JPS5814050B2 - 高密度フエライトの製造法 - Google Patents
高密度フエライトの製造法Info
- Publication number
- JPS5814050B2 JPS5814050B2 JP52141376A JP14137677A JPS5814050B2 JP S5814050 B2 JPS5814050 B2 JP S5814050B2 JP 52141376 A JP52141376 A JP 52141376A JP 14137677 A JP14137677 A JP 14137677A JP S5814050 B2 JPS5814050 B2 JP S5814050B2
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- Japan
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- ferrite
- powder
- density
- oxygen
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- Soft Magnetic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、磁気ヘッド用の高密度フエライトの製造法
に関する。
に関する。
磁気ヘッド用のフエライトに気孔が存在すると、テープ
摺動時にその気孔がヘッド損傷の発端となり、磁気ヘッ
ドの特性を劣化すると共に、テープを損傷するから好ま
しくない。
摺動時にその気孔がヘッド損傷の発端となり、磁気ヘッ
ドの特性を劣化すると共に、テープを損傷するから好ま
しくない。
このため、磁気ヘッド用のフエライトとしては高密度で
、気孔の少ないことが要求される。
、気孔の少ないことが要求される。
このような高密度フエライトを得る方法としては、真空
焼結法（特公昭４７−１５１９４号）、ホットプレス法
（特公昭４４−２０５５０号）、及び熱間静水圧プレス
法（特開昭４９−１２８２９６号）等が知られている。
焼結法（特公昭４７−１５１９４号）、ホットプレス法
（特公昭４４−２０５５０号）、及び熱間静水圧プレス
法（特開昭４９−１２８２９６号）等が知られている。
これらのうち、熱間静水圧プレス法（以下ＨＩＰ法と略
称する）が、気孔をなくする点において他の方法よりす
ぐれており又生産性もよい。
称する）が、気孔をなくする点において他の方法よりす
ぐれており又生産性もよい。
このＨＩＰ法は前工程としての一次焼結を必要とし、得
られた焼結体を高温、高圧の不活性ガス雰囲気中で処理
するものである。
られた焼結体を高温、高圧の不活性ガス雰囲気中で処理
するものである。
しかしながら、ＨＩＰ法は高圧容器及び発熱体の酸化防
止のため、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス中
で処理され、かつ発熱体等が酸素ゲツターとして作用す
るため、Ｍｎ−Ｚｎフエライト及びＮｉ−Ｚｎフエライ
トに対して還元性雰囲気となり、フエライトの酸素量は
化学量論的な量からずれ、磁気特性の劣化が著しい。
止のため、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス中
で処理され、かつ発熱体等が酸素ゲツターとして作用す
るため、Ｍｎ−Ｚｎフエライト及びＮｉ−Ｚｎフエライ
トに対して還元性雰囲気となり、フエライトの酸素量は
化学量論的な量からずれ、磁気特性の劣化が著しい。
これらの欠陥を除くため、磁気ヘッド用として使用され
るフエライトに対しては平衡雰囲気での焼なましが必要
であった。
るフエライトに対しては平衡雰囲気での焼なましが必要
であった。
この発明は、かかる問題点を解消し、熱間静水圧プレス
処理後の焼なましを必要としない方法を提案するもので
ある。
処理後の焼なましを必要としない方法を提案するもので
ある。
すなわち、この発明は、酸化鉄に酸化亜鉛と炭酸マンガ
ン又は酸化鉄に酸化亜鉛と酸化ニッケルを配合した原料
粉末を所要形状に成形して、酸化性雰囲気中で一次焼結
し、この焼結体原料と同一組成で同一処理を行ったフエ
ライト粉末中に焼結体を埋めて熱間静水圧プレス処理を
行ない、すぐれた磁気特性を有する高密度フエライトを
得る方法である。
ン又は酸化鉄に酸化亜鉛と酸化ニッケルを配合した原料
粉末を所要形状に成形して、酸化性雰囲気中で一次焼結
し、この焼結体原料と同一組成で同一処理を行ったフエ
ライト粉末中に焼結体を埋めて熱間静水圧プレス処理を
行ない、すぐれた磁気特性を有する高密度フエライトを
得る方法である。
この発明において、焼結体を埋め込んだフエライト粉末
は、熱間静水圧プレス処理後も粉末のままで焼結体と容
易に分離できる。
は、熱間静水圧プレス処理後も粉末のままで焼結体と容
易に分離できる。
この発明における一次焼結の際の酸化性雰囲気としては
、酸素と窒素等の不活性ガスとの混合ガスを使用するが
、実験の結果、Ｍｎ−Ｚｎ系フエライト成形体に対して
は酸素２〜１０％、残部不活性ガスの混合ガスが有効で
あり、酸素が２％未満又は１０％を越える場合には透磁
率が著しく減少し、気孔率が高くなり、又Ｎｉ−Ｚｎ系
フエライト成形体に対しては不活性ガスを含む雰囲気で
は透磁率、気孔率の改善ができず１００％の酸素を１〜
２気圧で使用することが最も効果的なることを知った。
、酸素と窒素等の不活性ガスとの混合ガスを使用するが
、実験の結果、Ｍｎ−Ｚｎ系フエライト成形体に対して
は酸素２〜１０％、残部不活性ガスの混合ガスが有効で
あり、酸素が２％未満又は１０％を越える場合には透磁
率が著しく減少し、気孔率が高くなり、又Ｎｉ−Ｚｎ系
フエライト成形体に対しては不活性ガスを含む雰囲気で
は透磁率、気孔率の改善ができず１００％の酸素を１〜
２気圧で使用することが最も効果的なることを知った。
以下、この発明の実施例について説明する。
実施例 １
酸化鉄５ １．７モル％、炭酸マンガン２７．３モル％
、酸化亜鉛２１モル％をボールミルに入れ、分散媒体と
して水を用いて１２時間攪拌混合して乾燥し、空気中で
８５０℃に３時間加熱して仮焼成を行ない、さらに水を
分散媒体として使用し、ボールミルで２０時間粉砕して
粒度約１μｍの粉体とした。
、酸化亜鉛２１モル％をボールミルに入れ、分散媒体と
して水を用いて１２時間攪拌混合して乾燥し、空気中で
８５０℃に３時間加熱して仮焼成を行ない、さらに水を
分散媒体として使用し、ボールミルで２０時間粉砕して
粒度約１μｍの粉体とした。
次いで、この原料粉体を３６φ×２４φ×６ｍｍに成形
して一次焼結を行った。
して一次焼結を行った。
この際の雰囲気ガスには純窒素、１％、２％、５％、１
０％の酸素を含む窒素及び空気を使って、それぞれ１１
７５℃で４時間処理し、冷却は純窒素中で行った。
０％の酸素を含む窒素及び空気を使って、それぞれ１１
７５℃で４時間処理し、冷却は純窒素中で行った。
この一次焼結した後の１ＫＨＺにおける透磁率及び気孔
率を試験した結果を第１表に示す。
率を試験した結果を第１表に示す。
次いで、これらの一次焼結体をそのまま、又は焼結体と
同一組成で同一処理を行った−１４メッシュのフエライ
ト粉のなかに焼結体を埋めこみ、温度１１００℃、圧力
１０００ｋｇ／ｃｍ２のアルゴンガス中で１時間ＨＩＰ
処理して、各試料について透磁率及び気孔率を試験した
。
同一組成で同一処理を行った−１４メッシュのフエライ
ト粉のなかに焼結体を埋めこみ、温度１１００℃、圧力
１０００ｋｇ／ｃｍ２のアルゴンガス中で１時間ＨＩＰ
処理して、各試料について透磁率及び気孔率を試験した
。
その結果を第２表この結果より、フエライト粉末を埋め
こまずにＨＩＰ処理を行った場合には、密度は向上する
が、還元されて磁気特性が著しく劣化するに対し、この
発明の実施によりフエライト粉中に焼結体を埋めこんで
ＨＩＰ処理を行った場合には、焼結体自体が同一組成、
同一酸素度の粉末におおわれでいるため、ＨＩＰ処理中
に還元される度合がゆるやかで、酸素量２〜１０％を含
む酸化性雰囲気で一次焼結を行ったものは、ＨＩＰ処理
により密度が向上し、ほぼ理論密度に対し１００％にな
るとともに磁気特性が著しく向上することがわかる。
こまずにＨＩＰ処理を行った場合には、密度は向上する
が、還元されて磁気特性が著しく劣化するに対し、この
発明の実施によりフエライト粉中に焼結体を埋めこんで
ＨＩＰ処理を行った場合には、焼結体自体が同一組成、
同一酸素度の粉末におおわれでいるため、ＨＩＰ処理中
に還元される度合がゆるやかで、酸素量２〜１０％を含
む酸化性雰囲気で一次焼結を行ったものは、ＨＩＰ処理
により密度が向上し、ほぼ理論密度に対し１００％にな
るとともに磁気特性が著しく向上することがわかる。
これは、埋めこみ用のフエライト粉がＨＩＰ処理の際、
炉内雰囲気に対し緩衝物として働き、焼結物に対し平衡
雰囲気を作るためである。
炉内雰囲気に対し緩衝物として働き、焼結物に対し平衡
雰囲気を作るためである。
実施例 ２
酸化鉄４ ９．５モル％、酸化ニッケル１８．５モル条
、酸化亜鉛３２モル％をボールミルに入れ、分散媒体と
して水を用いて１２時間攪拌混合して乾燥し、空気中で
９００℃Ｋ３時間加熱して仮焼成を行ない、さらに水を
分散媒体として使用し、ボールミルで２０時間粉砕して
粒度約１μｍの粉体とした。
、酸化亜鉛３２モル％をボールミルに入れ、分散媒体と
して水を用いて１２時間攪拌混合して乾燥し、空気中で
９００℃Ｋ３時間加熱して仮焼成を行ない、さらに水を
分散媒体として使用し、ボールミルで２０時間粉砕して
粒度約１μｍの粉体とした。
次いで、゜この原料粉体を１２φ×７，２φ×２．５ｍ
ｍに成形して一次焼結を行った。
ｍに成形して一次焼結を行った。
この際の雰囲気は空気、１気圧酸素、１．５気圧酸素、
及び２気圧酸素を使い、それぞれ１２００℃で２時間処
理した。
及び２気圧酸素を使い、それぞれ１２００℃で２時間処
理した。
冷却は空気中で行った。この一次焼結した後の０．１Ｍ
ＨＺにおける透磁率及び気孔率を試験した結果を第３表
に示す。
ＨＺにおける透磁率及び気孔率を試験した結果を第３表
に示す。
次いで、これらの一次焼結体をそのまま、又は焼結体と
同一組成で同一処理を行った−１４メッシュのフエライ
ト粉のなかに焼結体を埋めこみ、温度１２００℃、圧力
１０００ｋｇ／ｃｍ２のアルゴンガス中で１時間ＨＩＰ
処理して、各試料について透磁率及び気孔率を試験した
。
同一組成で同一処理を行った−１４メッシュのフエライ
ト粉のなかに焼結体を埋めこみ、温度１２００℃、圧力
１０００ｋｇ／ｃｍ２のアルゴンガス中で１時間ＨＩＰ
処理して、各試料について透磁率及び気孔率を試験した
。
その結果を第４表に示す。
このＮｉ−Ｚｎ系フエライトにおいても、実施例１のＭ
ｎ−Ｚｎ系フエライトで同様、フエライト粉に埋めこま
ずにＨＩＰ処理した場合には還元されて磁気特性が著し
く劣化するが、この発明の実施によりフエライト粉中に
埋めこんでＨＩＰ処理した場合には、一次焼結を１〜２
気圧の酸素雰囲気中で行ったものは、ＨＩＰにより密度
が向上し、理論密度に対し、ほぼ１００チになるととも
に、磁気特性が向上することがわかる。
ｎ−Ｚｎ系フエライトで同様、フエライト粉に埋めこま
ずにＨＩＰ処理した場合には還元されて磁気特性が著し
く劣化するが、この発明の実施によりフエライト粉中に
埋めこんでＨＩＰ処理した場合には、一次焼結を１〜２
気圧の酸素雰囲気中で行ったものは、ＨＩＰにより密度
が向上し、理論密度に対し、ほぼ１００チになるととも
に、磁気特性が向上することがわかる。
この発明ば、上記のごと＜、Ｍｎ−Ｚｎ系フエライト及
びＮｉ−Ｚｎ系フエライトの製造において、一次焼結雰
囲気を制御し、さらに焼結物と同一組成、同一処理を行
ったフエライト粉中に焼結体を埋めこみＨＩＰ処理する
ことにより、フエライトはフエライト粉末と容易に分離
でき、還元されることなく、すぐれた磁気特性が得られ
るとともに、高密度のフエライトを製造できるため、Ｈ
ＩＰ処理後の焼なましが不要となる。
びＮｉ−Ｚｎ系フエライトの製造において、一次焼結雰
囲気を制御し、さらに焼結物と同一組成、同一処理を行
ったフエライト粉中に焼結体を埋めこみＨＩＰ処理する
ことにより、フエライトはフエライト粉末と容易に分離
でき、還元されることなく、すぐれた磁気特性が得られ
るとともに、高密度のフエライトを製造できるため、Ｈ
ＩＰ処理後の焼なましが不要となる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＭｎＺｎ系フエライト成形体を２〜１０％酸素を含
む窒素ガスの酸化性雰囲気中で一次焼結し、さらにこの
焼結体の原料と同一組成で同一処理を行ったフエライト
粉末中に焼結体を埋めこみ熱間静水圧プレスすることを
特徴とする高密度フエライトの製造法。 ２ Ｎｉ−Ｚｎ系フエライト成形体を１〜２気圧酸素の
酸化性雰囲気中で一次焼結し、さらにこの焼結体の原料
と同一組成で同一処理を行ったフエライト粉末中に焼結
体を埋めこみ熱間静水圧プレスすることを特徴とする高
密度フエライトの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52141376A JPS5814050B2 (ja) | 1977-11-24 | 1977-11-24 | 高密度フエライトの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52141376A JPS5814050B2 (ja) | 1977-11-24 | 1977-11-24 | 高密度フエライトの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5473299A JPS5473299A (en) | 1979-06-12 |
| JPS5814050B2 true JPS5814050B2 (ja) | 1983-03-17 |
Family
ID=15290550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52141376A Expired JPS5814050B2 (ja) | 1977-11-24 | 1977-11-24 | 高密度フエライトの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814050B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63168007A (ja) * | 1986-12-30 | 1988-07-12 | Sony Corp | 高密度フエライトの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49128296A (ja) * | 1973-04-12 | 1974-12-09 | ||
| JPS5243210A (en) * | 1975-10-03 | 1977-04-05 | Nissan Motor Co Ltd | Control device for dual mode vehicle |
-
1977
- 1977-11-24 JP JP52141376A patent/JPS5814050B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49128296A (ja) * | 1973-04-12 | 1974-12-09 | ||
| JPS5243210A (en) * | 1975-10-03 | 1977-04-05 | Nissan Motor Co Ltd | Control device for dual mode vehicle |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5473299A (en) | 1979-06-12 |
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