JPS58161769A - クロムの真空蒸着法 - Google Patents
クロムの真空蒸着法Info
- Publication number
- JPS58161769A JPS58161769A JP4243182A JP4243182A JPS58161769A JP S58161769 A JPS58161769 A JP S58161769A JP 4243182 A JP4243182 A JP 4243182A JP 4243182 A JP4243182 A JP 4243182A JP S58161769 A JPS58161769 A JP S58161769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor
- cro2cl2
- vacuum
- substrate
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/08—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
- C23C16/10—Deposition of chromium only
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低温下でCr f−蒸着する真空蒸着法に崗す
るものである。
るものである。
従来の真空蒸着法は、蒸着すべき金属を母材としてこれ
を加熱し、充分な熱気圧が得られる温度に維持して蒸着
を行なうものである。この方法によりCrの蒸着を行っ
た11b&には−crは1soo。
を加熱し、充分な熱気圧が得られる温度に維持して蒸着
を行なうものである。この方法によりCrの蒸着を行っ
た11b&には−crは1soo。
KC加熱することによってほぼ/X/QjTorrの蒸
気圧を呈すようになり、実用的な蒸i速度で蒸着が行な
われる。ところで、蒸気圧は加熱温度に対してはぼ指数
sI数的に変化Tるから、温度が/!000K かられ
ずかにさがっても然気圧は一端に低下し、実用上蒸着が
進行しない。したがって、上記の方法は、Crの蒸着方
法として、母材を長時間高温に維持する必要があり、大
電力のtfj豐、母材からの強い輻射熱による基板、装
曹への悪影響などの欠点を有していた。
気圧を呈すようになり、実用的な蒸i速度で蒸着が行な
われる。ところで、蒸気圧は加熱温度に対してはぼ指数
sI数的に変化Tるから、温度が/!000K かられ
ずかにさがっても然気圧は一端に低下し、実用上蒸着が
進行しない。したがって、上記の方法は、Crの蒸着方
法として、母材を長時間高温に維持する必要があり、大
電力のtfj豐、母材からの強い輻射熱による基板、装
曹への悪影響などの欠点を有していた。
本発明はこれらの欠点を除失するため、低済で蒸発し易
いCrへC1*を用い、熱気を水素ガスで還元して真空
中でCrを蒸着させるもので、以下図面について詳細に
説明する。
いCrへC1*を用い、熱気を水素ガスで還元して真空
中でCrを蒸着させるもので、以下図面について詳細に
説明する。
嬉/WJは本発明の一実一例を示す図であって、この図
においてlはるつぼ、2は母材のCrへC4,3は加熱
・冷却機構、会は蒸発したCr(入Cbの蒸気、6は水
紫ガス軟き込み用ノズル、6は基板、7はOrの蒸着層
、8は真空容儀である。
においてlはるつぼ、2は母材のCrへC4,3は加熱
・冷却機構、会は蒸発したCr(入Cbの蒸気、6は水
紫ガス軟き込み用ノズル、6は基板、7はOrの蒸着層
、8は真空容儀である。
この117図において、真空容儀8中で、同容器内部を
排気しつつ加熱・冷却機構8によってOrへC4*@七
入れたるつぼlを3000に前後の温度に保てば、Cr
へCl、2は蒸発して/Torr程度の蒸気となる。こ
の軟部のところにlノズルSを通してH,を吠き込めば
CrへCbの蒸気との間に、 3H@ +cr O@ CIgt−にf+コ−0+コ
HCjなる反応が潜んでCrが生じ、基板6の上にCr
の蒸着817が形成される。
排気しつつ加熱・冷却機構8によってOrへC4*@七
入れたるつぼlを3000に前後の温度に保てば、Cr
へCl、2は蒸発して/Torr程度の蒸気となる。こ
の軟部のところにlノズルSを通してH,を吠き込めば
CrへCbの蒸気との間に、 3H@ +cr O@ CIgt−にf+コ−0+コ
HCjなる反応が潜んでCrが生じ、基板6の上にCr
の蒸着817が形成される。
また、@2図は本発明の別の5Il喘阿を示す図である
。この図の参照符号でII/Iffと同一のものは同−
構成1素を示す。この図において16.16は端面させ
た二枚の放電電極、lフはH,プラズマである。
。この図の参照符号でII/Iffと同一のものは同−
構成1素を示す。この図において16.16は端面させ
た二枚の放電電極、lフはH,プラズマである。
この−2図において、真空容器8の中で%同容#8の中
で、同!器内部e排気しつつ加熱・冷却機#に8によっ
て、CrへC68を入れたるつぼlの温度を3000に
前後に保てば、CrO,CJlllは蒸発して/Tor
r糊度の蒸気となる。この軟部のところにノズルbを通
してH,を吹き込み、さらかければH,プラズマ17が
発生する@Cry、C4の蒸気とH,プラズマの間には
、 3k +Cr On Cj冨−一一一一−)c
r +2Ha O+2HC1なる反応が進んでCrが
生じ、基板6の上にCrの蒸着1j?が形成される。
で、同!器内部e排気しつつ加熱・冷却機#に8によっ
て、CrへC68を入れたるつぼlの温度を3000に
前後に保てば、CrO,CJlllは蒸発して/Tor
r糊度の蒸気となる。この軟部のところにノズルbを通
してH,を吹き込み、さらかければH,プラズマ17が
発生する@Cry、C4の蒸気とH,プラズマの間には
、 3k +Cr On Cj冨−一一一一−)c
r +2Ha O+2HC1なる反応が進んでCrが
生じ、基板6の上にCrの蒸着1j?が形成される。
上記プラズマ形成にあたってCr C)a Cl*熱蒸
気プラズマ化する可能性も高く、その場合の反応性はさ
らに高まって蒸着速度の向上につながる。
気プラズマ化する可能性も高く、その場合の反応性はさ
らに高まって蒸着速度の向上につながる。
以上説明したように、本発明による真空蒸着法では、低
い温度で蒸着が行なわれるから、加熱電力の節約、輻射
熱による基板、装置への1II5影響の軽減に有効であ
る。
い温度で蒸着が行なわれるから、加熱電力の節約、輻射
熱による基板、装置への1II5影響の軽減に有効であ
る。
また低圧力中で蒸着かなざわるために、快留ガスの膜中
への混入による膜質低下を防ぐことができる。
への混入による膜質低下を防ぐことができる。
@lv!Jは本発明の一実堆鉤を示す説明図、第2図は
本発明の別の実施fIt−示す説明図である。 l・・・・・・るつぼ、ト・・・・・母材のOrへC1
*、8・・・・・・加熱・冷却−晴、鳴・・・・・・蒸
発したCrへCjmの急動、ト・・・・・H8吹き込み
用ノズル、6・・・・・・基板、7・・・・・・Crの
蒸着膜、8・・・・・・真空容器、16・・・・・・放
wig極、17・・・・・・H,プラス!。 出−人 日本電信電話公社 弔1図 第2図 −32; 一
本発明の別の実施fIt−示す説明図である。 l・・・・・・るつぼ、ト・・・・・母材のOrへC1
*、8・・・・・・加熱・冷却−晴、鳴・・・・・・蒸
発したCrへCjmの急動、ト・・・・・H8吹き込み
用ノズル、6・・・・・・基板、7・・・・・・Crの
蒸着膜、8・・・・・・真空容器、16・・・・・・放
wig極、17・・・・・・H,プラス!。 出−人 日本電信電話公社 弔1図 第2図 −32; 一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 l 真空中で <”01C7:3 を蒸発せしめ、こ
れに水素ガスを吹き込ん”t’ CrへCt*を還元し
てCrを基板上に蒸着せしめることを特徴とするり勘^
の真空蒸着法。 2 吹き込んだ水素ガスrrIE気的に励起して放電プ
″′を生ぜしめ〜Cr0ICtN、2還元管促進するこ
とを特徴とする特許請求の範囲@/JJ記載の夕曹ムの
真空蒸着法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4243182A JPS58161769A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | クロムの真空蒸着法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4243182A JPS58161769A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | クロムの真空蒸着法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58161769A true JPS58161769A (ja) | 1983-09-26 |
JPS6241313B2 JPS6241313B2 (ja) | 1987-09-02 |
Family
ID=12635873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4243182A Granted JPS58161769A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | クロムの真空蒸着法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58161769A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5149596A (en) * | 1990-10-05 | 1992-09-22 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Vapor deposition of thin films |
WO2012137504A1 (ja) | 2011-04-05 | 2012-10-11 | 株式会社ブリヂストン | 防振装置 |
-
1982
- 1982-03-17 JP JP4243182A patent/JPS58161769A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5149596A (en) * | 1990-10-05 | 1992-09-22 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Vapor deposition of thin films |
WO2012137504A1 (ja) | 2011-04-05 | 2012-10-11 | 株式会社ブリヂストン | 防振装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6241313B2 (ja) | 1987-09-02 |
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