JPS58135604A - 電圧非直線性磁器組成物 - Google Patents
電圧非直線性磁器組成物Info
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- JPS58135604A JPS58135604A JP57018496A JP1849682A JPS58135604A JP S58135604 A JPS58135604 A JP S58135604A JP 57018496 A JP57018496 A JP 57018496A JP 1849682 A JP1849682 A JP 1849682A JP S58135604 A JPS58135604 A JP S58135604A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明はＳｒ’ｌ’ｉ０３を主成分とする電圧非直線抵
抗体（以下バリスタと称する）を得るためのｍ器組成物
に関する。
抗体（以下バリスタと称する）を得るためのｍ器組成物
に関する。
電子機器で発生する異常電圧、ノイズ等を吸収もしくは
除去するために檀々のバリスタが使用され℃いるが、特
願昭５５−１０４７１３号に示されているＳｒ’ｌ’ｉ
０．を主成分とするバリスタはバリスタ機能のみならず
コンデンサ機能も有するので、グロー放電、アーク放電
、異常電圧、ノイズ等の吸収又はバイパスを良好に達成
することが出来る。
除去するために檀々のバリスタが使用され℃いるが、特
願昭５５−１０４７１３号に示されているＳｒ’ｌ’ｉ
０．を主成分とするバリスタはバリスタ機能のみならず
コンデンサ機能も有するので、グロー放電、アーク放電
、異常電圧、ノイズ等の吸収又はバイパスを良好に達成
することが出来る。
しかし、近年サージ電圧及び／又は電流の印加による特
性の劣ｆヒが更に少ないバリスタが要求されている。こ
うした要求に対しては特願昭１１４８７７号に示された
組成物を得ることで可能となった。
性の劣ｆヒが更に少ないバリスタが要求されている。こ
うした要求に対しては特願昭１１４８７７号に示された
組成物を得ることで可能となった。
しかし、これらの組成物では非直巌係数が１５〜２５程
度のバリスタしか得られない。
度のバリスタしか得られない。
そこで、本発明の目的は、サージの印加に対してのバリ
スタ電圧、非直線係数、バリスタ電圧の温度特性の劣化
が少なく、更に非直線係数が従来より大幅に大きい電圧
非直線性Ｓ器組成物を提供することにある。
スタ電圧、非直線係数、バリスタ電圧の温度特性の劣化
が少なく、更に非直線係数が従来より大幅に大きい電圧
非直線性Ｓ器組成物を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明は％５ｒＴｉＯ，（以
下−］成分と呼ぶ）を１００モル部・Ｎｂ、０．・１’
ａＨＯ６、ｗｏ、、Ｌａ、０．、 ＣｅＯ，Ｎｄ、０．
、ＹｌｏＢ ｈ ｂｒｒ１＊Ｏｓ ％）’ ｒｊ）ＩＩ
ｓ ｂｕ＠ＯＨ及び１）’ｊ＊Ｏｓの内の少なくと％
１種の金属酸化物（月下第２成分と呼ぶ）を０．０１〜
３．００モル部、Ｎａ１Ｏ（以下第３成分と呼ぶ）を０
．０２〜２．５０モル部％ Ａｇ、Ｕ 、ＣｕＯ１Ｍｎ
０． ％及び５ｉＵ１の内の少な（とも１檀の酸化物（
以下第４成分と呼ぶ）を０・０１〜３．００モル部含む
電圧非直酵注硫器組成智に保わるものである。
下−］成分と呼ぶ）を１００モル部・Ｎｂ、０．・１’
ａＨＯ６、ｗｏ、、Ｌａ、０．、 ＣｅＯ，Ｎｄ、０．
、ＹｌｏＢ ｈ ｂｒｒ１＊Ｏｓ ％）’ ｒｊ）ＩＩ
ｓ ｂｕ＠ＯＨ及び１）’ｊ＊Ｏｓの内の少なくと％
１種の金属酸化物（月下第２成分と呼ぶ）を０．０１〜
３．００モル部、Ｎａ１Ｏ（以下第３成分と呼ぶ）を０
．０２〜２．５０モル部％ Ａｇ、Ｕ 、ＣｕＯ１Ｍｎ
０． ％及び５ｉＵ１の内の少な（とも１檀の酸化物（
以下第４成分と呼ぶ）を０・０１〜３．００モル部含む
電圧非直酵注硫器組成智に保わるものである。
上記本発明に８いてＪＩＩ】成分はａＳの主成分であり
、ＪＩ２成分は牛導体化に寄与する金属酸化物であり、
第３成分はサージに対する劣化防止に寄与するものであ
る。更に巣４成分は非直ｌＩ係数の改善に寄与する。従
って、第】成分と＃！２成分とＭ３３成と＃！４成分と
を含む組成吻によってバリスタを作製することにより、
サージの印加によるバリスタ電圧、非直線係数及びバリ
スタ電圧の温Ｆｊｊｉ％性の変化を大幅に減少させ、し
かも非直線係数を大幅に太き（することが可能になる。
、ＪＩ２成分は牛導体化に寄与する金属酸化物であり、
第３成分はサージに対する劣化防止に寄与するものであ
る。更に巣４成分は非直ｌＩ係数の改善に寄与する。従
って、第】成分と＃！２成分とＭ３３成と＃！４成分と
を含む組成吻によってバリスタを作製することにより、
サージの印加によるバリスタ電圧、非直線係数及びバリ
スタ電圧の温Ｆｊｊｉ％性の変化を大幅に減少させ、し
かも非直線係数を大幅に太き（することが可能になる。
以下２本発明の実施例について述べる。
実施例 ］
純度９９．０４６１７） ５ｒＣＯ，及び’Ｉ”ｉｏ、
を５ｒＴｉＯ，にな１− るよ５にそれぞれ秤量配合し、ボールミルで１０時間攪
拌し、これを乾課し１次に粉砕した。しかる＊、上記粉
砕し友ものを１２００℃で２時間焼成し、再び粉砕して
ＳｒＴｉ０ｇを作製した。
を５ｒＴｉＯ，にな１− るよ５にそれぞれ秤量配合し、ボールミルで１０時間攪
拌し、これを乾課し１次に粉砕した。しかる＊、上記粉
砕し友ものを１２００℃で２時間焼成し、再び粉砕して
ＳｒＴｉ０ｇを作製した。
次にこの粉末１１！］成分）１００モル部に対し純度９
９．０ ％のＮｂ、 ｏ、、 Ｔａ、０． 、 ＷＯ，
、Ｌｍ、０畠、ＣｅＯＨｓ Ｎｄ１（３１＊ Ｐ ｒ、
Ｏｎ ％ＹｇＯ１、：３ｍｇ０Ｂ、Ｅｕ１０ｇ、及びＤ
ｙ、０．から選択された少なくとも１種の金属酸化物（
第２成分）の粉末と、純［９７，０４以上ｅｖ Ｎｌ、
０及びＮａＦの円の少な（とも］ｆｓのＮａ １ζ合豐
（第３成分）の粉末と、Ａｇ、０、ＣｕＯ１Ｍｎ０．．
５ｉ（Ｊ、から選択された少なくとも１橿の酸化＠（第
４成分）の粉末とを第】表〜第９表＾ｌに示す比率とな
るように秤量した。８２％Ｎ】成分は１００モル部一定
であるので第】表〜第９表囚に掲載することが１略され
ている。
９．０ ％のＮｂ、 ｏ、、 Ｔａ、０． 、 ＷＯ，
、Ｌｍ、０畠、ＣｅＯＨｓ Ｎｄ１（３１＊ Ｐ ｒ、
Ｏｎ ％ＹｇＯ１、：３ｍｇ０Ｂ、Ｅｕ１０ｇ、及びＤ
ｙ、０．から選択された少なくとも１種の金属酸化物（
第２成分）の粉末と、純［９７，０４以上ｅｖ Ｎｌ、
０及びＮａＦの円の少な（とも］ｆｓのＮａ １ζ合豐
（第３成分）の粉末と、Ａｇ、０、ＣｕＯ１Ｍｎ０．．
５ｉ（Ｊ、から選択された少なくとも１橿の酸化＠（第
４成分）の粉末とを第】表〜第９表＾ｌに示す比率とな
るように秤量した。８２％Ｎ】成分は１００モル部一定
であるので第】表〜第９表囚に掲載することが１略され
ている。
次に、谷原料粉床を乳鉢に投入して２０時間攪拌（乾式
）を行った。次いで＃１１表〜！＠９表因に示すバリス
タ原料に対し、１０〜】５菖童鳴のポリヒニールアルコ
ールを有機結合剤として混入し１造粒し、成型圧ｆｌ］
５００ ｋｇ／ｃｍ雪で円板に成形した。
）を行った。次いで＃１１表〜！＠９表因に示すバリス
タ原料に対し、１０〜】５菖童鳴のポリヒニールアルコ
ールを有機結合剤として混入し１造粒し、成型圧ｆｌ］
５００ ｋｇ／ｃｍ雪で円板に成形した。
これらの円板をＮ鵞（９５容積＠）＋Ｈ，（５容横嗟）
の還元雰囲気で約１３５０℃、４時間の焼成を行い、直
径１０ｍｍ５厚さ０．８ｍｍの牛導体ａａを得た。次に
空気中（ｉ１２化性雰吐気中）に２いて。
の還元雰囲気で約１３５０℃、４時間の焼成を行い、直
径１０ｍｍ５厚さ０．８ｍｍの牛導体ａａを得た。次に
空気中（ｉ１２化性雰吐気中）に２いて。
１０００〜１２００℃の温度範曲で３＆８間の熱処理（
再酸化処理）を行つｔ、この結果、Ｎａ、０ ％へａＦ
がＮａ１Ｏに夫々変換した外は、出発原料と同じ組成の
Ｎｂ器が得られた。従って纂１表〜第９表へ）く５い℃
焼成後の第１〜第３成分の記載は省略され、Ｎａ化合物
に対応して焼成後に得られるＮａ、０のみが記載されて
いる。
再酸化処理）を行つｔ、この結果、Ｎａ、０ ％へａＦ
がＮａ１Ｏに夫々変換した外は、出発原料と同じ組成の
Ｎｂ器が得られた。従って纂１表〜第９表へ）く５い℃
焼成後の第１〜第３成分の記載は省略され、Ｎａ化合物
に対応して焼成後に得られるＮａ、０のみが記載されて
いる。
次忙、上記磁器の！性を調べるために＃！】図に示す如
くａ器Ｉｌ＋の両主面に銀ペーストを塗布し。
くａ器Ｉｌ＋の両主面に銀ペーストを塗布し。
８００℃で焼付けることによって銀電極１２１１３＋を
形成し、バリスタ１４１を完成させ友。
形成し、バリスタ１４１を完成させ友。
次に、バリスタの特性評価を行うために、バリスタ電圧
ｖ１．非直線係数α％ Ｖｌの温ｆ変化皐ΔｖＩ％静電
容量Ｃ，サージ電圧印加によるＶｌ及びαの変ずヒ皐Δ
ＶＩＰ ％ΔαＰ及びサージ電圧印加後に：Ｂける■１
の温度変化率ΔｖＩＴを測定したところ、第】表〜纂９
表（鴎に示すｌｌ１３来が得られた。なお、第１表〜第
９表は紙面の都合上（Ａｔと郵）とに分離され、その（
Ａｔ表に組成が示され、その＠表に（Ａｔ表の試料の％
性が示されている。
ｖ１．非直線係数α％ Ｖｌの温ｆ変化皐ΔｖＩ％静電
容量Ｃ，サージ電圧印加によるＶｌ及びαの変ずヒ皐Δ
ＶＩＰ ％ΔαＰ及びサージ電圧印加後に：Ｂける■１
の温度変化率ΔｖＩＴを測定したところ、第】表〜纂９
表（鴎に示すｌｌ１３来が得られた。なお、第１表〜第
９表は紙面の都合上（Ａｔと郵）とに分離され、その（
Ａｔ表に組成が示され、その＠表に（Ａｔ表の試料の％
性が示されている。
各６ＩＩＪ足方法を更に評しく脱明すると、バリスタ電
圧■鳳は、馬２図に示す回路を使用して測定した。
圧■鳳は、馬２図に示す回路を使用して測定した。
即ち、直流定電流ＩＩ １６１にバリスタ１４１ ｋ接
続し、！た直流定電Ｒ６１１１６１とバリスタ１４１と
の関に電流計（８１を接続し、バリスタ１４１に韮列Ｋ
ｌ圧計（９］を接続し。
続し、！た直流定電Ｒ６１１１６１とバリスタ１４１と
の関に電流計（８１を接続し、バリスタ１４１に韮列Ｋ
ｌ圧計（９］を接続し。
バリスタ（４１だけを２０℃の温度に僚友れた恒温槽■
に入れてバリスタ１４１に１ｍＡの電ｆｉＩＩを流し、
その時の電圧を画定してバリスタ電圧（ｖｌ）とした。
に入れてバリスタ１４１に１ｍＡの電ｆｉＩＩを流し、
その時の電圧を画定してバリスタ電圧（ｖｌ）とした。
また非直線係数αは、第２図の装置を使用し、バリスタ
電圧Ｖ１の他にバリスタ（４１に１０ｍＡの電流（Ｉ−
を数した時の印加電圧ｖ１・を掬足し、次式によって決
定した。
電圧Ｖ１の他にバリスタ（４１に１０ｍＡの電流（Ｉ−
を数した時の印加電圧ｖ１・を掬足し、次式によって決
定した。
また、温度変化率ΔｖＩは、第２図の装置において＠ｍ
僧■を一り０℃〜＋］２５℃の範囲で変化 □さ
せ、各温度Ｔ （’Ｃ）においてバリスタ（４）に１ｍ
Ａを流し友時のバリスタ電圧ｖＩＴを測定し、２０℃の
Ｖｌに対しどの程度変化したかを次式で求めることによ
って決定し几、なお、各表には前記温度範囲の中のΔＶ
１の最大値のみを示した。
僧■を一り０℃〜＋］２５℃の範囲で変化 □さ
せ、各温度Ｔ （’Ｃ）においてバリスタ（４）に１ｍ
Ａを流し友時のバリスタ電圧ｖＩＴを測定し、２０℃の
Ｖｌに対しどの程度変化したかを次式で求めることによ
って決定し几、なお、各表には前記温度範囲の中のΔＶ
１の最大値のみを示した。
次に、過電圧の鋭いパルス即ちサージ電圧が印加された
時にバリスタ１４１の各特性がどのように変１じするか
を供擬的Ｋ１１ｌぺるために、Ｊｌｌ：ＩＩＩＫ示すよ
うに、２ＫＶの厘Ｒ足電圧−ａ・に並列に電圧計Ｌ１１
１を接続し、電源曲にｂΩの抵抗ｌｌりと単極双投スイ
ッチａ３の接点（１３ｍ）とを介して２・５μＦのコン
デンサｕ４を接続し、かつスイッチ０の接点（１３ｂ）
にバリスタ１４＋を接続し、５秒間隔でコンデンサａ４
１の光電エネルギをバリスタ（４１に印加することを５
（ロ）繰返し、七の後のバリスタ電圧ＶＩＰ及び非直線
係数αＰを纂２図の回路で調定し、次式でバリスタ電圧
の変化率ΔＶｔｐ（嘔）及びαの変化率ΔαＰ（畳］を
求めたー αＰ−α ΔαＦ ” −Ｘ ］ ００ （昏）α ｆ几、４３図の回路でサージ電圧及び電流を印加し九後
のバリスタ（４１のバリスタ電圧の温度変化率をΔＶＩ
Ｔ ｔ−第２図の装置で前記ΔＶ１と同様に求めたー −ｔた、各試料の静電容量（ＣｎＦ）は３ ｋＨｚ で
調定した。
時にバリスタ１４１の各特性がどのように変１じするか
を供擬的Ｋ１１ｌぺるために、Ｊｌｌ：ＩＩＩＫ示すよ
うに、２ＫＶの厘Ｒ足電圧−ａ・に並列に電圧計Ｌ１１
１を接続し、電源曲にｂΩの抵抗ｌｌりと単極双投スイ
ッチａ３の接点（１３ｍ）とを介して２・５μＦのコン
デンサｕ４を接続し、かつスイッチ０の接点（１３ｂ）
にバリスタ１４＋を接続し、５秒間隔でコンデンサａ４
１の光電エネルギをバリスタ（４１に印加することを５
（ロ）繰返し、七の後のバリスタ電圧ＶＩＰ及び非直線
係数αＰを纂２図の回路で調定し、次式でバリスタ電圧
の変化率ΔＶｔｐ（嘔）及びαの変化率ΔαＰ（畳］を
求めたー αＰ−α ΔαＦ ” −Ｘ ］ ００ （昏）α ｆ几、４３図の回路でサージ電圧及び電流を印加し九後
のバリスタ（４１のバリスタ電圧の温度変化率をΔＶＩ
Ｔ ｔ−第２図の装置で前記ΔＶ１と同様に求めたー −ｔた、各試料の静電容量（ＣｎＦ）は３ ｋＨｚ で
調定した。
上記＃４１表〜第９表から明らかなように第１成分（Ｓ
ｒＴｉＵｍ ） １００モル部と半導体化に寄与するｌ
／ｃ２成分０．０３〜３．００モル部と＃！３成分（Ｎ
ａ、（す０．０２〜２．５０ ％ ル部とＷ１４１００
．０１〜３．００ ％ル部とから成るバリスタと丁れば
、サージ印加によるバリスタ電圧Ｖ意の変化率ΔＶ１Ｐ
の絶対値が１優以下となる。またサージ電圧印加による
非直線俤数αの変化率ΔαＰの絶対値が］畳以下になる
。
ｒＴｉＵｍ ） １００モル部と半導体化に寄与するｌ
／ｃ２成分０．０３〜３．００モル部と＃！３成分（Ｎ
ａ、（す０．０２〜２．５０ ％ ル部とＷ１４１００
．０１〜３．００ ％ル部とから成るバリスタと丁れば
、サージ印加によるバリスタ電圧Ｖ意の変化率ΔＶ１Ｐ
の絶対値が１優以下となる。またサージ電圧印加による
非直線俤数αの変化率ΔαＰの絶対値が］畳以下になる
。
またサージ電圧印加後におけるバリスタ電圧ｖ１のｆｆ
１度ｉ化率ΔＶ＋ｒ ’）絶？Ｈｉカ０．０５ （４１
℃） 以下になる。また非［＊係数αが２０〜４５の値
が得られ従来の非直麿保数α］５〜２５に比軟して大幅
に改善された。また電子機器の定格電圧５〜３６Ｖの回
路に使用するのに適した範Ｈのバリスタ電圧を得ること
が小米る。即ちこの実施例では９．３〜４３．Ｉ Ｖの
ｖ重が得られた。またバリスタ電圧ν２の温度変化率Δ
ｖ１の絶対値が０．０５鳴／℃以下のバリスタを得るこ
とが小米た。また靜電容１１１ｃが７０ ｎＦ以上（み
かけ）Ｊｔｉｌｌｌ亭１．２６ Ｘ ］ ０’ 以上】
のバリスタを得ることが小米た。
１度ｉ化率ΔＶ＋ｒ ’）絶？Ｈｉカ０．０５ （４１
℃） 以下になる。また非［＊係数αが２０〜４５の値
が得られ従来の非直麿保数α］５〜２５に比軟して大幅
に改善された。また電子機器の定格電圧５〜３６Ｖの回
路に使用するのに適した範Ｈのバリスタ電圧を得ること
が小米る。即ちこの実施例では９．３〜４３．Ｉ Ｖの
ｖ重が得られた。またバリスタ電圧ν２の温度変化率Δ
ｖ１の絶対値が０．０５鳴／℃以下のバリスタを得るこ
とが小米た。また靜電容１１１ｃが７０ ｎＦ以上（み
かけ）Ｊｔｉｌｌｌ亭１．２６ Ｘ ］ ０’ 以上】
のバリスタを得ることが小米た。
ところで、試料番号１〜２４に示すように１ｇ４成分を
０．０１モル部以上から３．００モルＳ以下の範囲で含
むことで非［１！係数αの改善がなされ、０．０１モル
部より少ないとαの改善効果がなく。
０．０１モル部以上から３．００モルＳ以下の範囲で含
むことで非［１！係数αの改善がなされ、０．０１モル
部より少ないとαの改善効果がなく。
！７’ｅ３・００モル部を超えるとサージ印加後の＃ｉ
特性の劣１ヒが大きくなり不適当となる。またＳ ｉ
Ｏ，を含む場合では３．００モル部を超えるとｍｍが不
良となる。従って＃！４成分の好ましい範囲は０．０］
〜３．００モル部である。
特性の劣１ヒが大きくなり不適当となる。またＳ ｉ
Ｏ，を含む場合では３．００モル部を超えるとｍｍが不
良となる。従って＃！４成分の好ましい範囲は０．０］
〜３．００モル部である。
また第２成分を０．０ ］〜３．００モル部含むことで
半導体化が良好に行われる。試料番号４６及び４８に示
すように＃！２成分が０．０１モル部より少ない範囲で
は半導体化が良好になされないため。
半導体化が良好に行われる。試料番号４６及び４８に示
すように＃！２成分が０．０１モル部より少ない範囲で
は半導体化が良好になされないため。
αが小さく、またΔｖＩの絶対値が大きくなり、更にΔ
Ｖ＋Ｐ及びΔＶ１Ｔの絶対値も大きくなる。一方、試料
番号４７及び４９に示すように＃！２成分が３．００モ
ル部を超えると、焼結が不完全（未焼結）となったり、
各種の特性が悪（なる。従って第２成分の好ましい範囲
は０．０１〜３．００モル部である。
Ｖ＋Ｐ及びΔＶ１Ｔの絶対値も大きくなる。一方、試料
番号４７及び４９に示すように＃！２成分が３．００モ
ル部を超えると、焼結が不完全（未焼結）となったり、
各種の特性が悪（なる。従って第２成分の好ましい範囲
は０．０１〜３．００モル部である。
また第３成分は試料５０及び５］で示すよう忙Ｎ！、０
が０．０２モル部より少ない場合及び２．５０モル部な
超える場合には、？−ジ目」加後のΔＶ鳳Ｐ及びΔαＰ
の絶対値が１畳を超え且つΔｖｌＴ の絶対値が０．
０５４／’Ｃを超える。従って、Ｎａ１Ｏの好ましい範
８は０・０２〜２．５０モル部である。
が０．０２モル部より少ない場合及び２．５０モル部な
超える場合には、？−ジ目」加後のΔＶ鳳Ｐ及びΔαＰ
の絶対値が１畳を超え且つΔｖｌＴ の絶対値が０．
０５４／’Ｃを超える。従って、Ｎａ１Ｏの好ましい範
８は０・０２〜２．５０モル部である。
上記から第１表〜第９表において試料番号５．６、】１
、】２、】７、】８．２３．２４．４６〜５１、及び７
７は本発明の範囲外のものである。
、】２、】７、】８．２３．２４．４６〜５１、及び７
７は本発明の範囲外のものである。
な詔試料査号６７〜８２に示すように第２成分、１ｇ３
成分、及び第４成分の出発原料な２種類以上としても】
種類の場合と同様な作用効果が得られる。
成分、及び第４成分の出発原料な２種類以上としても】
種類の場合と同様な作用効果が得られる。
実施ＩｐＨ２
実施ｉｐＨ】でバリスタを作製する際に行った空気中で
の１０００〜１２００℃、３時間の熱処理（再酸化処理
）の代りに、＃Ｉ】表〜１ｇ２表に示すように９００〜
】３００℃力範Ｈの５段階のｇｊＡ度Ｔ■で２時間の再
酸化処理を行ってバリスタを作製し、？ｌ）酸化処理の
温度ＴＨとバリスタ特性との関係な求めたところ帛】表
〜＃ｌ！２表の結果が得られた。
の１０００〜１２００℃、３時間の熱処理（再酸化処理
）の代りに、＃Ｉ】表〜１ｇ２表に示すように９００〜
】３００℃力範Ｈの５段階のｇｊＡ度Ｔ■で２時間の再
酸化処理を行ってバリスタを作製し、？ｌ）酸化処理の
温度ＴＨとバリスタ特性との関係な求めたところ帛】表
〜＃ｌ！２表の結果が得られた。
なお、再酸化処理の条件以外は実施例１と同一の方法で
第１表〜第２表のバリスタを作製し、且つ四−の方法で
特性の測定を行った。
第１表〜第２表のバリスタを作製し、且つ四−の方法で
特性の測定を行った。
上記１ｇ３０表〜＃！】】表から明らかなように、同−
組成及び同一寸法であっても、ｐ４酸化処理温度ＴＨを
変えることによってバリスタ電圧を変化させることが出
来る。従って本発明の組成智によれば同一組成、同一寸
法で特性の異なる撞々のバリスタを提供することが可能
になり、バリスタのコストの低減が可能になる。なお、
サージに耐えるバリスタを提供するための再酸ｆヒ処理
温ｆ’ｌ’ｎの好ましい範咄は９００〜１３００℃であ
る。
組成及び同一寸法であっても、ｐ４酸化処理温度ＴＨを
変えることによってバリスタ電圧を変化させることが出
来る。従って本発明の組成智によれば同一組成、同一寸
法で特性の異なる撞々のバリスタを提供することが可能
になり、バリスタのコストの低減が可能になる。なお、
サージに耐えるバリスタを提供するための再酸ｆヒ処理
温ｆ’ｌ’ｎの好ましい範咄は９００〜１３００℃であ
る。
実施例 ３
＃Ｉ３成分（Ｎａ、Ｕ ）の添加を出発原料に対して行
わずに焼成後に行っても差支えないことを確めるために
、Ｓ「１１Ｕａ （１ｊｌｉ ］成分）を１００モル部
とＮｂ、０． （＠ ２ ｆｆ分）を０．５４ ｈ部ト
、Ｓｉｎｇを２．００モル部とな出発原料として実ｍ例
】と同一の方法で半導体ｉＢＳを製作し、１／施例】に
於ける再酸化処理の工程の代ｒ）ＶＣ１牛導体磁器の一
方の主面にＮａＦのペーストな０−９３ ｍｇ／ ｃｍ
” ノｉＦｌ ｅ テｍ １５ Ｌ、大気中で９００℃
〜】】００℃、２時間の熱処理を施し、ＮａＦ’ペース
）Ｋ基づいてＮａ、０を半導体磁気中に熱拡散させ、し
かる後冥施例】と同一方法でバリスタを作り、同一方法
で特性′％［Ｊ定したところ、ν鵞は２３．４ Ｖ 、
αは３４．５、Δｖ１は−０，０３４／℃、Ｃは］ ２
０ ｎＦ 、 Δｖ、ｐは一〇、４＊、ΔαＰ４２−０
．３優、ΔＶ１７ｔ！−０．０２ 優／℃テｈツタ。
わずに焼成後に行っても差支えないことを確めるために
、Ｓ「１１Ｕａ （１ｊｌｉ ］成分）を１００モル部
とＮｂ、０． （＠ ２ ｆｆ分）を０．５４ ｈ部ト
、Ｓｉｎｇを２．００モル部とな出発原料として実ｍ例
】と同一の方法で半導体ｉＢＳを製作し、１／施例】に
於ける再酸化処理の工程の代ｒ）ＶＣ１牛導体磁器の一
方の主面にＮａＦのペーストな０−９３ ｍｇ／ ｃｍ
” ノｉＦｌ ｅ テｍ １５ Ｌ、大気中で９００℃
〜】】００℃、２時間の熱処理を施し、ＮａＦ’ペース
）Ｋ基づいてＮａ、０を半導体磁気中に熱拡散させ、し
かる後冥施例】と同一方法でバリスタを作り、同一方法
で特性′％［Ｊ定したところ、ν鵞は２３．４ Ｖ 、
αは３４．５、Δｖ１は−０，０３４／℃、Ｃは］ ２
０ ｎＦ 、 Δｖ、ｐは一〇、４＊、ΔαＰ４２−０
．３優、ΔＶ１７ｔ！−０．０２ 優／℃テｈツタ。
出発原料の組成ｖＳｒｌ’ｉ０１ ］ ００ モに部と
ｂ ＬａＢ５゜０．０３％ル部と、 Ｍｎ０１ Ｑ、、
５０ ％ Ｊｌ／部とになし、上記のＮａＦペーストの
代りに、Ｎａ雪Ｏベース） ヲ１．２０ｍ ｇ／ ｃ
ｍ ”の割付で上記とＮａＦペーストの場合と同様に塗
布し且つ同様な熱処理でＮａ１Ｏを拡散させてバリスタ
を製作したところ％ Ｖ、は］ ６．３ Ｖ、αは３１
５．４ ％ΔＶｔ）ｔ ０−０４１／’Ｃ，Ｃは３６
７ｎＦ。
ｂ ＬａＢ５゜０．０３％ル部と、 Ｍｎ０１ Ｑ、、
５０ ％ Ｊｌ／部とになし、上記のＮａＦペーストの
代りに、Ｎａ雪Ｏベース） ヲ１．２０ｍ ｇ／ ｃ
ｍ ”の割付で上記とＮａＦペーストの場合と同様に塗
布し且つ同様な熱処理でＮａ１Ｏを拡散させてバリスタ
を製作したところ％ Ｖ、は］ ６．３ Ｖ、αは３１
５．４ ％ΔＶｔ）ｔ ０−０４１／’Ｃ，Ｃは３６
７ｎＦ。
ΔＶｔｐ ｔ２−０．６ 鳴、Δｅｌｐ ）ｔ −０，
６憾、ΔＶＩＴｔ２−０．０４憾／℃であった。
６憾、ΔＶＩＴｔ２−０．０４憾／℃であった。
また、出発原料の組成を５ｒＴｉＯ，１００モル部と、
Ｐｒ＠Ｏ■３モル部と、Ａｇ＊０３．００ ％ ＃ 部
とにし、ＮａＦペーストを２．００ ｍｇ／ｃｍ”の割
合で］１ｌｉＬ、且つ同様な熱処理でＮａ１Ｏを拡散さ
せてバリスタを裏作したところ、ｖＩ＆言４２．Ｉ Ｖ
、 αは３２．７、Δｖ１は−０，０４４／”Ｃ１
Ｃは］ ４０ ｎＦ 、 ΔＶ１ｐ ！１−０．９１、
ΔＱｌ）−ｏ、９憾、ΔＶＩＴ Ｇ！ ０．０４４／
℃であったー この結果から明らかなように、出発原料にＮａ化合物を
添加せずに、半導体磁器に熱拡散によってＮａ鵞０ ’
ｔ’含有させても、耐サージバリスタを提供することが
出来る。
Ｐｒ＠Ｏ■３モル部と、Ａｇ＊０３．００ ％ ＃ 部
とにし、ＮａＦペーストを２．００ ｍｇ／ｃｍ”の割
合で］１ｌｉＬ、且つ同様な熱処理でＮａ１Ｏを拡散さ
せてバリスタを裏作したところ、ｖＩ＆言４２．Ｉ Ｖ
、 αは３２．７、Δｖ１は−０，０４４／”Ｃ１
Ｃは］ ４０ ｎＦ 、 ΔＶ１ｐ ！１−０．９１、
ΔＱｌ）−ｏ、９憾、ΔＶＩＴ Ｇ！ ０．０４４／
℃であったー この結果から明らかなように、出発原料にＮａ化合物を
添加せずに、半導体磁器に熱拡散によってＮａ鵞０ ’
ｔ’含有させても、耐サージバリスタを提供することが
出来る。
尚、上記実施例及びその他の笑験によって次のことが確
献されている。
献されている。
（ａｌ 還元性雰囲気中での加熱温度は、好ましくｔ
’！３３００〜１５００℃の範［Ｑあり、１３５０〜１
４５０℃の範囲がより好ましいこと。更にこの処理時間
は２〜５ｆＲｊ間が好筐しいこと。
’！３３００〜１５００℃の範［Ｑあり、１３５０〜１
４５０℃の範囲がより好ましいこと。更にこの処理時間
は２〜５ｆＲｊ間が好筐しいこと。
（ｂｌ 再酸化処ｍｋ−！８５０℃〜］３５ｏ℃で１
〜５時間行うことが好ましいこと。
〜５時間行うことが好ましいこと。
（ｃｌ＠２成分の出発原料を、！ｉ！施例では焼成後の
ａ器の各成分に相６するものにしているが、最終的に所
定の金ｊｌＩｉ１ｉ！化物を得ることが出来れば、本発
明の目的が達成されるので、出発原料を金属＃Ｒｆｔ’
智とせずに、金属元素、炭酸塩、水酸化物、硝酸塩、シ
ュウ酸塩としてもよいこと。
ａ器の各成分に相６するものにしているが、最終的に所
定の金ｊｌＩｉ１ｉ！化物を得ることが出来れば、本発
明の目的が達成されるので、出発原料を金属＃Ｒｆｔ’
智とせずに、金属元素、炭酸塩、水酸化物、硝酸塩、シ
ュウ酸塩としてもよいこと。
（ｄ） 有機結合剤の好ましい範囲は、纂】〜４成分
の合計電量に対して５〜２０惠童鳴、より好ｆしい範自
は】Ｏ〜】５Ｊ［貴重であること。
の合計電量に対して５〜２０惠童鳴、より好ｆしい範自
は】Ｏ〜】５Ｊ［貴重であること。
第１図は実ＩＭ例１に佛わるバリスタを概略的に示す断
面図である。＃１２図は、Ｖｔ ％ （１＊ Δｖ、
ｖ ｆｌＡ定する装置の同略図である。第３図はサージ
印加装置の回路図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、 ＋１１は磁器
単体、 １２＋１３＋は電１に、１４＋はバリスタであ
る。 代 理 人 高 野 則 次手続補正書（
自発） 昭和６７年１１．８日 特許庁長官 若杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年轡 軒願第１８４９６ 号 ２、発明の名称 電圧非［＊性＠Ｉ＃ＩＩ組成物３ 補
正をする者 事件との関係 出願人 ４、代理人 ５、 補正命令の日付 自 発 ８、補正の内容 別紙の通り。 （１１明細１１纂２負第１２行の「特−昭」の後にｒ５
６−Ｊｔ−加入する。 １２１ ｖ４ｆｌｉ１ｇ３２１譲１２行、第３３員Ｉ
ＥＩ行、 １１１ｇ３３員第 ３行の 「１ｓ１表〜第２表」を ｒ＊１ＧＳ〜ｇｔ１表」に夫々補正する。
面図である。＃１２図は、Ｖｔ ％ （１＊ Δｖ、
ｖ ｆｌＡ定する装置の同略図である。第３図はサージ
印加装置の回路図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、 ＋１１は磁器
単体、 １２＋１３＋は電１に、１４＋はバリスタであ
る。 代 理 人 高 野 則 次手続補正書（
自発） 昭和６７年１１．８日 特許庁長官 若杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年轡 軒願第１８４９６ 号 ２、発明の名称 電圧非［＊性＠Ｉ＃ＩＩ組成物３ 補
正をする者 事件との関係 出願人 ４、代理人 ５、 補正命令の日付 自 発 ８、補正の内容 別紙の通り。 （１１明細１１纂２負第１２行の「特−昭」の後にｒ５
６−Ｊｔ−加入する。 １２１ ｖ４ｆｌｉ１ｇ３２１譲１２行、第３３員Ｉ
ＥＩ行、 １１１ｇ３３員第 ３行の 「１ｓ１表〜第２表」を ｒ＊１ＧＳ〜ｇｔ１表」に夫々補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｉｌｌ ５ｒＴｉＯ，１００モルＳ。 Ｎｂ、Ｕ、、１”ａ、０．％Ｗ０３％Ｌａ、Ｕ、、 Ｃ
ｅＯ，、Ｎｄ、Ｕ、。 Ｙ、０１、Ｐ ｒｓＯＢ ％ Ｓｍ１０３ ｓ Ｅ”＊
０１及びＤｙ、０１の内の少なくとも１＠ｆ）金１１ｉ
＆ｆｔｓ物０．０１〜３．００モル部・ ＮａｔＵ Ｏ−０２〜２−５０モル部、Ａｇ、０、Ｃ
ｕ０％Ｍｎ０１及び８ｊＯ，の内の少なくとも１＊ｆ）
ｆｌＮｔ智ｏ−ｏ】〜３−ｏｏ％に部、から成る電圧非
直線、性磁器組成ｇＢ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57018496A JPS58135604A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 電圧非直線性磁器組成物 |
| US06/398,193 US4545929A (en) | 1981-07-22 | 1982-07-14 | Ceramic materials with a voltage-dependent nonlinear resistance |
| EP82106421A EP0070540B1 (en) | 1981-07-22 | 1982-07-16 | Ceramic materials with a voltage-dependent nonlinear resistance |
| DE8282106421T DE3261135D1 (en) | 1981-07-22 | 1982-07-16 | Ceramic materials with a voltage-dependent nonlinear resistance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57018496A JPS58135604A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 電圧非直線性磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58135604A true JPS58135604A (ja) | 1983-08-12 |
| JPS6320362B2 JPS6320362B2 (ja) | 1988-04-27 |
Family
ID=11973224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57018496A Granted JPS58135604A (ja) | 1981-07-22 | 1982-02-08 | 電圧非直線性磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58135604A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1984003171A1 (en) * | 1983-02-10 | 1984-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Composition of porcelain for voltage-dependent, non-linear resistor |
| JPS59147409A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
| JPS59147404A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁気組成物 |
| WO1985000246A1 (en) * | 1983-06-28 | 1985-01-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Voltage-dependent, non-linear resistor porcelain composition |
| JPS63268202A (ja) * | 1987-04-25 | 1988-11-04 | Taiyo Yuden Co Ltd | バリスタ特性を有する誘電体磁器とその製造方法 |
-
1982
- 1982-02-08 JP JP57018496A patent/JPS58135604A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1984003171A1 (en) * | 1983-02-10 | 1984-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Composition of porcelain for voltage-dependent, non-linear resistor |
| JPS59147409A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
| JPS59147404A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁気組成物 |
| US4897219A (en) * | 1983-02-10 | 1990-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Voltage-dependent non-linear resistance ceramic composition |
| JPH0425685B2 (ja) * | 1983-02-10 | 1992-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| WO1985000246A1 (en) * | 1983-06-28 | 1985-01-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Voltage-dependent, non-linear resistor porcelain composition |
| JPS63268202A (ja) * | 1987-04-25 | 1988-11-04 | Taiyo Yuden Co Ltd | バリスタ特性を有する誘電体磁器とその製造方法 |
| JPH0435884B2 (ja) * | 1987-04-25 | 1992-06-12 | Taiyo Yuden Kk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6320362B2 (ja) | 1988-04-27 |
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