JPS58153223A - 垂直磁化記録ヘツドの製造方法 - Google Patents
垂直磁化記録ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS58153223A JPS58153223A JP3559382A JP3559382A JPS58153223A JP S58153223 A JPS58153223 A JP S58153223A JP 3559382 A JP3559382 A JP 3559382A JP 3559382 A JP3559382 A JP 3559382A JP S58153223 A JPS58153223 A JP S58153223A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic
- substrate
- magnetic film
- adhered
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直磁化記録方式における垂直磁化記録ヘッド
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
垂直磁化記録方式は、記録媒体面に垂直に磁化容易軸を
持つ媒体に、垂直に磁化記録する方法である。その代表
的な磁気ヘッドは第１図に示す如く記録媒体１４に対向
して、配置された高透磁率磁性膜１１を有するいわゆる
主磁極１６と、記録・再生コイル１２が巻回されている
フェライト等の軟磁性体１３から成る補助磁極で構成さ
れたいわゆる補助磁極励磁型の垂直磁化ヘッドである。
持つ媒体に、垂直に磁化記録する方法である。その代表
的な磁気ヘッドは第１図に示す如く記録媒体１４に対向
して、配置された高透磁率磁性膜１１を有するいわゆる
主磁極１６と、記録・再生コイル１２が巻回されている
フェライト等の軟磁性体１３から成る補助磁極で構成さ
れたいわゆる補助磁極励磁型の垂直磁化ヘッドである。
また第２図は記録媒体２４０片側にヘッドが設けられた
例で、高透磁率磁性膜２１と連結された主磁極２３に直
接コイル２２を巻回したいわゆる主磁極励磁型の垂直磁
化ヘッドである。これらのヘッドにおいて、いずれも記
録密度の限界を決めるのは主磁極に使用されている高透
磁率磁性膜の膜厚である。この主磁極膜の膜厚Ｔｍと記
録密度りとの関係は、いわゆるリングヘッドで使用され
ているＫａｒｌｑ、ｕｉｓｔの式の中で、ヘッドギャッ
プＧｗ を主磁極膜厚Ｔｍに置換した式が成立すること
が認められている（ Ｋａｒｌｑｕｉｓｔ の式を以下
に示すとＤ＝（ｎ−０，１５）／ＧＷＸ２５．４Ｘ１０
ｂｉｔ／１ｎｃｈ但し、ｎはディップ次数である。
例で、高透磁率磁性膜２１と連結された主磁極２３に直
接コイル２２を巻回したいわゆる主磁極励磁型の垂直磁
化ヘッドである。これらのヘッドにおいて、いずれも記
録密度の限界を決めるのは主磁極に使用されている高透
磁率磁性膜の膜厚である。この主磁極膜の膜厚Ｔｍと記
録密度りとの関係は、いわゆるリングヘッドで使用され
ているＫａｒｌｑ、ｕｉｓｔの式の中で、ヘッドギャッ
プＧｗ を主磁極膜厚Ｔｍに置換した式が成立すること
が認められている（ Ｋａｒｌｑｕｉｓｔ の式を以下
に示すとＤ＝（ｎ−０，１５）／ＧＷＸ２５．４Ｘ１０
ｂｉｔ／１ｎｃｈ但し、ｎはディップ次数である。
）
この式によると、高記録密度を実現するには主磁極膜厚
Ｔｍを薄くしていくことが必要で、たとえば記録密度が
２０ Ｋｂｉ ｔ／ １ｎｃｈ程度ではＴｍは１μｍ位
が用いられる。垂直磁化記録では更に高記録密度が望ま
れており、したがって主磁極膜厚は１μｍ以下の薄膜が
必要となる。しかし実際には、主磁極膜厚を薄くしてい
くと、磁性膜の抗磁力Ｈｃの増大、透磁率μの減少など
、磁気特性の劣下が生じ、ヘッドの記録、再生感度が急
激に減少してしまう現象がある。
Ｔｍを薄くしていくことが必要で、たとえば記録密度が
２０ Ｋｂｉ ｔ／ １ｎｃｈ程度ではＴｍは１μｍ位
が用いられる。垂直磁化記録では更に高記録密度が望ま
れており、したがって主磁極膜厚は１μｍ以下の薄膜が
必要となる。しかし実際には、主磁極膜厚を薄くしてい
くと、磁性膜の抗磁力Ｈｃの増大、透磁率μの減少など
、磁気特性の劣下が生じ、ヘッドの記録、再生感度が急
激に減少してしまう現象がある。
本発明は、主磁極となる高透磁率磁性膜の膜厚が薄くな
っても抗磁力Ｈｃ、透磁率μの特性を減少させることな
く主磁極膜を作成できる垂直磁化記録ヘッドの製造方法
を提供するものである。高透磁率磁性膜を薄くするに伴
い抗磁力Ｈｃの増大、透磁率μの減少が生゛する原因は
色々考えられるが、その原因の１つに、膜形成における
初期段階での膜の磁気特性の劣７ヒがある。すなわち、
磁性膜を得る手段で、蒸着、スパッタ、電着等において
、いずれも基板上に膜を積層していくが、膜形成初期で
は基板と膜の界面で、ミクロな不連続状態の層が生じ、
この界面での膜特性が厚膜の特性と比べて著しく異って
いる。この層はたとえば微小な表面粗さ、粉塵の如き異
物、基板と膜との間の熱歪などである。１μｍ以上の比
較的厚膜の場合はこの層は無視できるが、薄膜になって
くると主磁極全体の特性に悪影響を及ぼしてくる。そこ
で本発明では基板との界面に発生した不良層を取り除い
た磁性膜を主磁極とする構成にした。はじめに第１基板
に十分厚い高透磁率磁性膜を形成し、この磁性膜を第２
基板に接着し、その後磁性膜を第１基板から機械的歪を
発生することなく、剥離させる。次にこの磁性膜の表面
−われだ膜形成初期の不良層をエツチングで除去し、所
定の膜厚を得る方法である。
っても抗磁力Ｈｃ、透磁率μの特性を減少させることな
く主磁極膜を作成できる垂直磁化記録ヘッドの製造方法
を提供するものである。高透磁率磁性膜を薄くするに伴
い抗磁力Ｈｃの増大、透磁率μの減少が生゛する原因は
色々考えられるが、その原因の１つに、膜形成における
初期段階での膜の磁気特性の劣７ヒがある。すなわち、
磁性膜を得る手段で、蒸着、スパッタ、電着等において
、いずれも基板上に膜を積層していくが、膜形成初期で
は基板と膜の界面で、ミクロな不連続状態の層が生じ、
この界面での膜特性が厚膜の特性と比べて著しく異って
いる。この層はたとえば微小な表面粗さ、粉塵の如き異
物、基板と膜との間の熱歪などである。１μｍ以上の比
較的厚膜の場合はこの層は無視できるが、薄膜になって
くると主磁極全体の特性に悪影響を及ぼしてくる。そこ
で本発明では基板との界面に発生した不良層を取り除い
た磁性膜を主磁極とする構成にした。はじめに第１基板
に十分厚い高透磁率磁性膜を形成し、この磁性膜を第２
基板に接着し、その後磁性膜を第１基板から機械的歪を
発生することなく、剥離させる。次にこの磁性膜の表面
−われだ膜形成初期の不良層をエツチングで除去し、所
定の膜厚を得る方法である。
次に本発明を用いた垂直磁化ヘッドの製造工程について
の実施例を第３図に示す。
の実施例を第３図に示す。
はじめに、ガラス、セラミック等の第１の基板３１上に
リフトオフ用の積層膜として、酸化亜鉛膜３２を高周波
スパッタ法、ｃｖｎ法、蒸着法、イオンブレーティング
法等により膜厚０５〜３μｍ形成する（第３図口）。次
にこの酸化亜鉛膜３２を形成した基板３１上にパーマロ
イなどの高透磁率磁性膜３３をスパッタ法、蒸着法、イ
オンブレーティング法等により膜厚１μｍ以上を形成す
る（同図ハ）。その後、この高透磁率磁性膜３３を主磁
極支持基板３５にエポキシ樹脂等の接着剤３４で接着す
る（同図工）。次にこの接着された基板を水酸化ナトリ
ウム等の弱アルカリ溶液中に浸し、酸化亜鉛膜３２を溶
解させ、高透磁率磁性膜３３を第１の基板３１から剥離
させる（同図ホ）。次に主磁極支持基板３５に接着され
た高透磁率磁性膜３３を望みの主磁極膜厚（例えば、Ｔ
ｍ＝０２μｍ）までイオンミリング法、ケミカルエツチ
ング法、逆スパツタエツチング法等によりエツチングす
る（同図へ）。次にこの高透磁率磁性膜３３を望みのト
ラック幅にエツチングした後、もう一方の主磁極支持基
板３７で挾み込みエポキシ樹脂等の接着剤３６で接着す
る（同図ト）。このようにして得られた薄膜の高透磁率
磁性膜を主磁極として、第１図、第２図のような垂直磁
化ヘッドに加工する。
リフトオフ用の積層膜として、酸化亜鉛膜３２を高周波
スパッタ法、ｃｖｎ法、蒸着法、イオンブレーティング
法等により膜厚０５〜３μｍ形成する（第３図口）。次
にこの酸化亜鉛膜３２を形成した基板３１上にパーマロ
イなどの高透磁率磁性膜３３をスパッタ法、蒸着法、イ
オンブレーティング法等により膜厚１μｍ以上を形成す
る（同図ハ）。その後、この高透磁率磁性膜３３を主磁
極支持基板３５にエポキシ樹脂等の接着剤３４で接着す
る（同図工）。次にこの接着された基板を水酸化ナトリ
ウム等の弱アルカリ溶液中に浸し、酸化亜鉛膜３２を溶
解させ、高透磁率磁性膜３３を第１の基板３１から剥離
させる（同図ホ）。次に主磁極支持基板３５に接着され
た高透磁率磁性膜３３を望みの主磁極膜厚（例えば、Ｔ
ｍ＝０２μｍ）までイオンミリング法、ケミカルエツチ
ング法、逆スパツタエツチング法等によりエツチングす
る（同図へ）。次にこの高透磁率磁性膜３３を望みのト
ラック幅にエツチングした後、もう一方の主磁極支持基
板３７で挾み込みエポキシ樹脂等の接着剤３６で接着す
る（同図ト）。このようにして得られた薄膜の高透磁率
磁性膜を主磁極として、第１図、第２図のような垂直磁
化ヘッドに加工する。
本発明を用いることにより、磁性膜形成初期に発生する
悪質な層を除去でき、磁性膜を十分薄くしても良好な磁
気特性の主磁極膜が得られ、高記録密度の垂直磁化ヘッ
ドが実現できる。また本発明のもうひとつの特徴は第１
基板３１から磁性膜３３を剥離するときに、機械的歪に
より磁気特性の悪化を生じさせないようにリフトオフ法
を用いた点である。このための積層膜として上記実施例
では酸化亜鉛膜３２を用いたが、この積層膜の性質とし
ては、磁性膜３３形成時に、磁性膜３３の磁気特性に悪
影響を与えないで、その後の処理で積層膜のみが容易に
溶解可能なものであれば良い。
悪質な層を除去でき、磁性膜を十分薄くしても良好な磁
気特性の主磁極膜が得られ、高記録密度の垂直磁化ヘッ
ドが実現できる。また本発明のもうひとつの特徴は第１
基板３１から磁性膜３３を剥離するときに、機械的歪に
より磁気特性の悪化を生じさせないようにリフトオフ法
を用いた点である。このための積層膜として上記実施例
では酸化亜鉛膜３２を用いたが、この積層膜の性質とし
ては、磁性膜３３形成時に、磁性膜３３の磁気特性に悪
影響を与えないで、その後の処理で積層膜のみが容易に
溶解可能なものであれば良い。
このような材料としては上記酸化亜鉛膜３２のほかに半
導体プロセスで用いられるフォトレジストがある。フォ
トレジストは磁性膜形成時の温度が１００’Ｃ以下の場
合に適し、一方散化亜鉛膜３２は１００℃以上の場合で
も使用できる利点をもっている。酸化亜鉛膜はスパッタ
、ｃｖｎ等により容易に作成でき、酸化物特有の安定性
を示し、空気、酸素中の高温でも何んらの変化もなく、
しかも弱酸・弱アルカリ溶液中でも簡単に溶解してしま
う性質を持っている。このことは高透磁率磁性膜の熱的
製作条件に制限がなく、基板温度が１００℃以上の高温
でも使用可能なのでリフトオフ用の積層膜としては最適
である。
導体プロセスで用いられるフォトレジストがある。フォ
トレジストは磁性膜形成時の温度が１００’Ｃ以下の場
合に適し、一方散化亜鉛膜３２は１００℃以上の場合で
も使用できる利点をもっている。酸化亜鉛膜はスパッタ
、ｃｖｎ等により容易に作成でき、酸化物特有の安定性
を示し、空気、酸素中の高温でも何んらの変化もなく、
しかも弱酸・弱アルカリ溶液中でも簡単に溶解してしま
う性質を持っている。このことは高透磁率磁性膜の熱的
製作条件に制限がなく、基板温度が１００℃以上の高温
でも使用可能なのでリフトオフ用の積層膜としては最適
である。
以上のように本発明は第１基板に十分厚い高透磁率磁性
膜を形成し、この磁性膜を第２基板に接着し、その後磁
性膜を第１基板から機械的歪を発生することなく、剥離
させ、次にこの磁性膜の表面に現われた膜形成初期の不
良層をエツチングで除去し、所定の膜厚の高透磁率磁性
膜を形成するものであり、主磁極膜厚を十分薄くしても
、膜成長時の基板からの悪影響を取り除くことができ、
磁気特性の良い主磁極膜が得られ、十分高い記録密度に
おいても、録再特性の良い垂直磁化ヘッドが達成できる
。
膜を形成し、この磁性膜を第２基板に接着し、その後磁
性膜を第１基板から機械的歪を発生することなく、剥離
させ、次にこの磁性膜の表面に現われた膜形成初期の不
良層をエツチングで除去し、所定の膜厚の高透磁率磁性
膜を形成するものであり、主磁極膜厚を十分薄くしても
、膜成長時の基板からの悪影響を取り除くことができ、
磁気特性の良い主磁極膜が得られ、十分高い記録密度に
おいても、録再特性の良い垂直磁化ヘッドが達成できる
。
第１図および第２図は垂直磁化記録ヘッドの構成例を示
す概略構成図、第３図イ〜トは本発明の垂直磁化記録ヘ
ッドの製造方法を示す工程図である。 １１．２１・・・・・・高透磁率磁性膜、１２．２２・
・・・・・コイル、１３・・・・・・補助磁極、１４
、２４・・・・・・記録媒体、１５ 、２３・・・・・
・主磁極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 ３５． ロ 、ｆ ↓
す概略構成図、第３図イ〜トは本発明の垂直磁化記録ヘ
ッドの製造方法を示す工程図である。 １１．２１・・・・・・高透磁率磁性膜、１２．２２・
・・・・・コイル、１３・・・・・・補助磁極、１４
、２４・・・・・・記録媒体、１５ 、２３・・・・・
・主磁極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 ３５． ロ 、ｆ ↓
Claims (1)
- （１）非磁性体からなる第１の基板上に積層膜を介して
高透磁率磁性膜を形成する工程と、前記高透磁率磁性膜
の、第１の基板と反対側の表面に接着層を介して非磁性
体からなる第２の基板を形成する工程と、前記積層膜を
除去することにより第１の基板と高透磁率磁性膜とを剥
離させる工程と、前記高透磁率磁性膜の剥離された表面
をエツチングする工程と、前記高透磁率磁性膜のエツチ
ングされた表面に非磁性体からなる第３の基板を接着層
を介して固着させる工程とを具備することを特徴とする
垂直磁化記録ヘッドの製造方法。 （→ 積層膜が酸化亜鉛膜であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の垂直磁化記録ヘッドの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3559382A JPS58153223A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 垂直磁化記録ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3559382A JPS58153223A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 垂直磁化記録ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58153223A true JPS58153223A (ja) | 1983-09-12 |
Family
ID=12446086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3559382A Pending JPS58153223A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 垂直磁化記録ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58153223A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6666943B2 (en) * | 2000-12-04 | 2003-12-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Film transfer method |
-
1982
- 1982-03-05 JP JP3559382A patent/JPS58153223A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6666943B2 (en) * | 2000-12-04 | 2003-12-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Film transfer method |
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