JPS58148437A - 半導体圧力センサ−用ステム - Google Patents
半導体圧力センサ−用ステムInfo
- Publication number
- JPS58148437A JPS58148437A JP57031925A JP3192582A JPS58148437A JP S58148437 A JPS58148437 A JP S58148437A JP 57031925 A JP57031925 A JP 57031925A JP 3192582 A JP3192582 A JP 3192582A JP S58148437 A JPS58148437 A JP S58148437A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- semiconductor pressure
- fixed header
- iron
- fixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0007—Fluidic connecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体圧力センサー用ステムに関する、
一般に半導体圧力センサーは、第１図に示す如く、外部
圧力導入管１を有する半導体圧力センサー用ステムの所
定部分に半導体圧力センサー素子を取付け、これを外部
圧力導入管１が外部に突出するように所定の金属帽体２
で封止した構造を有している。
圧力導入管１を有する半導体圧力センサー用ステムの所
定部分に半導体圧力センサー素子を取付け、これを外部
圧力導入管１が外部に突出するように所定の金属帽体２
で封止した構造を有している。
而して、従来の半導体圧力センサー用ステムは、第２図
に示す如く、円板形の封着金属板３の略中央部に外部圧
力導入管１の一端部を挿着してその挿着端部をヘッダー
で固定し、ヘッダー上に半導体圧力センサー素子４が装
着されるシリコン台座５を取付け、シリコン台座５を囲
むように封着金属板３にリード１７１６を貫挿し九構造
を有している。
に示す如く、円板形の封着金属板３の略中央部に外部圧
力導入管１の一端部を挿着してその挿着端部をヘッダー
で固定し、ヘッダー上に半導体圧力センサー素子４が装
着されるシリコン台座５を取付け、シリコン台座５を囲
むように封着金属板３にリード１７１６を貫挿し九構造
を有している。
しかしながら、通常シリコンで形成され先生導体圧力セ
ンサー素子４の熱膨張係数は、２５〜３０Ｘ１０”−’
／ｌであるが、ヘッダーは通常鉄、鉄−ニッケル合金（
Ｆ＠：Ｎｉ ＝５０ ： ５０ ）、鉄−ニッケル合金
（Ｆ・：Ｎ１＝５８：４２）、中鉄−ニツケルーコバル
ト合金（Ｎｉ２８．Ｃｏ１７、残部鉄、所謂コバール）
等のガラス封着用金属で形成されてあシ、夫々の熱膨張
係は、１３４Ｘ１０−’／℃（３０〜３００℃で）９６
〜１０１Ｘ １ ｏ−’／ｃ（３０〜４５０℃で）、４
０〜４７Ｘ １０−７／℃（３０〜３００℃で）、４５
〜５１ｘ １０−７／１： （３０〜４００℃で）であ
る。このよう々半導体圧力センサー素子４とヘッダーの
熱膨張係数の差に起因して、半導体圧力センサー素子４
を溶接した後の冷却時に半導体圧力センサー素子４に歪
が発生するのを防止するためにシリコン台座５が使用さ
れている。また、ヘッダーの材質をがラス封止体２の熱
膨張係数に近い熱膨張係数を有するものにしたシ、或は
、金属帽体２に圧縮圧力を加える手段が採用されている
。しかしながら、このような手段によるものでは、半導
体圧力センサー素子４に歪が発生するのを十分に抑える
ことができない問題があった。
ンサー素子４の熱膨張係数は、２５〜３０Ｘ１０”−’
／ｌであるが、ヘッダーは通常鉄、鉄−ニッケル合金（
Ｆ＠：Ｎｉ ＝５０ ： ５０ ）、鉄−ニッケル合金
（Ｆ・：Ｎ１＝５８：４２）、中鉄−ニツケルーコバル
ト合金（Ｎｉ２８．Ｃｏ１７、残部鉄、所謂コバール）
等のガラス封着用金属で形成されてあシ、夫々の熱膨張
係は、１３４Ｘ１０−’／℃（３０〜３００℃で）９６
〜１０１Ｘ １ ｏ−’／ｃ（３０〜４５０℃で）、４
０〜４７Ｘ １０−７／℃（３０〜３００℃で）、４５
〜５１ｘ １０−７／１： （３０〜４００℃で）であ
る。このよう々半導体圧力センサー素子４とヘッダーの
熱膨張係数の差に起因して、半導体圧力センサー素子４
を溶接した後の冷却時に半導体圧力センサー素子４に歪
が発生するのを防止するためにシリコン台座５が使用さ
れている。また、ヘッダーの材質をがラス封止体２の熱
膨張係数に近い熱膨張係数を有するものにしたシ、或は
、金属帽体２に圧縮圧力を加える手段が採用されている
。しかしながら、このような手段によるものでは、半導
体圧力センサー素子４に歪が発生するのを十分に抑える
ことができない問題があった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、半導体圧
力センサー素子に歪が発生するのをほぼ完全に阻止して
、しかも製造コストの低減を図った半導体圧力センサー
用ステムを提供するものである。
力センサー素子に歪が発生するのをほぼ完全に阻止して
、しかも製造コストの低減を図った半導体圧力センサー
用ステムを提供するものである。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第３図囚は、本発明の一実施例の斜視図、同図（Ｂ）は
、同図（４）の実施例のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
、同図（４）の実施例のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
図中１０は、略円板形の封着金属板である。封着金属板
１０の中央部には、固定ヘッダー１１が嵌着されている
。固定ヘッダー１１には、外部圧力導入管１２の一端部
が取付けられている。固定ヘッダー１１Ｆｉ、ニッケル
が３６〜４０重量％、残部鉄からなる鉄−ニッケル合金
で形成されている。また、その熱膨張係数は。
１０の中央部には、固定ヘッダー１１が嵌着されている
。固定ヘッダー１１には、外部圧力導入管１２の一端部
が取付けられている。固定ヘッダー１１Ｆｉ、ニッケル
が３６〜４０重量％、残部鉄からなる鉄−ニッケル合金
で形成されている。また、その熱膨張係数は。
３０〜３８ Ｘ Ｉ Ｆ’／℃である。封着金属板１０
には、固定ヘッダー１１を囲むようにしてリード！１１
３が買挿されておシ、リード線１３は、接着用ガラス１
４によって封着金属板１０に固定されている。リード＠
１３は、図示しない一ンデイング線によって固定ヘッダ
ー１１上の半導体圧力センサー素子と電気的に接続され
るようになっている。
には、固定ヘッダー１１を囲むようにしてリード！１１
３が買挿されておシ、リード線１３は、接着用ガラス１
４によって封着金属板１０に固定されている。リード＠
１３は、図示しない一ンデイング線によって固定ヘッダ
ー１１上の半導体圧力センサー素子と電気的に接続され
るようになっている。
而して、このように構成され先生導体圧力センサー用ス
テムリによれば、固定ヘッダー１１が、半導体圧力セン
サー素子の熱膨張係数とほぼ等しい熱膨張係数（３０〜
３８ Ｘ １０−’／ｌｌ：）を有するので、高価なシ
リコン台座を不要にして直接固定ヘッダー１１上に半導
体圧力センサー素子を装着して、しかも、半導体圧力セ
ンサー素子に歪が発生するのをほぼ完全に阻止すること
ができる。また、通常使用されるガラス封正体や封着金
属板１０を用いて、特に固定ヘッダー１１との熱膨張係
数の対応を厳密に考慮する必要がないので、製造コスト
を著しく低減させることができる。
テムリによれば、固定ヘッダー１１が、半導体圧力セン
サー素子の熱膨張係数とほぼ等しい熱膨張係数（３０〜
３８ Ｘ １０−’／ｌｌ：）を有するので、高価なシ
リコン台座を不要にして直接固定ヘッダー１１上に半導
体圧力センサー素子を装着して、しかも、半導体圧力セ
ンサー素子に歪が発生するのをほぼ完全に阻止すること
ができる。また、通常使用されるガラス封正体や封着金
属板１０を用いて、特に固定ヘッダー１１との熱膨張係
数の対応を厳密に考慮する必要がないので、製造コスト
を著しく低減させることができる。
尚、実施例の固定ヘッダー１１と同じ材質でシリコン台
座に代る台座を形成し、これを従来の封着金属板の所定
部分に固定ヘッダー１１の代用として取付けても良い。
座に代る台座を形成し、これを従来の封着金属板の所定
部分に固定ヘッダー１１の代用として取付けても良い。
以上説明した如く、本発明に係る半導体圧力センサー用
ステムによれば、半導体圧力センサー素子に歪が発生す
るのをほぼ完全に阻止して、しかも製造コストを低減さ
せることができるものである。
ステムによれば、半導体圧力センサー素子に歪が発生す
るのをほぼ完全に阻止して、しかも製造コストを低減さ
せることができるものである。
第１図は、半導体圧力センサーの斜視図、第２図は、従
来の半導体圧力センサー用ステムの斜視図、第３図囚は
、本発明の一実施例の斜視図、同図（Ｂ’）は、同図に
）の実施例０Ｒ−Ｂ線に沿う断面図である。 １０・・・封着金属板、１１・・・固定へラダー、１２
・・・外部圧力導入管、１３・・・リード線、１４・・
・接着用ガラス、１５ ・・・半導体圧力センサー用ス
テム。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第３図 ５
来の半導体圧力センサー用ステムの斜視図、第３図囚は
、本発明の一実施例の斜視図、同図（Ｂ’）は、同図に
）の実施例０Ｒ−Ｂ線に沿う断面図である。 １０・・・封着金属板、１１・・・固定へラダー、１２
・・・外部圧力導入管、１３・・・リード線、１４・・
・接着用ガラス、１５ ・・・半導体圧力センサー用ス
テム。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第３図 ５
Claims (1)
- ニッケルが３６〜４０重量−で残部が鉄からなる鉄−ニ
ッケル合金で形成された固定ヘッダーと、該固定ヘッダ
ーの略中央部に一端部が取付けられた外部圧力導入管と
、該固定ヘッダーを略中央部に取付けたステム本体と、
該ステム本体を貫挿して取付けられ前記固定へラダー上
に装着される半導体圧力センサー素子に電気的に接続さ
れるリード線とを具備することを特徴とする半導体圧力
センサー用ステム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57031925A JPS58148437A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 半導体圧力センサ−用ステム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57031925A JPS58148437A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 半導体圧力センサ−用ステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58148437A true JPS58148437A (ja) | 1983-09-03 |
Family
ID=12344545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57031925A Pending JPS58148437A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 半導体圧力センサ−用ステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58148437A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61199053U (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-12 | ||
| JPH0810149B2 (ja) * | 1984-11-30 | 1996-01-31 | サンドストランド・コーポレイション | 精測変換器の取付装置 |
| EP2759607A1 (en) | 2013-01-25 | 2014-07-30 | Seiko Instruments Inc. | Two-phase stainless steel, method of manufacturing the same, and diaphragm, pressure sensor, and diaphragm valve using two-phase stainless steel |
-
1982
- 1982-03-01 JP JP57031925A patent/JPS58148437A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0810149B2 (ja) * | 1984-11-30 | 1996-01-31 | サンドストランド・コーポレイション | 精測変換器の取付装置 |
| JPS61199053U (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-12 | ||
| EP2759607A1 (en) | 2013-01-25 | 2014-07-30 | Seiko Instruments Inc. | Two-phase stainless steel, method of manufacturing the same, and diaphragm, pressure sensor, and diaphragm valve using two-phase stainless steel |
| US9523620B2 (en) | 2013-01-25 | 2016-12-20 | Seiko Instruments Inc. | Two-phase stainless steel, method of manufacturing the same, and diaphragm, pressure sensor, and diaphragm valve using two-phase stainless steel |
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