JPS58151311A - 珪素系窒化物の製造方法 - Google Patents

珪素系窒化物の製造方法

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JPS58151311A
JPS58151311A JP3430282A JP3430282A JPS58151311A JP S58151311 A JPS58151311 A JP S58151311A JP 3430282 A JP3430282 A JP 3430282A JP 3430282 A JP3430282 A JP 3430282A JP S58151311 A JPS58151311 A JP S58151311A
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Japan
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silicon
furnace
nitriding
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raw material
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JP3430282A
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JPH0323484B2 (ja
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Noboru Yamagishi
登 山岸
Norio Koike
小池 紀雄
Hirokatsu Tanaka
田中 博勝
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Denka Co Ltd
Original Assignee
Denki Kagaku Kogyo KK
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/068Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
    • C01B21/0682Preparation by direct nitridation of silicon

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、珪素系窒化物の製造方法、特に、竪型炉によ
り、金属珪素及び/又は珪素鉄と窒素又はアンモニアと
を反応させる珪素系窒化物の製造方法に関する。
従来から、金属珪素及び/又は珪素鉄を微粉砕し、これ
を結合剤と共に混練して、団粒、又は団塊に成形し、乾
燥した後、これを窒化炉により窒素又はアンモニアの存
在下加熱し自己窒化反応により反応を行わせた後還元雰
囲気中で冷却し珪素系窒化物を製造している。
しかし、この方法はバッチ方式であるため非能率であり
、原料の充填や製品の排出には多くの人力を必要とする
と共に環境衛生上いろいろ問題があった。
本発明は、これらの欠点を解決することを目的とするも
のであって、金属珪素及び/又は珪素鉄を竪型の窒化炉
に粉状、粒状、塊状等で、特定量供給することにより、
その反応熱を有効に利用し外部より熱エネルギーを殆ん
ど供給することなく、しかも連続的に反応を継続させる
珪素系窒化物の製造方法を提供しようとするものである
すなわち、本発明は竪型窒化炉内の珪素系窒化物上に金
属珪素及び/又は珪素鉄を供給し、これを窒素又はアン
モニアにより窒化し、その生成物を下部より排出させる
珪素系窒化物の血法において、前記炉の上方空間部の温
度を800℃以上に保持すると共に前記炉の上部から前
記原料の粉状物、粉塊混合物および塊状物から選ばれた
1種以上を供給し、しかもその供給量がその反応後の珪
素系窒化物全容積に対し容積比で1以下となるようにす
ることを特徴とする。
以下さらに本発明の詳細な説明する。本発明は、原料と
して金属珪素及び/又は珪素鉄を微粉砕したものを用い
るが、その粒度ば49メツシユ篩を全通程度の微粉が好
ましいが、これに限られるものではない。
このような微粉の原料をそのまま用いるか又はこれに結
合剤、例えばポリビニルアルコール水溶液等を添加し混
練成形し団粒、団塊(例えば60CrIL3)とし十分
乾燥して用いる、後者は熱放散が十分行れるので好まし
い原料である。
次に竪型窒化炉は密閉構造のものが好ましく、上部原料
供給口は造粒物を用いる場合はダブルゲートのホッパー
などの供給手段が適当であるが、これに限られるもので
はない。
粉状のものを用いる場合は窒素気流に同伴させて供給す
ることができる。原料窒化炉の下部はスクリューコンベ
アなどの排出手段が用いられるが密閉構造のものであれ
ばよい。
珪素系窒化物、を製造するには、予め炉内温度800℃
好ましくは1200℃以上に保持した底部が珪素系窒化
物である炉内に前記原料を供給して窒素又はアンモニア
を供給して反応させ窒化する。
この場合の反応は次式で示されるとうり3S1十2N2
→Si3N4 +178Kcal / mal 発熱反
応であるので炉内温度が800℃以上、好ましくは12
00℃以上に保持しすれば前記原料の表面から窒化反応
が行われ特に外部から加熱しなくても自己発熱反応によ
り窒化が進行する。
この場合炉内温度が800℃未満である場合は表面窒化
反応が充分進行しない。
また原料供給量が窒化炉内の全珪素系窒化物の全容積に
対し容積比1以下とすることが好ましく、その容積比が
1をこえると炉内温度が上昇し、その窒化物の融点13
50℃をこえると溶融して十分窒化が行われず未反応物
が残存するので好ましくない。
反応終了後自重で徐々に炉上方に降下し、その間に冷却
され製品とし炉底から連続的に排出される。
以下図によってさらに本発明を説明する。
図面は、本発明の実施例を示す装置の断面図である。
まず竪型窒化炉1へ原料供給口2又は3の位置から予め
柊ルミル等で微粉砕された金属珪素及び/又は珪素鉄の
粉末又は結合剤と共に混練後団粒もしくは団塊に形成し
、これを十分乾燥したものとし投入する。
竪型窒化炉1の上部空間部は温度800℃以上好ましく
は1200℃以上に保持される珪素系窒化物層7の上に
前記原料を投入し、窒化炉1の上部の窒素又はアンモニ
ア供給口4から供給される窒化源により窒化される。
この場合特に重要なことは窒化炉1の内部の空間部より
下部は珪素系窒化物層7(金属珪素及び/又は珪素鉄の
窒化物)から形成されたものからなること、また原料を
供給する空間部5は温度800℃以上であること、及び
その原料供給量は、その原料の窒化後の容積6が窒化物
の全容積すなわち原料の窒化後の容積6と窒化物層7と
の合計量に対して1以下とすることである。
このようにして反応した窒化物は窒化炉1内を自重で降
下し充分冷却されてコンベアー8等の排出手段により窒
化炉外に排出される。本発明法はバッチ式、半連続式及
び連続式のいずれの手段でも行うことが可能であるが、
これらの半連続式が最も好ましい。
本発明に用いる窒化装置は、それぞれ密閉構造で構成す
ることができ、しかも十分冷却された製品が連続的に得
られるので、従来は高温で粉塵の多い作業環境であった
のを解決したもので、生産効率が高く大巾にコストダウ
ンが可能で゛ある。
以下実施例をあげてさらに具体的に説明する。
実施例1 珪素鉄微粉末(49μ下)にポリビニルアルコール3重
量係含有水溶液を15重量部(内削)添加混練し造塊機
により押し出し圧1.5 t /crn2で容積60C
rn3  のブリケットを造塊し、これを乾燥機により
200℃の温度で10時間乾燥した。これを図面に示す
窒化炉(直径130CTL長さ390crn。
上部空間部20crrL)の温度1200°Cの珪素系
窒化物層7の上に前記ブリケットを250kg/Hr供
給し上部原料供給口2から供給する窒素ガスと反応させ
た。得られた製品は自重で降下し、下部に設けたスクリ
ュコンベアーで排出した。
得られた窒化珪素鉄の窒素含有量は30係であった。な
お実施例に用いた装置では原料は170〜340に9/
Hr  の範囲で使用しても同様の結果が得られた。
実施例2 原料珪素鉄の代りに金属珪素とした以外は実施例1と同
様に行った。
得られた窒化珪素の窒素含有量は66係であった。
原料珪素鉄の代りに金属珪素と珪素鉄とを半々に混合し
たものを用いた以外は実施例1と同様に行った。
得られた窒化物は十分窒化されていた。
実施例4 珪素鉄粉末をそのまま及び窒化源としてアンモニアを用
いた以外は実施例1と同様に行った。
何らトラブルなく操業ができ、窒素含有量30qbのも
のが得られた。
【図面の簡単な説明】
図面は、本発明の実施例の装置の断面図である。 符号 1・・・・・・竪形窒化炉、2・・・・・・原料供給口
、3・・団・原料供給口、4・・・・・・窒化源(窒素
又はアンモニア)、5・・・・・・上部空間部、6・・
自・・原料の窒化後の容積、7・・・・・・窒化物層、
8・・・・・・コンベア。 特許出願人 電気化学工業株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 竪型窒化炉内の珪素系窒化物上に金属珪素及び/又は珪
    素鉄を供給し、これを窒素又はアンモニアにより窒化し
    、その生成物を下部より排出させる珪素系窒化物の製法
    において、前記炉の上方空間部の温度を800℃以上に
    保持すると共に、前記炉の上部から前記原料の粉状物、
    粉塊混合物および塊状物から選ばれた1種以上を供給し
    、しかもその供給量がその反応後の珪素系窒化物全容積
    に対し容積比で1以下となるようにすることを特徴とす
    る珪素系窒化物の製造方法
JP3430282A 1982-03-04 1982-03-04 珪素系窒化物の製造方法 Granted JPS58151311A (ja)

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JP3430282A JPS58151311A (ja) 1982-03-04 1982-03-04 珪素系窒化物の製造方法

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JP3430282A JPS58151311A (ja) 1982-03-04 1982-03-04 珪素系窒化物の製造方法

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JPS58151311A true JPS58151311A (ja) 1983-09-08
JPH0323484B2 JPH0323484B2 (ja) 1991-03-29

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ID=12410355

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61236603A (ja) * 1985-04-10 1986-10-21 Nippon Cement Co Ltd 非酸化物粉末の連続合成装置
US5232677A (en) * 1990-01-31 1993-08-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of silicon nitride powder by partially nitriding in a fluidized bed and then completing nitridation in a moving bed
CN101831603A (zh) * 2010-05-24 2010-09-15 西峡县中嘉合金材料有限公司 氮化炉热能循环利用装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61236603A (ja) * 1985-04-10 1986-10-21 Nippon Cement Co Ltd 非酸化物粉末の連続合成装置
US5232677A (en) * 1990-01-31 1993-08-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of silicon nitride powder by partially nitriding in a fluidized bed and then completing nitridation in a moving bed
CN101831603A (zh) * 2010-05-24 2010-09-15 西峡县中嘉合金材料有限公司 氮化炉热能循环利用装置

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JPH0323484B2 (ja) 1991-03-29

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