JPS58141591A - ハイブリツドｉｃ及びその製造方法 - Google Patents
ハイブリツドｉｃ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS58141591A JPS58141591A JP2495182A JP2495182A JPS58141591A JP S58141591 A JPS58141591 A JP S58141591A JP 2495182 A JP2495182 A JP 2495182A JP 2495182 A JP2495182 A JP 2495182A JP S58141591 A JPS58141591 A JP S58141591A
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- JP
- Japan
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- hybrid
- oxide
- inorganic insulating
- insulating layer
- substrate
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は耐湿性の良いノ・イブリッドＩＣに関するもの
でおる。
でおる。
ハイブリッドＩＣにおいては、信頼性全確保する上で防
湿処理が必須のものとなっている。ノ・イブリッドＩＣ
において防湿処理が重要な意味を持つのは、ノ・イブリ
ッドＩＣ中の印刷抵抗、モノリシックＩＣ，配線の腐食
により断線、リークなどが起る等の理由による。特にア
ルミニウム配線と異種金属が接触する電極部分において
はｉ喪な問題である。
湿処理が必須のものとなっている。ノ・イブリッドＩＣ
において防湿処理が重要な意味を持つのは、ノ・イブリ
ッドＩＣ中の印刷抵抗、モノリシックＩＣ，配線の腐食
により断線、リークなどが起る等の理由による。特にア
ルミニウム配線と異種金属が接触する電極部分において
はｉ喪な問題である。
そこで、そのような不具合な現象會避ける目的−（１’
％［来、シリコーン樹１石のボッティング＜ｐｏｔｔ匈
）或いはエポキシ１１１利などの迩布尋によシ防湿対策
を施している。（７かし、これらによる防湿対策は水分
の侵入に対して未だ十分でない。この為、よシ信頼性を
要求される用途に対しては、プラステソクパノケージ、
メタルパッケージ等が用いられているが、それらはいず
れも筒価格なので、ハイブリッドＩＣの価格が上昇する
という欠点かぁ−３た。
％［来、シリコーン樹１石のボッティング＜ｐｏｔｔ匈
）或いはエポキシ１１１利などの迩布尋によシ防湿対策
を施している。（７かし、これらによる防湿対策は水分
の侵入に対して未だ十分でない。この為、よシ信頼性を
要求される用途に対しては、プラステソクパノケージ、
メタルパッケージ等が用いられているが、それらはいず
れも筒価格なので、ハイブリッドＩＣの価格が上昇する
という欠点かぁ−３た。
本発明はこのような従来の欠点を改善したものでおり、
耐湿性の良いハイブリッドＩＣヲ低価格で提供し得るよ
うにすることを目的としている。
耐湿性の良いハイブリッドＩＣヲ低価格で提供し得るよ
うにすることを目的としている。
以下実施例について詳細に説明する。
第１図は本発明のハイブリッドＩＣの一実施例を表す断
面図であシ、１は絶縁基板、２は導体回路、３は外付部
品、４は印刷抵抗、５は印刷抵抗リード、６は無機絶縁
物層、７は半田、８は外部リードである。
面図であシ、１は絶縁基板、２は導体回路、３は外付部
品、４は印刷抵抗、５は印刷抵抗リード、６は無機絶縁
物層、７は半田、８は外部リードである。
本実施例のハイブリッドＩＣは、同図に示すように、絶
縁基板１上に導体回路２．外付回路６蝉ｔ−搭載し所定
の配線を終えたハイプリントＩＣ本体の外部リード８部
分を除く部分を、無機絶縁物層６で被覆したものである
。
縁基板１上に導体回路２．外付回路６蝉ｔ−搭載し所定
の配線を終えたハイプリントＩＣ本体の外部リード８部
分を除く部分を、無機絶縁物層６で被覆したものである
。
無機絶縁物は、水分ｔ−透過し難い電気絶縁性の物質で
めシ、完全緻密な被覆層を形成することが可能であると
共に材料価格も安価でおる。本発明はこのような性質ヲ
廟する無機絶縁物を防湿材料として用い、耐湿性の向上
とその低価格化を達成したものである。無機絶縁物層６
の材質としては、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、
酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化アルミニウム、窒
化ホウ素或いはこれらの混合物例えば酸化アルミニウム
と酸化ケイ素との混合物などが好適であることが確認さ
れた。
めシ、完全緻密な被覆層を形成することが可能であると
共に材料価格も安価でおる。本発明はこのような性質ヲ
廟する無機絶縁物を防湿材料として用い、耐湿性の向上
とその低価格化を達成したものである。無機絶縁物層６
の材質としては、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、
酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化アルミニウム、窒
化ホウ素或いはこれらの混合物例えば酸化アルミニウム
と酸化ケイ素との混合物などが好適であることが確認さ
れた。
無機絶縁物層６を被覆する為の方法としては、真空雰囲
気或いは減圧気相中において析出させる方法が種々の実
用規模で適用できる。例えば、スパッタリング法、イオ
ンブレーティング法、活性化反応蒸着法、プラズマＣＶ
Ｄ法等が適用できる。
気或いは減圧気相中において析出させる方法が種々の実
用規模で適用できる。例えば、スパッタリング法、イオ
ンブレーティング法、活性化反応蒸着法、プラズマＣＶ
Ｄ法等が適用できる。
これらの方法は、被覆材料の種類に応じて使い分けるこ
とが可能で、例えば酸素雰囲気でアルミニウムをターゲ
ットとした直流スパッタリング法により酸化アルミニウ
ム全析出させることが可能であり、また酸化アルミニウ
ム全やや酸素を含む減圧雰囲気でプラズマＣＶＤ法によ
ｐ析出させることができる。これらに共通して菖えるこ
とは、析出条件として、雰囲気の真空度が１０ Ｔａｒ
ｔ〜１０ Ｔｏｒｒという範囲に限定されるという点、
及び基板温度全２５０°Ｃ以下に維持して行なう必要が
ある点である。これは、より筒真空な条件下においては
析出被膜の均一な形成が期待できず、一方より低真空な
条件下では緻密な析出物會得ることが困難であることに
よる。また、２５０°Ｃ以下に維持するのは、これ以上
の温度ではそれ以前の工程で行なわれた抵抗トリミング
などの調整によシ仕上げた性能が変動すること、熱膨張
、収縮の材質差から被膜が割れたり、剥離しｆｃシする
こと及び素子、接着剤の劣化を防止する為で必る。
とが可能で、例えば酸素雰囲気でアルミニウムをターゲ
ットとした直流スパッタリング法により酸化アルミニウ
ム全析出させることが可能であり、また酸化アルミニウ
ム全やや酸素を含む減圧雰囲気でプラズマＣＶＤ法によ
ｐ析出させることができる。これらに共通して菖えるこ
とは、析出条件として、雰囲気の真空度が１０ Ｔａｒ
ｔ〜１０ Ｔｏｒｒという範囲に限定されるという点、
及び基板温度全２５０°Ｃ以下に維持して行なう必要が
ある点である。これは、より筒真空な条件下においては
析出被膜の均一な形成が期待できず、一方より低真空な
条件下では緻密な析出物會得ることが困難であることに
よる。また、２５０°Ｃ以下に維持するのは、これ以上
の温度ではそれ以前の工程で行なわれた抵抗トリミング
などの調整によシ仕上げた性能が変動すること、熱膨張
、収縮の材質差から被膜が割れたり、剥離しｆｃシする
こと及び素子、接着剤の劣化を防止する為で必る。
なお、ハイブリッドＩＣ本体の所要部分のみに無機絶縁
物を被覆する方法としては、 （１）所要部分のみに開口を持つ遮蔽板全基板上にセッ
トする。
物を被覆する方法としては、 （１）所要部分のみに開口を持つ遮蔽板全基板上にセッ
トする。
（２）所要部分のみに一口金設け、他の部分は遮蔽する
ようなスクリーン印刷或いはフォトレジスト法による遮
蔽物層を予め設け、無機絶縁物層をこの上に設けた後、
例えば溶剤を用いて遮蔽物層と該遮蔽物Ｊ−上に設けた
無機絶縁物層を除去する。
ようなスクリーン印刷或いはフォトレジスト法による遮
蔽物層を予め設け、無機絶縁物層をこの上に設けた後、
例えば溶剤を用いて遮蔽物層と該遮蔽物Ｊ−上に設けた
無機絶縁物層を除去する。
方法及びこれに類する方法を採用することができる。
また第１図において、無機絶縁物層６の厚さは被処理物
の形状、捩水性能に依存するので一律に述べることはで
きないが、好ましｌｊ：０．１μ倶以上であることが望
ましい。一方、１０μ濯以上という被膜厚さは必ずしも
不都合ということはないが本発明の効釆會得るためには
十分過ぎる値であシ、１〜２μ悔程度で十分な効果を示
すことが可能でおる。
の形状、捩水性能に依存するので一律に述べることはで
きないが、好ましｌｊ：０．１μ倶以上であることが望
ましい。一方、１０μ濯以上という被膜厚さは必ずしも
不都合ということはないが本発明の効釆會得るためには
十分過ぎる値であシ、１〜２μ悔程度で十分な効果を示
すことが可能でおる。
〈具体例〉
窒化ホウ＊全ターゲットとし、アルゴン９５容積゛−一
窒素５容積チの組成のガス全２ Ｘ １０−’ Ｔａｒ
γ含む真空雰囲気中で、ＲＦスパッタリング法によシ、
アルミニウムワイヤボンド部を持つハイブリッドＩＣ本
体表面に、窒化ホウ素ｔ０．２μｍ被覆した。
窒素５容積チの組成のガス全２ Ｘ １０−’ Ｔａｒ
γ含む真空雰囲気中で、ＲＦスパッタリング法によシ、
アルミニウムワイヤボンド部を持つハイブリッドＩＣ本
体表面に、窒化ホウ素ｔ０．２μｍ被覆した。
この場合のワイヤボンドのベースｉｊ一方がシリコント
ランジスターＦのアルミニウム配線でおり、他方は銅箔
上にニッケルめっきを施したものである。
ランジスターＦのアルミニウム配線でおり、他方は銅箔
上にニッケルめっきを施したものである。
このようにして製造したハイプリントＩＣｆ、窒化ホウ
素抜ｅｉヲ施さなかったものと共に、相対湿度９０％、
８５°Ｃの雰囲気中に１週間放置した後、取出して回路
の腐食状況音調べたところ、窒化ホムワイヤボンドを施
した近くのトランジスタ上のアルミ配線及び銅箔回路と
アルミニウムボンディングワイヤとの接触界面に腐食が
起っているのが確認された。
素抜ｅｉヲ施さなかったものと共に、相対湿度９０％、
８５°Ｃの雰囲気中に１週間放置した後、取出して回路
の腐食状況音調べたところ、窒化ホムワイヤボンドを施
した近くのトランジスタ上のアルミ配線及び銅箔回路と
アルミニウムボンディングワイヤとの接触界面に腐食が
起っているのが確認された。
第２図は本発明の別の実施例全表す断面図で必夛、第１
図と同一符号は同一部分全示し、９は被積層である。こ
の実施例は第１図に不すハイブリッドＩＣｔ−１更に樹
脂、セシミコク、金属のいずれか又はこれらの組合せか
ら藩る被積層９で封止したものでメジ、耐湿性金さらに
向上できる。
図と同一符号は同一部分全示し、９は被積層である。こ
の実施例は第１図に不すハイブリッドＩＣｔ−１更に樹
脂、セシミコク、金属のいずれか又はこれらの組合せか
ら藩る被積層９で封止したものでメジ、耐湿性金さらに
向上できる。
以上説明したように、本発明は、基板上に部品を搭載し
配線ケ終えたハイブリッドＩＣ本体の所要部分に水に不
溶性な無機絶縁物層會被横したものであｐ１良好な耐湿
性を付与できると共に、その被覆工程が簡単で被櫟材料
価格も安価であるので、低価格な・・イブリッドＩＣの
提供が可能となるものでおる。
配線ケ終えたハイブリッドＩＣ本体の所要部分に水に不
溶性な無機絶縁物層會被横したものであｐ１良好な耐湿
性を付与できると共に、その被覆工程が簡単で被櫟材料
価格も安価であるので、低価格な・・イブリッドＩＣの
提供が可能となるものでおる。
第１図及び第２図は本発明のそれぞれ異なる実施例を表
す断面図でおる。 １は絶縁基板、２は導体回路、６は外付部品、４は印刷
抵抗、５は印刷抵抗リード、６Ｆｉ、無機絶縁物層、７
は半田、８は外部リード、９は被覆層である。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士玉蟲久五部
す断面図でおる。 １は絶縁基板、２は導体回路、６は外付部品、４は印刷
抵抗、５は印刷抵抗リード、６Ｆｉ、無機絶縁物層、７
は半田、８は外部リード、９は被覆層である。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士玉蟲久五部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）基板上に部品を搭載し配置ｔ終えたハイブリッド
ＩＣ本体の所要部分が水に不溶性な無機絶縁物層で被覆
されていることを％黴とする・・イブリッ ド ＩＣ
０ （２、特許請求の範囲第１項記載のハイブリッドＩＣに
おいて、前記無機絶縁物層が、酸化べＩＪ ＩＪウム、
酸化マグイシウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒
化アルミニウム、態化ホウ素又はこれらの混合物のいず
れかにより構成きれていることｔ特徴とするノヘイブリ
ッドＩＣ０ （３）基板上に部品を搭載し配線を終えたハイブリッド
ＩＣ本体の所要部分が水に不溶性な無機絶縁物層で被覆
されているハイブリッドＩＣの製造方法において、真空
度１０” Ｔｏｒｒ 〜１０ ” １’ｏｒｒの範囲の
スパッタリング法、イオンフレーティンク法、ｇ性化反
応蒸着法、プラズマＣＶＤ法のいずれかの方法により、
基板温度１２５０°Ｃ以下に維持して前記無機絶縁物層
の被覆管行なう工程を含むことを特徴トするノ・イブリ
ッドＩＣの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2495182A JPS58141591A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | ハイブリツドｉｃ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2495182A JPS58141591A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | ハイブリツドｉｃ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58141591A true JPS58141591A (ja) | 1983-08-22 |
Family
ID=12152301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2495182A Pending JPS58141591A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | ハイブリツドｉｃ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58141591A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6054368U (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-16 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路 |
-
1982
- 1982-02-18 JP JP2495182A patent/JPS58141591A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6054368U (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-16 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路 |
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