JPS58141386A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS58141386A JPS58141386A JP2110782A JP2110782A JPS58141386A JP S58141386 A JPS58141386 A JP S58141386A JP 2110782 A JP2110782 A JP 2110782A JP 2110782 A JP2110782 A JP 2110782A JP S58141386 A JPS58141386 A JP S58141386A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chain
- flat plate
- sputtering
- evaporation source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、真空容器内に蒸着を受ける複数個の基板を回
転体に支持し、平板型蒸発源の前面を通過させることに
より膜形成を行なわせるスパッタリング装置の改ｊｌＬ
Ｋ係り、特に大基板において、膜形成を均一に行なうよ
うにしたスパッタリング装置に関する。
転体に支持し、平板型蒸発源の前面を通過させることに
より膜形成を行なわせるスパッタリング装置の改ｊｌＬ
Ｋ係り、特に大基板において、膜形成を均一に行なうよ
うにしたスパッタリング装置に関する。
この技術分野における技術指向として、例えば、ＦＡＸ
、サーマルヘッド或は太陽電池など大型基板化の傾向に
あり、この大型基板への均一な薄膜形成技術が要求され
つつある。
、サーマルヘッド或は太陽電池など大型基板化の傾向に
あり、この大型基板への均一な薄膜形成技術が要求され
つつある。
従来より行なわれているスパッタリング装置としては、
二つの型式がある。
二つの型式がある。
その一つとしては、回転する多角柱の側面に蒸着を受け
る基板を複数枚取り付け、多角柱を回転させることによ
って、その基板を同一蒸発源前面を順次複数回通過させ
、膜形成を数Ｐａ程度の比較的高動作圧下で行なうもの
である０この装置を利用して、大型基板に膜形成を行な
う場合は、多角柱の回転に伴なって、平板蒸発源に対す
る基板の対向角度が変ることになりこのことは、平板型
蒸発源と基板との距離が、基板中央部と端部とで異るこ
ととなり、スパッタリング装置のプラズマ分布がたとえ
均一であっても基板中央部と端部とで膜の厚さが異なる
ことになる。
る基板を複数枚取り付け、多角柱を回転させることによ
って、その基板を同一蒸発源前面を順次複数回通過させ
、膜形成を数Ｐａ程度の比較的高動作圧下で行なうもの
である０この装置を利用して、大型基板に膜形成を行な
う場合は、多角柱の回転に伴なって、平板蒸発源に対す
る基板の対向角度が変ることになりこのことは、平板型
蒸発源と基板との距離が、基板中央部と端部とで異るこ
ととなり、スパッタリング装置のプラズマ分布がたとえ
均一であっても基板中央部と端部とで膜の厚さが異なる
ことになる。
著しい場合には、基板の中央部と端部の膜の厚さの比が
２：１にもなることがある。
２：１にもなることがある。
第２の形式として、蒸着を受ける基板を載置する基板固
定台を蒸発源表面と平行になるように配設して、蒸発源
表面と基板とが常に平行になるようにし、基板全面にわ
たって、蒸発源表面との距離が同一になるようにした平
行平板型のものがある０ この平行平板型のものであれシ、−広大型基板であって
も、均一に膜形−を行なうことができる。
定台を蒸発源表面と平行になるように配設して、蒸発源
表面と基板とが常に平行になるようにし、基板全面にわ
たって、蒸発源表面との距離が同一になるようにした平
行平板型のものがある０ この平行平板型のものであれシ、−広大型基板であって
も、均一に膜形−を行なうことができる。
しかしながら、これら従来のスノくツタリング装置を用
いて、大型基板に均一に膜を形成するには、次のような
問題点がある。
いて、大型基板に均一に膜を形成するには、次のような
問題点がある。
すなわち、前者のスパッタリング装置において、基板と
蒸発源との間の距離の違いに起因して発生する膜厚分布
を小さくする為には、膜形成速度を犠牲にして、基板と
蒸発源との間の距離を大きくとるか、或は、基板を取り
付ける多角柱を大きくする必要がある。
蒸発源との間の距離の違いに起因して発生する膜厚分布
を小さくする為には、膜形成速度を犠牲にして、基板と
蒸発源との間の距離を大きくとるか、或は、基板を取り
付ける多角柱を大きくする必要がある。
また、後者の平行平板型スパッタリング装置において、
基板固定台に大基板を載置するためには、基板固定台を
大面積化する必要がある０これらはいづれも、真空容器
の容量の増大を意味し、特別な単一品種の大量生産以外
は、高い生産性を期待することができないという問題が
ある。
基板固定台に大基板を載置するためには、基板固定台を
大面積化する必要がある０これらはいづれも、真空容器
の容量の増大を意味し、特別な単一品種の大量生産以外
は、高い生産性を期待することができないという問題が
ある。
本発明の目的は、大形基板に適用した場合の従来技術の
問題点を解決し、特に大容量の真空容器を使用すること
なく、多数の大形基板を連続的にスパッタリングするこ
とができ、その上膜厚や組成の均一性を保持し、薄膜製
品の品質を確保すると共に、生産性の向上をも可能にし
たスパッタリング装置を提供するにある。
問題点を解決し、特に大容量の真空容器を使用すること
なく、多数の大形基板を連続的にスパッタリングするこ
とができ、その上膜厚や組成の均一性を保持し、薄膜製
品の品質を確保すると共に、生産性の向上をも可能にし
たスパッタリング装置を提供するにある。
即ち本発明は、従来の多角柱形式のように、多角柱を回
転させるのではなく、基板を移動させるようＫして、基
板と平板型蒸発源との間の距離を一定にするようにし、
多角柱の回転角度に起因して発生する薄膜分布の不均一
さを解消し、且つ小形化にして連続的にスパッタリング
・を行なえるようにしたものであって、両端に回転可能
にローラを設けた複数本の軸を、上下２枚の固定カムで
挾持して上記軸を立設し、このように立設された軸のロ
ーラに、エンドレスなチェーンを張設し、このチェーン
に基板固定台固定治具を介して、軸間に張設されたチェ
ーンに平行になるように基板固定台を取り付け、一方軸
間に張設したチェーンに平行に一定距離離間して平板型
蒸発源を設け、チェーン駆動装置によってチェーンを駆
動し、基板固定台に固定した基板を、平板型蒸発源に平
行に順次通過させ、スパッタリングを行なうようにした
ことを特徴とするものである。
転させるのではなく、基板を移動させるようＫして、基
板と平板型蒸発源との間の距離を一定にするようにし、
多角柱の回転角度に起因して発生する薄膜分布の不均一
さを解消し、且つ小形化にして連続的にスパッタリング
・を行なえるようにしたものであって、両端に回転可能
にローラを設けた複数本の軸を、上下２枚の固定カムで
挾持して上記軸を立設し、このように立設された軸のロ
ーラに、エンドレスなチェーンを張設し、このチェーン
に基板固定台固定治具を介して、軸間に張設されたチェ
ーンに平行になるように基板固定台を取り付け、一方軸
間に張設したチェーンに平行に一定距離離間して平板型
蒸発源を設け、チェーン駆動装置によってチェーンを駆
動し、基板固定台に固定した基板を、平板型蒸発源に平
行に順次通過させ、スパッタリングを行なうようにした
ことを特徴とするものである。
以下その詳細を図に示した実施例をもとに説明する。先
ず、本発明の要部を斜視図で示した第１図において、軸
９０両端にローラ８を回転可能に取り付けている。この
軸９を複数本（本実施例では４本）を上下カム２によっ
て立設挾持している。３はエンドレスなチェーンでアラ
て、立設挾持されている軸９０両端に設けられたローラ
８に、張設されている。４は、上下一対の基板固定台固
定治具であって、チェーン３に固定されており、さらに
この基板固定台固定治具４に、基板固定台１５が固定さ
れている。この基板固定台１３は、軸９と９との間に張
設されたチェーン３と平行になるように固定される。・
１は平板型蒸発源であって、軸９と９との間に張設され
たチェーン３に平行になるように、一定距離離間して配
設されている。本実施例の場合は、２ケの平板型蒸発源
１が配設されている。
ず、本発明の要部を斜視図で示した第１図において、軸
９０両端にローラ８を回転可能に取り付けている。この
軸９を複数本（本実施例では４本）を上下カム２によっ
て立設挾持している。３はエンドレスなチェーンでアラ
て、立設挾持されている軸９０両端に設けられたローラ
８に、張設されている。４は、上下一対の基板固定台固
定治具であって、チェーン３に固定されており、さらに
この基板固定台固定治具４に、基板固定台１５が固定さ
れている。この基板固定台１３は、軸９と９との間に張
設されたチェーン３と平行になるように固定される。・
１は平板型蒸発源であって、軸９と９との間に張設され
たチェーン３に平行になるように、一定距離離間して配
設されている。本実施例の場合は、２ケの平板型蒸発源
１が配設されている。
を九チェーン５の駆動機構は、ＩＦ１図及び、ＩＦ５図
に示すように、固定カム２，２に軸受１０を介して回転
軸１１が軸支され、この回転軸１１には、歯車１４が装
着されている。歯車１５は、歯車１４とチェーン３に噛
み合うように軸１６によって回転可能なように設けられ
、真空底板１２の下部に設けられたモータ７によって回
転する回転軸１１の回転を、歯車１４．１５を介してチ
ェーン３に伝達し、チェーン３を駆動するようになって
いる。
に示すように、固定カム２，２に軸受１０を介して回転
軸１１が軸支され、この回転軸１１には、歯車１４が装
着されている。歯車１５は、歯車１４とチェーン３に噛
み合うように軸１６によって回転可能なように設けられ
、真空底板１２の下部に設けられたモータ７によって回
転する回転軸１１の回転を、歯車１４．１５を介してチ
ェーン３に伝達し、チェーン３を駆動するようになって
いる。
１７はスリットであって、平板型蒸発源１と、基板固定
台１３との間に介在させ、平板型蒸発源１の部分をスリ
ット状に開口させ、平板型蒸発源１のスパッタリング領
域を制限している。
台１３との間に介在させ、平板型蒸発源１の部分をスリ
ット状に開口させ、平板型蒸発源１のスパッタリング領
域を制限している。
次に第３図に全体構成を示す。即ち、第１図および第２
図で説明した装置は、真空容器１８内に収納されている
○この真空容器１８内は、拡散ポンプ１９により所要の
真空圧力に保持される０またスパッタリング時は、油回
転ポンプ２０も使用する。２１は真空容器１８内を所要
ガス雰囲気に：。
図で説明した装置は、真空容器１８内に収納されている
○この真空容器１８内は、拡散ポンプ１９により所要の
真空圧力に保持される０またスパッタリング時は、油回
転ポンプ２０も使用する。２１は真空容器１８内を所要
ガス雰囲気に：。
保った峠の動作ガス貯蔵器であり、２２は、平板型蒸発
源１の電源である０なお６は、基板固定台１３に固定さ
れた基板である０ 以上のように構成した本実施例の作用を次に説明する。
源１の電源である０なお６は、基板固定台１３に固定さ
れた基板である０ 以上のように構成した本実施例の作用を次に説明する。
モータ７を駆動することによって、チェーン５は、ロー
ラ８にガイドされて駆動する。このチェーン３の駆動に
よって、基板６は移行する。
ラ８にガイドされて駆動する。このチェーン３の駆動に
よって、基板６は移行する。
この基板６の移行は、第２図に示すように、軸９．９間
を移行している間は、軸９．９間に張設されたチェーン
３に沿って移行し、平板型蒸発源１に平行して移行する
。この間にスパッタリングが行なわれる。次に基板１が
、軸９の近くに移行し、基板１が回転し始める位置に来
た時は、完全に平板型蒸発源１のスパッタリング領域か
ら外れ九位置にある。さらにスリット１７によって、ス
パッタリング領域を制限し、基板・６と平板蒸発源１と
が、完全に平行になっている間だけスパッタリングを行
なわせしめる。
を移行している間は、軸９．９間に張設されたチェーン
３に沿って移行し、平板型蒸発源１に平行して移行する
。この間にスパッタリングが行なわれる。次に基板１が
、軸９の近くに移行し、基板１が回転し始める位置に来
た時は、完全に平板型蒸発源１のスパッタリング領域か
ら外れ九位置にある。さらにスリット１７によって、ス
パッタリング領域を制限し、基板・６と平板蒸発源１と
が、完全に平行になっている間だけスパッタリングを行
なわせしめる。
例えば、多角柱方式のように、基板６を固定し、固定カ
ム２．を軸１１を中心に回転した場合□、平板型蒸発源
１に対して基板６が回転角度に伴々つで傾くと−とにな
り完全に両者を平行状態にして、平板型蒸発源１の前面
を通過させることができない。また軸１１を中心に固定
カム２を回転させるに必要な広い空間を必要とする。
ム２．を軸１１を中心に回転した場合□、平板型蒸発源
１に対して基板６が回転角度に伴々つで傾くと−とにな
り完全に両者を平行状態にして、平板型蒸発源１の前面
を通過させることができない。また軸１１を中心に固定
カム２を回転させるに必要な広い空間を必要とする。
以上詳述した通り本発明によれば、両端にローラを備え
た軸を複数個立設し、このローラにチェーンを張設して
、基板を移行させるようにしたので、基板と平板蒸発源
とを完全に平行にした状態で、基板を移行させることが
でき、大形基板への膜形成を均一にすることができる。
た軸を複数個立設し、このローラにチェーンを張設して
、基板を移行させるようにしたので、基板と平板蒸発源
とを完全に平行にした状態で、基板を移行させることが
でき、大形基板への膜形成を均一にすることができる。
又軸間距離を大きく取ることによって、基板の平行移動
距離を任意に大きくすることができ、真空容器の容積を
大きくすることなく、大形基板への適用が可能となり、
しかも連続的にスパッタリングすることができ、生産性
の向上をも計ることができるなどその効果は、顕著なも
のがある。
距離を任意に大きくすることができ、真空容器の容積を
大きくすることなく、大形基板への適用が可能となり、
しかも連続的にスパッタリングすることができ、生産性
の向上をも計ることができるなどその効果は、顕著なも
のがある。
第１図乃至第３図は本願実施例であり、第１図は、本発
明の要部を示す斜視図、第２図は平面図であり、基板の
移２行状態を主に示した状態説明図、第３図は、スパッ
タリング装置全体を示した側面図である。 １・・・平板蒸発源 ２・・・固定カム３・・・チ
ェーン ４・・・基板固定台固定治具 ５・・・基板固定治具 ６・・・基板８・・・ローラ
９−・軸 １１・・・回転軸 １３・・・基板固定台１７
・・・スリット 劉１０ 糖２（ｉ２１
明の要部を示す斜視図、第２図は平面図であり、基板の
移２行状態を主に示した状態説明図、第３図は、スパッ
タリング装置全体を示した側面図である。 １・・・平板蒸発源 ２・・・固定カム３・・・チ
ェーン ４・・・基板固定台固定治具 ５・・・基板固定治具 ６・・・基板８・・・ローラ
９−・軸 １１・・・回転軸 １３・・・基板固定台１７
・・・スリット 劉１０ 糖２（ｉ２１
Claims (1)
- 真空容器内に複数個の蒸着を受ける基板を回転体に支持
し、平板型蒸発源の前面を順次複数回通過させることに
より膜形成を行なわせるスパッタリング装置において、
両端に四−ラを軸支し丸軸を複数本立設し、該軸を上下
２枚の固定カムで挾持し、前記ローラにエンドレスなチ
ェーンを張設し、該チェーンに基板固定台固定治具を介
して軸間に張設されたチェーンに平行に基板固定台を取
付け、一方軸間に張設したチェーンに平行に一定距離離
間して平板型蒸発源を設け、駆動装置によって、チェー
ンを駆動し基板固定台に固定した基板を平板型蒸発源に
平行に屓次通過させるようにし九スパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2110782A JPS58141386A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2110782A JPS58141386A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58141386A true JPS58141386A (ja) | 1983-08-22 |
Family
ID=12045648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2110782A Pending JPS58141386A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58141386A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017104826A1 (ja) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
| US20180282860A1 (en) * | 2015-12-07 | 2018-10-04 | Simon Lau | Holding arrangement for holding a substrate during substrate processing in a vacuum processing chamber, carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber, and method for holding a substrate |
-
1982
- 1982-02-15 JP JP2110782A patent/JPS58141386A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180282860A1 (en) * | 2015-12-07 | 2018-10-04 | Simon Lau | Holding arrangement for holding a substrate during substrate processing in a vacuum processing chamber, carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber, and method for holding a substrate |
| WO2017104826A1 (ja) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
| JP6255544B2 (ja) * | 2015-12-17 | 2017-12-27 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
| US10994938B2 (en) | 2015-12-17 | 2021-05-04 | Ulvac, Inc. | Vacuum processing device |
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