JPS58161769A - クロムの真空蒸着法 - Google Patents

クロムの真空蒸着法

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JPS58161769A
JPS58161769A JP4243182A JP4243182A JPS58161769A JP S58161769 A JPS58161769 A JP S58161769A JP 4243182 A JP4243182 A JP 4243182A JP 4243182 A JP4243182 A JP 4243182A JP S58161769 A JPS58161769 A JP S58161769A
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JP
Japan
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vapor
cro2cl2
vacuum
substrate
film
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JP4243182A
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JPS6241313B2 (ja
Inventor
Kazutoshi Nagai
一敏 長井
Hiroki Kuwano
博喜 桑野
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/08Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
    • C23C16/10Deposition of chromium only

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は低温下でCr f−蒸着する真空蒸着法に崗す
るものである。
従来の真空蒸着法は、蒸着すべき金属を母材としてこれ
を加熱し、充分な熱気圧が得られる温度に維持して蒸着
を行なうものである。この方法によりCrの蒸着を行っ
た11b&には−crは1soo。
KC加熱することによってほぼ/X/QjTorrの蒸
気圧を呈すようになり、実用的な蒸i速度で蒸着が行な
われる。ところで、蒸気圧は加熱温度に対してはぼ指数
sI数的に変化Tるから、温度が/!000K かられ
ずかにさがっても然気圧は一端に低下し、実用上蒸着が
進行しない。したがって、上記の方法は、Crの蒸着方
法として、母材を長時間高温に維持する必要があり、大
電力のtfj豐、母材からの強い輻射熱による基板、装
曹への悪影響などの欠点を有していた。
本発明はこれらの欠点を除失するため、低済で蒸発し易
いCrへC1*を用い、熱気を水素ガスで還元して真空
中でCrを蒸着させるもので、以下図面について詳細に
説明する。
嬉/WJは本発明の一実一例を示す図であって、この図
においてlはるつぼ、2は母材のCrへC4,3は加熱
・冷却機構、会は蒸発したCr(入Cbの蒸気、6は水
紫ガス軟き込み用ノズル、6は基板、7はOrの蒸着層
、8は真空容儀である。
この117図において、真空容儀8中で、同容器内部を
排気しつつ加熱・冷却機構8によってOrへC4*@七
入れたるつぼlを3000に前後の温度に保てば、Cr
へCl、2は蒸発して/Torr程度の蒸気となる。こ
の軟部のところにlノズルSを通してH,を吠き込めば
CrへCbの蒸気との間に、 3H@ +cr O@  CIgt−にf+コ−0+コ
HCjなる反応が潜んでCrが生じ、基板6の上にCr
の蒸着817が形成される。
また、@2図は本発明の別の5Il喘阿を示す図である
。この図の参照符号でII/Iffと同一のものは同−
構成1素を示す。この図において16.16は端面させ
た二枚の放電電極、lフはH,プラズマである。
この−2図において、真空容器8の中で%同容#8の中
で、同!器内部e排気しつつ加熱・冷却機#に8によっ
て、CrへC68を入れたるつぼlの温度を3000に
前後に保てば、CrO,CJlllは蒸発して/Tor
r糊度の蒸気となる。この軟部のところにノズルbを通
してH,を吹き込み、さらかければH,プラズマ17が
発生する@Cry、C4の蒸気とH,プラズマの間には
、 3k  +Cr  On  Cj冨−一一一一−)c 
r +2Ha  O+2HC1なる反応が進んでCrが
生じ、基板6の上にCrの蒸着1j?が形成される。
上記プラズマ形成にあたってCr C)a Cl*熱蒸
気プラズマ化する可能性も高く、その場合の反応性はさ
らに高まって蒸着速度の向上につながる。
以上説明したように、本発明による真空蒸着法では、低
い温度で蒸着が行なわれるから、加熱電力の節約、輻射
熱による基板、装置への1II5影響の軽減に有効であ
る。
また低圧力中で蒸着かなざわるために、快留ガスの膜中
への混入による膜質低下を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
@lv!Jは本発明の一実堆鉤を示す説明図、第2図は
本発明の別の実施fIt−示す説明図である。 l・・・・・・るつぼ、ト・・・・・母材のOrへC1
*、8・・・・・・加熱・冷却−晴、鳴・・・・・・蒸
発したCrへCjmの急動、ト・・・・・H8吹き込み
用ノズル、6・・・・・・基板、7・・・・・・Crの
蒸着膜、8・・・・・・真空容器、16・・・・・・放
wig極、17・・・・・・H,プラス!。 出−人 日本電信電話公社 弔1図 第2図 −32; 一

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 l 真空中で <”01C7:3  を蒸発せしめ、こ
    れに水素ガスを吹き込ん”t’ CrへCt*を還元し
    てCrを基板上に蒸着せしめることを特徴とするり勘^
    の真空蒸着法。 2 吹き込んだ水素ガスrrIE気的に励起して放電プ
    ″′を生ぜしめ〜Cr0ICtN、2還元管促進するこ
    とを特徴とする特許請求の範囲@/JJ記載の夕曹ムの
    真空蒸着法。
JP4243182A 1982-03-17 1982-03-17 クロムの真空蒸着法 Granted JPS58161769A (ja)

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JPS58161769A true JPS58161769A (ja) 1983-09-26
JPS6241313B2 JPS6241313B2 (ja) 1987-09-02

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5149596A (en) * 1990-10-05 1992-09-22 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Vapor deposition of thin films
WO2012137504A1 (ja) 2011-04-05 2012-10-11 株式会社ブリヂストン 防振装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5149596A (en) * 1990-10-05 1992-09-22 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Vapor deposition of thin films
WO2012137504A1 (ja) 2011-04-05 2012-10-11 株式会社ブリヂストン 防振装置

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JPS6241313B2 (ja) 1987-09-02

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