JPS58162535A - 4−ホモイソツイスタンの製造法 - Google Patents

4−ホモイソツイスタンの製造法

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JPS58162535A
JPS58162535A JP4404282A JP4404282A JPS58162535A JP S58162535 A JPS58162535 A JP S58162535A JP 4404282 A JP4404282 A JP 4404282A JP 4404282 A JP4404282 A JP 4404282A JP S58162535 A JPS58162535 A JP S58162535A
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JP
Japan
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decane
sulfuric acid
isomerization
hydroxymethyltricyclo
present
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JP4404282A
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Naotake Takaishi
高石 尚武
Yoshiaki Fujikura
藤倉 芳明
Yoshiaki Inamoto
稲本 善昭
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Kao Corp
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Kao Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は次の弐〇): 1・ 易 で表わされる4−ホモインライスタン(トリシクロ[5
,3,1,0]ウンデカン)の製造法に関する。
4−ホモイソライスタン(1)の誘導体には、抗ウィル
ス作用等の有用な生理作用を有する本のが多く知られて
いる[ K、ムigam1等J。
M@/1.Cbe−、,19,536(1976)及び
Pk7t・−eh@m1atrγ16.41(1977
)’)。従って、本発明はこれらの化合物の合成中間体
である4−ホモイソライスタン(11を合成する有用な
方法である。
従来、4−ホモイソライスタン(1)を製造中ゐ方法と
しては、次式(1): で表わされ2>8−ヒドロ中シメチルト+1シクロ[”
5.2.1.0  ]デカンを一硫酸及び水素アニオン
源の存在下で異性化と還元を行う方法が知られてい為(
特開昭52−68166号)。
この方法は、4−ホモイソライスタン(1)への変換選
択性が高いという利点はあるが、原料化合物菌が高価な
ロジウム触媒を用いて製造しなければならないという点
で工業的方法として必ずしも満足できるものではなかっ
た。
本発明者うは、4−ホモインライスタン(I)の工業的
製造法について鋭意研究を行った結果、本発明を完成し
た。
本発明方法は、次の反応式によって示される。
すなわち、本発明は、3又け4−ヒドロキシメチルトリ
シクロ[5,2,1,0”)デカン(1)を#倫酸及び
水素アニオン源の存在下で異性化と還元を行って4−ホ
モイソライスタン(1)を製造する方法である。
本発明方法の原料化合物(1)は工業的に容易に入手で
きるものであり、例えば西独ルール・ヒエミー(Rwk
r Ch@ml* )よりr TCDアルコールM」(
西独特許菖934,889号)として市販されている。
本発明方法を実施するには、3又け4−ヒドロキシメチ
ルトリシクロ[5,2,1,0]デカン(1)を濃硫酸
及び水素アニオン源たる炭化水素と共に攪拌すればよい
本発明で使用する濃硫酸は、濃度が75〜10 ON、
 4IlF#lc90〜98Xノ4ツカlt L(,7
5X未満では異性化が有効に行ゎゎず、ま九100%を
超える発煙硫酸を用いると酸化反応が併発して目的物の
収率が低下する。
濃硫酸は原料化合物(1)K対して当量ないし10QQ
倍(重量)、特[10〜100倍f)量を使用するのが
好ましい、 水素アニオン標上しては各種の脂肪族及び脂積式脚化水
素を使用できるが、あまり沸点の高いものは目的化合物
値)との分離が困難となる゛ため好ましくない。好まし
い具体例としては、例えば1−ペンタン、魚−・−ペン
タンn−ヘキサン、勤−へブタン、1te−オクタン、
シクロペンタン、シフ四ヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン等が挙げられる。水素アニオン源の使用量は目的物の
収率kToまり大きな影響を及はさないが、多い方がよ
い傾向にあね、一般には原料化合物(1)に対して10
〜1000倍(重量)の範囲で使用するのが望ましい。
反応温度は−5〜100”C1J?lF#/Co〜30
℃が好オしく、反応は数十分外いし数時間で完了する。
反応後、水素アニオン源たる炭化水素の層を分取し、蒸
留器の手段によって当該炭化水素を除去すれば粗生成物
が得られる。この粗生成物は、キャピラリ−カラムを用
いるガスタロ分析の結果、4−ホモインライスタン(I
]を約47X1式l)及び釦で表わされるトリシクロウ
ンデカン異性体をそれぞれ約14N及び約7%、その他
の化合物を約32%含む混合物であつ九。
(2)       面 本発明の4−ホモイソライスタン(11は上記粗生成物
を例えば回転バンド蒸留器を用いて分留すれば高純度の
ものとして単離することができる。
叙上の如く、本発明方法は一見すると前述の4IP昭5
2−68166号の方法と同一のように見えるが、本発
明方法では、後者の方法では生成されない式(I)及び
面の化合物が副生することから、両者は全く異つ九経路
で反応が進行していることがわかる。そして、前述した
如く、本発明方法は、原料化合物(1)の入手が容易々
点で当該公知方法より工業的方法として有利である。
次に実施例を挙げて説明する。
実施例1 95%濃硫酸1000Fを攪拌しながら、こtlに3−
ヒト1キシメチルトリシクロ[5,2,1,0)デカン
及び4−ヒドロキシメチルトリシクロ[5,2,1,0
)デカンのR合物100 F (0,6モル)のイソペ
ンタン溶液(インペンタン1000F)を約2時間かけ
て滴下する。滴下終了後ざもに1時間攪拌を続ける。こ
の間反応温腫を15℃に保つ。反応終了後1000Fの
氷水の中へ投入し、ローへキサンで2回抽出する。抽出
液を飽和食塩水で2回洗浄した發、無水硫酸マグネシウ
ム上で乾燥する。濾過優蒸留により、粗生成物50.4
F(収率56%)を単離した。
この粗生成物のキャピラリーカラムによるガスタロ分析
の結果、4−ホモイソライスタンの含量は47Nであっ
九。粗生成物を回転バンド蒸留器(理論段数40段)で
分留する事により純度95Nの4−ホモイソライスタン
18.5F(沸点107℃/25wawmH9)t−得
た。
このものの各種スペクトルが標品〔本発明者ら、Ch@
m1stry Lett@rs * 1185 (19
73): J、Org、Cbsm、−40−276(1
975) )のそわと同一であることから、4−ホモイ
ソライスタンであることが確認された。
以上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 式(1): で表わされる3又け4−ヒドロキシメチルト及び水素ア
    ニオン源の存在下で異性化と還元を行うことを特徴とす
    る式(I): で表わされる4−ホモイソライスタン(トリシフa[5
    ,3,1,0)ウンデカン)の製造法。
JP4404282A 1982-03-19 1982-03-19 4−ホモイソツイスタンの製造法 Granted JPS58162535A (ja)

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JPH0127048B2 JPH0127048B2 (ja) 1989-05-26

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