JPS5815940B2 - ハンドウタイソウチノ セイゾウホウホウ - Google Patents
ハンドウタイソウチノ セイゾウホウホウInfo
- Publication number
- JPS5815940B2 JPS5815940B2 JP8595673A JP8595673A JPS5815940B2 JP S5815940 B2 JPS5815940 B2 JP S5815940B2 JP 8595673 A JP8595673 A JP 8595673A JP 8595673 A JP8595673 A JP 8595673A JP S5815940 B2 JPS5815940 B2 JP S5815940B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- photosensitive resin
- single crystal
- taisouchino
- seizouhouhou
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Silicon Compounds (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気化学的反応により単結晶シリコンを多孔質
シリコンに変換する方法に関し、特に塩素イオンを含む
溶液中にて単結晶シリコンに正の電圧を印加することに
より陽極反応を生せしめもって選択的に多孔質シリコン
に変換する方法に関する。
シリコンに変換する方法に関し、特に塩素イオンを含む
溶液中にて単結晶シリコンに正の電圧を印加することに
より陽極反応を生せしめもって選択的に多孔質シリコン
に変換する方法に関する。
この種の従来技術によれば溶液として弗酸が用いられて
おり、弗酸中に部分的に感光性樹脂膜を被覆した単結晶
シリコンと電極金属とを浸漬し、単結晶シリコンに正、
電極金属に負の電圧をそれぞれ印加しもって単結晶シリ
コンの感光性樹脂膜を有しない部分を多孔質シリコンに
変換せしめていた。
おり、弗酸中に部分的に感光性樹脂膜を被覆した単結晶
シリコンと電極金属とを浸漬し、単結晶シリコンに正、
電極金属に負の電圧をそれぞれ印加しもって単結晶シリ
コンの感光性樹脂膜を有しない部分を多孔質シリコンに
変換せしめていた。
しかしながら弗酸では感光性樹脂膜がおかされやすい事
、取り扱いが危険である事等の欠点があった。
、取り扱いが危険である事等の欠点があった。
本発明は弗酸のかわりに塩素イオンを含む溶液を用いて
選択に陽極反応を行なうことを特徴とする。
選択に陽極反応を行なうことを特徴とする。
塩素イオンを含む溶液としては塩酸水溶液、塩化ナトリ
ウム水溶液などがあり、これら溶液は感光性樹脂膜をお
かすことがなく、かつ取り扱い上も弗酸はどには危険で
ない。
ウム水溶液などがあり、これら溶液は感光性樹脂膜をお
かすことがなく、かつ取り扱い上も弗酸はどには危険で
ない。
次に本願発明を、その実施例について説明する。
本発明を、集積回路素子における素子間の絶縁分離領域
の形成に適用した場合の例について述べる。
の形成に適用した場合の例について述べる。
先ず、第１図に示す様にＰ型シリコン基板３上にＮ型の
シリコンエピタキシャル層２を３μの厚さに形成し、さ
らにこのエピタキシャル層２表面に絶縁分離領域を形成
するだめの領域を除いて感光性樹脂膜１を被着する。
シリコンエピタキシャル層２を３μの厚さに形成し、さ
らにこのエピタキシャル層２表面に絶縁分離領域を形成
するだめの領域を除いて感光性樹脂膜１を被着する。
その後塩酸（３６，５％容積比）中に前述の感光性樹脂
１を有するシリコンと電極となる金属例えばタンタル、
白金等とを浸漬し、シリコンを陽極とし、電極金属を陰
極としてこれらの間に２００ｍ１／ｃｍ２の電流を２０
秒間流す。
１を有するシリコンと電極となる金属例えばタンタル、
白金等とを浸漬し、シリコンを陽極とし、電極金属を陰
極としてこれらの間に２００ｍ１／ｃｍ２の電流を２０
秒間流す。
かかる操作によりシリコンエピタキシャル層２の感光性
樹脂＠１を有しない部分は、第２図に示す如く、多孔質
シリコン５に変換せしめられる。
樹脂＠１を有しない部分は、第２図に示す如く、多孔質
シリコン５に変換せしめられる。
次いで感光性樹脂膜１を除去し、１０００℃の湿った酸
素中にて１０分間酸化する。
素中にて１０分間酸化する。
この時単結晶シリコン表面も多孔質シリコン表面も共に
酸化されるが、多孔質シリコンの方がはるかに早く約１
０倍の速さで酸化される。
酸化されるが、多孔質シリコンの方がはるかに早く約１
０倍の速さで酸化される。
従って第３図の如く絶縁分離領域は多結晶シリコンから
酸化シリコン６に変換される。
酸化シリコン６に変換される。
上記雰囲気においては、多孔質シリコンの変化した酸化
シリコンの厚さは４μであるのに対し、単結晶シリコン
の変化した酸化シリコンの厚さは０．４μである。
シリコンの厚さは４μであるのに対し、単結晶シリコン
の変化した酸化シリコンの厚さは０．４μである。
かかる分離法によれば比較的安全な作業で絶縁耐圧の高
い絶縁分離ができる。
い絶縁分離ができる。
また表面配給層に起因する寄生チャンネル発生等の心配
もない。
もない。
次にＰＮ接合ダイオードの製造に本発明を適用した場合
の実施例を説明する。
の実施例を説明する。
第４図に示す如く、Ｎ型で比抵抗の小さいシリコン基板
上にＮ型で比抵抗の高いシリコンエピタキシャル層８を
成長せしめ、さらにシリコンエピタキシャル層８の一部
に感光性樹脂７を被着する。
上にＮ型で比抵抗の高いシリコンエピタキシャル層８を
成長せしめ、さらにシリコンエピタキシャル層８の一部
に感光性樹脂７を被着する。
これを塩酸（３６，５％容積比）中で第２図と同様の電
気化学的処理を施し、シリコンエピタキシャル層８の一
部を第５図の如くに多孔質シリコン１０に変換する。
気化学的処理を施し、シリコンエピタキシャル層８の一
部を第５図の如くに多孔質シリコン１０に変換する。
次いで感光性樹脂７を除去して高温の温った酸素中で熱
酸化することにより、多孔質シリコン１０を第６図の如
くに酸化シリコン１１に変換する。
酸化することにより、多孔質シリコン１０を第６図の如
くに酸化シリコン１１に変換する。
この時単結晶シリコン上にも酸化シリコンが形成される
ので、表面研磨によりこの酸化シリコンを除去する。
ので、表面研磨によりこの酸化シリコンを除去する。
次いでボロン等のＰ型不純物を露出した単結晶シリコン
表面から拡散して第７図の如くにＰ型頭域１２を形成す
る。
表面から拡散して第７図の如くにＰ型頭域１２を形成す
る。
かかるＰＮ接合ダイオードによれば、ＰＮ接合に格子欠
陥が少く、従って漏洩電流が小さい。
陥が少く、従って漏洩電流が小さい。
またＰＮ接合はほぼ平面にすることができ、従って電界
集中効果にもとづく降伏電圧の低下がない。
集中効果にもとづく降伏電圧の低下がない。
以上の実施例においては単結晶シリコンを多孔質シリコ
ンに変化せしめるだめの塩素イオンを含む溶液として塩
酸水溶液を用いたが、他の液でも塩素イオンを含んでい
れば同様の効果が得られるものである。
ンに変化せしめるだめの塩素イオンを含む溶液として塩
酸水溶液を用いたが、他の液でも塩素イオンを含んでい
れば同様の効果が得られるものである。
なおシリコンの選択的変換のマス）としては感光性樹脂
以外のマスク、たとえば酸化シリコン、ガラスなどの金
属を用いてもよい。
以外のマスク、たとえば酸化シリコン、ガラスなどの金
属を用いてもよい。
第１〜３図は本発明の一実施例の各工程を示す断面図で
あり、第４〜７図は本発明の他の実施例の各工程を示す
断面図である。 １．７……………感光性樹脂、２，８……………シリコ
ン工ピタキシヤル層、３，９……………シリコン基板、
５，１０……………多孔質シリコン、６，１１…………
…酸化シリコン、１２……………Ｐ型領域。
あり、第４〜７図は本発明の他の実施例の各工程を示す
断面図である。 １．７……………感光性樹脂、２，８……………シリコ
ン工ピタキシヤル層、３，９……………シリコン基板、
５，１０……………多孔質シリコン、６，１１…………
…酸化シリコン、１２……………Ｐ型領域。
Claims (1)
- １ 塩酸を含む水溶液中において、相対的に正の電圧と
された単結晶シリコンを選択的に多孔質シリコンに変換
せしめることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8595673A JPS5815940B2 (ja) | 1973-07-30 | 1973-07-30 | ハンドウタイソウチノ セイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8595673A JPS5815940B2 (ja) | 1973-07-30 | 1973-07-30 | ハンドウタイソウチノ セイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5034468A JPS5034468A (ja) | 1975-04-02 |
| JPS5815940B2 true JPS5815940B2 (ja) | 1983-03-28 |
Family
ID=13873187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8595673A Expired JPS5815940B2 (ja) | 1973-07-30 | 1973-07-30 | ハンドウタイソウチノ セイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5815940B2 (ja) |
-
1973
- 1973-07-30 JP JP8595673A patent/JPS5815940B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5034468A (ja) | 1975-04-02 |
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