JPS58126695A - 薄膜エレクトロルミネセンス面光源素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、薄膜エレクトロルミネセンス面光源素子、
特に発光領域中に暗点（非発光部分）が生じても全発光
領域に拡大千ることなく安定した発光γ得ることができ
る薄膜エレクトロルミネセンス面光源素子に関する。

薄膜エレクトロルミネセンス面光源素子（以下、薄膜Ｅ
Ｌ面光源素子と略丁）とは、第１図に示すように、ガラ
スなどの透明基板１上にＳｎＯ□または都４０３　など
の透明電極２を被着し、透明電極２上にＹ２Ｏ３または
Ｔｉｅ、などの第１絶縁層３を真空蒸着あるいはスパッ
タリング等で堆積し、第１絶縁層３上にＺｎＳ　または
ｚｎＳｅなどに鴇あるいは希土数フッ化物などをドープ
したエレクトロルミネセンス体からなるエレクトロルミ
ネセンス層（以下、ＥＬ層と略す）４を真空蒸着あるい
はスパッタリング等で堆積し、ｇＬ層４上にＹ２Ｏ３ま
たはＴｉＯ２などの第２絶縁層５を真空蒸着あるいはス
パッタリング等で堆積し、第２絶縁層５上にＡ　または
札などの背面電極６を真空蒸着などで堆積した構成な有
Ｔるものである。この薄膜ＥＬ面光源素子の透明電極２
と背面電極６に外部から交流電圧な印加すると、ＥＬ層
４がエレクトロルミネセンスを生じ発光する。

しかしながら、第２図に示すように、従来の薄膜ＥＬ面
光源素子７にあっては、透明電極２と背面電極６とが平
面状に全面にわたって配されて〜・る１こめ、透明電極
２．第１絶縁層Ｓ　、ＥＬ層４゜第２絶縁層５．背面電
極６が積層された平面上の発光領域８中に暗点（非発光
部分）９が生ずると、この暗点９が発光領域８内χ四方
八方に拡ｂ″−９、数分間で発光領域８の全面に散在す
るようになるという問題点があった。

この発明の目的は、このような従来の薄膜ｇＬ面光源素
子の問題点を解決し、暗点がたとえ生じても全発光領域
に拡がることのない薄膜ＥＬ面光源素子を提供すること
にある。

この発明においては、前述の暗点が発光領域内にある背
面電極の破壊により生じ、この背面電極の破壊が他の発
光領域に拡がることにより暗点が拡大するものであると
いう知見に基づき、薄膜Ｅｌ、面光源素子の透面電極と
背面電極の少なくとも一方を互いに離間した複数の部分
電極より構成して発光領域を複数の部分に分離し、−ｍ
の発光領域に生じた暗点が他の発光領域に鉱からないよ
うにすることＫより、上記目的を達成する。

以下、この発明を図面に基いて説ｇＡ−ｉ″る。

第３図および第４図は、この発明の一実例を示す。まず
、構成を説明する。■は薄膜ＥＬｍ光源素子を示す。薄
膜ＥＬ面光源素子１１は、平板状のガラスなどの透明基
板Ｕ上に、５ｎ０２またはｌ００３などの透明電極肋、
Ｙ８Ｏ３またはＴ、Ｏ。

などの第１絶縁層１４、Ｚｎ８　またはｚｎＳｅなどに
Ｍｎあるいは希土類フッ化物などをドープしたＥＬ体か
らなるＥＬ層１５、ＹＯまたはＴｉＯ２な３ どの第２絶縁層１６、Ａｌまたは人。などの背面電極１
７を順次積層する構造を有する。この実施例の薄膜ＥＬ
面光源素子ＩＨＣおいては、背面電極１７を第２絶縁層
１６上に真空蒸着あるいはスパッタリングなどで堆積す
る際にストライプ状のメタルマスクなどを用いて第４図
に示すように図中左右方向に延びたストライプ状、すな
わち複数の平行かつ離間した縞状の部分電極１Ｂよりな
るように形成する。このように形成された部分電極１８
は、第４図中上下に延在された背面電極１７の部分１９
で接続されてくし形の形状となっている。第１絶縁層１
４ＥＬ層１５、第２絶縁層１６はそれぞれ透明基板ν上
に平面状、すなわち全面ベタに形成されている。

透明電極ｌは第４図の破線１３ｍよりも左側の部分を占
めるようにパターニングして形成されている。

薄膜ＥＬ面光源素子１１は、部分電極錦が設けられてい
る部分が発光領域（資）となる。したがって、発光領域
（資）は複数の互いに分離したストライプ状となって薄
膜ＥＬ面光源素子１１中に存在でる。

次に、作用馨説明する。

薄膜Ｆｄ、面光源素子１１は、透明電極１３と背面電極
１７に外部から交流電界な印加てると発光領域（資）の
Ｆｄ、層郷が発光する。もし、１つの発光領域８中Ｋ９
点（非発光部分）２０が生じたとすると、この暗点加は
その発光領域（資）の部分電極１８全体に拡がる。しか
しながら、この暗点加の拡大は１つの発光領域園内での
みに終り、他の発光領域園には分離されているため移り
広がらない。丁なゎち、１つの暗点加が生じても発光領
域加の一つに拡がっても、その外部には拡がらず、隔離
された残りの発光領域（資）は発光しつづけることがで
き、安定な面発光を得ることができる。

第５図は、この発明の他の実施例による薄膜１ｉ１Ｌ面
光源素子１１を示す。この実施例の薄膜１面光源素子１
１ＶＣあっては、透明電極１３が例えばケきカルエツチ
ングによるパターニングにより図中左右方向に配列され
たストライプ状の複数の部分電極２１からなり、これら
部分電極２１は部分ｎで接続されてくし形に配されてい
る。また、背面電極１７は例えばメタルマスクによるパ
ターニングにより図中上下方向に配列されたストライプ
状の複数の部分電極１８からなり、これら部分電極１８
は部分比で接続されてくし形に配されている。透明電極
１３の部分電極２１と背面電極１７の部分電極１８とが
交差する所が発光領域（９）となる。したがって、薄膜
ＥＬ面光源素子１１は複数の離間した発光領域加を持つ
。もし、一つの発光領域３０に暗点（非発光部分）が生
じたとしてもこの暗点はその発光領域ｘ内にとどまつ、
離間した他の発光領域３０に移り広がることはない。し
たがって、他の発光領域罪で安定した発光乞得ることが
できる。

以上説明してきたように、この発明によれば、透明基板
上に、透明電極、第１絶縁層、ＩＩＥＬ層、第２絶縁層
、背面電極ン順次積層する構造の薄膜ＥＬ面光源素子に
おいて、透明電極と背面電極の少なくとも一方乞、互い
に離間した複数の部分電極よりなるとしたため、一部の
発光領域に暗点（非発光部分）が生じても他の発光領域
に拡大することなく安定した発光を得ることができると
いう効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は薄膜エレクトロルミネセンス面光源素子の断面
図、第２図は従来の薄膜エレクトロルミネセンス面光源
素子の斜視図、第３図はこの発明の一実ｍ　例による薄
膜エレクトロルミネセンス面光源素子の断面図、第４図
はこのエレクトロルミネセンス面光源素子の平面図、第
５図はこの発明の他の実施例による薄膜エレクトロルミ
ネセンス面光源素子の平面図である。 １１・・・薄膜エレクトロルミネセンス面光源素子、１
２・・・透明基板、１３・・・透明電極、１４・・・第
１絶縁層、１５・・・エレクトロルミネセンス層、１６
・・・第２絶縁層、１７・・・背面電極、１８　、２１
・・・部分電極、（資）・・・発光領域。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■透明基板上に透明電極、第１絶縁層、エレクトロルミ
   ネセンス層、第２絶縁層、背面電極を順次積層する構造
   の薄膜エレクトロルミネセンス面光源素子において、前
   記透明電極と前記背面電極の少な（とも一方が、互いに
   離間した複数の部分電極よりなること？特徴とする薄膜
   エレクトロルミネセンス面光源素子。 ２＠記複数の部分電極が、ストライプ状に配列されてい
   ることヶ特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜エ
   レクトロルミネセンス面光源素子。 ３前記背面電極が、ストライプ状に配列された部分電極
   よりなり、前記透明電極が、平面状に配されていること
   乞特徴とする特許請求の範囲第２項記載の薄膜エレクト
   ロルミネセンス面光源素子。 ４、　Ｉｌ！′ＩＪ記背面！極が、ストライプ状に配列
   された複数の部分電極よりなり、前記透明電極が、前記
   背面電極の部分電極と直交するストライプ状に配列され
   た部分電極よりなることＹ特徴とする特許請求の範囲第
   ２項記載の薄膜エレクトロルミネセンス面光源素子。