JPS58154613A - 変位量検出装置 - Google Patents
変位量検出装置Info
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- JPS58154613A JPS58154613A JP3664182A JP3664182A JPS58154613A JP S58154613 A JPS58154613 A JP S58154613A JP 3664182 A JP3664182 A JP 3664182A JP 3664182 A JP3664182 A JP 3664182A JP S58154613 A JPS58154613 A JP S58154613A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
- G01B7/023—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring distance between sensor and object
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はロータリーエンコーダ、リニアエンコーダとし
て用いることができる変位置検出装置、特に磁気記録ト
ラックに沿って配列された磁化パターンの斐位を＊１個
の磁気抵抗効果素子で検出し、その差動出力を得るよう
にした変位量検出装置に関するものである。
て用いることができる変位置検出装置、特に磁気記録ト
ラックに沿って配列された磁化パターンの斐位を＊１個
の磁気抵抗効果素子で検出し、その差動出力を得るよう
にした変位量検出装置に関するものである。
列えば回転軸に取付けた磁気記録媒体を宥する円板また
は円筒に等間隔のビット長を宥する磁化パターンの形態
で記録されている磁気信号を強磁性磁気抵抗効果素子（
以下ＭＲ素子と略称する）を具える磁気センサで読み取
ることにより、回転軸の回転角を検出する所謂ロータリ
ーエンコーダは既知である。このようなロータリーエン
コーダにおいては、基本的には１個のＭＲ素子により磁
気信号を検出し、変位置を知ることができるが、出力電
圧が小ざいこと、温度変化により出力電圧がドリフトす
るなどの欠点があるため、２つ以上のＭＲ素子を差動結
合して出力を得ることが一般的である。例えば特公昭５
４−１１５１６７号公報には２個のＭＲ素子を磁気記録
媒体上の磁気パターンのピッチの整数倍に等しい間隔を
電いて配設し、これらＭＲ素子の出力の差を差動増幅器
で求めるようにした角度検出器が記載されている。また
「日経エレクトロニクスＪ 、１９８１年６月ｇｉ１日
号、第８８ｉ１には、第１図に示すように千れぞれ４個
の）ｌ［Ｒ素子ム、〜Ａ、 、 Ｂ１〜Ｂ４を有する２
群のｄ１％センサを設け、各群のＭＲ素子を磁気記録媒
体Ｍの磁化パターンのピッチＰの＋の間隔だけ離して配
設すると共に一方の群のＭＲ素子を他方の群のＭＲ素子
に対して−だけずらして配設し、１Ｍ２図に示すように
各群の４情のＭＲ素子をブリッジ回路としてそれぞれ接
続し、各ブリッジ回路の対角点に現われる出力電圧の差
をそれぞれ差動増幅器ＤＡ、およびＤＡ、で求める口と
により変位置および変位方向を検出するようにした角度
検出装置が示されている。このような差動結合方式を採
用すると出力振幅が大きくなると共にドリフトの影響も
相殺除去できる利点が得られる。しかしながら、二のよ
うな従来の角度検出装置においては３個慶−ヒのＭＲ素
子を変位方向、すなわち磁化パターンの配列方向に、磁
化パターンのピッチＰの整数倍またはａ数分の−の間隔
で配設しなければならず、檀々のピッチの磁化パターン
を有する磁気記録媒体に対してそれぞれ所定の間隔に配
設したＭＲ素子を宥する磁気センサを準備しなければな
らず、設計の自由度に制限を受ける欠点がある。また、
磁気記録媒体を円Ｗｉ表面に設ける場合、？Ｍ数のＭｌ
（素子を平阻な基板上に形成すると各讐Ｒ素子と磁気記
録媒体までの距離が等しくならず、各ＭＲ素子の出力信
号の振幅がばらつくことになり差動出力に誤差が入る欠
点がある。このような欠点を解決するためにＭＲ素子の
幅を変えることが特公昭５８−８５０１１号公報に開示
されているが、そのようなＭＲ素子を製作することは面
倒であると共に前記の距離が変った場＆にはこれに対応
した幅を有するＭＲ素子を製作する必要があり、汎用性
に欠ける欠点がある。また、２１１１トのＭＲ素子を磁
気記録媒体の磁化パターンの配列方向にずらせると、磁
気センサの寸法は必然的に大きくなり、検出′ｆＭＩＩ
ｌ全体も大形になり易くなるという欠点もある。
は円筒に等間隔のビット長を宥する磁化パターンの形態
で記録されている磁気信号を強磁性磁気抵抗効果素子（
以下ＭＲ素子と略称する）を具える磁気センサで読み取
ることにより、回転軸の回転角を検出する所謂ロータリ
ーエンコーダは既知である。このようなロータリーエン
コーダにおいては、基本的には１個のＭＲ素子により磁
気信号を検出し、変位置を知ることができるが、出力電
圧が小ざいこと、温度変化により出力電圧がドリフトす
るなどの欠点があるため、２つ以上のＭＲ素子を差動結
合して出力を得ることが一般的である。例えば特公昭５
４−１１５１６７号公報には２個のＭＲ素子を磁気記録
媒体上の磁気パターンのピッチの整数倍に等しい間隔を
電いて配設し、これらＭＲ素子の出力の差を差動増幅器
で求めるようにした角度検出器が記載されている。また
「日経エレクトロニクスＪ 、１９８１年６月ｇｉ１日
号、第８８ｉ１には、第１図に示すように千れぞれ４個
の）ｌ［Ｒ素子ム、〜Ａ、 、 Ｂ１〜Ｂ４を有する２
群のｄ１％センサを設け、各群のＭＲ素子を磁気記録媒
体Ｍの磁化パターンのピッチＰの＋の間隔だけ離して配
設すると共に一方の群のＭＲ素子を他方の群のＭＲ素子
に対して−だけずらして配設し、１Ｍ２図に示すように
各群の４情のＭＲ素子をブリッジ回路としてそれぞれ接
続し、各ブリッジ回路の対角点に現われる出力電圧の差
をそれぞれ差動増幅器ＤＡ、およびＤＡ、で求める口と
により変位置および変位方向を検出するようにした角度
検出装置が示されている。このような差動結合方式を採
用すると出力振幅が大きくなると共にドリフトの影響も
相殺除去できる利点が得られる。しかしながら、二のよ
うな従来の角度検出装置においては３個慶−ヒのＭＲ素
子を変位方向、すなわち磁化パターンの配列方向に、磁
化パターンのピッチＰの整数倍またはａ数分の−の間隔
で配設しなければならず、檀々のピッチの磁化パターン
を有する磁気記録媒体に対してそれぞれ所定の間隔に配
設したＭＲ素子を宥する磁気センサを準備しなければな
らず、設計の自由度に制限を受ける欠点がある。また、
磁気記録媒体を円Ｗｉ表面に設ける場合、？Ｍ数のＭｌ
（素子を平阻な基板上に形成すると各讐Ｒ素子と磁気記
録媒体までの距離が等しくならず、各ＭＲ素子の出力信
号の振幅がばらつくことになり差動出力に誤差が入る欠
点がある。このような欠点を解決するためにＭＲ素子の
幅を変えることが特公昭５８−８５０１１号公報に開示
されているが、そのようなＭＲ素子を製作することは面
倒であると共に前記の距離が変った場＆にはこれに対応
した幅を有するＭＲ素子を製作する必要があり、汎用性
に欠ける欠点がある。また、２１１１トのＭＲ素子を磁
気記録媒体の磁化パターンの配列方向にずらせると、磁
気センサの寸法は必然的に大きくなり、検出′ｆＭＩＩ
ｌ全体も大形になり易くなるという欠点もある。
本発明の目的はヒ述した欠点を除青し、ＭＦＩ素子を磁
気記録媒体の磁化パターンの配列方向に離間して配置す
る必要がなく、シかも差動出力が得られるようにした変
位量検出装置を提供しようとよるものである。
気記録媒体の磁化パターンの配列方向に離間して配置す
る必要がなく、シかも差動出力が得られるようにした変
位量検出装置を提供しようとよるものである。
本発明の変位量検出装置は、磁化パターンを形成した磁
気記録媒体と対向して少なく＃！個の磁気抵抗効果素子
を、磁気記録媒体の所定の変位方向に対して直交する方
向に並べて配設し、これら磁気抵抗効果素子を相互に逆
方向に磁気バイアスしたごとを特徴とするものである。
気記録媒体と対向して少なく＃！個の磁気抵抗効果素子
を、磁気記録媒体の所定の変位方向に対して直交する方
向に並べて配設し、これら磁気抵抗効果素子を相互に逆
方向に磁気バイアスしたごとを特徴とするものである。
以ド図面を＃照して本発明の詳細な説明する。
＠８図〜第５図ＡおよびＢは本発明の変位量検出装置の
一例の構成を示すものである。変位量を測定すべき部材
と一体に設けた磁気記録媒体１０には矢印で示すその変
位方向に所定のピッチＰで磁化パターンを記録する。こ
の記録媒体１０と対向して磁気センサ１１を配置する。
一例の構成を示すものである。変位量を測定すべき部材
と一体に設けた磁気記録媒体１０には矢印で示すその変
位方向に所定のピッチＰで磁化パターンを記録する。こ
の記録媒体１０と対向して磁気センサ１１を配置する。
第４図に示すようにこの磁気センサ１１は基板１２の上
に第１および＃！２の強磁性磁気抵抗効果素子１８ａお
よび１８ｂを変位方向に対して直交する方向に並べて配
設する。拳闘においてはこれらＭＲ素子１ｇ＆および１
３１）を互いに逆方向に磁気バイアスするためにＭＲ素
子１３＆および１１Ｓｂ（７）ｉに絶縁暎１４５Ｌおよ
び１４ｂを介して導電１１１６ａおよび１５ｂを設け、
これら導電膜に互いに反対方向にバイアス電流を流す。
に第１および＃！２の強磁性磁気抵抗効果素子１８ａお
よび１８ｂを変位方向に対して直交する方向に並べて配
設する。拳闘においてはこれらＭＲ素子１ｇ＆および１
３１）を互いに逆方向に磁気バイアスするためにＭＲ素
子１３＆および１１Ｓｂ（７）ｉに絶縁暎１４５Ｌおよ
び１４ｂを介して導電１１１６ａおよび１５ｂを設け、
これら導電膜に互いに反対方向にバイアス電流を流す。
すなわち、第１図の一面図に示すように導電膜１５ａお
よび１５ｂを直流電ｆ１１６に接続し、それぞれ矢印で
示Ｔように互いに反対方向にバイアス電流が流れるよう
にする。
よび１５ｂを直流電ｆ１１６に接続し、それぞれ矢印で
示Ｔように互いに反対方向にバイアス電流が流れるよう
にする。
したがって第４図のＡ−Ａ線およびＢ−Ｂ線に沿って切
って示す第５図ＡおよびＢに示すように一方の導電＄１
５ａには紙面の手前側から裏側へ電流が流れ、破線矢印
で示すように時計方向にバイアス磁界が発生し、他方の
導電膜ｔ＋ｓｂには紙面の裏側から手前側へ電流が流れ
、破線矢印で示すように反時計方向にバイアス磁界が発
生されることになる。ごのようにして第１および第３の
ＭＲ素子１８１Ｌおよび１８ｂには互いに反対方向のバ
イアス磁界が印加されることになる。したがって第６図
において曲！１１７ａおよび１？ｂで示Ｔ磁気記録媒体
１０に記録された磁化パターンに応じた磁界とバイアス
磁界上Ｈ］３の合成磁界の変化に対して第１および第２
のＭＲ素子１８＆および１３ｔ）の抵抗値Ｒはそれぞれ
第６図の曲！１１８ ａおよび１８１）で示すようにそ
れぞれ変化することになる。ここでバイアス磁界上ＨＢ
の大きさはそれぞれのＭＲ１ｇ子１８ａおよび１８ｂの
動作点が磁気−抵抗特性曲線のそれぞれ反対側の直！１
部分のほぼ中央となるように設定するのが好適である。
って示す第５図ＡおよびＢに示すように一方の導電＄１
５ａには紙面の手前側から裏側へ電流が流れ、破線矢印
で示すように時計方向にバイアス磁界が発生し、他方の
導電膜ｔ＋ｓｂには紙面の裏側から手前側へ電流が流れ
、破線矢印で示すように反時計方向にバイアス磁界が発
生されることになる。ごのようにして第１および第３の
ＭＲ素子１８１Ｌおよび１８ｂには互いに反対方向のバ
イアス磁界が印加されることになる。したがって第６図
において曲！１１７ａおよび１？ｂで示Ｔ磁気記録媒体
１０に記録された磁化パターンに応じた磁界とバイアス
磁界上Ｈ］３の合成磁界の変化に対して第１および第２
のＭＲ素子１８＆および１３ｔ）の抵抗値Ｒはそれぞれ
第６図の曲！１１８ ａおよび１８１）で示すようにそ
れぞれ変化することになる。ここでバイアス磁界上ＨＢ
の大きさはそれぞれのＭＲ１ｇ子１８ａおよび１８ｂの
動作点が磁気−抵抗特性曲線のそれぞれ反対側の直！１
部分のほぼ中央となるように設定するのが好適である。
このように磁気記録媒体１０の変位に応じたＩＩ！１お
よび第３のＭＲ素子１８ａおよび１８ｂの抵抗値Ｒの変
化は曲＠ １８ ｇｌおよび１８ｂで示すように臣いに
逆相となる。したがってこれらのＭＲ素子１８＆および
１８ｂを第７図に示すように直列 □に接続し、両端を
旧および食の電源十Ｅおよび−Ｅに接続することにより
両ＭＲ素子の接続点１９には第８図の曲４１２０で示す
ような差動出力が得られることになる。
よび第３のＭＲ素子１８ａおよび１８ｂの抵抗値Ｒの変
化は曲＠ １８ ｇｌおよび１８ｂで示すように臣いに
逆相となる。したがってこれらのＭＲ素子１８＆および
１８ｂを第７図に示すように直列 □に接続し、両端を
旧および食の電源十Ｅおよび−Ｅに接続することにより
両ＭＲ素子の接続点１９には第８図の曲４１２０で示す
ような差動出力が得られることになる。
杢実施例のようにＭＲ素子１８ａおよび１８ｂのＥ方に
導電膜１６ａおよび１５ｂを形成し、これらを直流電＠
ｉａに直列に接続してバイアス磁界を発生させる場合に
は、直流電ｌ１ｊ１６の蜜動は両ＭＲ素子に均等に作用
するため、差動出力では相殺除去され、出力には現われ
ない利点がある。
導電膜１６ａおよび１５ｂを形成し、これらを直流電＠
ｉａに直列に接続してバイアス磁界を発生させる場合に
は、直流電ｌ１ｊ１６の蜜動は両ＭＲ素子に均等に作用
するため、差動出力では相殺除去され、出力には現われ
ない利点がある。
第９図は本発明の変位置検出装置の磁気センサの池の列
を示す斜視図である。本例では磁気記録媒体１０のＥ方
に配置した磁気センサ２１の基板２２を記録媒体１０に
対して垂直に配置する。また基板ｚｚ上には、矢印で示
す変位方向に対して直交する方向に並べてＭＲ素子２ａ
＆、２２１ｂな設け、ざらにこれらＭＲ素子の上にそれ
ぞれ薄い絶縁膜２５ａおよび２５ｂを介してＭＲ素子２
４ａおよび２４ｂをそれぞれ設ける。ざらにバイアス磁
界を印加するために、ＭＲ素子＋１４＆および２４ｋ）
の上にはそれぞれ厚い絶縁膜２６ａおよびｇｅｔ）を介
して導電膜２７ａおよび２７ｂを設ける。これら導電膜
は前列と同様に直列に直流電源に接続し、ＭＲ素子２３
ａ、２４ａおよび２８ｂ。
を示す斜視図である。本例では磁気記録媒体１０のＥ方
に配置した磁気センサ２１の基板２２を記録媒体１０に
対して垂直に配置する。また基板ｚｚ上には、矢印で示
す変位方向に対して直交する方向に並べてＭＲ素子２ａ
＆、２２１ｂな設け、ざらにこれらＭＲ素子の上にそれ
ぞれ薄い絶縁膜２５ａおよび２５ｂを介してＭＲ素子２
４ａおよび２４ｂをそれぞれ設ける。ざらにバイアス磁
界を印加するために、ＭＲ素子＋１４＆および２４ｋ）
の上にはそれぞれ厚い絶縁膜２６ａおよびｇｅｔ）を介
して導電膜２７ａおよび２７ｂを設ける。これら導電膜
は前列と同様に直列に直流電源に接続し、ＭＲ素子２３
ａ、２４ａおよび２８ｂ。
２４ｂに互いに逆方向のバイアス磁界を印加し得るよう
にする。
にする。
このように構成した磁気センサ８１の１個のＭＲ素子２
１１＆、２ａｂ 、２４ａおよび２４ｂＧ：を第１０図
に示すようにブリッジ回路に接続する。
１１＆、２ａｂ 、２４ａおよび２４ｂＧ：を第１０図
に示すようにブリッジ回路に接続する。
丁なわちＭＲ素子ｇａａと２４１）との接続点を正電圧
ｆｉ ＋ Ｅ ＆： ！ｉｅ続し、ＭＲ素子２８ｂと２
４＆との接続点を負電圧源−Ｅに接続し、ＭＲ素子３４
ａと２４ｉ）との接続点を差動増幅器２８の正入力端子
に接続し、ＭＲ素子２８ａと２８ｂとの接続点を負入力
端子に接続することにより、出力端子２９には差動出力
が得られることになる。
ｆｉ ＋ Ｅ ＆： ！ｉｅ続し、ＭＲ素子２８ｂと２
４＆との接続点を負電圧源−Ｅに接続し、ＭＲ素子３４
ａと２４ｉ）との接続点を差動増幅器２８の正入力端子
に接続し、ＭＲ素子２８ａと２８ｂとの接続点を負入力
端子に接続することにより、出力端子２９には差動出力
が得られることになる。
第９図に示す磁気センサ２１は、例えばガラス基板ｓ！
２上にＦｅ−Ｎｉ合金（パー”ｃｒａイ）を約５００人
の１１ ｇに蒸着してＭＲ素子２８ａ、２３ｂ、２４ａ
。
２上にＦｅ−Ｎｉ合金（パー”ｃｒａイ）を約５００人
の１１ ｇに蒸着してＭＲ素子２８ａ、２３ｂ、２４ａ
。
２４ｔ）を形成し、これらの間に介挿される薄い絶縁１
［ｓａ、２ｓｂはＳｉｎ、を１０００〜ｇｏｏｏλのｌ
ＩＬさに蒸着して形成し、厚い絶縁膜２ｅｌ＆ 。
［ｓａ、２ｓｂはＳｉｎ、を１０００〜ｇｏｏｏλのｌ
ＩＬさに蒸着して形成し、厚い絶縁膜２ｅｌ＆ 。
２６ｂは同じ（Ｓｉｎ、をｌ＆ミクロンの厚さに蒸着シ
テ形成シ、導電＠ｇ７ａ、２’ｙｂはムｌ、ムＵ。
テ形成シ、導電＠ｇ７ａ、２’ｙｂはムｌ、ムＵ。
Ｑｕなどの非磁性金属を１０００λ以トの厚ざに蒸着し
て簡単に製作することができる。
て簡単に製作することができる。
ｈ達したように本発明によれば２個のＭＲ素子に並べて
配設するため、磁化パターンのピッチＰに全く拘束され
なくなる。したがって、従来のようにピッチが等しい磁
化パターンを用いる必要はなく、例えば第１１図に示す
ようにピッチがＰｏ。
配設するため、磁化パターンのピッチＰに全く拘束され
なくなる。したがって、従来のようにピッチが等しい磁
化パターンを用いる必要はなく、例えば第１１図に示す
ようにピッチがＰｏ。
Ｐ２． Ｐ、と相違する磁化パターンを記録した磁気記
録媒体３０や、第１２図に示すようにピッチが連続的に
変化するような磁化パターンを紀−した磁気記録媒体４
０を用いることができる。このように磁化パターンのピ
ッチが変化する磁気記録媒体は例えば変位の途中で検出
精度を変えるような場合に有効である。
録媒体３０や、第１２図に示すようにピッチが連続的に
変化するような磁化パターンを紀−した磁気記録媒体４
０を用いることができる。このように磁化パターンのピ
ッチが変化する磁気記録媒体は例えば変位の途中で検出
精度を変えるような場合に有効である。
本発明は北述した実施例にのみ限定されるものではなく
、幾多の変更や変形が可能である。例えば上述した列で
は磁気記録媒体を直線的なものとして示したが、ロータ
リーエンコーダに適用する場合のように円板状または円
筒状とすることもできる。ざらに上述した列ではバイア
ス磁界を発生〔せるために導電膜に電流を流すようにし
たが、永久磁石や電磁石をＭＲ素子の近傍に配置してバ
ト述したように本発明の変位を検出装置によれば、耀数
のＭＲ素子を磁気記録媒体の変位方向に対して直交する
方向に配設したため、磁気記録媒体に記録した磁化パタ
ーンのピッチがどのヨウなものであっても検出が可能で
あり、したがって磁気記録媒体を交換したような場合で
も磁気センサはそのまま使用することができる。また、
磁気記録媒体を円板または円筒の側面に設けたロータリ
ーエンコーダに適用した場合、総てのＭＲ素子と磁気記
録媒体との間の距離は等しくなるため均等な出力が得ら
れ、正確な検出が可能であり、しかもＭＲ素子の幅を変
える必要はない。ざらに本発明では磁気記録媒体そのも
のは既存のものも使用することができるので、容易かつ
安価に実施することができる。
、幾多の変更や変形が可能である。例えば上述した列で
は磁気記録媒体を直線的なものとして示したが、ロータ
リーエンコーダに適用する場合のように円板状または円
筒状とすることもできる。ざらに上述した列ではバイア
ス磁界を発生〔せるために導電膜に電流を流すようにし
たが、永久磁石や電磁石をＭＲ素子の近傍に配置してバ
ト述したように本発明の変位を検出装置によれば、耀数
のＭＲ素子を磁気記録媒体の変位方向に対して直交する
方向に配設したため、磁気記録媒体に記録した磁化パタ
ーンのピッチがどのヨウなものであっても検出が可能で
あり、したがって磁気記録媒体を交換したような場合で
も磁気センサはそのまま使用することができる。また、
磁気記録媒体を円板または円筒の側面に設けたロータリ
ーエンコーダに適用した場合、総てのＭＲ素子と磁気記
録媒体との間の距離は等しくなるため均等な出力が得ら
れ、正確な検出が可能であり、しかもＭＲ素子の幅を変
える必要はない。ざらに本発明では磁気記録媒体そのも
のは既存のものも使用することができるので、容易かつ
安価に実施することができる。
第１図は従来の変位量検出装蓋の一例の構成を示す斜視
図、 第２図は同じくその磁気抵抗効果素子より成るブリンジ
回路を示Ｔ回路図、 第４図は同じくその変位方向から見たｍ面図、第６図ム
およびＢは第４図のムーム線およびＢＢ４１に沿って切
った断面図、 第６図は同じくその動作を説明するための波形図、 第７図は同じくその２個の磁気抵抗効果素子の接続を示
す回路図 第８図は同じくその差動出力を示す波形図、第９図は本
発明の変位を検出装置の池の列の構成を示す斜視図、 第１０図は同じくその４個の磁気抵抗効果素子の接続を
示す回路図、 第１１図および第１２図は本発明の変位置−出装置に用
いる磁気記録媒体の変形例を示す平面図である。 １０、 ！１０．４０・・・磁気記録媒体１１、２１・
・・磁気センサ １２．２ｇ・・・基板１８ａ、 １
８ｂ 、 ＃２１ａ、 ２３ｔ）、 ２＋ａ、 ２１ｂ
・・・磁気抵抗効果ｆ千 １４ａ、
１４１）、 ２６ａ、 ２５ｂ。 ２Ｂ＆、 ｇｅｔ） −・・絶縁１１１ １５ａ、
ｌｓｂ、 ２７ａ、 ２７ｂ 、−・導電膜
１６・・・直流電源２８・・・！！動増幅器 特許出願人 株式会社コ パル 第１図 第２図 第３図 第４図 ヒＡ ｔ、Ｂ 第６図 第７１ 第Ｓ図 すＥ 第９図 第１Ｏ図 第１１図 第１２図 ５ＮＳＮＮＳ Ｓ ４゜ 手続補正書 昭和５７年 ６ 月９ 日 １、事件の表示 昭和５７年特 許 願第３６６４１ 号２、発明の名
称 変位量検出装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 株式会社 フ バ ル ア、補正の内容（別紙の通り） 図面中筒２図を別紙の通り訂正する。
図、 第２図は同じくその磁気抵抗効果素子より成るブリンジ
回路を示Ｔ回路図、 第４図は同じくその変位方向から見たｍ面図、第６図ム
およびＢは第４図のムーム線およびＢＢ４１に沿って切
った断面図、 第６図は同じくその動作を説明するための波形図、 第７図は同じくその２個の磁気抵抗効果素子の接続を示
す回路図 第８図は同じくその差動出力を示す波形図、第９図は本
発明の変位を検出装置の池の列の構成を示す斜視図、 第１０図は同じくその４個の磁気抵抗効果素子の接続を
示す回路図、 第１１図および第１２図は本発明の変位置−出装置に用
いる磁気記録媒体の変形例を示す平面図である。 １０、 ！１０．４０・・・磁気記録媒体１１、２１・
・・磁気センサ １２．２ｇ・・・基板１８ａ、 １
８ｂ 、 ＃２１ａ、 ２３ｔ）、 ２＋ａ、 ２１ｂ
・・・磁気抵抗効果ｆ千 １４ａ、
１４１）、 ２６ａ、 ２５ｂ。 ２Ｂ＆、 ｇｅｔ） −・・絶縁１１１ １５ａ、
ｌｓｂ、 ２７ａ、 ２７ｂ 、−・導電膜
１６・・・直流電源２８・・・！！動増幅器 特許出願人 株式会社コ パル 第１図 第２図 第３図 第４図 ヒＡ ｔ、Ｂ 第６図 第７１ 第Ｓ図 すＥ 第９図 第１Ｏ図 第１１図 第１２図 ５ＮＳＮＮＳ Ｓ ４゜ 手続補正書 昭和５７年 ６ 月９ 日 １、事件の表示 昭和５７年特 許 願第３６６４１ 号２、発明の名
称 変位量検出装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 株式会社 フ バ ル ア、補正の内容（別紙の通り） 図面中筒２図を別紙の通り訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ 磁化パターンを形成した磁気記録＃＆体と対向して
少なく共２個の磁気抵抗効果素子を、磁気記録媒体の所
定のｒ位方向に対して直交する方向に並べて配設し、こ
れら磁気抵抗効果素子を相互に逆方向に磁気バイアスし
たことを特徴とする変位置検出装置。 ｉ 前記磁気抵抗効果素子−ヒに絶縁嘆を介して導ｍ−
を形成し、この導電ｗＩ４に所定の方向に電流を流すこ
とにより磁気抵抗効果素子を磁気バイアスするよう構成
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記戦の変位
量検出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3664182A JPS58154613A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 変位量検出装置 |
| US06/473,250 US4616281A (en) | 1982-03-10 | 1983-03-08 | Displacement detecting apparatus comprising magnetoresistive elements |
| DE3308404A DE3308404C2 (de) | 1982-03-10 | 1983-03-09 | Vorrichtung zur Messung einer Relativverschiebung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3664182A JPS58154613A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 変位量検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154613A true JPS58154613A (ja) | 1983-09-14 |
| JPH0151127B2 JPH0151127B2 (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=12475466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3664182A Granted JPS58154613A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 変位量検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154613A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60232018A (ja) * | 1984-05-02 | 1985-11-18 | 松山株式会社 | 掘取機 |
| US4835509A (en) * | 1986-07-29 | 1989-05-30 | Nippondenso Co., Ltd. | Noncontact potentiometer |
| JP2008101932A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Tokai Rika Co Ltd | 磁気式位置検出装置 |
| JP2009128301A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Ckd Corp | 磁気リニア測定装置 |
| JP2011252912A (ja) * | 2005-04-13 | 2011-12-15 | Sri Internatl | 移動する構成要素の位置を磁気的に感知するシステムおよび方法 |
| CN103499270A (zh) * | 2013-09-29 | 2014-01-08 | 北京理工大学 | 一种自由活塞内燃发电机的活塞位置检测处理方法 |
| JP2015232473A (ja) * | 2014-06-09 | 2015-12-24 | Dmg森精機株式会社 | 位置検出装置 |
| CN108226822A (zh) * | 2016-12-13 | 2018-06-29 | 英飞凌科技股份有限公司 | 磁性传感器电路和系统及用于形成磁性传感器电路的方法 |
| WO2022131049A1 (ja) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 磁気検知システム、位置検知システム及び磁気検知モジュール |
-
1982
- 1982-03-10 JP JP3664182A patent/JPS58154613A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0151127B2 (ja) | 1989-11-01 |
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