JPS58161769A - クロムの真空蒸着法 - Google Patents
クロムの真空蒸着法Info
- Publication number
- JPS58161769A JPS58161769A JP4243182A JP4243182A JPS58161769A JP S58161769 A JPS58161769 A JP S58161769A JP 4243182 A JP4243182 A JP 4243182A JP 4243182 A JP4243182 A JP 4243182A JP S58161769 A JPS58161769 A JP S58161769A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor
- cro2cl2
- vacuum
- substrate
- film
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/08—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
- C23C16/10—Deposition of chromium only
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低温下でＣｒ ｆ−蒸着する真空蒸着法に崗す
るものである。
るものである。
従来の真空蒸着法は、蒸着すべき金属を母材としてこれ
を加熱し、充分な熱気圧が得られる温度に維持して蒸着
を行なうものである。この方法によりＣｒの蒸着を行っ
た１１ｂ＆には−ｃｒは１ｓｏｏ。
を加熱し、充分な熱気圧が得られる温度に維持して蒸着
を行なうものである。この方法によりＣｒの蒸着を行っ
た１１ｂ＆には−ｃｒは１ｓｏｏ。
ＫＣ加熱することによってほぼ／Ｘ／ＱｊＴｏｒｒの蒸
気圧を呈すようになり、実用的な蒸ｉ速度で蒸着が行な
われる。ところで、蒸気圧は加熱温度に対してはぼ指数
ｓＩ数的に変化Ｔるから、温度が／！０００Ｋ かられ
ずかにさがっても然気圧は一端に低下し、実用上蒸着が
進行しない。したがって、上記の方法は、Ｃｒの蒸着方
法として、母材を長時間高温に維持する必要があり、大
電力のｔｆｊ豐、母材からの強い輻射熱による基板、装
曹への悪影響などの欠点を有していた。
気圧を呈すようになり、実用的な蒸ｉ速度で蒸着が行な
われる。ところで、蒸気圧は加熱温度に対してはぼ指数
ｓＩ数的に変化Ｔるから、温度が／！０００Ｋ かられ
ずかにさがっても然気圧は一端に低下し、実用上蒸着が
進行しない。したがって、上記の方法は、Ｃｒの蒸着方
法として、母材を長時間高温に維持する必要があり、大
電力のｔｆｊ豐、母材からの強い輻射熱による基板、装
曹への悪影響などの欠点を有していた。
本発明はこれらの欠点を除失するため、低済で蒸発し易
いＣｒへＣ１＊を用い、熱気を水素ガスで還元して真空
中でＣｒを蒸着させるもので、以下図面について詳細に
説明する。
いＣｒへＣ１＊を用い、熱気を水素ガスで還元して真空
中でＣｒを蒸着させるもので、以下図面について詳細に
説明する。
嬉／ＷＪは本発明の一実一例を示す図であって、この図
においてｌはるつぼ、２は母材のＣｒへＣ４，３は加熱
・冷却機構、会は蒸発したＣｒ（入Ｃｂの蒸気、６は水
紫ガス軟き込み用ノズル、６は基板、７はＯｒの蒸着層
、８は真空容儀である。
においてｌはるつぼ、２は母材のＣｒへＣ４，３は加熱
・冷却機構、会は蒸発したＣｒ（入Ｃｂの蒸気、６は水
紫ガス軟き込み用ノズル、６は基板、７はＯｒの蒸着層
、８は真空容儀である。
この１１７図において、真空容儀８中で、同容器内部を
排気しつつ加熱・冷却機構８によってＯｒへＣ４＊＠七
入れたるつぼｌを３０００に前後の温度に保てば、Ｃｒ
へＣｌ、２は蒸発して／Ｔｏｒｒ程度の蒸気となる。こ
の軟部のところにｌノズルＳを通してＨ，を吠き込めば
ＣｒへＣｂの蒸気との間に、 ３Ｈ＠ ＋ｃｒ Ｏ＠ ＣＩｇｔ−にｆ＋コ−０＋コ
ＨＣｊなる反応が潜んでＣｒが生じ、基板６の上にＣｒ
の蒸着８１７が形成される。
排気しつつ加熱・冷却機構８によってＯｒへＣ４＊＠七
入れたるつぼｌを３０００に前後の温度に保てば、Ｃｒ
へＣｌ、２は蒸発して／Ｔｏｒｒ程度の蒸気となる。こ
の軟部のところにｌノズルＳを通してＨ，を吠き込めば
ＣｒへＣｂの蒸気との間に、 ３Ｈ＠ ＋ｃｒ Ｏ＠ ＣＩｇｔ−にｆ＋コ−０＋コ
ＨＣｊなる反応が潜んでＣｒが生じ、基板６の上にＣｒ
の蒸着８１７が形成される。
また、＠２図は本発明の別の５Ｉｌ喘阿を示す図である
。この図の参照符号でＩＩ／Ｉｆｆと同一のものは同−
構成１素を示す。この図において１６．１６は端面させ
た二枚の放電電極、ｌフはＨ，プラズマである。
。この図の参照符号でＩＩ／Ｉｆｆと同一のものは同−
構成１素を示す。この図において１６．１６は端面させ
た二枚の放電電極、ｌフはＨ，プラズマである。
この−２図において、真空容器８の中で％同容＃８の中
で、同！器内部ｅ排気しつつ加熱・冷却機＃に８によっ
て、ＣｒへＣ６８を入れたるつぼｌの温度を３０００に
前後に保てば、ＣｒＯ，ＣＪｌｌｌは蒸発して／Ｔｏｒ
ｒ糊度の蒸気となる。この軟部のところにノズルｂを通
してＨ，を吹き込み、さらかければＨ，プラズマ１７が
発生する＠Ｃｒｙ、Ｃ４の蒸気とＨ，プラズマの間には
、 ３ｋ ＋Ｃｒ Ｏｎ Ｃｊ冨−一一一一−）ｃ
ｒ ＋２Ｈａ Ｏ＋２ＨＣ１なる反応が進んでＣｒが
生じ、基板６の上にＣｒの蒸着１ｊ？が形成される。
で、同！器内部ｅ排気しつつ加熱・冷却機＃に８によっ
て、ＣｒへＣ６８を入れたるつぼｌの温度を３０００に
前後に保てば、ＣｒＯ，ＣＪｌｌｌは蒸発して／Ｔｏｒ
ｒ糊度の蒸気となる。この軟部のところにノズルｂを通
してＨ，を吹き込み、さらかければＨ，プラズマ１７が
発生する＠Ｃｒｙ、Ｃ４の蒸気とＨ，プラズマの間には
、 ３ｋ ＋Ｃｒ Ｏｎ Ｃｊ冨−一一一一−）ｃ
ｒ ＋２Ｈａ Ｏ＋２ＨＣ１なる反応が進んでＣｒが
生じ、基板６の上にＣｒの蒸着１ｊ？が形成される。
上記プラズマ形成にあたってＣｒ Ｃ）ａ Ｃｌ＊熱蒸
気プラズマ化する可能性も高く、その場合の反応性はさ
らに高まって蒸着速度の向上につながる。
気プラズマ化する可能性も高く、その場合の反応性はさ
らに高まって蒸着速度の向上につながる。
以上説明したように、本発明による真空蒸着法では、低
い温度で蒸着が行なわれるから、加熱電力の節約、輻射
熱による基板、装置への１ＩＩ５影響の軽減に有効であ
る。
い温度で蒸着が行なわれるから、加熱電力の節約、輻射
熱による基板、装置への１ＩＩ５影響の軽減に有効であ
る。
また低圧力中で蒸着かなざわるために、快留ガスの膜中
への混入による膜質低下を防ぐことができる。
への混入による膜質低下を防ぐことができる。
＠ｌｖ！Ｊは本発明の一実堆鉤を示す説明図、第２図は
本発明の別の実施ｆＩｔ−示す説明図である。 ｌ・・・・・・るつぼ、ト・・・・・母材のＯｒへＣ１
＊、８・・・・・・加熱・冷却−晴、鳴・・・・・・蒸
発したＣｒへＣｊｍの急動、ト・・・・・Ｈ８吹き込み
用ノズル、６・・・・・・基板、７・・・・・・Ｃｒの
蒸着膜、８・・・・・・真空容器、１６・・・・・・放
ｗｉｇ極、１７・・・・・・Ｈ，プラス！。 出−人 日本電信電話公社 弔１図 第２図 −３２； 一
本発明の別の実施ｆＩｔ−示す説明図である。 ｌ・・・・・・るつぼ、ト・・・・・母材のＯｒへＣ１
＊、８・・・・・・加熱・冷却−晴、鳴・・・・・・蒸
発したＣｒへＣｊｍの急動、ト・・・・・Ｈ８吹き込み
用ノズル、６・・・・・・基板、７・・・・・・Ｃｒの
蒸着膜、８・・・・・・真空容器、１６・・・・・・放
ｗｉｇ極、１７・・・・・・Ｈ，プラス！。 出−人 日本電信電話公社 弔１図 第２図 −３２； 一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ 真空中で ＜”０１Ｃ７：３ を蒸発せしめ、こ
れに水素ガスを吹き込ん”ｔ’ ＣｒへＣｔ＊を還元し
てＣｒを基板上に蒸着せしめることを特徴とするり勘＾
の真空蒸着法。 ２ 吹き込んだ水素ガスｒｒＩＥ気的に励起して放電プ
″′を生ぜしめ〜Ｃｒ０ＩＣｔＮ、２還元管促進するこ
とを特徴とする特許請求の範囲＠／ＪＪ記載の夕曹ムの
真空蒸着法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4243182A JPS58161769A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | クロムの真空蒸着法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4243182A JPS58161769A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | クロムの真空蒸着法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58161769A true JPS58161769A (ja) | 1983-09-26 |
| JPS6241313B2 JPS6241313B2 (ja) | 1987-09-02 |
Family
ID=12635873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4243182A Granted JPS58161769A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | クロムの真空蒸着法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58161769A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5149596A (en) * | 1990-10-05 | 1992-09-22 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Vapor deposition of thin films |
| WO2012137504A1 (ja) | 2011-04-05 | 2012-10-11 | 株式会社ブリヂストン | 防振装置 |
-
1982
- 1982-03-17 JP JP4243182A patent/JPS58161769A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5149596A (en) * | 1990-10-05 | 1992-09-22 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Vapor deposition of thin films |
| WO2012137504A1 (ja) | 2011-04-05 | 2012-10-11 | 株式会社ブリヂストン | 防振装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6241313B2 (ja) | 1987-09-02 |
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