JPS58140171A - 発光ダイオ−ド - Google Patents
発光ダイオ−ドInfo
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- JPS58140171A JPS58140171A JP57022546A JP2254682A JPS58140171A JP S58140171 A JPS58140171 A JP S58140171A JP 57022546 A JP57022546 A JP 57022546A JP 2254682 A JP2254682 A JP 2254682A JP S58140171 A JPS58140171 A JP S58140171A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- layer
- light
- emitting diode
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光７アイパ通信用に適した高輝度発光ダイオー
ドの改良に関する。
ドの改良に関する。
半導体基板表面上に発光窓を有する面発光型発光ダイオ
ードは高信頼性訃よび温度特性高安定性などの特徴を有
し、短・中距離光通信において広く実用に供さ５れてい
る。そして、光通信用面発光型発光ダイオードとして光
出力が大きいことが必要とされている。
ードは高信頼性訃よび温度特性高安定性などの特徴を有
し、短・中距離光通信において広く実用に供さ５れてい
る。そして、光通信用面発光型発光ダイオードとして光
出力が大きいことが必要とされている。
しかしながら従来の面発光型発光ダイオードは発光窓を
有する半導体基板の不純物キャリア濃度が高い為、その
光吸収によシ光出方が低下するという欠点を有していた
。一方、半導体基板の不純物キャリア濃度を下げれば、
光吸収は低減するがこの場合は半導体基板の電気抵抗が
大きくなシ、発熱による光出力低下を屯たらすという欠
点を有していた。
有する半導体基板の不純物キャリア濃度が高い為、その
光吸収によシ光出方が低下するという欠点を有していた
。一方、半導体基板の不純物キャリア濃度を下げれば、
光吸収は低減するがこの場合は半導体基板の電気抵抗が
大きくなシ、発熱による光出力低下を屯たらすという欠
点を有していた。
本発明の目的は上述の欠点を除去し、光出力が大きい発
光ダイオードを提供することにある。
光ダイオードを提供することにある。
本発ｌ１ｊＩＫよれば、半導体基板上のエピタキシャル
成長層によって形成された二重へテロ接合構造とエピタ
キシャル成長層とは反対側の半導体基板上に発光窓を有
する発光ダイオードにおいて、半導体基板が５Ｘ１０１
７ｃｍ″″３ よシも低い不純物ドーピング濃度を有し
、半導体基板と活性層との間に半導体基板よりも不純物
ドーピング濃度が高いバッフ７層を有することを特徴と
する発光ダイオードが得られる。
成長層によって形成された二重へテロ接合構造とエピタ
キシャル成長層とは反対側の半導体基板上に発光窓を有
する発光ダイオードにおいて、半導体基板が５Ｘ１０１
７ｃｍ″″３ よシも低い不純物ドーピング濃度を有し
、半導体基板と活性層との間に半導体基板よりも不純物
ドーピング濃度が高いバッフ７層を有することを特徴と
する発光ダイオードが得られる。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
図面は、本発明に基づく一実施例の断面を表わすもので
ある。本実施例は導電型ｎ型のＩｎＰ からなる半導体
基板１の上に形成され、導電型ｎ型のからなるクラッド
層４、導電型Ｐ型のＩ ｎ Ｏ４０（ｒ＊ｏＪｓＡｓ
ｏｓｓ ＰＡ４４）組成を有する電極形成層５．５ｉ０
２絶縁膜よ構成る電流狭窄層６、Ｐ側電極７、ｎ側電極
８から構成されている。半導体基板１はａｎが２Ｘ１０
ｃｍ ）−プされておシ、厚さ約８０μｍ１バツ
フア層２は８ｎがＩ Ｘ １０”ｃｍ−ｓ ドープされ
ておシ厚さ約２０μｍ１活性層３はアンドープで厚さ約
１．５μｍ１クラツド層４はＣｄがｌＸｌ０ ｃｍ
ドープされておシ厚さ約１μｍ１電極形成層５はＺ
ｎが５Ｘ１０”ｃｍ−” ドープされておシ厚さ約１
μｍである。電流狭窄層６は厚さ約０．ＩＪｍであシ、
直径約３０μｍの円形電流注入部９は化学エツチングに
よシ除去されている。
ある。本実施例は導電型ｎ型のＩｎＰ からなる半導体
基板１の上に形成され、導電型ｎ型のからなるクラッド
層４、導電型Ｐ型のＩ ｎ Ｏ４０（ｒ＊ｏＪｓＡｓ
ｏｓｓ ＰＡ４４）組成を有する電極形成層５．５ｉ０
２絶縁膜よ構成る電流狭窄層６、Ｐ側電極７、ｎ側電極
８から構成されている。半導体基板１はａｎが２Ｘ１０
ｃｍ ）−プされておシ、厚さ約８０μｍ１バツ
フア層２は８ｎがＩ Ｘ １０”ｃｍ−ｓ ドープされ
ておシ厚さ約２０μｍ１活性層３はアンドープで厚さ約
１．５μｍ１クラツド層４はＣｄがｌＸｌ０ ｃｍ
ドープされておシ厚さ約１μｍ１電極形成層５はＺ
ｎが５Ｘ１０”ｃｍ−” ドープされておシ厚さ約１
μｍである。電流狭窄層６は厚さ約０．ＩＪｍであシ、
直径約３０μｍの円形電流注入部９は化学エツチングに
よシ除去されている。
Ｐ側電極７はＡｕ−ｚｎ合金によＪ）、ｎ側電極８はＡ
ｕ −Ｇｅ−Ｎｉ合金によ多形成されておシｎ側電極８
において直径約１５０μｍの光取出し用円形窓部１０は
化学エツチングによシ除去されている。本実施例は、そ
の動作時において、直径約３０μｍの円形電流注入部９
のみ電極形成層５とＰ側電極７がホミック接触を形成し
活性層２へ効率的に電流が狭 、注入され、ｎ側電極８
中に形成された光取出し用円形窓部１０よシ発光を取出
す面発光型発光ダイオードとして動−作する。
ｕ −Ｇｅ−Ｎｉ合金によ多形成されておシｎ側電極８
において直径約１５０μｍの光取出し用円形窓部１０は
化学エツチングによシ除去されている。本実施例は、そ
の動作時において、直径約３０μｍの円形電流注入部９
のみ電極形成層５とＰ側電極７がホミック接触を形成し
活性層２へ効率的に電流が狭 、注入され、ｎ側電極８
中に形成された光取出し用円形窓部１０よシ発光を取出
す面発光型発光ダイオードとして動−作する。
半導体基板１の不純物ドーピング濃度は２刈０１７ｃｍ
−３と低い為、不純物ドーピング濃度がｌＸｌ０”ｃｍ
−”でありた従来の素子に比べ、光吸収損失が低減され
、光出力は約５チ上昇する。
−３と低い為、不純物ドーピング濃度がｌＸｌ０”ｃｍ
−”でありた従来の素子に比べ、光吸収損失が低減され
、光出力は約５チ上昇する。
一方、半導体基板１とバッファ層２を合わせた電気抵抗
は、電流波がシ抵抗として大きく効くバッファ層２の不
純物ドーピング濃度がｌＸｌ０”ｃ ｍ −”と高い為
、たかだか１０程度である。このように素子抵抗を上昇
することなしに又、半導体基板のホール・エツチングな
しに光取出し側半導体基板の光吸収損失を低減できるこ
とが本発明の特徴である。
は、電流波がシ抵抗として大きく効くバッファ層２の不
純物ドーピング濃度がｌＸｌ０”ｃ ｍ −”と高い為
、たかだか１０程度である。このように素子抵抗を上昇
することなしに又、半導体基板のホール・エツチングな
しに光取出し側半導体基板の光吸収損失を低減できるこ
とが本発明の特徴である。
岡、上述の実施例は、発光波長１．３μｍの面発光型発
光ダイオードとしたが、もちろん、これに限定する必要
はなく、本発明はＩｎＰ を含むＩｎＧ ａ Ａ ｓ
Ｐ系中導体を組成とする１、０〜１．６μｍ帯の波長の
、あらゆる構造の面発光型発光ダ、イオードに適用可能
である。
光ダイオードとしたが、もちろん、これに限定する必要
はなく、本発明はＩｎＰ を含むＩｎＧ ａ Ａ ｓ
Ｐ系中導体を組成とする１、０〜１．６μｍ帯の波長の
、あらゆる構造の面発光型発光ダ、イオードに適用可能
である。
最後に本発明が有する特徴を要約するならば、半導体基
板の不純物ドーピング濃度を５Ｘ１０１７Ｃｍ１よりも
低くシ、半導体基板と活性層との間に半導体基板よりも
不純物ドーピング濃度が高いバッファ層を挿入すること
Ｋよシ、素子抵抗を上昇することなしに１半導体基板の
光吸収損失を低減し、高い光出力の面発光型発光ダイオ
ードが得られることである。
板の不純物ドーピング濃度を５Ｘ１０１７Ｃｍ１よりも
低くシ、半導体基板と活性層との間に半導体基板よりも
不純物ドーピング濃度が高いバッファ層を挿入すること
Ｋよシ、素子抵抗を上昇することなしに１半導体基板の
光吸収損失を低減し、高い光出力の面発光型発光ダイオ
ードが得られることである。
図は本発明の一実施例の断面図である。
図中、１・・・・・・半導体基板、２・・・・・・バッ
ファ層、３・・・・・・活性層、４・・・・・・クラッ
ド層、５・・・・・・電極形成層、６・・・・・・電流
狭窄層、７・・・・・・Ｐ側電極、訃・・・・・電極、
９・・・・・・円形電流注入部、１０・・・・・・光取
出し用円形窓部。
ファ層、３・・・・・・活性層、４・・・・・・クラッ
ド層、５・・・・・・電極形成層、６・・・・・・電流
狭窄層、７・・・・・・Ｐ側電極、訃・・・・・電極、
９・・・・・・円形電流注入部、１０・・・・・・光取
出し用円形窓部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板上のエピタキシャル成長層によって形成
された二重へテロ接合構造と前記エピタキシャル成長層
とは反対側の前記半導体基板表面上に発光窓を有する発
光ダイオードにおいて、前記半導体基板が５Ｘ１０ｃｍ
よりも低い不純物ドーピング濃度を有し、前記半導
体基板と活性層との間に前記半導体基板よシも不純物ド
ーピング濃度が高いバッファ層を有することを特徴とす
る発光ダイオード。 ２ 半導体基板がＩｎＰ単結晶から成ることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57022546A JPS58140171A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57022546A JPS58140171A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 発光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58140171A true JPS58140171A (ja) | 1983-08-19 |
Family
ID=12085824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57022546A Pending JPS58140171A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58140171A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005123526A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-05-12 | Oki Data Corp | 半導体装置、ｌｅｄヘッド、及び画像形成装置 |
| JP2009510730A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | ラティス パワー （チアンシ） コーポレイション | 半導体発光デバイスおよびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717188A (en) * | 1980-07-04 | 1982-01-28 | Fujitsu Ltd | Semiconductor light-emitting element |
-
1982
- 1982-02-15 JP JP57022546A patent/JPS58140171A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717188A (en) * | 1980-07-04 | 1982-01-28 | Fujitsu Ltd | Semiconductor light-emitting element |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005123526A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-05-12 | Oki Data Corp | 半導体装置、ｌｅｄヘッド、及び画像形成装置 |
| JP2009510730A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | ラティス パワー （チアンシ） コーポレイション | 半導体発光デバイスおよびその製造方法 |
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