JPS58147577A - 陰極の製造法 - Google Patents

陰極の製造法

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JPS58147577A
JPS58147577A JP57027510A JP2751082A JPS58147577A JP S58147577 A JPS58147577 A JP S58147577A JP 57027510 A JP57027510 A JP 57027510A JP 2751082 A JP2751082 A JP 2751082A JP S58147577 A JPS58147577 A JP S58147577A
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nickel
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sulfur
electrode
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Takashi Mori
隆 毛利
Kazutaka Sakiyama
崎山 和孝
Masatoshi Sugimori
正敏 杉森
Setsuo Yoshida
節夫 吉田
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Tosoh Corp
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Toyo Soda Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発#4は、水嵩過電圧が低く、また充分な耐久性、耐
食性を有す電極の製造法に関するものである。
従来、水素発生反応を陰極の主反応とする水電解あるい
は塩化アルカリ水溶液の電解においては、主に鉄陰極が
使用されてき九。鉄は、陰極材料としてコスト的にも安
価であり、ま九かなり低い水素過電圧を示すものである
が、近年更にこれを改良する必要性が生じている。
特に、陽イオン交換膜性食塩電解技術の発展と共に1省
エネルギーの面から水素過電圧の一層の低下が望まれ、
また高温、高アルカ’Jll&という電解条件のため、
鉄の耐食性郷が問題視されている。このため、鉄陰極に
比べて低い水素過電圧をボし、経済的でしかも充分な耐
久性、耐食性を有する新しい陰極の出現が望まれ、各所
で種々の検討がなされており、いくつかの方法が提案さ
れている。
この中で、従来の水電解技術の発展の過程で提案されて
き丸飲水素過電圧を与えるニッケルメッキ、例えば、硫
黄を含むニッケルメッキ、(例えば、特公昭25−23
05、あるいは吉沢四部・渡辺信淳共着[電気化学IJ
共共金全書出版水電解の章、P69)が古くよシ知られ
ており、白金族等を被膜した電極に比ベコスト的にも安
価であり、注目されている。
本発明者らは、上記手法により得られるメッキ被膜につ
き絆細な検討を行った結果、これらのメッキ被膜のもつ
いくつかの欠点、即ち、基材との密着性が不良であるこ
と、表向被膜がもろく弱いこと、更には水素過電圧の低
下が未だ不充分であること、勢の欠点を克服した電極の
製法を見出し先に特許出願を行った。(%願昭55−0
92295号、同5i−oooios号)本発明者らは
、上記方法による電極につき、更に検討を進めた結果、
より一層優れた耐久性、耐食性を示し、水嵩過電圧の低
い電極を見いだした。
一般に1硫黄を含むニッケルメッキは、内部に空隙が存
在し、又、基材との密着性も、充分とはいい難い。特に
基材として鉄を用いる場合は、この問題は、深刻である
即ち、硫黄を含むニッケルメッキ中に存在する空隙のた
めに1基材の一部は、高温高#度のアルカリ溶液と接触
しており、このため電解時あるいは切電時に基材中の鉄
の溶解がおこる。さらに、これらの低水素過電圧を示す
ニッケルを主成分とするメッキ被覆は、アルカリ溶液中
で基材に比べより責な電極電位を有する場合が多く、従
って、基材の溶解を促進する傾向を持つ。このように%
基材と被膜界面が侵★されてくると、電解により発生し
九ガスにより被膜のふくれ、更にFi被被膜剥離がおこ
る場合があり、また、基材より治山した鉄イオンが電極
に付着する勢々の理由により電極性能が劣化してくる。
]ll!に、この電極t−陽イオン交換膜食塩電解の陰
極として用い友場合は、基材より溶出した鉄イオンがイ
オン交換膜の膜性能を劣化させたす、更には得られる苛
性ソーダの製品品質を低下させるおそれがある。
基材と硫黄を含むニッケルメッキ(例えば、ロダンニッ
ケルメッキ層)との密着性を改良するために、例えば特
公昭47−7444号公報には、ロダンニッケル層の下
地メッキとして銅メッキを施すことが提案されている。
しかしながら、銅は、アルカリ中での耐食性に着千問題
があシ、硫黄を含むニッケルメッキの密着性も乏しく又
、特公昭47−iaa4号公報に提案されている様な、
銅メツキ後、不活性雰囲気中に於て熱処理を行い、サラ
ニ、ロダンニッケルメッキを行う方法は、必ずしも経済
的とはいい難い。
本発明者らは、以上のような欠点を克服するために硫黄
を含むニッケルメッキの下地メッキについて詳細な検討
を行った結果、アンモニウムイオンを含むニッケルメッ
キ浴を用いたニッケルメッキ層は、硫黄を含むニッケル
メッキ層と優れ良密着性を示し、しかも高温、lF、濃
度のアルカリ水溶液中で充分な耐食性を示すことにより
、上記欠点を克服した電極を得ることに成功した。
従って本発明は、金属よ抄なる基体表面に、下地メッキ
としてアンモニウムイオンを含むニッケルメッキ浴を用
いてニッケルメッキを行い、その上に、低水嵩過電圧を
示す。硫黄を含むニッケルメッキを施すことにより、優
れ九耐食性、耐久性を有し、かつ、長期間にわ九り、低
い水素過電圧を維持する電極をあ九えることを特徴とす
る−のである。
本発明の基材は、鉄、ニッケル、銅又はこれらの合金が
用いられるが、前記した様に、鉄又は、鉄を主体として
含む合金を用いた場合、本発明の効果は顕著である。こ
のことは、本発明が蔽済性に優れ九ものであることを意
味する。更に、基体形状については、平板、メツシュ状
、多孔状等、いかなる形状のものでも良いが、高電流密
度での水素発生電極として用いる場合は、特にエキスツ
ク<トメタル、バンチンクメタル、金網状等の基体形秋
を用いることが好ましい。
本発明の電極を与えるためにtよ、上記基材上に、アン
モニウムイオンを含むニッケルメッキ浴を用いてド地メ
ッキを施すことが必要である。下地メッキとして、一般
に用いられるニッケルメッキ浴例えば、watt制硫酸
ニッケル、塩化ニッケル。
ホウ酸より成る浴)の機なアンモニウムイオンを含まな
いニッケルメッキ浴を用いテニッケルメッキを施し九被
膜は、硫黄を含むニッケルメッキ被膜と充分な密着性を
示さない。しかし、このメッキ浴に少量のアンモニウム
イオンを加えると、得られるニッケルメッキ被Hは、硫
黄を含むニッケルメッキ被膜と充分な密着性を示す様に
なる。本発明の下地メッキ層をあたえるニッケルメッキ
浴は、ニッケル塩とアンモニウムイオンが必須成分であ
る。
アンモニウムイオンは、塩化物、硫酸酸塩等の可溶性ア
ンモニウム塩或いは、水酸化アンモニウム。
その他のアンモニウム塩によってメッキ洛中に加えられ
る。アンモニウムイオンを加えるjとKより得られる下
地メッキ被膜と硫黄を含むニッケルメッキ被膜の密着性
は著しく向上し、又、下地メッキ被膜は緻密で強固なニ
ッケルメッキ被膜となり、その結果、良好な耐久性、耐
食性を不す電極を与えることができる。
メッキ浴中に加えられるアンモニウムイオン#腹は、1
105モルat以上、上限Fi%に制限されず飽和一度
迄許される。アンモニウムイオン#皺カ上記濃度以下の
場合は、得られるニッケルメッキ被膜と硫黄を含むニッ
ケルメッキ被膜との密着性は不充分となる。下地メッキ
層をあたえるニッケルメッキ浴に用いられるニッケル塩
は、可溶性の塩であれば良く、塩化ニッケル、硫酸ニク
ヶル。
酢酸ニッケル、スルファミン酸ニッケA、all 、d
! 用いられ、その濃度は特に制限を受けないが、通常
α05モル#度から、2−oモル#度の範囲で用いるこ
とが望ましい。
なお、下地メッキ層を形成する際に用いられるメッキ浴
中には、上記の成分の他に、祷られる表面被膜を不都合
ならしめない限り、他のj1′婢性壌を加えること4許
される。例えば、ニッケルメッキ浴によく用いられるホ
ウ酸郷の緩衝剤の使用は、本発明で用いるニッケルメッ
キ被膜の特性を一層良好ならしめる場合もあり、好適成
分として本発明で用いるメッキ浴に加えられる場合もあ
る。
さらに、下地メッキ層を形成する丸めのメッキの操作条
件は、%に厳密な制限を受けないが、好ましくは室温よ
り70℃程度の温度範囲、1lL1〜10ム/d−程度
の電流密度範囲で、攪拌下のもとてメッキを行うことが
望ましい。
さらに、本発明の電極の耐東性、耐久性を一層良好とな
らしめる友めに、例えば、鉄、基材等の上に、あらかじ
め銅メッキ、又は無電解ニッケルメッキを行いさらKそ
の上に上記下地メッキを行うことも有効な手段となる場
合がある。特に例えば複雑な形状の電極や電極を隙極室
にとりつけた後に@極室電極全面にニッケルメッキを行
う場合は、t″地メッキのつきまわりが不充分な場合も
あシ、あらかじめつきまわりの良好な無電解ニッケルメ
ッキを施すことは、好ましい結果を4たらす。この無電
解ニッケルメッキの上に1本発明で用いるアンモニウム
イオンを含むニッケルメッキ浴が、密着性の良い被膜を
あええることは、本発明の付随的な特徴の一つである。
良く知られている様に無電解ニッケルメッキの上には一
般に密着性の良いニッケルメッキを行うことはむつかし
く、ストライクニッケル(塩化ニッケルと塩酸より成る
浴)と呼ばれる塩酸酸性ニッケルメッキ浴を用いて、ニ
ッケルメッキを行った後K例えば前記した1llatt
浴等ノニッケルメッキを行う。しかし、この様なストラ
イクニッケルメッキの上には、本発明の低水素過電圧を
示す、硫黄を含むニッケルメッキは、充分な密着性を持
たない。一方、本発明で用いるアンモニウムイオンを含
むニッケルメッキ浴より得られる被膜は、無電解ニッケ
ルメッキ表面との密着性も良好であや、かつ、硫黄を含
むニッケルメッキとも優れた密着性を示すものである。
本発明の電解用陽極をあたえるためには、上記ト地ニッ
ケルメッキ層の上に、硫黄を含むニッケルメッキを行い
低水嵩過電圧を示す被覆層を形成す゛ることか必要であ
る。
硫黄を含むニッケルメッキは、可溶性のニッケル塩とJ
stのoJ溶性含硫黄化合物を含むニッケルメッキ浴に
より与えられる。更に好ましくは、ニッケルメッキ浴に
適量のアンモニウムイオンを加えることが望ましい。
ニッケル111iは可溶性の塩であれば良く、通常、1
1モル#度から2.0モルatの範囲で用いることが望
ましい。
メッキ浴中に用いられる可溶性含硫黄化合物は、チオン
アン酸塩、チオ尿素、硫黄の酸化数が5以トのオキソ酸
塩を意味し、低水素過電圧を示すメッキ被膜を与えると
いう効果をもつ。
硫黄の酸化数が5以下のオキソ酸塩とは、例えば、亜硫
酸1重亜硫酸、チオ硫酸、亜ジチオン酸郷の塩を意味す
る。
メッキ浴中に加えられるチオ7アン酸塩、チオ尿素、*
責の酸化数が5以下のオキソ酸塩の1l11度は、化合
物中の硫黄の量でα01モル濃度以上1.0モル濃度以
下、好ましくはα05モル濃度以上1モル濃度以下の範
囲で用いることが望ましい。
硫黄化合物の濃度が[101モルam未満の場合は得ら
れるニッケルメッキ表面の水素過電圧の低下が不充分で
あり、また10モル濃度をこえると、下地メッキとメッ
キ被膜との密着性が不良となる。
さらに硫黄を含むニッケルメッキをあ九えるニッケルメ
ッキ浴中に適量のアンモニウムイオンt−加えることに
よシ、得られるメッキ被膜の密着性tま良好となり、ま
たメッキの被覆力も増大し、史に強固な特性をもつ被膜
表面を得ることができる。
メッキ浴中に加えられるアンモニウムイオンの濃度は、
チオシアン酸塩、チオ尿素、硫黄の酸化数が5以下のオ
キソ酸塩等の硫黄化合物中の硫黄の量に対し少なくとも
15倍モルIII度以上用いることが好ましく、上限F
i特に制限されず、飽和濃度まで許される。
メッキ浴のpHt16以下が好ましく、l)Hが6をこ
えると、得られるメッキ表面は、もろい電析になりやす
く、剥離しやすい傾向を持つ。
なお、硫黄を含むニッケルメッキ層を形成する際に用い
られるメッキ浴中には、上記の成分の他に、得られる表
面被膜を不都合ならしめない限り、他の11#性塩を加
えることも許される。例えば、ニッケルメッキ浴によく
用いられるホウ酸等の緩Ii閘の使用は、本発明で用い
るニッケルメッキ被膜の特性を一場良好ならしめる場合
もあり、好適成分として本発明で用いるメッキ浴に加え
られる場合もある。
まだ、硫黄を含むニッケルメッキ層を形成するためのメ
ッキの操作条件は、特に厳密な制限を受けないが、好ま
しくは室温よシフ0℃程度の温度範囲、11〜104/
−程度の電流密度範囲で、攪拌Fのもとてメッキを行う
ことが望ましい。
更に、硫黄を含むニッケルメッキ層を形成した後に、必
要に応じて適度な熱処理を行うことにより蛾終的に得ら
れる電極が一段と優れ九耐久性を示す場合もある。
適度な熱処理とは、非酸化性雰囲気、例えば、アルゴン
、窒素、ヘリウム勢の不活性ガス雰囲気あるいは水素等
の還元ガス雰囲気、更には真空中等の条件のもとで50
°C〜500℃の温[範囲で行うことを意味する。この
熱処理の時間は、特に厳密な制限はないが、通常sO分
以上、24時間以内行うことが望ましい。
以上の様に、金属からなる基材上に、硫黄を含むニッケ
ルメッキの下地メッキとして、アンモニウムイオンを含
むニッケルメッキ浴を用いて緻密な二yケルメッキを行
い、さらにその上に低水素過電圧を示す硫黄を含むニッ
ケルメッキを織すことにより、優れた耐食性、耐久性を
有し、かつ長期間にわ九り、低い水素過電圧を維持し、
エネルギー効率の極めて嵩い電極を与えることができる
以下、実施例を述べるが、本発明はこれに限定されるも
のではない。
実施例1.比較例1 基材として軟鋼製の5amX 10ffiXα3国の大
きさの半インチサイズのエキスバンドメタル(蝮径ZO
sm、長径12−7■)を用い、以下のような試料を作
成した。
即ち、実施例1においては、基材を脱脂、酸洗し死後に
、表1に示したニッケルメッキ浴を用いて表2に示した
条件で下地ニッケルメッキを行った。
表1 ニッケルメッキ浴組成 塩化ニッケル    α5 vt 塩化アンモニウム  1. Q vt 表2 ニッケルメッキ条件 浴   温    60℃ 11流密度   i Vawt (基材外周面積)メッ
キ時間  1時間 その後、表3に示したニッケルメッキ浴を用いて表4に
示し九条件で、低水素過電圧を示すニッケルメッキを行
った。
表5 ニッケルメッキ浴組成 塩化ニッケル    (L 5 M/lチオ尿素   
   13 Vt 塩化アンモニウム  t OM/を 表4 ニッケルメッキ条件 温   度    60℃ 電流密度   1ム〜 メッキ時間  2時間 一方、比較例1においては、基材を脱脂、酸洗した後に
下地メッキを行わずに直接表5に示したニッケルメッキ
浴を用いて表4に示し九条件で低水素過電圧を示すニッ
ケルメッキを行った。
これらの二つの試料を30 wtl NaOH溶液中で
白金を陽極として、i1度80℃、試料の外周面積に対
し5OV−の電解条件で10Q日間陰極として使用し、
陰極電位の変化を測定した。
陰極電位の測定は、酸化水銀電極に照合してルギ/毛管
法で測定した。結果を第1図に示す。
第1図より明らかなように、実施例1は極めて低い水素
過電圧を長期間維持している。一方、比較例1において
は電極電位が卑方向に変化し、電極性能が劣化している
ことがわかる。
100日間経過後、この比較例1の電極はがなりの部分
に剥離が生じていたが、本発明の実施例1の電極は剥離
の問題もなく、優れた密着性を示した。。
実施例2.比較例′2.5 実施例2と17て、実施例1で用い九基材を脱脂。
酸洗郷の前処理の後に、表5に示すニッケルメッキ浴を
用いて、実施例1と同様表2に示した条件で下地ニッケ
ルメッキを行った。
表5 ニッケルメッキ浴組成 硫酸ニッケル    α91v/を 塩化ニッケル    α1 ? M/lホウ酸    
   α4 ? kV’を塩化アンモニウム  1.0
  M/lその後、表6に示し友ニッケルメッキ浴を用
いて、実施例1と同様表4に示した条件で、低水素過電
圧を示すニッケルメッキを行った。
表6 ニッケルメッキ浴組成 塩化ニッケル      a s Vtチオシアン酸ナ
トリウム 02 M/7塩化アンモニウム    αs
 yt ホウ酸        α5 ’kV’を一方、比較例
2においては、基材を脱脂、酸洗し丸後に下地メッキを
行わず直接、表6に示したニッケルメッキ浴を用いて同
様の条件で低水素過電圧を示すニッケルメッキを行った
又、比較例5においては、基材を脱脂、酸洗し死後に、
下地メッキ浴として表5のニッケルメッキ浴組成から、
塩化アンモニウムのみを除き他の成分は全く同様のニッ
ケルメッキ浴を用い、同様の条件で下地ニッケルメッキ
を行った。(なお、表5のニッケルメッキ浴組成から、
塩化アンモニウムを*b除いたメッキ浴は、一般的なニ
ッケルメッキ浴で、Watt浴と呼ばれる。) その後、実施例2と同様に、低水素過電圧を示すニッケ
ルメッキを行った。
この三つの試料、即ち、実施例2と比較例z3を陰極と
し、50 wtチNaOH溶液中で白金を陽極とし温W
LaO“C1試料の外周面積に対し50 A、/d、/
の電流密度で200日間11!&として使用した。
第2図に各試料の陰極電位(Vva、 Hg/I(go
 )の値を示す。
以上の様に本発明の実施例2は、極めて低い水素過電圧
を200日間維持しており、メッキ層の剥離の問題もな
く、良好な密着性を示し、優れた耐食性、耐久性を有す
ことがわかる。
一方、比較例2に於ては、電極電位が卑方向に変化し、
電極性能が劣化していることがわかる。
200日間経過後この比較例2の電極はかなシの部分に
剥離が生じており、表面に鉄の堆積も晃られた。
父、比較例5に於ても、下地メッキと低水素過電圧を示
すメッキ被膜との密着性が不充分であり、低水素過電圧
を示すメッキ被膜が、かなり剥離しており、電極性能も
かなり劣化していることがわかる。
実施例1で用い九基材を脱脂n酸洗等の前処理の後に、
表7にホした下地ニッケルメッキの浴組成と表8に示し
た条件で、下地ニッケルメッキを行った。その後、表9
に示したニッケルメッキ浴を用いて、表10に示した条
件で、低水素過電圧を示すニッケルメッキを行った。
表7 ニッケルメッキ浴組成 塩化ニッケル    C3M/7 塩化アンモニウム  αs Vt 表8 ニッケルメッキ条件 浴   温    40℃ 電流密度   α54/l#/ メッキ時間  1時間 表9 ニッケルメッキ浴組成 硫酸ニッケル    α? M/を 塩化ニッケル    (L1距l チオ尿素      C2M/l ホウ酸       αs剛を 表10 ニッケルメッキ条件 浴   温    40℃ 電流密y    a 5 */dm’ メッキ時間  4時間 この試料を実施例2と同一の条件で100日間陰極とし
て使用した。その結果、陰極電位は−1,10〜−1,
12Vvs、 Hg/HgOでほぼ一定の値を示し、剥
離の問題もなく、密着性も良好であった。
以上のように、本発明の実施例3は、極めて低い水素過
電圧を長期間維持し、優れた耐久性、耐食性を示すこと
がわかる。
実施例4 基材として、ニッケル製で14agX14zXa釦り大
きさの半インチサイズのエキスバンドメタルを用い以下
のような試料を作成した。
まず、基材を脱脂、酸洗し先後に、表11に示し九ニッ
ケルメッキ浴を用いて、表12に示し九条件で下地ニッ
ケルメツ中を行った。
fill  二、ケルメッキ浴組成 塩化ニッケル     (L 5 vt塩化アンモニウ
ム   (L s vtホウ酸        αsM
7/を 表12 ニッケルメッキ条件 浴   温    50℃ 電流密度   2ム殉讐 メッキ時間  15分 その後、表15[示したニッケルメッキ浴を用いて、表
14[示した条件で低水素過電圧を示すニッケルメッキ
を行った。
表13 ニッケルメッキ浴組成 塩化ニッケル      C5M/l チオシアン酸ナトリウム C5vt 塩化アンモニウム    t Ow、/1ホウ酸   
     α5距l 表14 ニッケルメッキ条件 浴  諷   50℃ 電流密度   El 5 V− メッキ時間  5時間 この試料を陰極として陽イオン交換膜を使用し、陽極と
してTI上にRub!被膜を有するD8ムタイブのエキ
スバンドメタルを用いて、下記の条件で食塩水を電解し
た。なお、比較のため、陰極として軟鋼製エキスバンド
メタルを用いて同一の条件で電解を行った。
電解条件門 温度90℃ 電流密度 30 A/r1ml 陰極室NaOH濃度52〜!55wt1表15に基材と
して用いたニッケル陽極の場合と、本発明の陰極につい
て通電初期の陰極電位値妻ヨ゛       と1年間
経過後の陰極電位fdi、史には浴電圧の値を同表に示
す。
表15 以上のように1本発明の実施例4は優れた耐久性、耐食
性を示し、極めて低い水嵩過電圧を長期間維持し、比較
のニッケルIII!陰極に比べて250 mV−500
mV程低い水嵩過電圧、更KflN電圧を示、し、エネ
ルギー効率の^い、優れた電解用陰極であることがわか
る。
実施例5 電極基材として14aMX 14mX l 1肩の大き
さの一インチサイズ(長径6m、翅径5閤)の軟鋼製の
エキスバンドメタルを用い、これを軟鋼製の陰極11に
取りつけ九。次いで、脱脂、酸洗等の前処理の彼にカニ
ゼン社ブルー7エーマー無電解ニッケルメッキ液を粗い
、90℃で50分間無電解メッキを行った。その後、実
施例1で示した方法により、陰極、陰極室全面に下地ニ
ッケルメッキと低水素過電圧を示す、ニッケルメッキを
何つだ。
この試料を陰極として実施例4と同様の条件で、食塩水
を電解した。
表16に鉄電極の場合と、本発明の陰極について通電初
期の陰極電位値と1年間経過後の陰極電位値、更には浴
電圧の値を次表に示す。
表16 以上のように、本発明の実施例5は優れた耐久性、耐食
性を示し、極めて低い水嵩過電圧を長期間維持し、従来
の鉄製陰極に比べて250 mV程低い水素過電圧、更
には浴電圧を示し、エネルギー効率の高い、優れた電解
用陰極であることがわかる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は、本発明の実施例及び比較例の陰極
電位の経時変化を示す屯のである。 特許出願人  東洋曹達工業株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)  金属基体表面に、アンモニウムイオンを含む
    ニッケルメッキ浴を用いて下地ニッケルメッキを行い、
    さらにその上に1硫黄を含むニッケルメッキ浴を用いて
    ニッケルメッキを行うことを特徴とする電極の製造法。 傭) 下地メッキ用のニッケルメッキ浴中のアンモニウ
    ムイオン濃度が、α05モル濃度以上であるニッケルメ
    ッキ浴を用いる特許請求の範囲第(1)項記載の電極の
    製造法。 特許請求の範囲第(す積またFi(2)項記載の電極の
    製造法。 (4)  金属基体があらかじめ鋼メッキ又は無電解ニ
    ッケルメッキを施したものを用いる特許請求の範囲第(
    1項から第t8鷹のいずれかの項に記載の電極の製造法
JP57027510A 1982-02-24 1982-02-24 陰極の製造法 Granted JPS58147577A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57027510A JPS58147577A (ja) 1982-02-24 1982-02-24 陰極の製造法

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JP57027510A JPS58147577A (ja) 1982-02-24 1982-02-24 陰極の製造法

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Publication Number Publication Date
JPS58147577A true JPS58147577A (ja) 1983-09-02
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