JPS58123738A - ＳｉＣ基板の分離方法 - Google Patents
ＳｉＣ基板の分離方法Info
- Publication number
- JPS58123738A JPS58123738A JP57006342A JP634282A JPS58123738A JP S58123738 A JPS58123738 A JP S58123738A JP 57006342 A JP57006342 A JP 57006342A JP 634282 A JP634282 A JP 634282A JP S58123738 A JPS58123738 A JP S58123738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- shows
- junction
- sic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000001613 Gambling Diseases 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
- H10D62/832—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge being Group IV materials comprising two or more elements, e.g. SiGe
- H10D62/8325—Silicon carbide
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、８１Ｃ（炭化ケイ素）基板の分離方法に関す
る。
る。
ＳＩＣ結晶に轄種々の結１構造が存在し、その禁止帯幅
Ｆｉ２Ｊ９ｅＶ−３ＪＳｅＶ’ｔで多岐にわたる。また
ＳｉＣ単結晶は間接遷移ｉｇｏｙ −ｙ化合物半導体で
あシ、かつＰｎＩ１合が形成可能であり更に耐環境性に
秀れているので次世代の半導体材料として有望視されて
いる。なかでも６Ｈ（ヘキサゴナール）タイプの８１Ｃ
結晶＃ｉ室温で禁止帯幅が３．０２・Ｖであるので青色
発光ダイオード材料として用いられる。
Ｆｉ２Ｊ９ｅＶ−３ＪＳｅＶ’ｔで多岐にわたる。また
ＳｉＣ単結晶は間接遷移ｉｇｏｙ −ｙ化合物半導体で
あシ、かつＰｎＩ１合が形成可能であり更に耐環境性に
秀れているので次世代の半導体材料として有望視されて
いる。なかでも６Ｈ（ヘキサゴナール）タイプの８１Ｃ
結晶＃ｉ室温で禁止帯幅が３．０２・Ｖであるので青色
発光ダイオード材料として用いられる。
第１図は既に提案されたＢｉＣ青色発光素子を示し、（
１）は６Ｈ（ヘキサゴナ−禰タイプのｐｍＳＩＣ基板、
（２）（３）は該基板上に順次エビタキシャｐｍｓｔｃ
層（２）はｐｍ不純物としてＡＩ（アルミニウム）を含
み、ま九Ｎｌ！８１０層（３）は不純物としてＮ（窒素
）及びＡＩ（アル５ニウム）を含六 み、斯る不−ｒよシ夫々形成されるドナー及びアク七ブ
タ準位間で発光再結合が生じる。従ってＰ！１８１ＣＪ
Ｉ（２）とＮ１１８１０層（８）との界面には青色発光
接合（４）が存在する。
１）は６Ｈ（ヘキサゴナ−禰タイプのｐｍＳＩＣ基板、
（２）（３）は該基板上に順次エビタキシャｐｍｓｔｃ
層（２）はｐｍ不純物としてＡＩ（アルミニウム）を含
み、ま九Ｎｌ！８１０層（３）は不純物としてＮ（窒素
）及びＡＩ（アル５ニウム）を含六 み、斯る不−ｒよシ夫々形成されるドナー及びアク七ブ
タ準位間で発光再結合が生じる。従ってＰ！１８１ＣＪ
Ｉ（２）とＮ１１８１０層（８）との界面には青色発光
接合（４）が存在する。
（５）（６）ａ上記基板（１）裏面及びｎ１１８１ｃ層
（３）ｌ！面に夫々形成されたオーミック性の第１及び
第２電極である。
（３）ｌ！面に夫々形成されたオーミック性の第１及び
第２電極である。
〆る素子において第１、第２電極（５）（６）関ＫＪ［
方向バイアス、を印加すると、青色発光接合（４）付近
のｎ□Ｉｄ！ ８ ’ｉ ０層（８）中で青色発光（４
８０！１１１１）が得られる。
方向バイアス、を印加すると、青色発光接合（４）付近
のｎ□Ｉｄ！ ８ ’ｉ ０層（８）中で青色発光（４
８０！１１１１）が得られる。
しかし、長時間の通電テストを行なうと、はじめ４８０
ｎｍ付近にあったピーク波長が時間と共に長波長側（４
９０ｎｍ〜５００ｎｍ）にテストして緑色発光に変化す
ると共に発光強度も低下することが判明した。また電流
−電圧特性においてもリーク電流が発生していることが
判った。
ｎｍ付近にあったピーク波長が時間と共に長波長側（４
９０ｎｍ〜５００ｎｍ）にテストして緑色発光に変化す
ると共に発光強度も低下することが判明した。また電流
−電圧特性においてもリーク電流が発生していることが
判った。
その原因は、Ｐ型８１０基板（１）上にＰ型８１Ｃ層（
２）及びｎ型ＳＩＣ層（３）を形成したエピタキシャル
結晶基板を第１図に示したペレット単位に分離する際に
、従来ダイシング法あるいはスクライプ法を用いていた
ため、分離時の機械的応力が発光接合（４）Ｋかかシ斯
る接合ＩＳＫ機械的損傷が生じるためであることが判明
した。
２）及びｎ型ＳＩＣ層（３）を形成したエピタキシャル
結晶基板を第１図に示したペレット単位に分離する際に
、従来ダイシング法あるいはスクライプ法を用いていた
ため、分離時の機械的応力が発光接合（４）Ｋかかシ斯
る接合ＩＳＫ機械的損傷が生じるためであることが判明
した。
第２図Ａ−Ｅは上記の問題点に鑑みて既に提案されたＳ
ＩＣエピタキシャル結晶基板の分離方法を示すものであ
る。
ＩＣエピタキシャル結晶基板の分離方法を示すものであ
る。
第２図Ａｉｊ第１工程を示し、Ｐ！！！８１０基板αυ
上にＰ型ＳｔＣ層αり及びｎ型ＳｉＣ層ａｓが順次積層
されたエピタキシャル結晶基板α尋を準備する。
上にＰ型ＳｔＣ層αり及びｎ型ＳｉＣ層ａｓが順次積層
されたエピタキシャル結晶基板α尋を準備する。
第２図Ｂｔｉ第２ 工程ヲ示し、ｎ！！８１ Ｃｊｌａ
Ｌｈに５ｉｎｓ（酸化シリコン）膜ａＳを形成する。斯
る８１０ｇ膜α９は１０５０℃程度の水蒸気中でｎ！ｌ
！ｓｔｃ層Ｉ表面を酸化させることによシ得られる。
Ｌｈに５ｉｎｓ（酸化シリコン）膜ａＳを形成する。斯
る８１０ｇ膜α９は１０５０℃程度の水蒸気中でｎ！ｌ
！ｓｔｃ層Ｉ表面を酸化させることによシ得られる。
第２図Ｃは第３１寝を示し、上記８１０ｘ膜（２）を部
分的に除去して窓顧を形成する。斯る窓ａｌ１９は周知
の写真食刻法で形成すればよい。
分的に除去して窓顧を形成する。斯る窓ａｌ１９は周知
の写真食刻法で形成すればよい。
第２図Ｄｉｉ館４工程を示し、上記窓翰直下に少なくと
もＦｕｌ１合ａｔ）Ｋ達する溝ａ秒を形成する。斯る溝
ａ樟の形成１ｉ１０５０℃程度の雰囲気中で塩素８酸素
との混合ガスによる気相エツチングにより行なう。
もＦｕｌ１合ａｔ）Ｋ達する溝ａ秒を形成する。斯る溝
ａ樟の形成１ｉ１０５０℃程度の雰囲気中で塩素８酸素
との混合ガスによる気相エツチングにより行なう。
第２図Ｅは最終工程を示し、Ｓ１０！膜（Ｉｓを除去し
、基板収υ裏面及びｎｌｌｌｓｔｃ層輪表面に、夫々オ
ーミック性の第１、第２電極軸（２）を形成すると共Ｋ
１１ｌ舖に沿ってダイシング又はスクライプを行ないエ
ピタキシャル結晶基板ａ４をペレット単位に分離する。
、基板収υ裏面及びｎｌｌｌｓｔｃ層輪表面に、夫々オ
ーミック性の第１、第２電極軸（２）を形成すると共Ｋ
１１ｌ舖に沿ってダイシング又はスクライプを行ないエ
ピタキシャル結晶基板ａ４をペレット単位に分離する。
斯る方法ではＰａ接合部ａ′ｒ）の分離は気相エツチン
グで行なう良め、斯る接合部ａηに機械的損傷が生じる
ことなく、分離された素子の発光及び電気的特性は良好
となる。
グで行なう良め、斯る接合部ａηに機械的損傷が生じる
ことなく、分離された素子の発光及び電気的特性は良好
となる。
ところが、この方法ではＳ１０！膜の形成工程、写真食
刻工程、気相エッチング工程勢が必要となるため工程が
複雑となシコスト高となる。
刻工程、気相エッチング工程勢が必要となるため工程が
複雑となシコスト高となる。
本発明は上記の賭問題点に鑑みてなされたものでＰａ１
１合に機械的損傷を与えることなく、かつ工程が簡単な
８１Ｃ基板の分離方法を提供せんとするものである。
１合に機械的損傷を与えることなく、かつ工程が簡単な
８１Ｃ基板の分離方法を提供せんとするものである。
本発明者は種々の実験を行った結果、６Ｈタイ、プＳＩ
Ｃ基板上に６ＨタイプＢＩＣ結晶よＪ）Ｐｎ接合が形成
されたエピタキシャル成長基板を分離する際に、上記Ｓ
ＩＣ基板の裏面よシ上記Ｐｎ！１合から１０声嘱以上離
れたダイシング溝を形成し、その後期る溝に沿って上記
エピタキシャル成長基板をへき開によりペレットに分離
すればＰｎ接合には全く損傷が入らないことを見出した
。
Ｃ基板上に６ＨタイプＢＩＣ結晶よＪ）Ｐｎ接合が形成
されたエピタキシャル成長基板を分離する際に、上記Ｓ
ＩＣ基板の裏面よシ上記Ｐｎ！１合から１０声嘱以上離
れたダイシング溝を形成し、その後期る溝に沿って上記
エピタキシャル成長基板をへき開によりペレットに分離
すればＰｎ接合には全く損傷が入らないことを見出した
。
第３図は斯る実験の一結果を示すもので、横軸に上記Ｐ
ｒｓ＊合と溝との距離をとり、縦軸に発光ピーク波長を
夫々とっている。尚上記ピーク波長は上記ペレットを１
００時間以上連続通電させた後の発光ピーク波長である
。
ｒｓ＊合と溝との距離をとり、縦軸に発光ピーク波長を
夫々とっている。尚上記ピーク波長は上記ペレットを１
００時間以上連続通電させた後の発光ピーク波長である
。
第３図から明らかなようにダイシング溝とＰｎ接合との
距離を１０ｘ＊％以上とすると、発光波長は４８０ｎｍ
＠度となるが、１０ＩＩＩＩＩ以下になると明らかに長
波長側にシフトする。これは溝とＰｎ接合との距離を１
０ ｐ−以下とするとタイシング時の機械的応力がＰｎ
接合にかかり斯るＰｎ接合を損傷するえめである。まえ
上記距離を１０μｍ以上°七し九ときの電流特性はリー
ク電流が発生せｆｊＬ好なものであった。、 本発−は斯る知見に基づいてなされたもので、以下実施
例を説明する。
距離を１０ｘ＊％以上とすると、発光波長は４８０ｎｍ
＠度となるが、１０ＩＩＩＩＩ以下になると明らかに長
波長側にシフトする。これは溝とＰｎ接合との距離を１
０ ｐ−以下とするとタイシング時の機械的応力がＰｎ
接合にかかり斯るＰｎ接合を損傷するえめである。まえ
上記距離を１０μｍ以上°七し九ときの電流特性はリー
ク電流が発生せｆｊＬ好なものであった。、 本発−は斯る知見に基づいてなされたもので、以下実施
例を説明する。
第４図Ａ−Ｃｄ本発明の実施例を示す工程別の断面図で
ある。
ある。
第４図ム祉第１工程を示し、ｐｍｓｔｃ基板Ｑυの一主
面上ＩＣＰＩＩＳ ｉ ＣＭＨ及びｎ１ｌｓ ｔ ｃ層
（ハ）が頴次エピタキシャル成長にて積層され、Ｐ ｎ
接合（財）を有するエピタキシャル結晶基板（２）を準
備する。尚上記ｐｍｓｔｃ層（２）及びｍ！ｌ！８１Ｃ
ＩｉＥｌは夫々第１図のＰ型Ｓ ｉ ０層（２）及び１
１１８１０層（３）と同一材料からなる。
面上ＩＣＰＩＩＳ ｉ ＣＭＨ及びｎ１ｌｓ ｔ ｃ層
（ハ）が頴次エピタキシャル成長にて積層され、Ｐ ｎ
接合（財）を有するエピタキシャル結晶基板（２）を準
備する。尚上記ｐｍｓｔｃ層（２）及びｍ！ｌ！８１Ｃ
ＩｉＥｌは夫々第１図のＰ型Ｓ ｉ ０層（２）及び１
１１８１０層（３）と同一材料からなる。
第４図Ｂは第２工程を示し、Ｐ型ＳＩＣ基板Ｑυの他の
主面より上記Ｐａｉｌ合（財）に達しない１度の溝（イ
）をダイシング法によ多形成する。このとき斯る溝（至
）の深さはＰｎｌ＆＋０４からの距離を１０μ鯛とした
。
主面より上記Ｐａｉｌ合（財）に達しない１度の溝（イ
）をダイシング法によ多形成する。このとき斯る溝（至
）の深さはＰｎｌ＆＋０４からの距離を１０μ鯛とした
。
第４図Ｃは最終工程を示し、エピタキシャル成長基板（
ハ）のｎｌｌｓｌｃ層ｃ１３ｓ面及び基板ｃｊ幻裏藺の
夫々にオーミック性の第１、第２電極鰭（至）を形成す
ると共に上記溝（至）に沿って点線で示す如くへき開し
ペレット単位に分離する。
ハ）のｎｌｌｓｌｃ層ｃ１３ｓ面及び基板ｃｊ幻裏藺の
夫々にオーミック性の第１、第２電極鰭（至）を形成す
ると共に上記溝（至）に沿って点線で示す如くへき開し
ペレット単位に分離する。
斯る方法で製造された夫々のペレットにおいて第１、第
２電極（２？）＠間に順方向バイアス（２０ｍＡ）を印
加して１００時間以上連続駆動させたところ、９？慢以
上のペレットの発光ピーク波長は常に４８０ｎｍとなシ
、その輝度は変化しなかった。
２電極（２？）＠間に順方向バイアス（２０ｍＡ）を印
加して１００時間以上連続駆動させたところ、９？慢以
上のペレットの発光ピーク波長は常に４８０ｎｍとなシ
、その輝度は変化しなかった。
以上の説明から明らかな如く、本発明によ五ばダイシン
グとへき−という２つの簡単の方法によ、ｂｓｔｃ基板
を歩留勤皇くペレット化できるので、貴意に直している
。
グとへき−という２つの簡単の方法によ、ｂｓｔｃ基板
を歩留勤皇くペレット化できるので、貴意に直している
。
第１図は既に提案された８ｉＣ青色発光素子を示す断面
図、第２図Ａ−ＩＣは従来のＳＩＣ基板の分離方法を示
す工程別断面図、第３図は本発明者の行っ九実験の結果
を示すグラフ、第４図Ａ−Ｃは本発明の一実施例を示す
工程別断面図である。 Ｑυ・（Ｐａｉｌ）８１Ｃ基板、ｆｌＪ＝・Ｐａｉｌｋ
合、ｆｉ ・・・溝。 溝ヒＰｎ接１會ヒの距寓１α「→
図、第２図Ａ−ＩＣは従来のＳＩＣ基板の分離方法を示
す工程別断面図、第３図は本発明者の行っ九実験の結果
を示すグラフ、第４図Ａ−Ｃは本発明の一実施例を示す
工程別断面図である。 Ｑυ・（Ｐａｉｌ）８１Ｃ基板、ｆｌＪ＝・Ｐａｉｌｋ
合、ｆｉ ・・・溝。 溝ヒＰｎ接１會ヒの距寓１α「→
Claims (1)
- （１）′−生面上に６Ｈタイプ８ｉＣ結晶から表るＰａ
接合が形成された８１０基板の他の主面よシダイシング
によシ上記Ｐｎ＠合からの距離が１０μ晴以下とならな
い深さの溝を形成し良後、斯るＩＫ沿ってへき−するこ
とを特徴とする８１０基板の分離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57006342A JPS58123738A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | ＳｉＣ基板の分離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57006342A JPS58123738A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | ＳｉＣ基板の分離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58123738A true JPS58123738A (ja) | 1983-07-23 |
Family
ID=11635686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57006342A Pending JPS58123738A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | ＳｉＣ基板の分離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58123738A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5061972A (en) * | 1988-12-14 | 1991-10-29 | Cree Research, Inc. | Fast recovery high temperature rectifying diode formed in silicon carbide |
| US5825076A (en) * | 1996-07-25 | 1998-10-20 | Northrop Grumman Corporation | Integrated circuit non-etch technique for forming vias in a semiconductor wafer and a semiconductor wafer having vias formed therein using non-etch technique |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS567448A (en) * | 1979-06-29 | 1981-01-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | Manufacture of photoelectric converting semiconductor device |
-
1982
- 1982-01-18 JP JP57006342A patent/JPS58123738A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS567448A (en) * | 1979-06-29 | 1981-01-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | Manufacture of photoelectric converting semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5061972A (en) * | 1988-12-14 | 1991-10-29 | Cree Research, Inc. | Fast recovery high temperature rectifying diode formed in silicon carbide |
| US5825076A (en) * | 1996-07-25 | 1998-10-20 | Northrop Grumman Corporation | Integrated circuit non-etch technique for forming vias in a semiconductor wafer and a semiconductor wafer having vias formed therein using non-etch technique |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3230638B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| JP2809692B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP3520270B2 (ja) | 発光ダイオードとその製造方法 | |
| JPH0268968A (ja) | 化合物半導体発光素子 | |
| US4916496A (en) | ZnS blue light emitting device | |
| US4319259A (en) | Electroluminescent element | |
| US3998672A (en) | Method of producing infrared luminescent diodes | |
| JPS58123738A (ja) | ＳｉＣ基板の分離方法 | |
| JP2579326B2 (ja) | エピタキシャル・ウエハ及び発光ダイオード | |
| JPH055191B2 (ja) | ||
| JPS59225580A (ja) | 半導体発光ダイオ−ドおよびその製造方法 | |
| JPH08306958A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3152902B2 (ja) | 青色半導体発光素子 | |
| JP3144247B2 (ja) | 液相エピタキシャル成長法 | |
| JPS5918877B2 (ja) | 光半導体素子 | |
| JP2545212B2 (ja) | 青色発光素子 | |
| JPH0410669A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2893099B2 (ja) | Ｍｉｓ型高効率発光素子 | |
| Nuese et al. | Light-emitting diodes—LEDs | |
| JPH0430583A (ja) | 炭化ケイ素発光ダイオードの製造方法 | |
| JP3116495B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| JP2621850B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JPH02101737A (ja) | 化合物半導体ウエハ | |
| JPH01296678A (ja) | 半導体ヘテロ接合の製造方法 | |
| JPH01187885A (ja) | 半導体発光素子 |