JPS5813007B2 - 窒化タンタル薄膜抵抗素子の製造方法 - Google Patents
窒化タンタル薄膜抵抗素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS5813007B2 JPS5813007B2 JP4567576A JP4567576A JPS5813007B2 JP S5813007 B2 JPS5813007 B2 JP S5813007B2 JP 4567576 A JP4567576 A JP 4567576A JP 4567576 A JP4567576 A JP 4567576A JP S5813007 B2 JPS5813007 B2 JP S5813007B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- tantalum nitride
- nitride thin
- manufacturing
- film resistor
- Prior art date
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- Expired
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、窒化タンタル薄膜抵抗素子の改良された製造
方法に係り、窒化タンタル薄膜形成後、高温度の高純度
不活性ガス雰囲気中で処理することにより、極めて容易
に低温度係数の薄膜抵抗素子を製造する方法を提供する
ことを目的とする。
方法に係り、窒化タンタル薄膜形成後、高温度の高純度
不活性ガス雰囲気中で処理することにより、極めて容易
に低温度係数の薄膜抵抗素子を製造する方法を提供する
ことを目的とする。
従来、薄膜抵抗素子として窒化タンタル薄膜は良好な特
性の得られる材料として広く用いられている。
性の得られる材料として広く用いられている。
特に、抵抗値精度、安定性については、他の抵抗素子に
例を見ないものである。
例を見ないものである。
しかし、通常の再現性の良い条件下で製造された窒化タ
ンタル薄膜抵抗は、一数＋から一数百ｐｐｍ／Ｃの抵抗
温度係数を有している。
ンタル薄膜抵抗は、一数＋から一数百ｐｐｍ／Ｃの抵抗
温度係数を有している。
この欠点を除去する方法として、スパツタによる膜形成
時に基板を加熱する方法と、膜形成後真空中で加熱処理
をする方法が用いられている。
時に基板を加熱する方法と、膜形成後真空中で加熱処理
をする方法が用いられている。
前者の場合、加熱により放出ガスが生じ、スパツタ雰囲
気を変化させることと、温度のバラツキが膜形成に微妙
に影響し、再現性の良い膜を量産することは困難である
。
気を変化させることと、温度のバラツキが膜形成に微妙
に影響し、再現性の良い膜を量産することは困難である
。
後者の場合、通常の真空装置では、多量に処理すること
は困難である。
は困難である。
両者共通の欠点は、加熱温度が４００℃〜５５０℃であ
るために、通常使用されているスパツタ装置、真空装置
では、高温に長時間加熱することは好ましくないことで
ある。
るために、通常使用されているスパツタ装置、真空装置
では、高温に長時間加熱することは好ましくないことで
ある。
本発明は上記欠点を除去したものであり、以下に説明す
る。
る。
一般的に言われているプラトー領域内でスパツタした窒
化タンタル薄膜を、４７０℃〜５２０℃に加熱された高
純度アルゴンガス雰囲気中で、１〜３時間処理を行ない
、温度的に安定な薄膜抵抗素子を得るのである。
化タンタル薄膜を、４７０℃〜５２０℃に加熱された高
純度アルゴンガス雰囲気中で、１〜３時間処理を行ない
、温度的に安定な薄膜抵抗素子を得るのである。
本発明では、高温度、高純度ガス雰囲気を得るために、
半導体素子のウエハプロセスに用いられる拡散炉シンタ
ー炉等と同様な加熱炉を用い、予備加熱されたアルゴン
ガスを適度な流量で開管式石英管に導入し、得られた雰
囲気が安定した後、窒化タンタル薄膜を入れて数時間処
理する。
半導体素子のウエハプロセスに用いられる拡散炉シンタ
ー炉等と同様な加熱炉を用い、予備加熱されたアルゴン
ガスを適度な流量で開管式石英管に導入し、得られた雰
囲気が安定した後、窒化タンタル薄膜を入れて数時間処
理する。
このために安定な状態で多量の試料を処理することが可
能である。
能である。
この際、雰囲気の状態により、窒化タンタル薄膜表面に
雰囲気との化合物を形成することがあるが、微弱な場合
は、後の安定化のための酸化膜形成があるため問題とな
らない。
雰囲気との化合物を形成することがあるが、微弱な場合
は、後の安定化のための酸化膜形成があるため問題とな
らない。
本発明方法の１実施例において、プラトー領域内でスパ
ツタした窒化タンタル薄膜抵抗の温度係数−１００ｐｐ
ｍ／Ｃが、５００Ｃのアルゴンガス雰囲気中で２時間処
理することにより、０〜＋２０ｐｐｍ／Ｃであった。
ツタした窒化タンタル薄膜抵抗の温度係数−１００ｐｐ
ｍ／Ｃが、５００Ｃのアルゴンガス雰囲気中で２時間処
理することにより、０〜＋２０ｐｐｍ／Ｃであった。
上述の如く、本発明により、極めて簡単に多量の低温度
係数窒化タンタル薄膜を製造しうる特長を有するもので
ある。
係数窒化タンタル薄膜を製造しうる特長を有するもので
ある。
Claims (1)
- １ ０乃至＋５０ｐｐｍ／℃の抵抗温度係数を有する窒
化タンタル薄膜抵抗素子を製造する方法において、スパ
ッタリングにより形成された窒化タンタル薄膜を、４７
０℃乃至５２０℃のアルゴンガス雰囲気中で熱処理する
工程を含むことを特徴とする窒化タンタル薄膜抵抗素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4567576A JPS5813007B2 (ja) | 1976-04-21 | 1976-04-21 | 窒化タンタル薄膜抵抗素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4567576A JPS5813007B2 (ja) | 1976-04-21 | 1976-04-21 | 窒化タンタル薄膜抵抗素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52128593A JPS52128593A (en) | 1977-10-28 |
| JPS5813007B2 true JPS5813007B2 (ja) | 1983-03-11 |
Family
ID=12725957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4567576A Expired JPS5813007B2 (ja) | 1976-04-21 | 1976-04-21 | 窒化タンタル薄膜抵抗素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5813007B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH051207Y2 (ja) * | 1985-01-19 | 1993-01-13 |
-
1976
- 1976-04-21 JP JP4567576A patent/JPS5813007B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH051207Y2 (ja) * | 1985-01-19 | 1993-01-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52128593A (en) | 1977-10-28 |
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