JPS58147556A - アルミニウム薄膜製作法 - Google Patents
アルミニウム薄膜製作法Info
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- JPS58147556A JPS58147556A JP2887382A JP2887382A JPS58147556A JP S58147556 A JPS58147556 A JP S58147556A JP 2887382 A JP2887382 A JP 2887382A JP 2887382 A JP2887382 A JP 2887382A JP S58147556 A JPS58147556 A JP S58147556A
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- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアルミニウム薄膜の製作法に関するものにして
、特に、表面が鏡面を保ったまま５１１１ｍ以上の膜厚
を有するアルミニウム薄膜の製作法に関するものである
。
、特に、表面が鏡面を保ったまま５１１１ｍ以上の膜厚
を有するアルミニウム薄膜の製作法に関するものである
。
分光装置などに使用される光学ミラーとか、を導体装置
の電極配線として用いられるアルミニウム薄膜は、通常
、真空蒸着法とかスパッタリング法によって形成される
。
の電極配線として用いられるアルミニウム薄膜は、通常
、真空蒸着法とかスパッタリング法によって形成される
。
これらの方法によって製作されるアルミニウム薄膜の表
面状態は、膜形成時の真空度とか、膜形成速度などの製
作条件によって変化し、−概には言えないが、傾向とし
て、膜が厚くなる程、表面に大粒子が発生し、反射率、
散乱光などの光学的性能も劣化してくる。必要とする膜
厚が０．５ｔ１ｍ前後以下の場合は、これらは、はとん
ど問題となることはないが、それ以上、特（こ膜厚かＩ
ｌ１ｍ 前後以１．になると膜の表［ｎｊ状態は急激
に悪くなって、通常、乳濁色を帯びて来る。このように
、従来技術では、表面を焼面に保ったまま１μｍ以上の
膜厚をイＪするアルミニウム薄膜を作成することは、き
わめて困難とされていた。
面状態は、膜形成時の真空度とか、膜形成速度などの製
作条件によって変化し、−概には言えないが、傾向とし
て、膜が厚くなる程、表面に大粒子が発生し、反射率、
散乱光などの光学的性能も劣化してくる。必要とする膜
厚が０．５ｔ１ｍ前後以下の場合は、これらは、はとん
ど問題となることはないが、それ以上、特（こ膜厚かＩ
ｌ１ｍ 前後以１．になると膜の表［ｎｊ状態は急激
に悪くなって、通常、乳濁色を帯びて来る。このように
、従来技術では、表面を焼面に保ったまま１μｍ以上の
膜厚をイＪするアルミニウム薄膜を作成することは、き
わめて困難とされていた。
１μｍ以上の膜厚を必要とするアルミニウム薄膜の実用
例〜止しては、赤外線の波長域を対象とした回折格子の
素材とが、半導体装置の電極配線などがある。これらの
いずれの用途においてもアルミニウム表面のグレインが
小さく鏡面である方が望ましいのは言うまでもないが、
前述のように、このようなアルミニウム薄膜を実現する
決定的な方法がないため、膜厚を必要最小限にするとか
、真空度あるいは膜形成速度などの膜形成条件を厳しく
管理して、出来るだけグレインの発生を小さくするよう
な方法がとられている。
例〜止しては、赤外線の波長域を対象とした回折格子の
素材とが、半導体装置の電極配線などがある。これらの
いずれの用途においてもアルミニウム表面のグレインが
小さく鏡面である方が望ましいのは言うまでもないが、
前述のように、このようなアルミニウム薄膜を実現する
決定的な方法がないため、膜厚を必要最小限にするとか
、真空度あるいは膜形成速度などの膜形成条件を厳しく
管理して、出来るだけグレインの発生を小さくするよう
な方法がとられている。
本発明の［Ｉ的は１Ｆ記した従来技術の問題点を解決し
、表面が鏡面を保った状態で任意の膜厚をｆｒするアル
ミニウム薄膜を容易に製作できる方法を提供することに
ある。
、表面が鏡面を保った状態で任意の膜厚をｆｒするアル
ミニウム薄膜を容易に製作できる方法を提供することに
ある。
アルミニウム薄膜の表面が、膜厚が厚くなると粗面化し
て乳濁色を帯びて来るのは、膜厚が厚くなることによっ
て粗大結晶粒が、より多く発生することによるためであ
ると考えられる。
て乳濁色を帯びて来るのは、膜厚が厚くなることによっ
て粗大結晶粒が、より多く発生することによるためであ
ると考えられる。
そこで、本発明のアルミニウム薄膜製作法においては、
アルミニウム膜形成を何度が中断し、その度毎のアルミ
ニウム膜は粗大結晶粒が発生しない程度の薄い膜厚を有
するものとし、その間に異種金属のごく薄い膜を形成し
、異種金属膜を介在させてアルミニウム膜を積層するも
のである。
アルミニウム膜形成を何度が中断し、その度毎のアルミ
ニウム膜は粗大結晶粒が発生しない程度の薄い膜厚を有
するものとし、その間に異種金属のごく薄い膜を形成し
、異種金属膜を介在させてアルミニウム膜を積層するも
のである。
このような本発明の方法によれば、アルミニウム積層膜
は、異種金属膜によって分離されることにより、それぞ
れのアルミニウム膜は粗大結晶粒の発生しない程度の薄
いものとすることができて、従って全体的に粗面化しな
いようにできるものである。
は、異種金属膜によって分離されることにより、それぞ
れのアルミニウム膜は粗大結晶粒の発生しない程度の薄
いものとすることができて、従って全体的に粗面化しな
いようにできるものである。
この場合、積層膜のそれぞれのアルミニウム膜は、真空
蒸着法またはスパッタリング法にょ」て形成できるもの
であり、それぞれのアルミニウム膜の好ましい膜厚は０
５μｍ５μｍ以上、異種金属の好ましいものとしては、
銅またはクロムを挙げることかできるものであり、異種
金属膜の好ましい膜１１／ｊはＩ）、 ０２ ｔｔｍ以
下である。
蒸着法またはスパッタリング法にょ」て形成できるもの
であり、それぞれのアルミニウム膜の好ましい膜厚は０
５μｍ５μｍ以上、異種金属の好ましいものとしては、
銅またはクロムを挙げることかできるものであり、異種
金属膜の好ましい膜１１／ｊはＩ）、 ０２ ｔｔｍ以
下である。
以上に１＋発明を一実施例につき、図面を参照して、さ
らに詳細に説明する。
らに詳細に説明する。
この実施例は、アルミニウム薄膜の膜厚が、最少ＩｇＩ
！１μｍ以■二必要な、赤外線用回折格子の素材作成に
適用したものである。
！１μｍ以■二必要な、赤外線用回折格子の素材作成に
適用したものである。
この実施例の回折格子素材は、第１図に示す断面構造を
有するもので、それが製作には、先ず、光学モ面に研摩
されたガラス基板ｌｌ上に、真空蒸着法によって、０５
μｍの厚さのアルミニウム膜２１を形成し、次に、同一
真空中で、該アルミニウム膜のトに、約０．０２μｍの
きわめて薄いクロム膜：３１を形成し、さらに前述と同
じ膜厚のアルミニウム膜２２．２３と、クロム膜３２．
３３を交Ｉｆ″に形成し、最後にアルミニウム膜２４を
形成したものである。
有するもので、それが製作には、先ず、光学モ面に研摩
されたガラス基板ｌｌ上に、真空蒸着法によって、０５
μｍの厚さのアルミニウム膜２１を形成し、次に、同一
真空中で、該アルミニウム膜のトに、約０．０２μｍの
きわめて薄いクロム膜：３１を形成し、さらに前述と同
じ膜厚のアルミニウム膜２２．２３と、クロム膜３２．
３３を交Ｉｆ″に形成し、最後にアルミニウム膜２４を
形成したものである。
従１）で、全体としてのアルミニウム薄膜の膜厚は２１
１ｍ以１−となるが、各アルミニウム膜はクロム膜で分
断されているので、結晶粒か成長し一〇くることはなく
、アルミニウム膜表面は鏡面を維持している。
１ｍ以１−となるが、各アルミニウム膜はクロム膜で分
断されているので、結晶粒か成長し一〇くることはなく
、アルミニウム膜表面は鏡面を維持している。
回折格子の格子溝は、通常第２図に示すような断面形状
を有し、光学平面に研摩されたカラス線板１１ 、、ｌ
ｚのアルミニウム薄膜２０よりなる回折格子の格子溝は
、使用波長が溝深さの約２倍のとき最大の回折効率（通
常７０〜８０％）が得られるが、この波長から離れる程
回折効率は低下してくる。従って、溝深さは用途によっ
て異なり、いうまでもなく、長波長用になる程溝深さは
深くなる１゜一方、格子溝は、ダイヤモンドをそろ盤珠
形状に研摩したツールで、アルミニウム薄膜表向を押し
付け、塑性変形させることにより形成される。
を有し、光学平面に研摩されたカラス線板１１ 、、ｌ
ｚのアルミニウム薄膜２０よりなる回折格子の格子溝は
、使用波長が溝深さの約２倍のとき最大の回折効率（通
常７０〜８０％）が得られるが、この波長から離れる程
回折効率は低下してくる。従って、溝深さは用途によっ
て異なり、いうまでもなく、長波長用になる程溝深さは
深くなる１゜一方、格子溝は、ダイヤモンドをそろ盤珠
形状に研摩したツールで、アルミニウム薄膜表向を押し
付け、塑性変形させることにより形成される。
従って、アルミニウム薄膜は、通常形成する格ｒ・溝深
さの２倍程度の膜厚を必要とし、また、素材表面にグレ
インがある場合、その影響が格ｒ溝表面のミクロな凹凸
として残ることはさけら第１ない、。
さの２倍程度の膜厚を必要とし、また、素材表面にグレ
インがある場合、その影響が格ｒ溝表面のミクロな凹凸
として残ることはさけら第１ない、。
以上述べたことから明らかなように、本実施例のアルミ
ニウム薄膜は、１μｍの溝深さの格ｒ−？品を形成する
（こ１゛分な膜厚を有していると同時に、散乱光の原因
となる格子溝面のミクロな凹凸の原因となるグレインが
はとんどないため、赤外線用回折格子の素材としてきわ
めて優れたものである。
ニウム薄膜は、１μｍの溝深さの格ｒ−？品を形成する
（こ１゛分な膜厚を有していると同時に、散乱光の原因
となる格子溝面のミクロな凹凸の原因となるグレインが
はとんどないため、赤外線用回折格子の素材としてきわ
めて優れたものである。
本発明によれば、」二記の説明かられかるように、表面
のグレインサイズが小さく、鏡面を保った状態でへ１μ
ｍ以にの膜厚を有するアルミニウム薄膜を容易に作製す
ることがｉｆ能である。しかも、異種金属膜を介在させ
たアルミニウム膜の層数を増す・ｔＧによりどのような
厚さの物でも作れ、鏡面と厚い膜厚の双方が要求される
アルミニウム薄膜の製作に有効である。
のグレインサイズが小さく、鏡面を保った状態でへ１μ
ｍ以にの膜厚を有するアルミニウム薄膜を容易に作製す
ることがｉｆ能である。しかも、異種金属膜を介在させ
たアルミニウム膜の層数を増す・ｔＧによりどのような
厚さの物でも作れ、鏡面と厚い膜厚の双方が要求される
アルミニウム薄膜の製作に有効である。
第１図は本発明の一実施例の積層アルミニウム薄膜の断
面図である。 第２図は回折格子の溝形成の断面説明図である。 １１・・・ガラス基板； ２０．２１，２２，２３．２４・・・アルミニウム膜；
３１．３２．３３・・・クロム膜。 代理人弁理士 中 村 純之助 １−１ 図 ３１９
面図である。 第２図は回折格子の溝形成の断面説明図である。 １１・・・ガラス基板； ２０．２１，２２，２３．２４・・・アルミニウム膜；
３１．３２．３３・・・クロム膜。 代理人弁理士 中 村 純之助 １−１ 図 ３１９
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） アルミニウム膜形成を何度か中断し、その間
、異種金属の膜をごく薄く形成し、該異種金属膜を介し
て、アルミニウム膜を積層することを特徴とするアルミ
ニウム薄膜製作法。 （２） 前記のアルミニウム薄膜を製作する方法は、
真空蒸着法またはスパッタリング法である特許請求の範
囲第１項記載のアルミニウム薄膜製作＼法さく３）
前記の異種金属は、銅ま゛たはクロムである特許請求の
範囲第１項または第２項記載のアルミニウム薄膜製作法
。 （４） 前記のアルミニウム膜形成を何度か中断する
のは、各アルミニウム膜の厚さが０．５μｍ以下に形成
されるように中断するのである特許請求の範囲第１項乃
至第３項のいずれにか記載のアルミニウム薄膜製作法。 （５） 前記の異種金属の膜をごく薄く形成するのは
０．０２μｍ以下の厚さに形成するのである特許請求の
範囲第１項乃至第４項のいずれにか記載のアルミニウム
薄膜製作法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2887382A JPS58147556A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | アルミニウム薄膜製作法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2887382A JPS58147556A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | アルミニウム薄膜製作法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58147556A true JPS58147556A (ja) | 1983-09-02 |
Family
ID=12260493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2887382A Pending JPS58147556A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | アルミニウム薄膜製作法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58147556A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01188666A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-07-27 | Kobe Steel Ltd | 積層型蒸着めっき鋼板 |
| US7641773B2 (en) | 2002-09-14 | 2010-01-05 | Schott Ag | Process for producing layers and layer systems, and coated substrate |
-
1982
- 1982-02-26 JP JP2887382A patent/JPS58147556A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01188666A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-07-27 | Kobe Steel Ltd | 積層型蒸着めっき鋼板 |
| US7641773B2 (en) | 2002-09-14 | 2010-01-05 | Schott Ag | Process for producing layers and layer systems, and coated substrate |
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