JPS58124931A - 原子吸光分光光度計およびそれを用いる分析方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は原子吸光分元党度計に、および原子吸光分ツＣ
測光による分析方法に関する。

フレームアトマイザ−（ｆｌａｍｅ　ａｔｏｍｉｓｅｒ
　）　ヲ含む原子吸元分ツｔ、党度計を用いて物質を分
析する場合には、オペレーターが多数のパラメーターの
設定を最適にできるようにする必要がある。これらのパ
ラメーターは放射線源の操作電流、共通中空陰極ランプ
、放射線の強だ、燃料ガスのバーナ１．。

−への流量、モノクロメータ−の帯域特性（ｂａｎｄｐ
ａｓｓ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　）　、入口
および出口スリットの幅の調整、および測定ｉｍｅであ
る。

パラメーターのこの最適化には時間を消費し、オペレー
ターの技能を著しく低下する。

本発明の目的はオペレーターがパラメーターを最適化す
る必要をないようにする原子吸光分光光度計を提供する
ことである。

本発明の７レームアトマイザーを含む原子吸ツＣ分光元
度計は分元党度計のパラメーターを検出す・ベき物質に
依存する設定値の第１セツトに設定す、る装置；バーナ
ーへの燃料ガス流量を検出すべき物質に依存する１つの
設定値に設定する装置；最適化試料をフレームに吸引す
る装置；最適化基準（ｏｐｔｉｍｉｓａｔｉｏｎ　５ｔ
ａｎｄａｒｄ　）の吸光度を測定スる装置；および最適
化基準の吸ｙＣ度に依存する分ツＣ光度肝のパラメータ
ーの複数の蓄積セットの１つを選択する装置から構成さ
れていることを特徴とする。

本発明の原子吸光分光光度計は検出すべき物質、、。

の表示を測定器に入れた場合に、オペレーターの助けを
かりずに表示自体をその最適条件にまで設定することが
できる利点を有している。１例として、コード化ランプ
（ｃｏｄｅｄ　ｌａｍｐｓ　）を固定する場合に、検出
すべき物質の表示を、不揮発性記憶・装置（ｎｏｎ−ｖ
ｏｌａｔｉｌｅ　ｍｅｍｏｒｙ　）からのパラメーター
の適当なセットを修正する泄１定器におけるマイクロプ
ロセッサ−によって読み取ることができる。

検出すべき物質がバーナーへの燃料ガス流の速・度を変
える感度を有する場合には、分光光度肝を、・最適基準
の吸ｙＣ度を測定し、この結果を蓄積する装置；増加ス
テップ（ｉｎｃｒｅｍｅｎｔａｌ　５ｔｅｐｓ　）にお
いてバーナーへのガス流量を調節し、各ステップにおけ
る最適化基準の吸光度を測定し、前のステップ（ｐｒｅ
ｃｅｄｉｎｇ　５ｔｅｐ　）　ニおいて測定シタ各ステ
ップにおける測定吸ツ０度を比較して最大吸光度を与え
る流量を定める装置；および最大吸光度値に依存する分
ｙ０光度肝のパラメーターの複数の蓄積セットの１つの
セットを選択する装置から構成する１・・ことができる
。

分ｙｅ　ｙｅ　度肝は、パラメーターの第１セツトを最
適化基準の最大吸光度値または吸ツＣ度が０．１〜０．
５吸光度単位（Ａｂｓｏｒｂａｎｃｅ　Ｕｎｉｔｅ　）
　（７）範囲であるときに保留し、パラメーターの第２
セツトを１最適化基準の最大吸光度値または吸光度が０
．１吸ｙＣ度単位以下であるときに使用し、パラメータ
ーの第８セツトを最適化基準の最大吸光度値または吸ｔ
ｅ度が０．５吸ツＣ度単位より大きいときに使用するこ
とができる。

最適化基準の最大吸光度値または＠光度が１．（＋。

吸ｙＯ度単位以上である場合には、選択波長（ａｌｔｅ
ｒｎａｔｉｖｅ　ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ　）の輻射線を
選択する装置を設けることができる。

この事はノイズ効果の低い低級ｙｔ、度値が得られるよ
うになる。

最適化基準の最玲ｙＣ度値または吸光度が０．５吸光度
単位であろうとも表示できる装置を設けることができる
。

この事はオペレーターが測定濃度における誤差１．。

を警戒できるようにする。

また、最適化基準を稀釈する装置を設けることができ、
この稀釈装置は最適化試料の最大級ｙＣ度値または吸光
度が０．５吸元度単位以上であるときに活性化し、０．
１〜０．５吸光度単位の範囲において１稀釈最適化基準
の最大級ツＣ度値または吸光度にする。この事は測定器
の範囲の最も大きい感受性部分において測定できるよう
にする。また、勿論、測定する試料は適当に稀釈するこ
とができる。

更に、本発明の目的はフレームアトマイザ−を含む原子
吸光分光光度計を用いる分析方法を提供。

することであり、この本発明のフレームアトマイザ−か
らなる原子吸光分光光度計を用い箔分析方法は、（ａ）
分ツＣ光度肝のパラメーターを検出すべき物質に依存す
る設定値の１つのセットに設定し；（ｂ）バーナーへの
ガス流量を検出すべき物質に依存する設定値に設定し；
（Ｃ）最適化試料をフレームに吸引させ＝（ｄ）最適化
基準の吸光度を測定し、この結果を蓄積し；（ｅ）増加
ステップにおけるおよびステップ（Ｃ）および（ｄ）を
繰返す流量の各増加ステップ、、。

におけるガス流量を調節し、最大吸光度測定が見出され
るまで新しい吸ｙＣ度値を蓄積値と比較し；（ｆ）最大
級ｙＣ度測定値を用いて分ツＣツ０度肝に対する複数の
パラメーターのセットの１つのセットを選択し藁および
（ｇ）パラメーターの選択セットを用い・試料を吸引し
、およびその吸ツ０度を測定する各ステップからなるこ
とを特徴とする。

次に、本発明を添付図面について説明する。

第１および２図に示す単原子エレメント中空陰極ランプ
組立体（ｓｉｎｇｌｅ　ａｔｏｍｉｃ　ｅｌｅｍｅｎｔ
　ｈｏｌｌｏｗｃａｔｈｏｄｅ　ｌａｍｐ　ａｓｓｅ＋
ｎｂｌｙ　）　ＨＯＬは密閉容器ＳＫ内１に中空陰極Ｏ
Ａおよび陽極ＡＮから形成したランプを有している。ベ
ースＢＡを容器ＳＥに接続し、ベースＢＡに共通り一ド
ＥＬに接続した４個の抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ８およびＲ４
からなる抵抗回路網ＲＮを設ける。ベースＢＡから突出
させ、かつ電極ＯＡおよびＡＮにそれぞれ接続する２個
のプラグ端子Ｐ６およびＰ７はこれらの電極をランプ電
力供給源ＬＰＳに接続する接続装置を設ける（第４図参
照）。

更に、ベースＢＡから突出ぎせ、かつ抵抗Ｒ１〜　１．
。

Ｒ４およびリードＥＬにそれぞれ接続する５個のプラグ
端子Ｐ１〜Ｐ５には原子吸ｙｅ分光光度計の測定回路装
置ＭＯＭ　（第３および４図参照）における抵抗回路網
を含む接続装置を設ける。抵抗回路網は抵抗Ｒ１および
Ｒ２によってランプの原子ニレメン・）　（ａｔｏｍｉ
ｃ　ｅｌｅｍｅｎｔ　）を表示し、更に抵抗Ｒ３および
Ｒ４によってランプ作動電流を表示する。第２図に示す
ように、端子Ｐ１〜Ｐ７は、正しい電気接続を確実にす
るためにベースＢＡ上にボスＢＡＩにより普通のオフタ
ルプラグ配置（ｏｃｔａｌ　ｐｌｕｇ　　・ｃｏｎｆｉ
ｇｕｒａｔｉｏｎ　）に配列する。

分光光度計における作動位置において、ランプ組立体Ｈ
ＯＬをその光路に位置し、分ツＣ光度肝における端子Ｐ
１〜Ｐ７から固定ソケッ）　ＳＫへの電気接続を接続リ
ードＯＬを介してソケットおよびプラグ接続によって作
る。ベースＢＡ内に位置する代りに、抵抗回路網ＲＮを
接続リードＯＬ内に位置することができ、この場合リー
ドＯＬは電極に対するかかる接続手段の部分および回路
網に対するかかる池の全接続手段を設けるリードＯＬの
適当　、、。

な部分によりランプ組立体の部分を形成することができ
る。また、回路網ＲＮは密閉容器ＳＥの内側に設けるこ
とができる。第１および２図に示す配置からのこれらの
可能な変形構造はランプに対して個々の同一のベースを
設ける必要がないことを１示している。

第３図において、抵抗回路網ＲＮは分光ｙＣ度度肝おけ
る測定回路装置ＭＣＭおよびマイクロプロセッサ−μＰ
を示している。測定回路網ＭＯＭはバスＢＳにより制御
され、かつバスＢＳを介してマイ１１ 、クロプロ七ツサーμＰに接続するマルチプレクサ−。

ＭＰＸおよびアナログ対ディジタル変換器並びに電圧源
＋■に接続する抵抗Ｒ５を含んでいる。マルチプレクサ
−ＭＰＸによって抵抗Ｒ１〜Ｒ４は抵抗Ｒ５および共通
り−ドＥＬと交互に直列に接続し、このために電圧を各
抵抗Ｒ１〜Ｒ４を横切ってアナログ対ディジタル変換器
に供給する。２個の抵抗Ｒ１およびＲ２のオーム値は回
路網に導入する単原子エレメント中空陰極ランプ組立体
の原子エレメントを示し１通常これらの２個の抵抗のう
ちの１．、。

つの抵抗は原子エレメントの原子番号の単位値を示す。

２個の抵抗Ｒ３およびＲ４のオーム値はランプ作動電流
、通常回路網に導入するランプ組立体の電極に対する最
大作動電流を示す。マイクルプロセッサーμＰは測定回
路網装置ＭＯＭによる抵抗１回路網の測定に応答する原
子エレメント、すなわち、抵抗Ｒ】およびＲ２に応答す
る変換器ＡＤＣの２つの順次のディジタル出力を確認す
るように調整する。抵抗回路網からの測定回略装＠　Ｍ
ＯＭによって引出すランプ回路情報、すなわち抵抗Ｒ３
および・・ｃ　１２　１ Ｒ４に応答する変換器ＡＤＯの２つの順次のディジ　１
タル出力を第４および５図について説明するようにマイ
クロプロセッサ−μＰおよび池のランプ回路情報により
使用して個々の中空陰極ランプの陰極に接続するランプ
電力供給袋＠　ＬＰＳを制御する。

記載する抵抗回路網は安価でかつ便利であるけれども、
原子エレメントおよび最大ランプ作動電流を示す上述す
る中空陰極ランプ組立体を含む電気回路網は抵抗性以外
の回路網にすることができる。

測定回路装置を適当に適用した場合には、回路網１・・
を、例えば容量性にすることができ、また回路網は回路
を開放または短絡する接続を用いてまたはダイオードを
用いて２値を表示することができる。

第１および２図に示す電気回路網を有する単原子エレメ
ント中空陰極ランプは原子吸光分光光度・計に対するソ
ースランプ組立体の１つの例でアル。

ランプ電力供給装置によって作動する場合には１または
２個以上の原子エレメントの共鳴線輻射線特性を生ずる
池のランプを同様の回路網に設けて原子吸ｙｔ、分光ｙ
Ｃ度肝ソースランプ組立体を形成す□パることかできる
。かかる池のランプには無極放電１管がある。この場合
、同様にして電気回路網を単原子エレメントを可能とす
るランプを有する組立体に設けることができ、この場合
このランプは分光光度計で確認すべき共鳴線輻射線（ｒ
ｅｓｏｎａｎｃｅｌｉｎｅ　ｒａｄｉａｔｉｏｎ　）を
放射する。通常、無極放電管には分光光度計の外部に補
助電力供給源を設ける。この場合、またランプ組立体に
おける回路網は分光ツＣ度肝において確認し、かつ補助
電力供給を制御するのに用いる電力の特定値を示すこと
が・・・できる。かかる池のランプ以外のランプとして
は多原子エレメント中空陰極ランプがある。この場合、
また電気回路網を単原子エレメントをすべて可能とする
ランプを有する組立体に設けることができ、この場合こ
のランプは分ツＣ光度計において１確詔すべき共鳴線輻
射線を放射する。通常の多原子エレメント中空陰極ラン
プは１個、３個または４個の原子エレメントの特定組合
せに対する共鳴線輻射線を放射し、回路網は個々の原子
エレメントを示すことができ、または特定の組合せを示
す・１１５　　） ことができる。また、回路網は単原子エレメント、中空
陰極ランプについて上述すると同様にして最大ランプ電
流を示すことができる。

第４図は、第８図に記載する測定回貼装＠　ＭＣ！Ｍお
よびマイクロプロセッサ−μＰに接続する第１および２
図に記載する４個の単原子エレメント中空陰極ランプ組
立体ＨＯＬ　１〜Ｈ（Ｊ、　４を含む原子吸ツＣ分光ツ
６度計な示している。４個のランプ組立体ＨＣＬ　１〜
ｎｃｂ　４はタレットコントロール装置’Ｉ’ＵＯによ
り作動するタレットＴＵに保持し１分ツ０光度　１・・
計の光路においである時間において４個のランプ組立体
ＨＯＬ　１〜ＨＯＬ　４の１個の選択ランプを位置する
。第４図は光路におけるランプ組立体Ｉ（ＣＬ　ｌを示
している。ランプ組立体ＨＯＬ　１により放射された輻
射線は個々の陰極ＣＡＩから通常のフレー　・ムタイプ
のアトマイザ−ＡＴに通す。分ツＣツＣ度肝によって分
析すべき試料は自動試料採取器制御装置ＡＳＯにより作
動する自動試料採取器Ａｓからアトマイザ−ＡＴに供給
し、アトマイザ−はアトマイザ−制御装置ＡＴＯにより
作動する。輻射線は了・（１６１ トマイザーＡＴを通してモノクロメータ−ＭＮに　１通
す。モノクロメータ−ＭＮ　Ｅ通過した輻射線の波長を
波長制御装置ＭＷＯによって選択し、モノクロメータ−
ＩＮの帯域、すなわちスリット幅をスリット制御装置Ｍ
ＳＯによって選択する。ツＣ電子増倍検出器ＤＥＴは電
流信号を生じ、その振幅をモノクロメータ−ＭＮから生
ずる輻射線の強さに比例し、対数変換器ＬＧは検出器Ｄ
ＥＴの出力の対数に比例する増幅電圧信号を生ずる。ア
トマイザ−ＡＴに存在する試料を分析する原子エレメン
トの濃度は主と１．。

して対数変換器ＬＧの出力信号に比例する。

各ランプ組立体ＨＯＬ　ＩＮＨＯＬ　４の２個の電極を
ランプ電力供給装置ＬＰＳに接続し、これらの場合にお
ける中空陰極ＯＡｌ等を信号接続をもって図面に線図的
に示している。各ランプ組立体ＨＯＬ　１・〜ＨＯＬ　
４の抵抗回路網ＲＮ　１〜ＲＮ　４および第１〜３図に
示す４個の各１抗Ｒ１〜Ｒ４を有する各回路網をマルチ
プレクサ−ＭＰＸｌに接続する。１６個の各抵抗からマ
ルチプレクサ−Ｍ’ＰＸＩへの個々の接続が存在するけ
れども、説明を簡単にするために回路網ＲＮＩ〜ＲＮ　
４のそれぞれからのマルチプレクサーＭＰＸ　１に対す
る１個だけの接続を示す。

これら１６個の回路網抵抗はそれぞれ抵抗Ｒ５によって
直列にラッチ回路装置ＬＨにより制御されるマルチプレ
クサ−ＭＰＸ　１を介して電圧源＋Ｖに接続する。１６
個の各回路網抵抗を横切る電圧をラッチ回路装ＷＬＨに
より制御する凹のマルチプレクサ−ＭＰＸ　２を介して
アナログ対ディジタル変換器に接続する。マルチプレク
サ−ＭＰＸ　１およびＭＰＸ　２　、抵抗Ｒ５，電圧源
＋■、ラッチ回路装置　・・・ＬＨおよびアナログ対デ
ィジタル変換器ＡＤＯは回路網ＲＮ　１およびＲＮ　４
を接続する測定回路装置ＭＯＭを形成する。また、対数
変換器り、Ｃの出力信号をマルチプレクサ−ＭＰＸ　２
を介してアナログ対ディジタル変換器ＡＤＯに接続する
。分ツＣツＣ度肝の・作動において、ランプ組立体ＨＯ
Ｌ　１〜ＨＣＬ　４を測定回貼装ＮＭＯＭに接続するや
否や回路網ＲＮ’ｌ〜ＲＮ　４をかかる装置ＭＣＩによ
り測定する。しかる後に、この測定をバックグラウンド
・チェック−ルーチンとして繰返し、測定をマルチプレ
クサ−λ（ＰＸ　２を介してアナログ対ディジタル変換
器ＡＤＯに供給ｌすべき分光光度計により生じた池のア
ナログ信号、例えば対数変換器ＬＧの出力の場合に必要
とする場合には中断する。バックグラウンド・チェック
・ルーチンは、例えばランプが所望の位置に存在しな・
い場合に、誤差信号を生じさせるのに用いることができ
る。

マイクロコンピュータ−ＭＣＰはマイクロプロセッサ−
μＰ１マイクロプロセッサ−μＰによって処理する一時
保持データのための揮発性読取り一書゛込み記憶装置Ｒ
ＡＭおよびマイクロプロセッサ−μＰの作動を調整する
プログラム情報を保持する読取り専用記憶装置ＲＯＭを
含んでいる。バスＢＳはマイクロプロセッサ−μＰを読
取り一書込み記憶装置ＲＡλｆ、読取り専用記憶装置Ｒ
ＯＭ　、アナログ対ディ　゛ジタル変換器ＡＤＯ、ラッ
チ回路装置ＬＨ，ランプ電力供給装置ＬＰＳ　、タレッ
ト制御装ｆｌｕ　ＴＵＯ、自動試料採取装＠ＡＳＯ、ア
トマイザ−制御装置ＡＴＯ。

スリット制御装ｆｉｔ　ＩｓＣおよび波長制御装置ＭＷ
Ｏに接続する。

）　１９　１ プログラム情報を保持する外に、また読取り専１用記憶
装置ＲＯＭは、特に分光光度計を用いることができる複
数の単原子エレメント中空陰極ランプ組立体のそれぞれ
の原子エレメントと関連した位置における波長情報を含
む原子エレメント関係情報を保持する。かかる単原子エ
レメント中空陰極ランプ組立体を６０個以上存在させる
ことができるだけでなく、いかなる場合でも１個または
幾個かのランプ組立体、例えば４個のランプ組立体ＨＯ
Ｌ　１〜ＨＯＬ　４を測定回路装置ＭＯＭに接続したこ
１．。

れらの回路網を有する分光光度計に配置することができ
る。マイクロプロセッサ−μＰは１個または幾個かのラ
ンプ組立体の原子エレメントを確認（１ｄｅｎｔｉｆｉ
ｃａｔｉｏｎ　）　スるように調整し、カカルランプ組
立体の回路網は個々の回路網の測定に応１答する測定回
路装置Ｍ（３Ｍに接続する。第４図に示すように４個の
ランプ組立体ＨＯＬ　１〜ＨＣＬ　４の場合、この確認
はランプ組立体の個々の回路網ＲＮＩ〜ＲＮ４の抵抗Ｒ
１およびＲ２を順次に横切って測定される電圧に関する
了すｐグ対ディジタル変換ン　２０　　。

Ｗ　ＡＤＯの出力に応答する。更に、マイクロプロセ。

ツサーμＰは１個または幾個かのランプ組立体に対し読
取り専用記憶装置ＲＯＭから引出される波長情報を波長
制御表［ＭＷＯに供給するように調整する。この場合、
かかるランプ組立体の原子エレメントは確認し、かつラ
ンプはモノクロメータ−の光路に存在する。タレットＴ
Ｕおよびタレット制ｍ＋　装＠ＴＵＯはマイクロプロセ
ッサ−μＰがモノクロメータ−のツＯ路に存在するラン
プを確認できる装置を含んでいる。

また、読取り専用記憶装置ＲＯＭはランプ電流情報を保
持する。マイクロプロセッサ−μＰを１個または幾個か
のランプ組立体に対しこのランフ電流情報を用いるラン
プ電力供給装置ＬＰＳを制御するように調整する。この
場合、かかるランプ組立１体は原子エレメントを測定回
路装置Ｍ（３Ｍを介して確認する。マイクロプロセッサ
−μＰに対して、測定回路装置ＭＯＭを介して回路網Ｒ
ＮＩ〜ＲＮ４から引出された最大ランプ回路情報および
読取り専用記憶装置ＲＯＭから引出されたランプ回路情
報を用い・・てランプ電力供給装置ＬＰＳを制御できる
ので有利。

である。回路網ＲＮＩ〜ＲＮ４が個々のランプ組立体の
最大ランプ作動電流を表わす抵抗Ｒ８およびＲ４を含ん
でいない場合には、読取り専用記憶装置ＲＯＭにおける
ランプ電流情報を分光光度計を用いることができる複数
の中空陰極ランプ組立体の個々の原子エレメントと関連
する位置に保持でき、かつ個々のランプに対する作動電
流を完全に制限することができる。

情報を読取り専用記憶表＠ＲＯＭに蓄積する複数１・・
σ」中空陰極ランプ組立体の１個のランプ組立体の単原
子エレメントに閃する１種または２種以上の試料を分析
する分ｙｔ、光度計の操作からなる分析の場合、原子エ
レメント関係情報および試料関係情報を必要とする。分
ツＣ光度計の自動操作をＪ不揮発１性読取り一隻込み記
憶表＠ＮＶＭにおける分析の少なくとも期間において連
続的に蓄積する情報セットを形成する両タイプの情報に
よって容易に達成することができる。マイクロプロセッ
サ−μＰはバスＢＳによって記憶表＠　ＮＶＭに接続し
、かかる　′□情報セットを用いて調整してかかる分析
を制御す毛る。

記憶装置ＮＶＭにおける各情報セットに対する原子エレ
メント関係情報は読取り専用記憶装置ＲＯＭから引出し
、各ランプ組立体の原子エレメントを確認する際に更に
マイクロプロセッサ−μＰによって送出す。この原子エ
レメント関係情報は上述する波長情報およびスリット制
御装置ＭＳＯに用いるスリット幅情報を含んでいる。読
取り専用記憶装置ＲＯＭから引出すことのできる原子ニ
レメントド・関係情報はアトマイザ−制御装置ＡＴＣに
用いる燃料の種類および流量を確認する情報を含んでお
り、また測定時間情報を含んでいる。検出器ＤＥ’ｌ；
’の出力信号を対数変換器ＬＧ、マルチプレクサ−ＭＰ
Ｘ２およびアナログ対ディジタル変換器ＡＤＯを介して
１受ける時間はその信号のノイズ減少を測定時間により
定める場合にマイクロプロセッサ−μＰにより平均する
。

記憶装置ＮＶＭにおける各情報セットに対する試料ａ係
ｍｓはバスＢＳによりマイクロプロセッサ−□１２８　
　） μＰに接続したキーバッドＫＰＤを介して公党光度１計
の使用者によりかかる記憶装置の適当な位置に入れるこ
とができる。この試料関係情報は自動試料採取器Ａｓに
保持すべき多く基準濃度の試料およびこれらの基準試料
の濃度を確認する情報を含んでいる。

バックグラウンド・コレクション（ｂａｃｋｇｒｏｕｎ
ｄｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ　）の特徴は周知のことである
ので、本明細書において説明しないが、一般にこのバッ
クグラウンド・コレクションは分ツＣ光度計に用いるこ
１・・とができ、この場合試料関係情報がバックグラウ
ンド・コレクションを特定分析に使用できるか否かを示
す。また、原子エレメント関係情報にはモノクロメータ
−に通す輻射線の波長がある値以上になる場合に原子エ
レメントに対するバックプラウ１ンド・コレクションを
スイッチ・オフするオーバー“ライデング命令（ｃｖｅ
ｒｒｉｄｉｎｇ　１ｎｓｔｒｕｃｔ、ｉｏｎ　）　２含
めることができる。

単原子エレメントに関する１種または２種以上の試料の
分析の結果はマイクロコンピュータ−゛・　２４ ＭｏＰの揮発性読取り一書込み記憶装置ＲＡＭに一時。

的に蓄積し、最後にはバスＢＳによりマイクロプロセッ
サ−μＰに接続する適当な記録計、例えばプリンターＰ
ＲＩに、必要ならばディスプレー（図に示していない）
に送り出す。

自動試料採取器Ａｓはフレーム式アトマイザ−ＡＴと用
いるのに特に適当なタイプの試料採取器を用いるのが便
利である。更に、自動試料採取器制御装置ＡＳＯは、一
般に特定の自動試料採取器ＡＳに部分的に特定するか、
または特定の自動試料採１・・取ＨＡｓ内に位置さし、
部分的にマイクロプロセッサ−μＰと永久的に関連させ
、分光光度計の本体に位置する。１つのタイプのアトマ
イザーヲ主として設け、かつ付属品として池のタイプの
アトマイザ−を使用するのに適応する原子段ｙＣ分ツＣ
光□度肝は良く知られている。例えば、フレーム式に主
として用いるが、しかし熱電式（ｅｌｅｃｔｒｏｔｈｅ
ｒｍａｌｍｏａｅ　）に用いるのに適応する原子吸光分
光光度計は知られており、この場合一般に熱電炉用のア
トマイザ−制御装置ＡＴＯを付属品として設け、この場
合炉は装置の本体に位置するよりはむしろマ。

イクロプロセッサーμＰと永久的（Ｊ関連させる。

適当なセンサ（図面に示していない）を設け、アトマイ
ザ−ＡＴおよび自動試料採取器Ａｓのタイプを適当な操
作についてマイクロプロセッサ−μＰに対して同一に扱
うことができる。アトマイザ−制御装置ＡＴ（３を分光
光度計の付属品として設ける場合には、それ自体の非揮
発性読取り一書込み記憶装置に炉熱サイクル情報の複数
のセットを保持することができ、その代りに読取り専用
記憶装置・・・ＲＯＭから引出しうる上述するこの情報
を熱電炉アトマイザー制御装Ｎ　ＡＴＯの非揮発性読取
り一書込み記憶装置に残留することができる。かかる非
揮発性記憶装置は分析のための全情報を保持する非揮発
性読取り一書込み記憶装置ＮＶＭの部分として・考慮す
ることができる。

非揮発性読取り一書込み記憶装置ＮＶＭは上述するよう
に複数の情報セットを蓄積する能力を有する。このため
に、順次に原子エレメントのセットのそれぞれに関する
自動試料採取器ＡＳに保持ざ　・れた１または２種以上
の試料を分析する分ツＣ光度。

計の操作からなる分析順序を順次に複数の情報セットの
１１報セツト、すなわち、原子エレメントのセットの各
原子エレメントに対する１つの情報セットを用いるよう
に調整するマイクロプロセッサ−μＰによって制御する
。複数の情報セットは分析順序の少なくとも期間にわた
って読取り一書込み記憶装置ＮＶＭに連続的に蓄積する
。例えば、記憶装置ＮＶＭは少なくとも４つの情報セッ
ト、すなわち、第４図に示す４個の単原子エレメント中
１・・空陰極ランプ組立体ＨＣＬ　１〜ＨＯＬ　４の各
組立体の情報セットを蓄積する能力を有する。４個のか
かるランプ組立体を用いる場合には、各情報セットにお
ける原子エレメント関係情報は読取り専用記憶装置ＲＯ
Ｍから引出す。分光ｙＣ度肝は各原子ニレ・メントを確
認する回路網を有する第１〜５図に記載するランプ組立
体以外のランプを付加的に用いることかできる。例えば
、４個のタレットランプ位置の各位置においては普通の
単原子エレメント中空陰極ランプを適応することができ
る。この場・□ｃ　２７　　。

合、分光光度計の使用者はキーバッドＫＰＤを介し１て
各ランプの原子エレメントを確認するマイクロプロセッ
サ−μＰに対する情報を簡単に得ることができ、これに
応答してマイクロプロセッサ−μＰは読取り専用記憶装
置ＲＯＭからのすべての必要な原子エレメント関係情報
を引出すことができ、これを使用するために不揮発性記
憶装置ＮＶＭに送出することかできる。抵抗回路網ＲＮ
ＩＮＲＮ４のいずれの回路網の作用をより正確に反復さ
せる場合には、また使用者はこれらの回路網のランプ電
流１・・情報に相当するキーバッドＫＰＤを介して情報
を得ることができる。池の例としては多原子エレメント
中空陰極ランプを用いることができる。これらのランプ
は普通に用いることができ、この場合には使用者はキー
バッドＫＰＤを介して多原子エレン”□ントランプとし
てランプを確認する情報、ランプの原子エレメントを確
認する情報およびランプ電流情報を得る。変形例として
は多原子エレメント中空陰極ランプに測定回路装置ＭＣ
Ｉで測定すべき抵抗回路網を設けることができ、これに
よって多（２８） 原子エレメントランプにおけるようにランプ電流。

情報およびランプを確認する情報を得ることができる。

次いで、使用者はキーバッドＫＰＤを介してランプの原
子エレメントを確認する情報を得、マイクロプロセッサ
−μＰを調整して読取り専用記憶表＠　ＲＯＭから原子
エレメント関係情報を引出し、この情報をこれらの原子
エレメントのそれぞれに対する不揮発性読取り一書込み
記憶装置ＮＶＭにおける分離情報セットに送出する。

第１〜３図に記載するランプ組立体以外のラント・ブを
使用できるのに加えて、分ｙｃ光度肝に手動オーバーラ
イド（ｍａｎｕａｌ　ｏｖｅｒｒｉｄｅ　ｆａｃｉｌｉ
ｔｙ　）　ヲ設けることができ、これによって本発明に
おける回路網を有するランプ組立体を存在する場合、使
用者はキーバッドＫＰＤを介して原子エレメント関１係
情報を別に読取り専用記憶装置ｆ　ＲＯＭから引出され
る情報とは壺なる不揮発性読取り一書込み記憶表［ＮＶ
Ｍにおける情報セットに加えることができる。

外部コンピューター（図に示していない）を適当な界面
回路（１ｎｔｅｒｆａｃｅ　ｃｉｒｃｕｉｔ　）　ヲ介
しテハ。

スＢＳに接続することができる。外部コンピューターの
使用は不揮発性読取り一書込み記憶装置ＮＶＭの機能を
増大することによって分光光度計の自動操作を更に容易
にすることができる。例えば、上述する原子エレメント
関係情報および試料関係情報からなる情報セットを特定
分析のために不揮発性記憶装置ＮＶＭに一度入れると、
不揮発性記憶装置ＮＶＭの能力がさしあたって異なる分
析に十分に用いられた場合でも、かかる情報セットを同
じ１・・分析の繰返し用いするいかなる後データをリコ
ールする（ｒｅｃａｌｌ　）外部コンピューターに送出
することかできる。第４図に記載する原子吸元分ツＣツ
Ｃ度肝についてそのある特性だけを記載し、普通の池の
特性を有していることについて記載している。例え□ば
、ランプ電力供給は一般に変えることができ、検出器Ｄ
ＥＴからの信号は対数変換器ＬＧにより処理する前に相
当して復調する（　ｄ、ｅｍｏｄｕｌａｔｅｄ　）。

また、検出器ＤＥＴは自動化できる制御全行るようにす
ることができる。また、二重ビーム操作、す゛□なわち
、アトマイザ−をバイパスする参照元路　１（ｒｅｆｅ
ｒｅｎｃｅ　ｐａｔｈ　）　６＋）手段オヨヒコノ参照
ｉ路を介して送出した信号を特に中空陰極ランプ出力お
よび検出器出力の機器ドリフ）　（ｉｎｓｔｒｕｍｅｎ
ｔａｌｄｒｉｆｔ　）を妨げるベースライン・コレクシ
ョン（ｂａｓｅｌｉｎｅ　ｃｏｒｒｅｃｔｉ、ｏｎ　）
　ｆ得るノニ使用ｔル、ｍとは原子吸ツ０分ツＣツＣ度
計において周知の随意の特徴である。長期間にわたり自
動的に操作できる第４図に記載する分ツＣ光度肝の場合
において、二重ビーム操作が特に有利であり、極めて適
当に組合１・・せることかできる。

第５図は第４図に示す分光ｙＣ度肝の操作を示すフロー
チャートである。

３Ｌ オペレイジョンｌ［スイッチ・オンｆｓＷｉｔＣｈＯｎ
）Ｊにおいて使用者は分光光度計Ｇこ対する電源をスイ
ッチ・オンする。オペレイジョン２「始動（Ｊ−ｎｉｔ
ｉａ−１ｉｓｅ）Ｊにおいて使用者は４個の単原子エレ
メント中空陰極ランプ組立体ＨＯＬ　１〜ＨＯＬ４をタ
レツ）　Ｔｕに位置させること（こよってロードしく　
１ｏａｄｅｄ　）、４個の相当する試料関係情報セット
を不揮発性読取り一書込み記憶装置ＮＶＭに位置する。

この場合、ランプを分光光度計の光軸上に位置する位置
、すなわち、第４図に示すランプ組立体ＨＯＬ　ｉの位
置に一致するランプに対する１つのローディング位ｔＷ
　Ｔｌｏａｄｉｎｇ　ｐｏｓｉｔｉｏｎ）が存在する。

ランプ組立体が順次にロードする際、マイクロプロセッ
サ−μＰは読取り専用記憶装置’　ＲＯＭからの個々の
情報セットに対する関連原子エレメント関係情報を測定
回路装置ＭＣＭによりランプ組立体回路網ＲＮ　１〜Ｒ
Ｎ　４のそれぞれ１つの測定昏こ応答する不揮発性記憶
装置ＮＶＭにおける適当な位置に送ることができる。各
ランプがローディング位置に存在する時Ｏこ、使用者は
個々の情報セットに対する関連す　３２ る試料関係情報をキーバッドＫＰＤおよびマイクロプロ
セッサ−μＰを介して記憶袋ｆｉ　ＮＶＭに入れること
ができる。分光光度計の操作は、自動試料採取器ＡＳに
おける試料の新しいセットのために同じランプ組立体Ｈ
ＯＬ　ｌ−ＨＯＬ　４の原子エレメントに関する試料の
異なるセットに対するすぐ前の分析順序を繰返す。ラン
プ組立体がすでにロードされ、相当する情報セットが「
スイッチオン」前の不揮発性記憶袋＠　ＮＶＭに存在す
る場合には、「始動」オペレイジョン２は使用者によっ
て作動する必要がない。オペレイジョン８「ランプに対
スる電源ＴＰｏｗｅｒ　ｔｏ　Ｌａｍｐｓ　）Ｊにおい
て、使用者は各ランプに対するランプ電力供給装置ＬＰ
Ｓをスイッチオンし、各ランプに対しこの作用を応答さ
せ、適当なランプ電流情報をマイクロプロセッサ−μＰ
に□より不揮発性記憶装置ＮＶＭから引出し、ランプ電
流供給袋＠　ＬＰＳに供給する。アトマイザ−ＡＴがフ
レームタイプである場合には、オペレイジョン２または
８の後で使用者による作用を含むオペレイジョン１図に
示していない）はアトマイザ−ＡＴのフレームを点火す
ることが要求される。オペレイジョン４「自動試料採取
器始動（ｓｔａｒｔ　Ａｕｔｏ−ｍａｔｉｃ　Ｓａｍｐ
ｌｅｒ）ｊ　Ｇ、：おいて、使用者は自動試料採取器Ａ
Ｓの作動を開始し、この作動に応答させ、適当な情報を
自動試料採取器制御装首ＡＳＯから読取り一書込み記憶
装置１（ＲＡＭに入れ、しかる後に分光光度計の操作を
更に使用者が介入することなくマイクロプロセッサ−μ
Ｐが制御されるまで完全に自動化することができる。

オペレイジョン４に応答して、マイクロプロセッサ−μ
Ｐはオペレイジョン５「セットＮ−，ＬｆＳｅｔＮ−Ｌ
）Ｊを行う。Ｎはタレット・カウント（ｔｕｒｒｅｔｃ
ｏｕｎｔ　）を表わす。タレットカウントＮは４個のラ
ンプ組立体の１つの組立体が自動試料採取器ＡＳの作動
中、すなわち１つの原子エレメントに対するかかる採取
器の試料の分析中光路に存在するのを決定し為また不揮
発性記憶装置ＮＶＭにおける情報セットを分析中マイク
ロプロセッサ−μＰにより用いることを決定する。タレ
ット・カウントＮは各分析期間中読取り一書込み記憶袋
ｊｒｔＲＡＭに保持クロプロセッサーμＰはオペレイジ
ョン６　「Ｎに　・対するセット°ランプ°りＬ／　７
　）　（Ｓｅｔ　Ｌａｍｐ　Ｔｕｒｒｅｔｔｏ　Ｎ）Ｊ
を行う。このオペレイジョン６において、タレット　Ｔ
Ｕをタレット制御装［ＴＵＯにより位置Ｎ（ランプ組立
体ＨＯＬ　ｌに相当するこのステージＮ−１において）
駆動する。オペレイジョン６Ｇこ応答して、マイクロプ
ロセッサ−μＰはオペレイジョン７「セットスリット（
Ｓｅｔ　５ｌｉｔｏ）Ｊを制御し、モノクロメータ−Ｍ
Ｎスリット幅を不Ｉ発性記憶装［ＮＶＭにおける情報セ
ットからのスリット・情報を用いるスリット制御装置Ｍ
ＳＯによりセットし、次いでマイクロプロセッサ−μＰ
はオペレイジョン８「セット波長（Ｓｅｔ　Ｗａｖｅｌ
ｅｎｇｔｈ）Ｊを行い、モノクロメータ−ＭＮ波長を不
揮発性記憶装置ＮＶＭにおける情報セットからの波長情
報を用いる波長□制御装置ＭＷＯによりセットする。検
出器ＤＥＴの利７１　（ｇａｉｎ）をモノクロメータ−
波長のセツテングと共ニ自ａ　的に調節する。またオペ
レイジョン６に応答して、マイクロプロセッサ−μＰは
不揮発性記憶装置ＮＶＭからの測定時間情報を１個の原
子工、　８５　　・ レメントに対する試料の順次測定中マイクロフロ・セッ
サーμＰにより揮発性読取り一書込み記憶装置ＲＡＭに
転送する。

オペレイジョン８に次いでマイクロプロセッサ−μＰは
オペレイジョン９「測定／ランクｆＭｅａ−８ｕｒｅ　
Ｂｌａｎｋ）Ｊを制御する。このオペレイジョン９にお
いて、自動試料採取器制御装＠　ＡＳＯの制御下で自動
試料採取器ＡＳは試料を１個の原子エレメントの表示零
濃度（ｎｏｍｉｎａｌｌｙ　ｚｅｒｏ　ｃｏｎｃｅｎｔ
ｒａ−ｔｉｏｎ　）を有するアトマイザ−ＡＴに供給す
る。この試料はアトマイザ−制御装［ＡＴＯの制御下で
アトマイザ−ＡＴにより噴霧化され、検出器ＤＥＴの出
力信号を対数変換器ＬＧおよびマルチプレクサ−ＭＰＸ
２並びに測定回路装置ＭＯＭのアナログ対ディジタル変
換器ＡＤＯを介してマイクロプロセッサ□−μＰ＆こ送
り、結果を原子エレメントに対する試料のセットの分析
中原子エレメントの零ｍ度を示すベースライン測定とし
て読取り一書込み記憶装＋ｔ　ＲＡＭに蓄積する。アト
マイザ−ＡＴがフレームタイプである場合にはマイクロ
プロセッサ−μＰ　′（３６１ は燃料タイプをおよび不伸発性記憶装ｆｉ　ＮＶＭから
この噴霧化に対するアトマイザ−制御装置ＡＴＯおよび
特定の原子エレメントに対する分析におけるすべての順
次試料への燃料情１報を適用することができる。オペレ
イジョン９の次昏こマイクロプロセッサ−μＰはオペレ
イジョンｒｏ［’測定基準（Ｍｅ−ａｓｕｒｅ　５ｔａ
ｎｄａｒｄｓ　）ｊを制御する。コノオペレイジョンに
おいて、予定数の基準、すなわち、既知濃度試料（この
数は不揮発性記憶装置ＮＶＭにおける関連情報セットを
与える）はアトマイザ−ＡＴに自動試料採取器Ａｓによ
り設ける。いずれの場合において、検出器ＤＥＴ出力信
号は測定回路装置ＭＯＭを介してマイクロプロセッサ−
μＰに供給し、吸光度結果を読取り一誓込み記憶装置Ｒ
ＡＭ　ｋこおけるベースライン測定と比較して計算し、
次いで読取り一書込み記憶装置ＲＡＭに蓄積する。オペ
レイジョン１０の次に、マイクロプロセッサ−μＰはオ
ペレイジョン１１［目盛り調整（ｃａｌｉｂｒａｔｅ　
）Ｊを行う。このオペレイジョンにおいて、マイクロプ
ロセッサーμＰは不揮発性記憶装置ＮＶＭにおける関連
する情報セットから基準試料の既知濃度値を・引出し、
これらの濃度値をオペレイジョンｌＯにおける読取り一
書込み記憶装置に＠槓された基準試料に対する吸収度結
果と共に使用して目盛係数（ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ　
ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓ）　ノセットを計算する。次
いで、この検定係数を１個の原子エレメントに対する分
析期間中にわたり読取り一書込み記憶装＠　ＲＡＭに蓄
積する。これらの検定係数はスケール拡大として一般に
知られている作用および順次試料測定Ｇコ適用する曲率
補正（ｃｕｒｖａｔｕｒｅ　ｃｏｒ−ｒｅｃｔｉｏｎ　
）を可能にする。

オペレイジョン１１に次いで、マイクロプロセッサ−μ
Ｐはオペレイジョン１２「測定試料ｆＭ８ａ−ｓｕｒｅ
　Ｓａｍｐｌｅ）計算（Ｃａ１ｃｕｌａｔｅ　）および
蓄積濃度（Ｓｔｏｒｅ　Ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）
Ｊを制御する。このオペレイジョンにおいて、単原子エ
レメントに関して分析する試料のセットからの１種の試
料を自動試料採取器ＡＳによりアトマイザ−ＡＴに設け
る。検出器ＤＥＴの出力信号から引出された試料に対す
る吸光度結果を読取り一書込み記憶装置ｔ　ＲＡＭに供
給し、読取り一書込み記憶装置ＲＡＭにおける目盛係数
を吸光度結果に供給して濃度結果を生成し、この＃度結
来を読取り一書込み記憶装置ＲＡＭに蓄積する。オペレ
イジョン１２に次いで、ミクロプロセッサーμＰはオペ
レイジョン１８「自動試料採取器エンド？　（Ａｕｔｏ
ｍａｔｉｃ　Ｓａｍｐｌｅｒ　Ｅｎｄ？）ｊを制御する
。このオペレイジョンにおいて、自動試料採取無制御装
置ＡＳＣは自動試料採取器ＡＳがその作動の終Ｇこ達し
たか否かを感知し、測定すべき他の試料は存在しなくな
る。返答４　％　Ｉ　ａｎｓｖｅｒ　）がｒＮＯｌであ
る場合、オペレイジョン１２は次の試料について繰返す
。オペレイジョン■２がすべての試料および読取り一書
込み記憶袋＠　ＲＡＭに蓄積されたこれらの個々の温度
結果Ｑこついて行った場合、次のオペレイジョン１８は
返答纂※１ＹｅｓＪを生じ、マイクロプロセッサ−μＰ
はオペレイジョン１４「Ｎ−Ｌｉｍ１ｔ　’ｉ’　Ｊに
進む。このオペレイジョンＧこおいて、タレット・カウ
ントＮはそれがタレット位置の数、例えば第４図に示す
４個のタレット位置に相当するか否かを測定するのをチ
ェックする。第９ １分析においてオペレイジョンによるセットとしてＮ−
１であるから、オペレイジョン１４はマイクロプロセッ
サ−μＰがオペレイジョン１５を行うのに応答する返答
釆％［ＨｏＪを生じ、この場合タレットカウントＮの値
が増加する。オペレイジョン１５（こ応答し、マイクロ
プロセッサ−μＰはオペレイジョン６を行いタレットＴ
Ｕは次の位置に駆動して次のランプ組立体ＨＯＬ　２を
分光光度計の光路に送り、オペレイジョン７〜１８を繰
返して次のランプ組立体ＨＯＬ　２の単原子エレメント
・に関する自動試料採取器ＡＳにおける試料の同じセッ
トに対する読取り一書込み記憶装置ｉ￥ＲＡＭ　Ｇこお
けるＩＡ度結果の他のセットを得る。最後に、オペレイ
ジョン■４が返答「Ｙｅｓ」を生ずる場合（こ、マイク
ロプロセッサ−μＰはオペレイジョン１６［プリント形
成結果および停止（Ｐｒｉｎｔ　ＦｏｒｍａｔｅｄＲｅ
ｓｕｌｔｓ　ａｎｄ　５ｔｏｐ）Ｊを行つ。コノオペレ
イジョンにおいて、タレツ）ＴＵ、こおけるすべての単
原子エレメントランプ組立体ＨＯＬ　１〜ＨＯＬ　４の
原子エレメントに関する自動試料採取器ＡＳにおける・
　４０ 試料セットのすべての試料の濃度結果が形成フオームに
おける読取り一書込み記憶装置ＲＡＭからプリンターＰ
ＲＩによるプリントを抽出し、次いで分光光度計を停止
する。すなわち、大部分の電源が遮断し、休止条件がセ
ットサれる。次いで、使用者は試料の新しいセラＩｎこ
対する分析順序がオペレイジョン■からすべてのオペレ
イジョン順序ヲ開始するのに要求する。

この点まで記載した分光光度計は英国特許出願第８１３
８９６８号の明細書に記載する分光光度計と殆んど同じ
である。

第６図は第５図に示すフローチャートにおける点Ａと点
Ｃ間、すなわちオペレイジョン８とオペレイジョン■０
との間に挿入するサブルーチンを示すフローチャートを
示している。オペレイジョン９すなわち、ブランクの測
定または一般に零濃度の分析するエレメントを有する試
料の測定には第６図に示すサブルーチンを含める。

第６図に示すサブルーチンは分光光度計にモノクロメー
タ−の帯域幅、バーナーへのガス流量および輻射Ｎ源の
強さに対する最適値を自動的にセットすることができる
。

手順は次のように行うオペレイジョン８までは手順が第
５図Ｑこ記載すると同じである。サブルーチン１７「最
適化（ＯＰｔｉｍｉｓａｔｉｏｎ）Ｊ　ラミ初ノオヘレ
ーション１８に入れバーナーへのガス流量に対する値を
セットする。この事は不揮発性記憶装置ＮＶＭからアト
マイザ−制御装置ＡＴＯへのマイクロ７’ｌ：Ｉセッサ
ーμＰの制御下における燃料タイプおよび燃料流量情報
を供給することによって達成する。燃料タイプおよび流
量に対する情報は検出すべき各エレメントに対する不揮
発性記憶装置ＮＶＭに蓄積し、コード化ランプまたはス
リット、波長およびランプ電流について記載するキー↑
Ｎ＠によって選択することができる。

オペレイジョン１８の次に最適化基準を自動試料採取無
制御装置ＡＳＯの制御下で自動試料採取器Ａｓからのフ
レームに吸引する（オペレイジョン１９）。

検出器ＤＥＴの出力信号は対数変換器ＬＣおよび測定回
路装置ｔ　ＭＣＩのマルチプレクサ−ＭＰＸ２およびア
ナログ対ディジタル変換器ＡＤＣを介してマイクロプロ
セッサ−μＰに送り、結果を吸光度値として読取り一書
込み記憶装置ＲＡＭに蓄積する。この事を第６図のフロ
ーチャートにおけるオペレイジョン２０および２１とし
て示す。

次いでマイクロプロセッサ−μＰはバスＢＳ上の命令を
自動制御装置ＡＴＯに終結して１増加（Ｏｎｅｉｎｃｒ
ｅｍｅｎｔ　）オペレイジョン２２によってバーナーへ
の燃料ガス流量を増加する。次に、オペレイジョン１９
および２０に記載すると同じ手順に従って吸収の新しい
値を測定する（オペレイジョン２３）マイクロプロセッ
サ−μＰは新しい吸収値を蓄積値と比較するＣオペレイ
ジョン２４）。新シい吸収値が蓄積値より大きい場合に
は、新しい値は読取り一誓込み記憶装ｆｔ　ＲＡＭに蓄
積する（オペレイジョン２６）。次いで、マイクロプロ
セッサ−μＰは命令をアトマイザ−装置Ａ’Ｉ’Ｏに出
して燃料ガス流を増加し、オペレイジョン２２〜２５を
繰返す。

オペレイジョン２５の繰返しにおいて、新しい吸光度値
が蓄積値より小さくなる場合には、燃料ガス流量を最適
化基準に対する最大吸光度値を与えるガス流量より［増
加大きくする。次いで、マイクロプロセッサ−μＰは命
令をアトマイザ−制御装置ＡＴＯに発して燃料温１仕を
■増７ＪＯＧこよって減少する（オペレイジョン２７）
。ノイズ効果を減少するため（ここのオペレーションを
僅かに変えて最大値を検出することを決定する前に蓄積
値より小さい２つの順次の新しい吸光度値を規定するよ
うにすることができる。この事はオペレイジョン２２〜
２５を繰返すことによって達成でき、この場合真の最大
が見出される場合（こは燃料またはただオペレイジョン
２８〜ｚ５を繰返すこと（こよって減少する。ガス流量
が最大流量を利用するまで増加するように吸光度を増大
させる場合には、最大流量を用いる。ガス流最適化中、
バックグラウンド・コレクションを適用して特に４２０
ナノメーター以下の波長でフレームによる吸収によって
生ずる誤差を減少させる。

あるエレメントの場合、ガス流の変化に伴なって感度が
僅かに変わる。これらのエレメントの場合に、オペレイ
ジョン２８に向けるオペレイジョン２１からの第６Ａ図
に示す連結を用いる。マイクロプロセッサ−μＰはこれ
らのエレメントを中空陰極ランプの挿入からまたはオペ
レーターによるキーボード入力から認知する。

燃料ガス流を最適化することによってマイクロプロセッ
サ−μＰはオペレイジョン２８１測定ブランクｆＭｅａ
ｓｕｒｑ　Ｂｌａｎｋ）Ｊを制御する。このオペレイジ
ョンにおいて、自動試料採取器制御装置ＡＳＯの制御下
で自動試料採取器Ａｓは試料セットを分析する原子エレ
メントの表示零濃度を有するアトマイザ−ＡＴに試料を
与える。この試料はアトマイザ−制御装＠ＡＴＯの制御
下でアトマイザ−ＡＴにより噴霧化し、検出器ＤＥＴの
出力信号を対数変換器ＬＧおよび測定回路装＠　ＭｏＭ
のマルチプレクサ−ＭＰＸ２およびアナログ対ディジタ
ル変換器ＡＤＯを介してマイクロプロセッサ−μＰに送
す、結果を試料セットを分析する原子エレメントのベー
スライン測定表示零濃度として読取り一書込み記憶装置
ＲＡＭに蓄積する。

次いで、マイクロプロセッサ−、ＦＰは蓄積ベースライ
ン測定と共に蓄積吸光度値を用いて最適化井準に対する
真の吸光度値を計算する（オペレイジョン２９）。

次イで、マイクロプロセッサ−μＰは最適化基準の真の
吸光度値が帆５吸光度単位以下であるかどうかを定め（
オペレイジョン３０　）　、次イでもしそうであれば最
適化基準の吸光度がｏ、ｔｇ＆光度単位以上であるかど
うかを定める。

最適化基準の真の吸光度値が０．１〜０．５吸光度単位
の範囲であれば、マイクロプロセッサ−μＰは最適化燃
料ガス流オペレイジョン３２と共にオペレイジョン８．
７および８におけるランプ電流、スリット幅および選択
波長セットアツプを生じ、第５図に示すフローチャート
を点Ｃに再入する。

吸光度単位Ａ　４′ｉｌｏｇ１ｏｌ／Ｔに等しく、Ｔは
透光度を示し、０〜Ｉの範囲で変化する。１００％透光
度の全透光はｌに等しくなり零透光は０に等しくなる。

このために、５０％透光度は０．３Ａの吸収を与え、お
よび１０％透光度は１．ＯＡの吸収を与え・る。

最適化基準の真の吸光度値が０．１吸光度単位以下であ
る場合には、この事は検出すべきニレメトの小濃度を有
する試料を分析することを示す。

このために、測定器から最大感度を得る必要がある。記
憶装置ＮＶＭに蓄積し、かつ微量成分分析に対する最適
条件を与えるパラメーターの第２セツトをマイクルプロ
セッサーμＰにより選択しくオペレイジョン８３）、ラ
ンプ電力供給ＬＰＳおよび・スリット制御装［ＭＳＯに
供給する。一般に、これらのパラメーターは減少ランプ
電流および第１セツトより狭いスリット幅を与える。減
少した強さは、検出器ＤＥＴに達する信号が相当高い場
合には低い吸光度レベルで利用できる。同様に、減少し
たスリット幅はモノクロメータ−を通るエネルギーを減
少するが、しかしモノクロメータ−１７）ＷＥ性を高め
る。また、測定時間を調節できるが、しかしこの事は検
出すべき特定のエレメントに対する影豐を増加または減
少する。パラメーターの第２セツトをセットした後、ス
リットを狭くする場合にはフレームの部分が光路におい
てもはや長くならないから燃料ガス流量を再最適化する
必要がある（オペレイジョン８４）。

測定器パラメーターは変えることができるから、ブラン
ク試料を再測定してベースラインをリセットする必要が
ある（オペレイジョン３５）。このオペレイジョンが完
了した場合、第５１ｆｆｌ＆こ示すフローチャートを点
Ｃにおいて再入する。

最適化基準の真の吸光度値が０．５吸ｙｔ、度単位以上
である場合には、マイクロプロセッサ−μＰは自動稀釈
器を組合せるか、または手動稲沢操作を行うかを定める
（オペレイジョン８６）。次に、権釈器を設けずおよび
手動稀釈を行わない場合には、マイクロプロセッサ−μ
Ｐは最適化基準の真の吸光度値が１．０吸光度単位より
大きくなるかどうかを定める（オペレイジョン３７）。

次イで、マイクロプロセッサ−μＰが選択波長を用いる
かどうかを定める（オペレイジョン３８）。ある中空陰
極ランプは多数の個々の波長において輻射線を放射し、
相当するエレメントはこれらの個々の波長で輻射線を吸
収する。

選択波長を用いる場合には、マイクロプロセッサ−μＰ
はオペレイジョン３９「セットスリット（Ｓｅｔ　５ｌ
ｉｔｓ）Ｊを制御し、セック０メー１−ＭＶスリット幅
を検出すべき特定エレメントに対する選択波長と関連す
る不揮発性記憶装置ＮＶＭにおける情報からのスリット
幅情報を用いるスリット制御装置によりセットする。次
いでマイクロプロセッサ−μＰはオペレイジョン４０「
セット波長（ＳｅｔＷａｖｅｌｅｎｇｔｈ　）Ｊを制御
し、モノクロメータ−ＭＶ波長を記憶装置ＮＶＭに光種
した選択波長情報を用いる波長制御装置ＭＷｏでセット
する。

次いで、バーナーへの燃料ガス流量は選択波長と関連す
る情報セラ）＆こ蓄積した値によるガス流量セットから
開始し、第６図に示すサブルーチンのオペレイジョン１
８〜２９＆こ示す手１１１ｍ　Ｇこ従って再最適化する
（オペレイジョン４１）。

オペレイジョン４１の終りにおいて、マイクロプロセッ
サ−μＰは最適化基準の真の最大吸光度値が０．５　ｇ
＆光度単位であるかどうかを定める（オペレイジョン４
２）。萬へ〜％※纂〉へ１６オペレイシヨン４２後、手
順を点Ｃにおいて第５図に示すフローチャートを再入す
る。マイクロプロセッサ−μＰが０・５吸光度単位以上
の吸光度値を定める場合には、管台表示をオペレーター
に与えルカ（オペレイジョン４８）、しかし分析は吸光
度値が０．５吸光度単位以下である場合Ｑこ生ずると同
様にして、すなわち、ランプ電流、波長、スリット幅お
よびガス流量に対する同じ値を用いて行う。

オペレイジョン８７において、マイクロプロセッサ−μ
Ｐが、最適化基準の真の吸光度値が１．０吸光度単位以
下であることを定める場合には、記憶装置ＮＶＭに蓄積
するパラメーターの第３セツトをマイクロプロセッサ−
μＰによす選択しＣオペレイジョン４＋４）、ランプ電
力供給ＬＰＳおよびモノクロメータ−スリット制御装置
　ＭＳＯに供給する。

一般に、この事は増加させるランプ電流がランプにより
放射された輻射線の強さを増用ｌさせ、および増加させ
るモノクロメータ−スリット幅が光路（こ沿って検出器
（こ通す輻射線を最大にする。これらの測定は分桁の感
度を減少するが、しかしこの事はより高い濃度試料につ
いては重要でなくなる。

オペレイジョン４１について記載する同じ手順によりガ
ス流を再最適化することができるが（オペレイジョン４
５）、しかししばしばこのステップは必要ではなく、第
５図Ｇこ示すフローチャートをオペレイジョン４４から
直接に点Ｃで再入することができる。

オペレイジョン８８においてマイクロプロセラ１サーμ
Ｐが、自動稀釈器を設けること、または手動稀釈を行う
ことを定める場合には、最適化試料を既知ファクターに
より稀釈し、稀釈試料の吸光度値を再測定する（オペレ
イジョン４６）。次いで、マイクロプロセッサ−μＰは
稀釈試料ｆｆ）　１１１７６度が０．５吸光度単位以下
であるかどうかを定める（オペレイジョン４７）。次の
オペレイジョンをオペレイジョン３１とするが、吸光度
が０．５吸光度単位以下である場合には、試料を更に稀
釈し、・・・オペレイジョン４６の手順を繰返す。この
手順は稀釈試料の吸光度がＣ）、５吸元度単位以下にな
るまで繰返す。マイクロプロセッサ−μＰは稀釈器を適
合することにより生ずる電気信号、例えば開閉接点を設
けることによって稀釈器を適合するかど１うか、および
手動稀釈をキーバッドＫＰＤからの入力によって行うか
どうかを検出する。

記憶装置ＮＶＭにおいて検出すべき各エレメントに関連
するパラメーターの８つのセットを設けることによりお
よび最適化基準の測定吸光度値によ”１５２　。

リセットを選択することによって、分光光度計を１オペ
レーターが作動条件を最適化することなく極めて有利に
操作することができる。コード化中空陰極ランプおよび
自動試料採取器を用いる場合には、オペレーターは正し
いランプを適合でき、正しい試料および基準を試料採取
器にロードすることができる。分光光度計を特定分析に
対して最適にできるから、最適化基準として分析すべき
試料の１部を用いることができる。しかしながら、任意
の池の普通の物質を用いることができるが、シ１．・か
し最適化試料の濃度は検出すべき成分に関して特に分析
すべき試料の濃度と同じにするのが好ましい。

燃料ガス流を最適化するために、アトマイザ−制御装置
ｉ１　ＡＴＣはマイクロプロセッサ−命令を解読１し、
増加ステップにガス流をセットすることができる。アト
マイザ−制御装置ＡＴＣはディジタル入力信号に有利に
応答するガス流調節器を含めることができる。このガス
流調節器は知られており、例えば「アナリティカル・ケ
ミストリー（Ａｎ’ａｌｙｔｉｃａｌＣｈｅｍｉｓｔｒ
ｙ　）ｖｏｌ、５　＋１　、Ａ　２．２０９〜２１２　
（１１１７８１年２月）のＴ、　Ｗ、　Ｈｕｎｔｅｒお
よびＧ、　Ｍ、Ｈｉｅｆｔｊｅ氏による文献に記載され
ている。

第６図に記載するマイクロプロセッサ−μＰの制御下で
のオペレイジョンに加えて第１〜５白に。

記載する分ツＬ光度肝を用いて本発明による分ツＣ光度
肝の１例を有利に実施でき、本明細書および特許請求の
範囲に記載する本発明を用いて種々の変形例を実施する
ことができる。パラメーターの多くのまたは少ないセッ
トを蓄積でき、これらの選１・・択を異なる吸ツ０度レ
ベルで行うことができる。また、自動的にセットすべき
パラメーターには吸ｙｃ度の各レベルに対して同じにで
き測定時間またはパラメーターのセットを選択するよう
に変化できる測定時間を含めることができる。自動最適
化を・行う場合には、マイクロプロセッサ−μＰはプリ
ンターＰＲＩを選択パラメーターのセットにプリントア
ウトさせることができる。パラメーターの種々のセット
を選択する吸光度値は特定測定器に対して有利に確めら
れるが、測定器の設計を変える□場合、例えばモノクロ
メータ−または検出器の異。

なるタイプを用いる場合には変えることができる。

パラメーターの種々のセットを選択する最良の吸光度値
は実験によって確めることができる。

また、本発明は原子吸ツＣ分党測　の方法に関する。こ
の場合第１〜６図について上述する分ツＣツ０度肝にお
いて自動的に行うオペレイジョンを非自動分ツｅ−ｙ’
ｅ度肝を用いてオペレーターにより手動的に調節するこ
とができる。

この場合に、オペレーターは検出すべき成分に・・・依
存する条件の第１セツトに分ツＣ光度肝をセットアツプ
する。次いで、最適化試料をフレームニ吸引させ、ガス
流を最大吸光度を測定するまで変化だせる。次いで、オ
ペレーターは最適化基準の最大吸光度によってパラメー
ターのセットを選択し、゛こｊｔらのパラメーターを用
いて分析を行う。例えば、パラメーターのセットは前の
分析から誘導でき、吸収の種々のレベルに対するセッテ
ングを行い、対照する。勿論、この方法はパラメーター
の蓄積セットを用いる分ツ６５ｔ、度計において自動的
に′□、　５５　　） 実施することによって極めて便利であるが、しか１しオ
ペレーターは一般に入手できる公党光度肝を用いて同じ
プロセスを実施することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は単原子エレメント中空陰極ランプ組立体および
これに直接関連する電気接続の説明用線図、 第２図は第１図に示すランプ組立体の斜視図、第３図は
第１図に示すランプ組立体およびかかるランプ組立体を
用いる分光ｙＣ度肝の測定回路装置・・置の抵抗回路網
の構成部分を示すブロック線図、第４図は第１図に示す
４個のランプ組立体を用いる原子吸光分光ｙＣ度肝の構
成部分を示すブロック線図、 第５図は第４図に示す分光ツ０度肝の作動を示す□フロ
ーチャート、 第６図は点Ａと点Ｃとの間に挿入する本発明の分ｙＣ光
度肝のサブルーチンを示すフローチャートである。 ＡＤＯ・・・アナログ対ディジタル変換器ダ　５６　１ ＴＵＯ・・・タレット制御装置 ＴＵ・・・タレット ＡＳＯ・・・自動試料採取器制御装置 Ａｓ・・・自動試料採取器 ＡＴＯ・・・アトマイザ−制御装置 ＡＴ・・・アトマイザ−ＩＮ・・・モノクロメータ−Ｍ
ＷＯ・・・波長制御装置　　ＭＳＯ・・・スリット制御
装置ＤＥＴ・・・光電子増倍管検出器 ＬＧ・・・対数変換器　　　　Ｌ、Ｈ・・・ラッチ回路
装置ＲＡＭ・・・揮発性読取り一書込み記憶装置ＲＯＭ
・・・読取り専用記憶装置 ＨＯＬ・・・単原子エレメント中空陰極ランプ組立体Ｓ
Ｅ・・・密閉容器　　　　　ＯＡ・・・中空陰極用・・
・陽極　　　　　　　ＢＡ・・・ベースＥＬ・・・共通
リード Ｒ１，Ｒ２，Ｒ８，Ｒ４・・・抵抗 ＲＮ・・・抵抗回路網　　　Ｐ１〜Ｐ７・・・プラグ端
子ＬＰＳ・・・ランプ電力供給源 ＭＯＭ・・・分ツＣツＣ度計の測定回路装置ＢＡ・・・
ボス　　　　　　　ＢＳ・・・バスＳＫ・・・固定ソケ
ット μＰ・・・マイクロプロセッサ− ＭＰＸ・・・マルチプレクサ− ＮＶＭ・・・不陣発性読取り一書込み記憶装置ＫＰＤ・
・・キーバッド ＭＯＰ・・・マイクロコンピュータ− １〜１６・・・オペレイジョン １７・・・サブルーチン １８〜４７・・・オペレイション

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ゛　　１　フレームアトマイザ−からなる原子吸ｙｔ、
   分ツＣ光度計のパラメーターを検出すべき物質に依存す
   る設定値の第］セット（こ設定する装置；バーナーへの
   燃料ガス流量を検出すべき物質に依存する１つの設定値
   に設定する装置；最適化試料をフレームに吸引する装置
   ５最適化１．。 基準の吸光度を測定する装置ｉおよび最適化基準の吸光
   度に依存する分ｙＣ光度計のパラメーターの複数の蓄積
   セットの１つのセットを選択する装置から構成したこと
   を特徴とするフレームアトマイザ−からなる原子吸光分
   光↓光度計。 ａ　最適化基準の吸ｙＣ度を測定し、その結果を蓄積す
   る装置；増加ステップにおけるバーナーへのガス流量を
   調整し、各ステップにおける最適化基準の吸光度を測定
   し、各ステップ・・における測定吸光度を前のステップ
   で刈定した吸光度と比較して最大吸光度を与える流量を
   定める装置；および最大級ｙＣ度値に依存する分光光度
   計のパラメーターの複数の蓄積セットの１つのセットを
   選択する装置から構成した特許請求の範囲第１項記載の
   ７レームアトマイザーからなる原子吸光分光光度肝〇＆
   　最適化基準の最大吸光度値または吸ｙＣ度が（１，１
   〜（］。５吸５吸光位の範囲である場合にパラメーター
   の第１セツトを保持し、最適化基準の最大級ｙｅ度値ま
   たは吸光度が０．１吸ｙＣ度単位である場合にパラメー
   ターの第２セツトを用い最適化基準の最大吸光度値また
   は吸ｙＣ度が０．５吸光度単位以上である場合にパラメ
   ーターの第８セツトを用いる特許請求の範囲・第１また
   は２項記載の原子吸光分ツＣツｅ度計。 生　最適化基準の最大吸光度値または吸ｙＣ度が〔）、
   １吸元度単位以上である場合に選択波長の輻射線を選択
   する装置を含ませた特許請求の範囲第１．２または３項
   記載の原子吸光分ツＣ光度計。 翫　最適化基準の最大吸光度値またはＩＩ！ｉ！元度が
   （１，５吸ｙＣ度単位以上であるか否かを示す装置を含
   ませた特許請求の範囲第１〜４項のいずれか一つの項記
   載の原子吸光分光光度計。 ＆　最適化基準を稀釈する装置を含ませ、この稀釈装置
   は最適化基準の吸光度の最大吸光度値が（］、５吸ｙＣ
   度単位以上である場合に活性化し、０．１〜Ｃ１，５吸
   ツ０度単位の範囲の稀釈最適化基準の最大限ｙＣ度値ま
   たは吸光度に作用す、。 るようにした特許請求の範囲第１〜５項のいずれか一つ
   の項の原子吸光分光ツＣ度計。 フ　（ａ）フレームアトマイザ−からなる原子吸元分元
   元度計のパラメーターを検出すべき物質に依存する設定
   値の１つのセットに設定し；■）バーナーへのガス流量
   を検出すべき物質に依存する設定値に設定し；（Ｃ）最
   適化試料をフレームに吸引させ；（ｄ）最適化基準の吸
   光度を測定し、その結果を蓄積し；（ｅ）増加ステップ
   における、およびステップ（Ｃ）および（ｄ）を繰返す
   流量の各増加ステップにおけるガス流量を。 調節し、最大吸光度測定が見出されるまで新しい吸ｙＣ
   度値を蓄積値と比較し；（ｆ）最大吸光度測定値を用い
   て分元元度計に対する複数のパラメーターのセットの１
   つのセットを選択しｉおよびパラメーターの選択セラ）
   Ｅ用い試料を吸引しおよびその吸光度を測定する各ステ
   ップからなることを特徴とするフレームアトマイザ−か
   らなる原子段ツＣ分元ｙＣ度計を用いる分析方法。 ８、　分析すべき試料の１部分を最適化基準として用い
   る特許請求の範囲第７項記載のフレームアトマイザ−か
   らなる原子吸元分ツＣ光度計を用いる分析方法。 ９、　吸光度値が０．１以下である場合にバラノー１タ
   ーの第１セツトを選択し、吸ｙＣ度値が０．１〜０．５
   の範囲である場合にパラメーターの最初のセットを保持
   し、吸光度値が１１．Ｆ１以上である場合にパラメータ
   ーの第３セツトを選択する特許請求の範囲第７または８
   項記載の７４゜レームアトマイザーからなる原子吸ｙＣ
   分元光１度計を用いる分析方法。 １０　　最大吸光度値が１．０以上である場合に選択波
   長を選択し、次いでステップ■）〜（６）を繰返すステ
   ップを含む特許請求の範囲第９項記載の７レームアトマ
   イザーからなる原子吸光分元元度計を用いる分析方法。 １ｔ　　繰返しステップ（ｅ）の末期で測定した吸光度
   値が０゜５以上になる場合に警報信号を生じさせる特許
   請求の範囲第１０項記載のフレーム、、。 アトマイザ−からなる原子吸元分元元度計を用いる分析
   方法。 １９、　　最適化基準の最大吸光度値が最適化基準の設
   定値より大きい場合に稀釈し、吸光度を再測定し、この
   処理を最大吸光度値が設定値以１下になるまで繰返す特
   許請求の範囲第８項記載のフレームアトマイザ−からな
   る原子吸元分光元度計を用いる分析方法。 ｌ＆　設定値を特徴とする特許請求の範囲第１２項記載
   の原子吸光分光光度計を用いる分析方法。