JPS58136044A - 透明導電性膜の形成方法 - Google Patents
透明導電性膜の形成方法Info
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- JPS58136044A JPS58136044A JP57018108A JP1810882A JPS58136044A JP S58136044 A JPS58136044 A JP S58136044A JP 57018108 A JP57018108 A JP 57018108A JP 1810882 A JP1810882 A JP 1810882A JP S58136044 A JPS58136044 A JP S58136044A
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- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
- B05D5/12—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain a coating with specific electrical properties
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/28—Other inorganic materials
- C03C2217/284—Halides
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明導電性膜又は１−の形成方法に関する。特
に本発明は５通電記録紙、１！子写真感光拐料等の各抽
ハードコピー材料５抵抗体、電磁波シールド９等に利用
されたり、テレビジョンのブラウン管や半導体装材料等
の帯電防止などに利用される沃化第一銅からなる透明導
電性）換又は層（以下、透明導電性膜と称する）の形成
方法に関する。
に本発明は５通電記録紙、１！子写真感光拐料等の各抽
ハードコピー材料５抵抗体、電磁波シールド９等に利用
されたり、テレビジョンのブラウン管や半導体装材料等
の帯電防止などに利用される沃化第一銅からなる透明導
電性）換又は層（以下、透明導電性膜と称する）の形成
方法に関する。
従来、この種の目的に利用される導電性膜としては、カ
ーボンブラックを分散した樹脂組成物。
ーボンブラックを分散した樹脂組成物。
金属または金属酸化物の粉末を分散した樹脂組成物等よ
りなる膜が用いられているが、これらの導電性膜にあっ
ては導電性を制御するのが困難であったり、透光性に乏
しい等の欠点があった。
りなる膜が用いられているが、これらの導電性膜にあっ
ては導電性を制御するのが困難であったり、透光性に乏
しい等の欠点があった。
また、電子写真の４電性膜としては、パラジウム、アル
ミニウム、またはスズをドープした酸化インジウム等の
蒸着膜または高分子電解質を用いた塗布膜等が知られて
いる。しかしながら、蒸着膜は一般に導電性が良くかつ
導電性が常温で温湿度に左右されないという利点を有す
るが蒸着工程を必要とするので、操作が複雑になると共
に、製造コストが高くなる欠点があった。また、高分子
電解質を用いた塗布膜は安価であるが、イオン伝導性を
利用しているために、膜の導電性が温湿度に左右され易
い欠点があった。
ミニウム、またはスズをドープした酸化インジウム等の
蒸着膜または高分子電解質を用いた塗布膜等が知られて
いる。しかしながら、蒸着膜は一般に導電性が良くかつ
導電性が常温で温湿度に左右されないという利点を有す
るが蒸着工程を必要とするので、操作が複雑になると共
に、製造コストが高くなる欠点があった。また、高分子
電解質を用いた塗布膜は安価であるが、イオン伝導性を
利用しているために、膜の導電性が温湿度に左右され易
い欠点があった。
一方、沃化第一銅を用いた導電性膜は安価でしかも常温
で温湿度に影響されない導電性をもつなどすぐれた特徴
を有しており、その製造方法の１例が特公昭５０−３４
４０９に開示されている。しかしながらこの導電性膜は
沃化第一銅がバインダー中に均一分散された構造である
ため導電膜と光導電層又は導電膜と中間層との良い接着
性を酷ることか困難であった。また沃化第一銅がバイン
ダーに均一分散されるためには両者が同一の溶媒に溶解
しなければならないが、この様な溶媒は数少なく、従っ
ておのずと使用されるバインダーは制限されていた。
で温湿度に影響されない導電性をもつなどすぐれた特徴
を有しており、その製造方法の１例が特公昭５０−３４
４０９に開示されている。しかしながらこの導電性膜は
沃化第一銅がバインダー中に均一分散された構造である
ため導電膜と光導電層又は導電膜と中間層との良い接着
性を酷ることか困難であった。また沃化第一銅がバイン
ダーに均一分散されるためには両者が同一の溶媒に溶解
しなければならないが、この様な溶媒は数少なく、従っ
ておのずと使用されるバインダーは制限されていた。
米国特許第３，５９７，２７２号には沃化第一銅を用い
た導電膜の別の製造方法が開示されている。この製造方
法においてはアセトニトリルに溶解された沃化第一銅を
、支持体上に下塗りされたポリマーの上に塗布する。こ
のポリマーはアセトニトリルに膨潤する性質を有するた
め、沃化第一銅は膨潤したポリマー中に吸収されて導電
性膜を形成する。
た導電膜の別の製造方法が開示されている。この製造方
法においてはアセトニトリルに溶解された沃化第一銅を
、支持体上に下塗りされたポリマーの上に塗布する。こ
のポリマーはアセトニトリルに膨潤する性質を有するた
め、沃化第一銅は膨潤したポリマー中に吸収されて導電
性膜を形成する。
この方法を用いて製造した導電膜はポリマーを特公昭５
０−３４４０９に開示された発明より広範囲に選択でき
るため、接着性が良くかつ中間層および／または光導電
層塗布時の有機溶媒、および現像時の有機溶媒の攻撃に
対して強いポリマーを選択できる利点があった。しかし
この改善された導電膜でも前出のポリマーに分散された
ものとくらべれば光導電層の塗布溶媒に対し強いが、し
ばしば溶媒により導電性膜が破壊され電子写真感光層の
光感度低下をもたらすことが判明した。また導電膜のポ
リマーと光導電層とが局所的に混り。
０−３４４０９に開示された発明より広範囲に選択でき
るため、接着性が良くかつ中間層および／または光導電
層塗布時の有機溶媒、および現像時の有機溶媒の攻撃に
対して強いポリマーを選択できる利点があった。しかし
この改善された導電膜でも前出のポリマーに分散された
ものとくらべれば光導電層の塗布溶媒に対し強いが、し
ばしば溶媒により導電性膜が破壊され電子写真感光層の
光感度低下をもたらすことが判明した。また導電膜のポ
リマーと光導電層とが局所的に混り。
塗布ムラが生じ易（、光導電層を均一に塗布することが
困難であった。
困難であった。
この解決法として、従来、光導電層と導電性膜との間に
中間層を設けることが行われていた。また中間層は暗減
衰、接着性、疲労等の改善の目的にも用いられている。
中間層を設けることが行われていた。また中間層は暗減
衰、接着性、疲労等の改善の目的にも用いられている。
種々の中間層は米国特許第２．９０１，３４８号、同第
３，５７３，９０６号、および同第５，６４０，７０８
号に記載されている。しかし中間層を設けることは電子
写真感光材料製造の過程において一つ余分の過程を必要
とし、それだけ製造コストが上がることになる。
３，５７３，９０６号、および同第５，６４０，７０８
号に記載されている。しかし中間層を設けることは電子
写真感光材料製造の過程において一つ余分の過程を必要
とし、それだけ製造コストが上がることになる。
また、沃化第一銅からなる導電性膜を形成する他の方法
として支持体の表面に銅膜をメッキ（無電解メッキまた
は電解メッキ）または蒸着により設け、ついでその銅膜
に沃素または沃素化合物を熱分解させて沃素を付着させ
て沃化第一銅膜を形成させろ方法が公知であり、この方
法の改良方法として、特公昭４８−１０９８８には透明
支持体の表面に銅膜を無ｔＭメッキまたは蒸着により設
け。
として支持体の表面に銅膜をメッキ（無電解メッキまた
は電解メッキ）または蒸着により設け、ついでその銅膜
に沃素または沃素化合物を熱分解させて沃素を付着させ
て沃化第一銅膜を形成させろ方法が公知であり、この方
法の改良方法として、特公昭４８−１０９８８には透明
支持体の表面に銅膜を無ｔＭメッキまたは蒸着により設
け。
ついでその銅膜に第一級または第二級炭素原子に結合し
た沃素原子を含む有機化合物の液晶（例。
た沃素原子を含む有機化合物の液晶（例。
ヨー−エタン、１，２−ジョーＰエタン、２−ヨードプ
ロパン、沃化コレステリル）またはそれを含む混合物を
接触させつつ透明支持体側から紫外線を照射して透明で
導電性のある沃化第一銅膜を透明支持体の表面に形成さ
せる方法が開示されている。これらの沃化第一銅膜の製
造方法においても。
ロパン、沃化コレステリル）またはそれを含む混合物を
接触させつつ透明支持体側から紫外線を照射して透明で
導電性のある沃化第一銅膜を透明支持体の表面に形成さ
せる方法が開示されている。これらの沃化第一銅膜の製
造方法においても。
まず銅薄膜を支持体の表面に形成させるために銅のメッ
キ工程または蒸着工程が含まれるために製造価格が高く
なる欠点があり、またメッキ工程または蒸着工程は単位
面積当りの製造による時間が長時間を要するため大−址
生産に向かないという問題点があった。
キ工程または蒸着工程が含まれるために製造価格が高く
なる欠点があり、またメッキ工程または蒸着工程は単位
面積当りの製造による時間が長時間を要するため大−址
生産に向かないという問題点があった。
従って本発明の目的は、上記した如き従来の方法に見ら
れる如き欠点や問題点の無い、より改良された透明導電
性膜の形成方法を提供することにある。
れる如き欠点や問題点の無い、より改良された透明導電
性膜の形成方法を提供することにある。
本発明の他の目的は電子写真感光体を製造するため光導
電層を塗布する際に、その塗布液の有機溶媒によって破
壊されない透明導電性層の製造方法を提供するにある。
電層を塗布する際に、その塗布液の有機溶媒によって破
壊されない透明導電性層の製造方法を提供するにある。
本発明は少くとも表面がアセトニトリルの如きニトリル
系溶媒に溶解しないか、またはニトリル系溶媒により膨
潤しない支持体の表面に沃化第一銅の該溶媒溶液を塗布
し５次いで溶媒を蒸発除去することを特徴とする非晶質
の沃化第一銅からなる透明導電性膜の形成方法である。
系溶媒に溶解しないか、またはニトリル系溶媒により膨
潤しない支持体の表面に沃化第一銅の該溶媒溶液を塗布
し５次いで溶媒を蒸発除去することを特徴とする非晶質
の沃化第一銅からなる透明導電性膜の形成方法である。
本発明に用いるニトリル系溶媒としてはアセトニトリル
、ブチロニトリル等があり、特にアセトニトリルが好ま
しい。
、ブチロニトリル等があり、特にアセトニトリルが好ま
しい。
本発明によれば、驚＜べきことに、バインダー無しで、
沃化第一銅粒子のみよりなる丈夫な導電性膜な得ること
ができる。
沃化第一銅粒子のみよりなる丈夫な導電性膜な得ること
ができる。
本発明による透明導電性膜は前記したように。
例えば帯電防止用、電磁波シールド用等に広く用いろこ
とができるが、特に電子写真感光体の製造に適している
。すなわち５本発明により侮られる導電性膜に中間層無
しに直接光導電層を塗布しても、光導柱層用塗布液によ
り導電性膜が侵されず又光導電層の電子写真特性に何等
の悪影響を与えることなく電子写真感光体を製造するこ
とができる。
とができるが、特に電子写真感光体の製造に適している
。すなわち５本発明により侮られる導電性膜に中間層無
しに直接光導電層を塗布しても、光導柱層用塗布液によ
り導電性膜が侵されず又光導電層の電子写真特性に何等
の悪影響を与えることなく電子写真感光体を製造するこ
とができる。
以下１本発明を１本発明により得られた導電性膜を電子
写真感光体に利用する場合について詳述するが１本発明
はこれにのみ限定されるものではな℃）。
写真感光体に利用する場合について詳述するが１本発明
はこれにのみ限定されるものではな℃）。
本発明によれば、支持体（高分子膜、ガラス。
金属板等）上に沃化第一銅よりなる均一で旧つ透明な導
電性膜を形成する。この膜は、従来の沃化第一銅をポリ
マーに分散させた。導電性膜や、ポリマーの表面付近に
沃化第一銅を吸収させて作った導電膜とは異なるもので
ある。本発明による導電膜は光導電ＮＩ塗布溶媒に侵さ
れることがないため。
電性膜を形成する。この膜は、従来の沃化第一銅をポリ
マーに分散させた。導電性膜や、ポリマーの表面付近に
沃化第一銅を吸収させて作った導電膜とは異なるもので
ある。本発明による導電膜は光導電ＮＩ塗布溶媒に侵さ
れることがないため。
中間層なしに直接光導電層を塗布しても導電膜が破壊さ
れることな、（、電子写真感度の低下をきたすことがな
い。また、塗布むらも出に＜＜、それに基づく帯電ムラ
、現像ムラ等が起きはくい。
れることな、（、電子写真感度の低下をきたすことがな
い。また、塗布むらも出に＜＜、それに基づく帯電ムラ
、現像ムラ等が起きはくい。
電子写真感光体を作るために本発明により形成された導
電１住膜」二に設けられる光導電層としては。
電１住膜」二に設けられる光導電層としては。
バインダーに分散された無機゛または有機の光導電性物
質あるいはバインダーを必要としない有機高分子光導電
性物質が用いられる。
質あるいはバインダーを必要としない有機高分子光導電
性物質が用いられる。
無機の光導電性物質としてはセレンや酸化亜鉛などがあ
るが、特に有効な光導電性物質は有機の光導電性物質で
ある。有機光導電性物質には低分子化合物として、たと
えばカルバゾール、Ｎ−エチルカルバゾール等のカルバ
ゾール類； ） Ｕ −ｐ−トリルアミンおよびトリフ
ェニルアミンなどのトリアリールアミン類： （式中、ルは２〜４．ｍは０〜２の整数であり。
るが、特に有効な光導電性物質は有機の光導電性物質で
ある。有機光導電性物質には低分子化合物として、たと
えばカルバゾール、Ｎ−エチルカルバゾール等のカルバ
ゾール類； ） Ｕ −ｐ−トリルアミンおよびトリフ
ェニルアミンなどのトリアリールアミン類： （式中、ルは２〜４．ｍは０〜２の整数であり。
Ｒ１１Ｒ２およびＲ３は水素、メチル、エチル、プロピ
ルなどのアルキル基、フェニルおよびトリルなどのアリ
ール基である。）で表わされるポリアリールメタン類；
アントラセンなどの縮合芳香族環化合物；テトラフェニ
ルブタジェンおよびテトラフェニルヘキサトリエンなど
の不飽和結合をもつ芳香族化合物；および、オキサジア
ゾール５チアジアゾール、トリアゾール、イミダゾール
、ピラゾリンおよびその各ｆ′Ｉｌｌ訪導体などの不飽
和の複素環含有化合物が含まれ、また高分子化合物とし
ては、たとえば、ボＩＪ −Ｎ−ビニルカルバゾール。
ルなどのアルキル基、フェニルおよびトリルなどのアリ
ール基である。）で表わされるポリアリールメタン類；
アントラセンなどの縮合芳香族環化合物；テトラフェニ
ルブタジェンおよびテトラフェニルヘキサトリエンなど
の不飽和結合をもつ芳香族化合物；および、オキサジア
ゾール５チアジアゾール、トリアゾール、イミダゾール
、ピラゾリンおよびその各ｆ′Ｉｌｌ訪導体などの不飽
和の複素環含有化合物が含まれ、また高分子化合物とし
ては、たとえば、ボＩＪ −Ｎ−ビニルカルバゾール。
臭素化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールなどのポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾール誘導体：ポリビニルアントラセン：
ポリアセナフチレン；ポリビニルアクリジン：ポリビニ
ルフェノチアジンなどがある。
ビニルカルバゾール誘導体：ポリビニルアントラセン：
ポリアセナフチレン；ポリビニルアクリジン：ポリビニ
ルフェノチアジンなどがある。
これらの光導電性物質の中では、ボＩＪ −Ｎ−ビニル
カルバゾール；トリーｐ−）リルアミンおよびトリフェ
ニルアミンなどのトリアリールアミン：４．４′−ビス
（ジエチルアミノ） −２，２’−ジメチルトリフェニ
ルメタンなどのポリアリールメタン；および６−（４−
ジメチルアミノフェニル）−１、５−：）フェニル−２
−ピラゾリンなどの２ラゾリン誘導体で代表される不飽
和の複素環含有化合物などが好ましく用いられる。
カルバゾール；トリーｐ−）リルアミンおよびトリフェ
ニルアミンなどのトリアリールアミン：４．４′−ビス
（ジエチルアミノ） −２，２’−ジメチルトリフェニ
ルメタンなどのポリアリールメタン；および６−（４−
ジメチルアミノフェニル）−１、５−：）フェニル−２
−ピラゾリンなどの２ラゾリン誘導体で代表される不飽
和の複素環含有化合物などが好ましく用いられる。
光導電性物質と所望により添加される増減剤を有機溶剤
に溶解させろことによって得られる光導電性組成物を本
発明の透明導電性膜が表面に設けられた導電性支持体上
に回転塗布、プレード塗布。
に溶解させろことによって得られる光導電性組成物を本
発明の透明導電性膜が表面に設けられた導電性支持体上
に回転塗布、プレード塗布。
ナイフ塗布、リバ・−スロール塗布、ディップ塗布。
ロッドパー塗布またはスプレー塗布のような通常用いら
れる方法で塗布乾燥して電子写真感光体として使用する
。
れる方法で塗布乾燥して電子写真感光体として使用する
。
これら光導電体の塗布溶媒としては、一般にトルエン、
キシレン、塩化メチレン、クロロホルム。
キシレン、塩化メチレン、クロロホルム。
ジクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロはンゼン
、ＴＨＦ、ジオキサン、シクロヘキサノン。
、ＴＨＦ、ジオキサン、シクロヘキサノン。
メチルエチルケトン等が用いられている。
本発明による導電性膜の製造方法を適用できる支持体の
うちでアセ］・ニトリル等のニトリル系溶媒に不溶また
は非膨潤性で光導′亀１−塗布射媒に不溶又は難溶であ
る高分子物質には次の様なものがある。すなわち、ポリ
エチレン、 、Ｉｖリプロピレン等のオレフィン系ポリ
マー：ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等のハロオ
レフィン系ノ１？リマー；ポリビニルアルコール；アセ
チル化率１２係以下のポリビニルアルコール：ポリ（ア
クリル酸）。
うちでアセ］・ニトリル等のニトリル系溶媒に不溶また
は非膨潤性で光導′亀１−塗布射媒に不溶又は難溶であ
る高分子物質には次の様なものがある。すなわち、ポリ
エチレン、 、Ｉｖリプロピレン等のオレフィン系ポリ
マー：ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等のハロオ
レフィン系ノ１？リマー；ポリビニルアルコール；アセ
チル化率１２係以下のポリビニルアルコール：ポリ（ア
クリル酸）。
ポリ（メタアクリル酸）等のアクリル系ポリマー；等。
これらの物質は単独で支持体を形成してもよいし１紙や
他のプラスチックフィルムの表面に設けられてもよい。
他のプラスチックフィルムの表面に設けられてもよい。
１ドリアクリルアミド９．ポリ（Ｎ、Ｎ−ジメチルアク
リルアミ）−′）、ポリメタアクリルアミビ等のポリア
クリルアミド系ポリマー； ポリ（エチレンスルポン）、ポリ（フロピレンスルホン
）、ポリ（ブタジェンスルホン）等のポリスルホン系ポ
リマー： ポリ（エチレンテレフタレート）等のポリエステル系ポ
リマー； ホＩＪ （ｐ−フェニレンカーボネート）等のポリカー
ボネート系ポリマー； ポリウレア、ポリウレタン； ポリジエチルカルボジイミド、ポリ（４，４’−ジフェ
ニレンメタンカルボジイミド）、等のポリカルボジイミ
ド９系ポリマー； ボＩＪ（Ｐ−ギ７リデン）等の芳香族縮合系ポリマー； ポリ（ピロミリットイミト９）； カゼイン、ゼラチン等の天然樹脂： 等である。
リルアミ）−′）、ポリメタアクリルアミビ等のポリア
クリルアミド系ポリマー； ポリ（エチレンスルポン）、ポリ（フロピレンスルホン
）、ポリ（ブタジェンスルホン）等のポリスルホン系ポ
リマー： ポリ（エチレンテレフタレート）等のポリエステル系ポ
リマー； ホＩＪ （ｐ−フェニレンカーボネート）等のポリカー
ボネート系ポリマー； ポリウレア、ポリウレタン； ポリジエチルカルボジイミド、ポリ（４，４’−ジフェ
ニレンメタンカルボジイミド）、等のポリカルボジイミ
ド９系ポリマー； ボＩＪ（Ｐ−ギ７リデン）等の芳香族縮合系ポリマー； ポリ（ピロミリットイミト９）； カゼイン、ゼラチン等の天然樹脂： 等である。
この内で特に有用な高分子はポリエチレン、ポリビニル
アルコール、ポリアクリルアミド、ポリエチレンテレフ
タレート、カゼイン、ゼラチン等である。
アルコール、ポリアクリルアミド、ポリエチレンテレフ
タレート、カゼイン、ゼラチン等である。
前述の高分子物質はそれ自身が支持体の役目をはたして
いてもかまわないし又紙、ガラス、ポリエチレンテレフ
タレート等の支持体上に上塗りされた形で存在していて
もよい。これらの高分子物質を支持体上に塗布する場合
１回転塗布、プレード塗布、ナイフ塗布、ディプ塗布、
ロッドバー塗布、またはスプレー塗布のような通常用い
られる方法で塗布される。
いてもかまわないし又紙、ガラス、ポリエチレンテレフ
タレート等の支持体上に上塗りされた形で存在していて
もよい。これらの高分子物質を支持体上に塗布する場合
１回転塗布、プレード塗布、ナイフ塗布、ディプ塗布、
ロッドバー塗布、またはスプレー塗布のような通常用い
られる方法で塗布される。
本発明の導電性膜を形成するには支持体の表面にアセト
ニトリル等のニトリル系溶媒に溶解した沃化第一銅を塗
布する。塗布は前述の高分子物質を塗布したのと同様の
方法が用いられる。
ニトリル等のニトリル系溶媒に溶解した沃化第一銅を塗
布する。塗布は前述の高分子物質を塗布したのと同様の
方法が用いられる。
沃化第一銅のアセトニ） ＩＪル溶液中での濃度は０．
１〜５係であり好ましい濃度は１〜６．５憾である。支
持体の上での沃化第一銅の被覆量は８■〜５００ｍｙ／
ｍ” であり好ましくは８０Ｉｎ９〜３５０１７１９
／７７Ｌ”である。
１〜５係であり好ましい濃度は１〜６．５憾である。支
持体の上での沃化第一銅の被覆量は８■〜５００ｍｙ／
ｍ” であり好ましくは８０Ｉｎ９〜３５０１７１９
／７７Ｌ”である。
この様にして得られた本発明による導電膜は温度、湿度
に依存しない導電性を示し１表面電気抵抗値１０３〜１
０８７０の値を有する。
に依存しない導電性を示し１表面電気抵抗値１０３〜１
０８７０の値を有する。
支持体の表向の上で沃化第一銅は透明な膜を形成するた
め透明な支持体（高分子膜またはガラス板）を用いれば
透明な導電膜が得られることになる。この透明導電膜は
特に電子写真透明光導電性フィルムを設計する際に有用
である。
め透明な支持体（高分子膜またはガラス板）を用いれば
透明な導電膜が得られることになる。この透明導電膜は
特に電子写真透明光導電性フィルムを設計する際に有用
である。
本発明の方法により沃化第一銅の透明な膜が得られた事
は当業者にとって予想外の結果であった。
は当業者にとって予想外の結果であった。
バインダーを含まない沃化第一銅のアセトニトリル溶液
をア七トニ） ＩＪルに不溶の支持体表面に塗布した時
、沃化第一銅の結晶が析出し、にごった膜しか得られな
いと予想したが５実際はアセトニトリルの乾燥速度が速
いため沃化第一銅は非晶質のままで析出し、透明な膜を
作る考えられる。またガラス板上で作製した沃化第一銅
の透明導電膜は水中に浸すと薄膜自体が剥離する。この
薄膜を透過型電顕で観察したところ、直径約０．２μ扉
程度のＣｕＩ粒子が連なって膜を作っている状態が見出
された。
をア七トニ） ＩＪルに不溶の支持体表面に塗布した時
、沃化第一銅の結晶が析出し、にごった膜しか得られな
いと予想したが５実際はアセトニトリルの乾燥速度が速
いため沃化第一銅は非晶質のままで析出し、透明な膜を
作る考えられる。またガラス板上で作製した沃化第一銅
の透明導電膜は水中に浸すと薄膜自体が剥離する。この
薄膜を透過型電顕で観察したところ、直径約０．２μ扉
程度のＣｕＩ粒子が連なって膜を作っている状態が見出
された。
この様にして得た導電膜は光導電層の塗布溶媒に影響を
受けることがない。従って溶媒による導電膜の破壊を防
ぐことができ、これに基づく電子写真特性の悪化をきた
すことはない。
受けることがない。従って溶媒による導電膜の破壊を防
ぐことができ、これに基づく電子写真特性の悪化をきた
すことはない。
以下本発明の詳細な説明する。
実施例 １
１００μ扉のポリエチレンテレフタレートフィルム上に
ゼラチンの２．５係水溶液をロッドバーで塗布した。乾
燥した後天化第−銅の３．０ ％アセトニトリル溶液を
ゼラチン層上にロッドノま−で塗布し。
ゼラチンの２．５係水溶液をロッドバーで塗布した。乾
燥した後天化第−銅の３．０ ％アセトニトリル溶液を
ゼラチン層上にロッドノま−で塗布し。
自然乾燥させると透明な膜が得られた。この膜の表面電
気抵抗値は２０１，５Ｏ＝ｚ相対湿度の条件下で２ Ｘ
１０’Ω／掘３であった。また沃化第一銅の被覆量は
２６０ ｍｙ／ｍ”であった。
気抵抗値は２０１，５Ｏ＝ｚ相対湿度の条件下で２ Ｘ
１０’Ω／掘３であった。また沃化第一銅の被覆量は
２６０ ｍｙ／ｍ”であった。
この透明導電膜上に光導電層としてボＩＪＮ−ビニルカ
ルバゾールと２．６−：）−ｔ−ブチル−４−４４−（
Ｎ−メチル−Ｎ−シアノエチルアミノ）スチリル〕チア
ピリリウムテトラフルオロボレート２．５〜を１５ｍ１
のジクロロエタンに溶かした光導電性組成物の溶液をロ
ッドバーを用いて塗布した。乾燥後光導電層の膜厚を測
定すると２．９μｍであった。また波長６３０１′Ｌｍ
での吸光度は０．１１であり、均一で塗布ムラのない電
子写真感光材料が得られた。
ルバゾールと２．６−：）−ｔ−ブチル−４−４４−（
Ｎ−メチル−Ｎ−シアノエチルアミノ）スチリル〕チア
ピリリウムテトラフルオロボレート２．５〜を１５ｍ１
のジクロロエタンに溶かした光導電性組成物の溶液をロ
ッドバーを用いて塗布した。乾燥後光導電層の膜厚を測
定すると２．９μｍであった。また波長６３０１′Ｌｍ
での吸光度は０．１１であり、均一で塗布ムラのない電
子写真感光材料が得られた。
この様にして得た電子写真感光材料についてその光感度
を測定した。光感度測定には川口１！機製静電気帯電試
験装［５Ｐ−４２８を用いた。また光源はキセノンラン
プを分光して使用し、波長６３０ｎｍの帯色光を照射し
た。＋５ＫＶのコロナ放電により感光材料表面に＋２８
０ｖの正電荷を乗せた。
を測定した。光感度測定には川口１！機製静電気帯電試
験装［５Ｐ−４２８を用いた。また光源はキセノンラン
プを分光して使用し、波長６３０ｎｍの帯色光を照射し
た。＋５ＫＶのコロナ放電により感光材料表面に＋２８
０ｖの正電荷を乗せた。
光照射により表面電荷が＋１４０ＶＫ減衰するま〒に必
要な露光量（半減露光量、Ｋ２Ｏで表わ丁）は１６２ａ
ｒｇ／ｍｆｆ１あった。
要な露光量（半減露光量、Ｋ２Ｏで表わ丁）は１６２ａ
ｒｇ／ｍｆｆ１あった。
実施例 ２
実施例１〒用いたゼラチンの代わりにポリビニルアルコ
ール（ゴーセノール［Ｆ］ＧＨ２０日本合成化学工栗（
株）製）を用いたほかは実施例１と同様にして透明導電
膜および電子写真感光材料を作製し皮。導電膜は透明〒
あり、その表面電気抵抗値は４×１０Ω／ｉｎであった
。また感光材料Ｅ５０は１５４ｅｒｇ／ｉ？あつ友。
ール（ゴーセノール［Ｆ］ＧＨ２０日本合成化学工栗（
株）製）を用いたほかは実施例１と同様にして透明導電
膜および電子写真感光材料を作製し皮。導電膜は透明〒
あり、その表面電気抵抗値は４×１０Ω／ｉｎであった
。また感光材料Ｅ５０は１５４ｅｒｇ／ｉ？あつ友。
実施例 ６
ポリエチレンでオーｄ−コートされ皮紙の表面に沃化第
一銅の６％アセトニトリル溶液を塗布し乾燥させるによ
り透明導電膜を得た。表面電気抵抗値は１×１０５Ω／
ｉｎ１％あり窺。この導電膜を用い実施例１と同様にし
て電子写真感光材料を作製した。
一銅の６％アセトニトリル溶液を塗布し乾燥させるによ
り透明導電膜を得た。表面電気抵抗値は１×１０５Ω／
ｉｎ１％あり窺。この導電膜を用い実施例１と同様にし
て電子写真感光材料を作製した。
この感光材料のＫ５Ｏは１１５ｅｒｇ／ｉ′ｔ％あった
。
。
比較例 １〜３
高分子物質からなる支持体として光導電層の塗布溶媒に
可溶もしくは膨潤するポリマーを用いた他は実施例１と
同様にして透明導電膜および笥、子写真感光材料を作製
した。導電膜の表面抵抗値、および電子写真感光材料の
電子写真感度に５０を下記の表に示す。ただし塗布した
ポリマーは比較例１〒５％の水素エマルジエンを用いた
他は２．５％のシフ【−１ルエタン溶液である。
可溶もしくは膨潤するポリマーを用いた他は実施例１と
同様にして透明導電膜および笥、子写真感光材料を作製
した。導電膜の表面抵抗値、および電子写真感光材料の
電子写真感度に５０を下記の表に示す。ただし塗布した
ポリマーは比較例１〒５％の水素エマルジエンを用いた
他は２．５％のシフ【−１ルエタン溶液である。
ルボネート
実施例 ４
ガラス板上に沃化第一銅２％を含むアセトニトリル溶液
をスピナーで塗布し乾燥して透明溝１［膜を得た。この
導電膜の表面電気抵抗は２０℃相対湿度６０％の条件下
〒１０Ω／ｉｎ２であった。
をスピナーで塗布し乾燥して透明溝１［膜を得た。この
導電膜の表面電気抵抗は２０℃相対湿度６０％の条件下
〒１０Ω／ｉｎ２であった。
比較例 ４
ポリエチレンテレフタレートフィルム上にセルロースア
セテートブチレート０．６％、沃化第一銅２．３％を含
むアセトニトリル清液をロッドバー塗布乾燥し透明導電
膜を得た。この導電膜の表面電気抵抗は２゜°Ｃ６０％
Ｃ６０％相対性下〒Ｉ Ｘ １０’Ω／１ｎ２〒あった
。
セテートブチレート０．６％、沃化第一銅２．３％を含
むアセトニトリル清液をロッドバー塗布乾燥し透明導電
膜を得た。この導電膜の表面電気抵抗は２゜°Ｃ６０％
Ｃ６０％相対性下〒Ｉ Ｘ １０’Ω／１ｎ２〒あった
。
実施例１と同様にしてこの導電膜を用いた電子写真感光
材料を作り、光感度を測定した。
材料を作り、光感度を測定した。
Ｋ５Ｏは２７０ ｅ ｒｇ／ｃＩＩＭあった。また感光
材料には光導電層塗布時のロッド・々−による塗布丁じ
がＬｆｊ）・１．．１ノ
材料には光導電層塗布時のロッド・々−による塗布丁じ
がＬｆｊ）・１．．１ノ
Claims (1)
- ＋１） 少なくとも表面が二ｌ−Ｕル系溶媒に俗解し
ないかニトリル系俗媒により膨潤しない支持体の表面に
沃化第一銅の該溶媒溶液を塗布１７１次いで溶媒を蒸発
除去することを特徴とする非晶質の沃化第一銅からなる
透明導電性膜の形成方法、１（２）二） ＩＪル系溶媒
がアセトニトリルである特許請求の範囲第（１）項記載
の透明導電性膜の形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57018108A JPS58136044A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 透明導電性膜の形成方法 |
| DE19833304240 DE3304240A1 (de) | 1982-02-09 | 1983-02-08 | Verfahren zur herstellung einer transparenten leitfaehigen schicht |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57018108A JPS58136044A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 透明導電性膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58136044A true JPS58136044A (ja) | 1983-08-12 |
Family
ID=11962417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57018108A Pending JPS58136044A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 透明導電性膜の形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58136044A (ja) |
| DE (1) | DE3304240A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02195358A (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子写真感光体の製造方法 |
| CN112970123A (zh) * | 2018-10-31 | 2021-06-15 | 韩国生产技术研究院 | 电荷选择接触结硅太阳能电池及其制造方法 |
-
1982
- 1982-02-09 JP JP57018108A patent/JPS58136044A/ja active Pending
-
1983
- 1983-02-08 DE DE19833304240 patent/DE3304240A1/de not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02195358A (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子写真感光体の製造方法 |
| CN112970123A (zh) * | 2018-10-31 | 2021-06-15 | 韩国生产技术研究院 | 电荷选择接触结硅太阳能电池及其制造方法 |
| CN112970123B (zh) * | 2018-10-31 | 2024-04-16 | 韩国生产技术研究院 | 电荷选择接触结硅太阳能电池及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3304240A1 (de) | 1983-09-01 |
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