JPS6213588A - 高耐久性活性化電極の製造法 - Google Patents
高耐久性活性化電極の製造法Info
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- JPS6213588A JPS6213588A JP60152305A JP15230585A JPS6213588A JP S6213588 A JPS6213588 A JP S6213588A JP 60152305 A JP60152305 A JP 60152305A JP 15230585 A JP15230585 A JP 15230585A JP S6213588 A JPS6213588 A JP S6213588A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電極の製造法に関するものであり、特に高耐
久性活性化電極の製造法に閃するものである。
久性活性化電極の製造法に閃するものである。
本発明よりなる電極は、種々の電気化学装置に於ける電
極として適用可能なものであるが、特に、工業電解用電
極、例えば水電解や食塩電解用陰極 ゛とし−て
の用途に適し、高耐久性、かつ極めて低い水素過電圧特
性を示すものである。
極として適用可能なものであるが、特に、工業電解用電
極、例えば水電解や食塩電解用陰極 ゛とし−て
の用途に適し、高耐久性、かつ極めて低い水素過電圧特
性を示すものである。
水電解や食塩電解等の工業電解の分野に於いて、電解電
圧の低減は重要な課題である。特に、近年電力単価の上
昇と共に省エネルギーの必要性は一層、重要視される様
になった。
圧の低減は重要な課題である。特に、近年電力単価の上
昇と共に省エネルギーの必要性は一層、重要視される様
になった。
特に、陽イオン交換膜快食塩電解技術に於いて、従来の
鉄陰極の有す、α4v前後の水素過電圧を低下するため
に、各所で精力的な検討が進められてきた。低水素過電
圧陰極の製造法としては、(1) 含硫黄化合物を含
むニッケルメッキ浴を用いてニッケルメッキを行う方法
(特公昭25−2305号、特開昭57−19588号
等)(2) ニッケル−亜鉛を含む被膜より、亜鉛を
除去する方法(特公昭5’f−6611号、特開昭54
−25275号等) 等が提案されている。
鉄陰極の有す、α4v前後の水素過電圧を低下するため
に、各所で精力的な検討が進められてきた。低水素過電
圧陰極の製造法としては、(1) 含硫黄化合物を含
むニッケルメッキ浴を用いてニッケルメッキを行う方法
(特公昭25−2305号、特開昭57−19588号
等)(2) ニッケル−亜鉛を含む被膜より、亜鉛を
除去する方法(特公昭5’f−6611号、特開昭54
−25275号等) 等が提案されている。
これらの提案された陰極は、経済的な手法で得られ、又
、電解初期は比較的低い水素過電圧を示すものもあり、
低水素過電圧陰極として有望視されているが、電解日数
の増大とともに徐々に水素過電圧が上昇するという欠点
を有し、この傾向は陰極として使用される電解電流密度
の増大と共に著しくなる。特に、ニッケル−亜鉛共析被
膜より亜鉛を除去してなる、いわゆる電着ラネーニッケ
ルタイプの低水素過電圧陰極は、被膜層そのものがもろ
く、耐久性の乏しいことが問題であった。
、電解初期は比較的低い水素過電圧を示すものもあり、
低水素過電圧陰極として有望視されているが、電解日数
の増大とともに徐々に水素過電圧が上昇するという欠点
を有し、この傾向は陰極として使用される電解電流密度
の増大と共に著しくなる。特に、ニッケル−亜鉛共析被
膜より亜鉛を除去してなる、いわゆる電着ラネーニッケ
ルタイプの低水素過電圧陰極は、被膜層そのものがもろ
く、耐久性の乏しいことが問題であった。
本発明は、この様に従来、耐久性に問題があったニッケ
ル−亜鉛共析被膜より亜鉛を除去してなる陰極に対し、
ニッケル及び/又はコバルト−亜鉛共析メッキ浴に関す
る詳細な検討を加え、その結果、高耐久性かつ従来以上
に低い水素過電圧を示す活性化された電極の製造法を提
供するものである。
ル−亜鉛共析被膜より亜鉛を除去してなる陰極に対し、
ニッケル及び/又はコバルト−亜鉛共析メッキ浴に関す
る詳細な検討を加え、その結果、高耐久性かつ従来以上
に低い水素過電圧を示す活性化された電極の製造法を提
供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の要旨は、導電性基材表面に
イ)ニッケル塩及び/又はコバルト塩
口)亜鉛塩
ハ) カルボニル基及び/又はイミン基の官能基を有す
る有機化合物 を溶解した水溶液を用い、ニッケル及び/又はコバルト
−亜鉛共析メッキを施した後に、亜鉛の少なくとも一部
を選択的に除去することを特徴とする活性化電極の製造
法にある。
る有機化合物 を溶解した水溶液を用い、ニッケル及び/又はコバルト
−亜鉛共析メッキを施した後に、亜鉛の少なくとも一部
を選択的に除去することを特徴とする活性化電極の製造
法にある。
本発明の特徴は、ニッケル及び/又はコバルト−亜鉛共
析メッキ洛中に、カルボニル基及び/又はイミン基を有
する有機化合物を添加することにある。上記、有機化付
物をニッケル及び/又はコバルト−亜鉛共析メッキ浴に
添加することにより、得られる共析メッキは、光沢を有
し、かつ強固で密着性の良い被膜となりメッキ後の後処
理として亜鉛の少なくとも一部を選択的に除去せしめる
ことにより、最終的に得られる活性化電極は極めて低い
過電圧を示し、高耐久性を有す電極となる。
析メッキ洛中に、カルボニル基及び/又はイミン基を有
する有機化合物を添加することにある。上記、有機化付
物をニッケル及び/又はコバルト−亜鉛共析メッキ浴に
添加することにより、得られる共析メッキは、光沢を有
し、かつ強固で密着性の良い被膜となりメッキ後の後処
理として亜鉛の少なくとも一部を選択的に除去せしめる
ことにより、最終的に得られる活性化電極は極めて低い
過電圧を示し、高耐久性を有す電極となる。
本発明に用いる導電性基材としては、金属又は導電性を
有す樹脂又はセラミックス等任意の導電性基材が用いら
れるが、食塩電解の様なアルカリ水溶液系の水素発生電
極の場合は通常、鉄、ニッケル、クロム、銅、又はこれ
らの合金が用いられる。
有す樹脂又はセラミックス等任意の導電性基材が用いら
れるが、食塩電解の様なアルカリ水溶液系の水素発生電
極の場合は通常、鉄、ニッケル、クロム、銅、又はこれ
らの合金が用いられる。
更に、電極基体形状については、平板、メツシュ状、多
孔状等、いかなる形状のものでも良いが高電流密度での
水素発生電極として用いる場合は、特にエキスバンドメ
タル、パンチングメタル、金網状等の基体形状を用いる
ことが好ましい。
孔状等、いかなる形状のものでも良いが高電流密度での
水素発生電極として用いる場合は、特にエキスバンドメ
タル、パンチングメタル、金網状等の基体形状を用いる
ことが好ましい。
本発明に用いるニッケル及び/又はフバル) −亜鉛共
析メッキ浴はイ)ニッケル塩及び/又はコバルト塩口)
亜鉛塩ハ)カルボニル基及び/又はイミン基の官能基を
有する有機化合物を必須成分として含む。
析メッキ浴はイ)ニッケル塩及び/又はコバルト塩口)
亜鉛塩ハ)カルボニル基及び/又はイミン基の官能基を
有する有機化合物を必須成分として含む。
ニッケル塩やコバルト塩は可溶性の塩であれば良く、通
常、硫酸塩、塩化物塩、スルファミン酸塩等、任意の水
溶性のニッケル塩やコバルト塩の一種以上が用いられる
。
常、硫酸塩、塩化物塩、スルファミン酸塩等、任意の水
溶性のニッケル塩やコバルト塩の一種以上が用いられる
。
メッキ洛中に含まれる亜鉛塩は、ニッケル塩やコバルト
塩同様、可溶性の塩であれば良く、通常、硫酸亜鉛、塩
化亜鉛等任意の水溶性亜鉛塩の一種以上が用いられる。
塩同様、可溶性の塩であれば良く、通常、硫酸亜鉛、塩
化亜鉛等任意の水溶性亜鉛塩の一種以上が用いられる。
本発明を特徴づけるカルボニル基及び/又はイミン基の
官能基゛を有する有機化合物とは、尿素、エチルメチル
ケトン、テトラメチルへブタジオン。
官能基゛を有する有機化合物とは、尿素、エチルメチル
ケトン、テトラメチルへブタジオン。
アセチルアセトン、ジエチルケトン、エチレンイミン、
グアニジン、ピロリジン等である。
グアニジン、ピロリジン等である。
ニッケル及び/又はコバルト−亜鉛共析メッキ浴に、上
記、有機化合物を添加することにより、得られる共析メ
ッキは光沢を有し、かつ強固で密着性の良い被膜となる
。この理由は定かではないが、以下のような理由による
ものと推察される。
記、有機化合物を添加することにより、得られる共析メ
ッキは光沢を有し、かつ強固で密着性の良い被膜となる
。この理由は定かではないが、以下のような理由による
ものと推察される。
ニッケル及び/又はコバルト−亜鉛共析メッキは、その
メッキ中に於いて析出合金表面上に亜鉛イオンが吸着し
、ニッケル及び/又はコバルト析出を抑制し、また亜鉛
は、ニッケル及び/又はコバルトとの相互作用により、
亜鉛イオン単独な場合での熱力学的な析出電位より、責
な電位領域において析出するアンダーポテンシャル機構
による異常共析と考えられる。
メッキ中に於いて析出合金表面上に亜鉛イオンが吸着し
、ニッケル及び/又はコバルト析出を抑制し、また亜鉛
は、ニッケル及び/又はコバルトとの相互作用により、
亜鉛イオン単独な場合での熱力学的な析出電位より、責
な電位領域において析出するアンダーポテンシャル機構
による異常共析と考えられる。
本発明の特徴であるカルボニル基及び/又はイミン基の
官能基を有する有機化合物をニッケル及び/又はコバル
ト−亜鉛共析メッキ洛中に添加することにより、上記カ
ルボニル基及び/又はイミン基が配位子として機能し、
有機化合物と金属イオン、特に亜鉛イオンが強く錯体化
されると思われる。従って、有機化付物無添加の場合と
比較して、ニッケル及び/又はコバルト−亜鉛の共析機
構が異なると考えられる。その結果、本発明で得られる
ニッケル及び/又はコバルト−亜鉛共析被膜は、光沢性
を有し、密着性に優れ、かつ低水素過電圧、高耐久性に
適した合金組成、結晶構造になると思われる。
官能基を有する有機化合物をニッケル及び/又はコバル
ト−亜鉛共析メッキ洛中に添加することにより、上記カ
ルボニル基及び/又はイミン基が配位子として機能し、
有機化合物と金属イオン、特に亜鉛イオンが強く錯体化
されると思われる。従って、有機化付物無添加の場合と
比較して、ニッケル及び/又はコバルト−亜鉛の共析機
構が異なると考えられる。その結果、本発明で得られる
ニッケル及び/又はコバルト−亜鉛共析被膜は、光沢性
を有し、密着性に優れ、かつ低水素過電圧、高耐久性に
適した合金組成、結晶構造になると思われる。
本発明の電極の製造法に於て用いるニッケル及び/又は
コバルト亜鉛共析メッキ浴中には、上記、イ)ニッケル
塩及び/又はコバルト塩口)亜鉛塩ハ)カルボニル基友
び/又はイミン基の官能基を有する有機化合物等の必須
成分の他に、ニッケル及び/又はコバルト−亜鉛共析メ
ッキを不都合ならしめない限り、他の可溶性塩な加える
事も許される。例えば、゛ホウ酸、アンモニウム塩等の
使用は、本発明で用いる共析メッキを一層良好にならし
める場合もあり、好適成分として、本発明で用いるニッ
ケル及び/又はコバルト−亜鉛共析メッキ浴に加えられ
る場合もある。
コバルト亜鉛共析メッキ浴中には、上記、イ)ニッケル
塩及び/又はコバルト塩口)亜鉛塩ハ)カルボニル基友
び/又はイミン基の官能基を有する有機化合物等の必須
成分の他に、ニッケル及び/又はコバルト−亜鉛共析メ
ッキを不都合ならしめない限り、他の可溶性塩な加える
事も許される。例えば、゛ホウ酸、アンモニウム塩等の
使用は、本発明で用いる共析メッキを一層良好にならし
める場合もあり、好適成分として、本発明で用いるニッ
ケル及び/又はコバルト−亜鉛共析メッキ浴に加えられ
る場合もある。
又、本発明の電極の製造法において、基材の前処理とし
て脱脂、酸洗、電解洗浄等の通常の前処理方法や、エツ
チング処理、ブラスト処理更には化学的、電気的研摩等
、任意の前処理方法を選ぶことができる。更に、基材と
本発明のニッケル及び/又はコバルト−亜鉛共析メッキ
被膜との間に、適当な中間メッキ、例えば銅メッキ、ニ
ッケルメッキ等の中間メッキを施すことは、メッキの密
着性を一層良好ならしめ、その結果得られる電極の耐久
性、耐食性を一層良好ならしめる場合もある。
て脱脂、酸洗、電解洗浄等の通常の前処理方法や、エツ
チング処理、ブラスト処理更には化学的、電気的研摩等
、任意の前処理方法を選ぶことができる。更に、基材と
本発明のニッケル及び/又はコバルト−亜鉛共析メッキ
被膜との間に、適当な中間メッキ、例えば銅メッキ、ニ
ッケルメッキ等の中間メッキを施すことは、メッキの密
着性を一層良好ならしめ、その結果得られる電極の耐久
性、耐食性を一層良好ならしめる場合もある。
本発明の電極の製造法に於ては、ニッケル及び/又はコ
バルト−亜鉛共析メッキの後に、亜鉛の少なくとも一部
を選択的に除去することが必要である。
バルト−亜鉛共析メッキの後に、亜鉛の少なくとも一部
を選択的に除去することが必要である。
選択的な除去処理とは、例えば、酸、アルカリ中へ浸漬
することKよる化学的な溶出除去、あるいは導電性を有
する水溶液中で、適当な陽極電流を流すことによる電気
化学的な溶出除去等により行われる。
することKよる化学的な溶出除去、あるいは導電性を有
する水溶液中で、適当な陽極電流を流すことによる電気
化学的な溶出除去等により行われる。
本発明は、高耐久性かつ極めて低い水素過電圧を示す、
活性化された電極の製造法を提供するものである。本発
明よりなる電極は、種々の電気化学装置に於ける電極と
して適用可能なものであるが、特に工業電解用電極、例
えば、水電解や食塩電解用の低水素過電圧陰極として、
電解電圧を長期の間、数100m’V低下することが可
能となり、その工業的価値は極めて大きなものである。
活性化された電極の製造法を提供するものである。本発
明よりなる電極は、種々の電気化学装置に於ける電極と
して適用可能なものであるが、特に工業電解用電極、例
えば、水電解や食塩電解用の低水素過電圧陰極として、
電解電圧を長期の間、数100m’V低下することが可
能となり、その工業的価値は極めて大きなものである。
以下、実施例を述べるが、本発明はこれに限定されるも
のではない。
のではない。
実施例1
電極基材は、直径1crIMのニッケル基材を用い、そ
の周囲をアクリル系樹脂で被覆した。これにメッキ前処
理をした後に、塩化ニッケル15M、塩化亜鉛asM、
m化アンモニウムα5M、アー1=+ルアセトン(L3
Mとするニッケル−亜鉛共析メッキ浴および比較例とし
てアセチルアセトンを含まない塩化ニッケル15M、塩
化亜鉛α5M、塩化アシモエウム“(15Mとするニッ
ケル−亜鉛共析メッキ浴より、各々5ムam−”のメッ
キ電流密度で1時間、ニラナル−亜鉛メッキをした。メ
ッキ後、苛性ソーダー水溶液中に自然浸漬し、亜鉛を選
択的に溶解させた後に、活性化ニッケル電極を得た。
の周囲をアクリル系樹脂で被覆した。これにメッキ前処
理をした後に、塩化ニッケル15M、塩化亜鉛asM、
m化アンモニウムα5M、アー1=+ルアセトン(L3
Mとするニッケル−亜鉛共析メッキ浴および比較例とし
てアセチルアセトンを含まない塩化ニッケル15M、塩
化亜鉛α5M、塩化アシモエウム“(15Mとするニッ
ケル−亜鉛共析メッキ浴より、各々5ムam−”のメッ
キ電流密度で1時間、ニラナル−亜鉛メッキをした。メ
ッキ後、苛性ソーダー水溶液中に自然浸漬し、亜鉛を選
択的に溶解させた後に、活性化ニッケル電極を得た。
電極性能の評価は、90℃、33wt%BIaOH水溶
液を電解液とする水素発生反応で行った。参照電極には
、電解液と同一溶液(同−pH) 、同一温度の可逆水
素電極(以下、R,H,ICと略す)を用いた。
液を電解液とする水素発生反応で行った。参照電極には
、電解液と同一溶液(同−pH) 、同一温度の可逆水
素電極(以下、R,H,ICと略す)を用いた。
電極電位測定には、カレントインターラブター法を用い
、溶液抵抗による電圧降下を除去した。なお、水素発生
反応で、R,H,B、基準で測定される電極電位の絶対
値をとったものが、水素過電圧となる。
、溶液抵抗による電圧降下を除去した。なお、水素発生
反応で、R,H,B、基準で測定される電極電位の絶対
値をとったものが、水素過電圧となる。
図1に、本実施例であるカルボニル基の官能基を有する
有機化合物として、アセチルアセトンをニッケル−亜鉛
共析メッキ洛中に活加して得られた活性化ニッチルミ極
と、比較例として無添加のニッケル−亜鉛共析メッキ洛
中より得られた陰極との水素発生反応に於ける電位−電
流曲線を示した。図1中曲線1は本実施例、曲tij2
は比較例の値を示す。アセチルアセトンの添加により、
極めて低い低水素過電圧陰極が得られる。
有機化合物として、アセチルアセトンをニッケル−亜鉛
共析メッキ洛中に活加して得られた活性化ニッチルミ極
と、比較例として無添加のニッケル−亜鉛共析メッキ洛
中より得られた陰極との水素発生反応に於ける電位−電
流曲線を示した。図1中曲線1は本実施例、曲tij2
は比較例の値を示す。アセチルアセトンの添加により、
極めて低い低水素過電圧陰極が得られる。
なお、無添加のメッキ皮膜は、白色状で光沢が無いが、
アセチルアセトン添加のメッキ皮膜は、金属光沢性を有
する。
アセチルアセトン添加のメッキ皮膜は、金属光沢性を有
する。
また、ニッケル−亜鉛共析メッキ浴中に、アセチルアセ
トンの代わりに尿素を添加して得られる活性化ニッケル
電極は、30Adm″″tの水素発生反応で、−110
mV va、 R,H,K、の性能を示し、イミン基を
有する有機化合物として、グアニジンをニッケル−亜鉛
共析メッキ浴中に添加して得られる活性ニッケル電極は
、50 AdyM=の水素発生反応で−120mVva
、 R,H,II!、の性能を示し、アセチルアセトン
添加の場合とほぼ同様の電極特性を示した。
トンの代わりに尿素を添加して得られる活性化ニッケル
電極は、30Adm″″tの水素発生反応で、−110
mV va、 R,H,K、の性能を示し、イミン基を
有する有機化合物として、グアニジンをニッケル−亜鉛
共析メッキ浴中に添加して得られる活性ニッケル電極は
、50 AdyM=の水素発生反応で−120mVva
、 R,H,II!、の性能を示し、アセチルアセトン
添加の場合とほぼ同様の電極特性を示した。
実施例2
本発明である活性化電極として、
(1) 塩化ニッケルIM、塩化亜鉛l13M、アセ
チルアセトンα3M、塩化アンモニウム15Mをニッケ
ル−亜鉛共析メッキ浴とするものから得られた電極。
チルアセトンα3M、塩化アンモニウム15Mをニッケ
ル−亜鉛共析メッキ浴とするものから得られた電極。
(2)塩化ニッケルα5M、塩化コバルト15M。
アセチルアセトン05M、m化アンモニウム15Mをニ
ツケルーコバル)−M鉛共析メッキ浴とするものから得
られた電極。
ツケルーコバル)−M鉛共析メッキ浴とするものから得
られた電極。
また、比較例としてアセチルアセトン無添加ノ(3)
塩化ニッケルIM、塩化亜鉛13M、塩化アンモニウ
ム115Mをニッケル−亜鉛共析メッキ浴とするものか
ら得られた電極。
塩化ニッケルIM、塩化亜鉛13M、塩化アンモニウ
ム115Mをニッケル−亜鉛共析メッキ浴とするものか
ら得られた電極。
の水素発生反応の電解経過による電極電位の経時変化を
図2に示した。図2中曲m1は本実施例の(1)の電極
、曲線2は本実施例の(2)の電極、曲、II3は比較
例としての(3)の電極の値をそれぞれ示す。
図2に示した。図2中曲m1は本実施例の(1)の電極
、曲線2は本実施例の(2)の電極、曲、II3は比較
例としての(3)の電極の値をそれぞれ示す。
本発明の活性化電極は、アセチルアセトン添加により、
低水素過電圧を維持する高耐久性の電極であることがわ
かる。
低水素過電圧を維持する高耐久性の電極であることがわ
かる。
実施例3
ニッケル−亜鉛共析メッキ浴中の塩化ニラナル濃度、塩
化亜鉛濃度、カルボニル基又は/及びイミン基の官能基
を有する有機化合物の代表例としてアセチルアセトンの
濃度をそれぞれ変化(他のメッキ浴成分及びメッキ条件
は下記のとおりである)させて得られる活性化電極の4
0 drK”の水素発生反応での電極電位を図3.4.
5に示した。
化亜鉛濃度、カルボニル基又は/及びイミン基の官能基
を有する有機化合物の代表例としてアセチルアセトンの
濃度をそれぞれ変化(他のメッキ浴成分及びメッキ条件
は下記のとおりである)させて得られる活性化電極の4
0 drK”の水素発生反応での電極電位を図3.4.
5に示した。
広範囲の条件下において、低水素過電圧陰極が得られる
ことがわかる。
ことがわかる。
(1)塩化ニッケル濃度を変化させた場合の他のメッキ
浴成分及び条件 メッキ浴成分 塩化亜鉛 (L5M塩化アン
モニウム (L5M アセチルアセトン 13M メッキ条件 3Adm−”X2h、pH4,30℃(
2) 塩化亜鉛濃度を変化させた場合のメッキ浴成分
及び条件 メッキ浴成分 塩化ニッケル (L5M塩化アンモ
ニウム 15M アセチルアセトン α3M メッキ条件 5Adm”X2h、pH4,30℃(3
) アセチルアセトン濃度を変化させた場せの他のメ
ッキ浴成分及び条件 メッキ浴成分 塩化ニッケル α5M塩化亜鉛
[15M 塩化アンモニウム IIL5M メッキ条件 3AdWr”X2h、pH4,30℃
浴成分及び条件 メッキ浴成分 塩化亜鉛 (L5M塩化アン
モニウム (L5M アセチルアセトン 13M メッキ条件 3Adm−”X2h、pH4,30℃(
2) 塩化亜鉛濃度を変化させた場合のメッキ浴成分
及び条件 メッキ浴成分 塩化ニッケル (L5M塩化アンモ
ニウム 15M アセチルアセトン α3M メッキ条件 5Adm”X2h、pH4,30℃(3
) アセチルアセトン濃度を変化させた場せの他のメ
ッキ浴成分及び条件 メッキ浴成分 塩化ニッケル α5M塩化亜鉛
[15M 塩化アンモニウム IIL5M メッキ条件 3AdWr”X2h、pH4,30℃
図1は本発明の一実施例で得られた活性化ニッケル陰極
と比較例で得られた陰極の電位−電流曲線を示す。図2
は本発明の他の実施例で得られた活性化電極と比較例で
得られた陰極の電極電位の経時変化を示すものである。 また、図3.4.5はメッキ浴成分である塩化ニッケル
濃度、塩化亜鉛濃度、アセチレン濃度をそれぞれ変化さ
せて得られた活性陰極の電極電゛位を示すものである。 E/mv vs RlHJ。 図 1 8g 7 : マ 直’HM日Δ Δ■ハ 塩化ニッケル濃度/M 図 3
と比較例で得られた陰極の電位−電流曲線を示す。図2
は本発明の他の実施例で得られた活性化電極と比較例で
得られた陰極の電極電位の経時変化を示すものである。 また、図3.4.5はメッキ浴成分である塩化ニッケル
濃度、塩化亜鉛濃度、アセチレン濃度をそれぞれ変化さ
せて得られた活性陰極の電極電゛位を示すものである。 E/mv vs RlHJ。 図 1 8g 7 : マ 直’HM日Δ Δ■ハ 塩化ニッケル濃度/M 図 3
Claims (1)
- (1)導電性基材表面に イ)ニッケル塩及び/又はコバルト塩 ロ)亜鉛塩 ハ)カルボニル基及び/又はイミン基の官能基を有する
有機化合物 を溶解した水溶液を用い、ニッケル−亜鉛共析メッキを
施した後に、亜鉛の少なくとも一部を選択的に除去する
ことを特徴とする高耐久性活性化電極の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60152305A JPS6213588A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 高耐久性活性化電極の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60152305A JPS6213588A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 高耐久性活性化電極の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6213588A true JPS6213588A (ja) | 1987-01-22 |
Family
ID=15537620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60152305A Pending JPS6213588A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 高耐久性活性化電極の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6213588A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007324120A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | General Electric Co <Ge> | 多孔質ニッケル皮膜を形成する方法、ならびに関連の物品および成分 |
JP2019206755A (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | コリア インスティテュート オブ エナジー リサーチKorea Institute Of Energy Research | 水電解用複合電極一体型分離板及び水電解スタック |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP60152305A patent/JPS6213588A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007324120A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | General Electric Co <Ge> | 多孔質ニッケル皮膜を形成する方法、ならびに関連の物品および成分 |
JP2019206755A (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | コリア インスティテュート オブ エナジー リサーチKorea Institute Of Energy Research | 水電解用複合電極一体型分離板及び水電解スタック |
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