジエチレングリコールブトキシエーテル
・アジモノ駿ジエステル、トリエチレングリコールブト
キシエーテル・１ジビン酸ジエステに等が挙けられる。
と同じて横軸からの距離が頁＾であるＩＱを考える。し
かしてＱｔ通０１１１１ｍ３の如く横軸に予行に引いえ
繊が水酸基のスペクトルに米わりて得られた線分Ｙが半
値中（Ｃ１１−”）で６る・ 本発明において上記ポリビニルグチツールに添加されて
中間膜とされる可■剤は、ポリビニルグチツールと相溶
性を有するものが特に限定される二となく広く用いられ
、その異体例としてはトリエチレングリコール・ジ２エ
チルブチレート、トリエチレングリコール・ジ２エチル
ヘキソエート、ジエチレングリコールブトキシエーテル
・アジモノ駿ジエステル、トリエチレングリコールブト
キシエーテル・１ジビン酸ジエステに等が挙けられる。
又その添加量は、少−攻過Ｗ＠ると中−譲或いは得られ
た積層体の機械鈎性質が低下し多過ぎると可■嗣が膜ｊ
Ｅ ｄｏ ＫＬみ団すいわゆるブリードを生じるので、
ポリビニルブチツール１００重量Ｓに対し好筐しくに２
０〜６０重量部とされる。
た積層体の機械鈎性質が低下し多過ぎると可■嗣が膜ｊ
Ｅ ｄｏ ＫＬみ団すいわゆるブリードを生じるので、
ポリビニルブチツール１００重量Ｓに対し好筐しくに２
０〜６０重量部とされる。
上Ｅポリビニルブチクール及び可閣剤には必ＩＫ応じて
安定剤、耐衝撃性−良剤等が添加され、得られえ配合物
は押出様ヤ加亀ロール等に供給されて中間ＩＩＩに成形
される・ 本発明における高周波は、周波数が通常３×１０７”５
ｘ１０ｔｏヘル、、好ｔｔ、＜ｔｔｓｘｘｏｓ〜３ Ｘ
１ Ｇ’ へルツ更に好ましくは９．１ＸＩＯＩ〜
！５Ｘ１０’ヘルツのものが用いられる。これらは周波
数が高い程反射され場いのて上記組立体に印加する場合
は高周波を組立体に導く導波管が達宣殉いられる。
安定剤、耐衝撃性−良剤等が添加され、得られえ配合物
は押出様ヤ加亀ロール等に供給されて中間ＩＩＩに成形
される・ 本発明における高周波は、周波数が通常３×１０７”５
ｘ１０ｔｏヘル、、好ｔｔ、＜ｔｔｓｘｘｏｓ〜３ Ｘ
１ Ｇ’ へルツ更に好ましくは９．１ＸＩＯＩ〜
！５Ｘ１０’ヘルツのものが用いられる。これらは周波
数が高い程反射され場いのて上記組立体に印加する場合
は高周波を組立体に導く導波管が達宣殉いられる。
しかして上記高周波電圧を加えられた組立体は、内部的
に発熱し過１１１中−膜がＩＩ（１−１１ｏｃｇ度、・
ガクＸ＞Ｅ ５０−１０ ｏ ｃｓｉ度）ｓｔｓＫ昇温
すること亡なる。しかる後−毅に、ＸＩ圧ロール等にて
１−５ｍ／−の圧力で予備接着し更にオートクレーブ岬
にて８Ｏ−１１１０Ｃ−のτ社予備談着徐の組立体を高
周波電界に置いて該組立体を昇温せしめてもよい。
に発熱し過１１１中−膜がＩＩ（１−１１ｏｃｇ度、・
ガクＸ＞Ｅ ５０−１０ ｏ ｃｓｉ度）ｓｔｓＫ昇温
すること亡なる。しかる後−毅に、ＸＩ圧ロール等にて
１−５ｍ／−の圧力で予備接着し更にオートクレーブ岬
にて８Ｏ−１１１０Ｃ−のτ社予備談着徐の組立体を高
周波電界に置いて該組立体を昇温せしめてもよい。
次に本発明・方法を、実施するに好適１に装置の一例を
示す概要図を参蝋しながら説明する。
示す概要図を参蝋しながら説明する。
＊＊ＷＩＪにおいて、Ｘｔｊ高馬波尭振器、鵞は発１１
１１１ ｆＪｌｆｉ＃し＊高ＪＩ波ｔｔ−プ＞８に＊＜
為０ＪＩＩＩ！ＩＩＬ管、４．４′は籠蔽鈑４を備り良
高屑波漏洩防止Ｆｌｕ））ラップボックス、６ｔ１２１
にのガラスｔ）ｍＫ中崗膜が＃まれ九組立体、７は組立
体を移送する為のベルトコンベアー、８はプレスロール
である。
１１１ ｆＪｌｆｉ＃し＊高ＪＩ波ｔｔ−プ＞８に＊＜
為０ＪＩＩＩ！ＩＩＬ管、４．４′は籠蔽鈑４を備り良
高屑波漏洩防止Ｆｌｕ））ラップボックス、６ｔ１２１
にのガラスｔ）ｍＫ中崗膜が＃まれ九組立体、７は組立
体を移送する為のベルトコンベアー、８はプレスロール
である。
ベルトコンベアー７に載置された組立体６は）９７プ＊
ツクス４を経由してオープンＳに移送され、侮１１で脅
振され友高肩波電圧を受けて昇温せしめられ更にトラッ
プボックス番′を１１１＆のち、例えば、プレスロール
８にて予備接着されえのちオートクレーブ（図示せず）
Ｋて高温高圧下に処理されて１ｌＩＩＩｌ材が強固に接
着され九積層体とされる・ 本発明ｌｌＩ＃１体のｌｌｌｌｌ法は上述の通りの構成
になされ、少くとも１枚の２−ガラスを含む積層材の間
に１ポリビニルグチクールに可−剤が添加されてなる中
間ＩＩｔ挾んで得られた組立体に高周波電圧を加えて昇
温せしめるので、誘電体損の大きな上記中ｖＩａａｌＩ
がガラスよシも高く昇温、軟化され、従来の如く先ず積
層材の麦向を加熱しその伝ＭＩ熱により中間膜を昇温、
軟化せしめていた方法に比較してエネルギー的に劫率真
く積層体を製造し得るのである。
ツクス４を経由してオープンＳに移送され、侮１１で脅
振され友高肩波電圧を受けて昇温せしめられ更にトラッ
プボックス番′を１１１＆のち、例えば、プレスロール
８にて予備接着されえのちオートクレーブ（図示せず）
Ｋて高温高圧下に処理されて１ｌＩＩＩｌ材が強固に接
着され九積層体とされる・ 本発明ｌｌＩ＃１体のｌｌｌｌｌ法は上述の通りの構成
になされ、少くとも１枚の２−ガラスを含む積層材の間
に１ポリビニルグチクールに可−剤が添加されてなる中
間ＩＩｔ挾んで得られた組立体に高周波電圧を加えて昇
温せしめるので、誘電体損の大きな上記中ｖＩａａｌＩ
がガラスよシも高く昇温、軟化され、従来の如く先ず積
層材の麦向を加熱しその伝ＭＩ熱により中間膜を昇温、
軟化せしめていた方法に比較してエネルギー的に劫率真
く積層体を製造し得るのである。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例
菖合度釣２１０Ｇ、グチラール化反６＆８モル％、＃外
吸収スペクトルのネ駿基−収の牛偏巾Ｂ Ｏ５５１１−
１ノｄ ！ｊ ヒ＝ ルプｆｆｆ−＃１００重量Ｓに可
−剤４０重量部が添加されてなる厚さａ８％の中１１１
１１１ｔ、 １９０ｃｘｘ ＩＩ ４ｏａ、厚す１５％
０２秋Ｏガクスに挾んで組立体とした。ＩＩ雪−に示さ
れえ装置によって、前記組立体に２４ ＠ ＠ ＭＨｚ
（）高周波電圧を加見え後Ｌ Ｓ ｋｌ／ｄの圧力で
予備接着し、図示しないオートクレーブでｌ！ＯＣＫて
１０緒ンｔｘｌＫ冨Ｏ分閑保持して穢−安全ガラスを得
え、二〇ＩＩ層ガラスｌ＃を得るに轟り上記高周波電圧
による予熱に要し良熱量＃ｉ！９２ｋｌでありえ。
吸収スペクトルのネ駿基−収の牛偏巾Ｂ Ｏ５５１１−
１ノｄ ！ｊ ヒ＝ ルプｆｆｆ−＃１００重量Ｓに可
−剤４０重量部が添加されてなる厚さａ８％の中１１１
１１１ｔ、 １９０ｃｘｘ ＩＩ ４ｏａ、厚す１５％
０２秋Ｏガクスに挾んで組立体とした。ＩＩ雪−に示さ
れえ装置によって、前記組立体に２４ ＠ ＠ ＭＨｚ
（）高周波電圧を加見え後Ｌ Ｓ ｋｌ／ｄの圧力で
予備接着し、図示しないオートクレーブでｌ！ＯＣＫて
１０緒ンｔｘｌＫ冨Ｏ分閑保持して穢−安全ガラスを得
え、二〇ＩＩ層ガラスｌ＃を得るに轟り上記高周波電圧
による予熱に要し良熱量＃ｉ！９２ｋｌでありえ。
比較の為、上記中−膜を用い高周波電圧を加える代！１
に赤外線を畷射して組立体を昇温させえ以外は上記とｌ
ｉｌ＃Ｋ して積層安全ガラスを得え、積層ガラス１枚
を得るに当り上巳赤外１１による予熱ＫＩＬ九熱量社４
１２−てあった。
に赤外線を畷射して組立体を昇温させえ以外は上記とｌ
ｉｌ＃Ｋ して積層安全ガラスを得え、積層ガラス１枚
を得るに当り上巳赤外１１による予熱ＫＩＬ九熱量社４
１２−てあった。
叉耐衝撃性等の安全ガフスとしての品質は崗者共聞履は
なく、同品質でありえ。
なく、同品質でありえ。
、第１図は本発明方法に用いられたポリビニルブチクー
ルの赤外ｌＮ収スペクトルの一例を示すチャート図であ
多、１１１図は本発明方法を実施するに好適１に装置〇
−例を示す概要図である。 ｌ・・・高馬波″発振ｌ、３・・・オーブン、・・・・
組立体才１図 才 ２ 囚
ルの赤外ｌＮ収スペクトルの一例を示すチャート図であ
多、１１１図は本発明方法を実施するに好適１に装置〇
−例を示す概要図である。 ｌ・・・高馬波″発振ｌ、３・・・オーブン、・・・・
組立体才１図 才 ２ 囚
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ ４Ｐ＜ｋ％１枚０１９ｘを食む積層材６１１Ｋ。 可■ＩＩｌがポ曽ビニルブチクー＃に添加されそな為中
−膜を挾み、得られ先組立体な昇温せしめ禽Ｏちに加圧
する１ＩＩＩ１体Ｏ製造方法において、鑑立体に高ｊｌ
Ｉ波電圧を加えて昇温せしめることを特徴とす４ｔＲ層
体の製造方法。 友 高馬ｍｏｗ波歇がｌ Ｘ １６１〜ｌＸｌ０ＩＯヘ
ルプ一一で番るｆｓ１１１記−〇ＩＩ造方法。 亀 ポリビニルグチツーＡ１０ブチクールｔｆが６・−
＄・モル％である＊＊＊叉は集雪項記載０ＩｌｊＩ１１
１Ｉ論。 截 ポダビエルグチッールが、ブチクール化度をＸ（モ
ル−）としａ＠を逓遥亭、横軸を波歇七する赤外ａ歌ス
ペクトルの水酸基吸収の雫値中を！（国−１）七する七
−１（１）式を満足するものでｉ番匍ｉ＠〜修８婁何れ
か１項に記載の製造方法。 （１） Ｙ ≧−３ｘ ＋ ａ ８６瓢 中間膜に′
にける可暖＠０添加量がボツビ；にブチツーに１００重
量ＩＩＫｊｌＬ！１〜・０重量部である第１項〜第４項
何れかＩＩＩＫ記載Ｏ製造＊Ｓｔ。 亀 高周波０ＩＩ４波歇が３×［１〜８×１０・ヘルツ
であるＳ意項〜第２項何れかＩＩＩＫ記載ＯＩｌ造方法
。 ｔ Ｊｌ立体が霊枚のガラスｅｍｌＫ中−腹を挾んで
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4862482A JPS58163650A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 積層体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4862482A JPS58163650A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 積層体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58163650A true JPS58163650A (ja) | 1983-09-28 |
Family
ID=12808553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4862482A Pending JPS58163650A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 積層体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58163650A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4844953A (ja) * | 1971-09-16 | 1973-06-27 | ||
| JPS54113677A (en) * | 1978-01-30 | 1979-09-05 | Romag Holdings Ltd | Reinforced glass laminate and production thereof |
| JPS5580453A (en) * | 1978-11-21 | 1980-06-17 | Saint Gobain | Plastisizer for polyvinyl butyral |
-
1982
- 1982-03-25 JP JP4862482A patent/JPS58163650A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4844953A (ja) * | 1971-09-16 | 1973-06-27 | ||
| JPS54113677A (en) * | 1978-01-30 | 1979-09-05 | Romag Holdings Ltd | Reinforced glass laminate and production thereof |
| JPS5580453A (en) * | 1978-11-21 | 1980-06-17 | Saint Gobain | Plastisizer for polyvinyl butyral |
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