JP3520270B2 - 発光ダイオードとその製造方法 - Google Patents
発光ダイオードとその製造方法Info
- Publication number
- JP3520270B2 JP3520270B2 JP2001107502A JP2001107502A JP3520270B2 JP 3520270 B2 JP3520270 B2 JP 3520270B2 JP 2001107502 A JP2001107502 A JP 2001107502A JP 2001107502 A JP2001107502 A JP 2001107502A JP 3520270 B2 JP3520270 B2 JP 3520270B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent substrate
- epitaxial structure
- emitting diode
- light emitting
- led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード
（ＬＥＤ）チップの構造と製造方法に関し、特に、Ａｌ
ＧａＩｎＰ ＬＥＤチップの製造方法に関する。
（ＬＥＤ）チップの構造と製造方法に関し、特に、Ａｌ
ＧａＩｎＰ ＬＥＤチップの製造方法に関する。
【０００２】
【発明の背景】図４に示される従来のＡＩＧａＩｎＰ
ＬＥＤは、ダブルヘテロ構造（ＤＨ）を持ち、これは、
ｎ型ＧａＡｓ基板３上に形成された約７０％〜１００％
のＡｌ組成をもつｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ下
位クラッド層４と、（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐアク
ティブ層５と、約７０％〜１００％のＡｌ組成をもつｐ
型（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ上位クラッド層６と、
ｐ型大エネルギーギャップのＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、
ＡｌＧａＰ、ＧａＰ、もしくは、ＡｌＧａＡｓの電流拡
散層７から成る。アクティブ層の組成を調整することに
よって、従来のＬＥＤ構造の発光波長を変えて、６５０
ｎｍの赤色から５５５ｎｍの純緑色まで変化する波長を
生成することができる。従来のＬＥＤの欠点の１つは、
アクティブ層によって生成された光がＧａＡｓ基板上に
照射されるときに、その光がＧａＡｓ基板によって吸収
されることである。これは、ＧａＡｓ基板が小エネルギ
ーギャップをもつからである。従って、ＬＥＤの光出力
性能は大きく落ちることになる。
ＬＥＤは、ダブルヘテロ構造（ＤＨ）を持ち、これは、
ｎ型ＧａＡｓ基板３上に形成された約７０％〜１００％
のＡｌ組成をもつｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ下
位クラッド層４と、（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐアク
ティブ層５と、約７０％〜１００％のＡｌ組成をもつｐ
型（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ上位クラッド層６と、
ｐ型大エネルギーギャップのＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、
ＡｌＧａＰ、ＧａＰ、もしくは、ＡｌＧａＡｓの電流拡
散層７から成る。アクティブ層の組成を調整することに
よって、従来のＬＥＤ構造の発光波長を変えて、６５０
ｎｍの赤色から５５５ｎｍの純緑色まで変化する波長を
生成することができる。従来のＬＥＤの欠点の１つは、
アクティブ層によって生成された光がＧａＡｓ基板上に
照射されるときに、その光がＧａＡｓ基板によって吸収
されることである。これは、ＧａＡｓ基板が小エネルギ
ーギャップをもつからである。従って、ＬＥＤの光出力
性能は大きく落ちることになる。
【０００３】基板によって光が吸収されないようにする
従来のＬＥＤ技術の幾つかが開示されている。しかしな
がら、これらの従来の技術には、依然として欠点と限界
がある。例えば、スガワラ（Ｓｕｇａｗａｒａ）他は１
つの方法を開示しており、これは、応用物理レター（Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ．）６１巻、１７７５−１
７７７（１９９２年）で公表されている。これは、Ｇａ
Ａｓ基板上に分散型ブラッグリフレクタ（ＤＢＲ）層を
追加することにより、ＧａＡｓ基板上に照射される光を
反射させて、ＧａＡｓ基板によって吸収される光を減ら
すものである。しかしながら、ＤＢＲ層だけがＧａＡｓ
基板にほぼ垂直入射する光を反射するので、効率は非常
によいというわけではない。
従来のＬＥＤ技術の幾つかが開示されている。しかしな
がら、これらの従来の技術には、依然として欠点と限界
がある。例えば、スガワラ（Ｓｕｇａｗａｒａ）他は１
つの方法を開示しており、これは、応用物理レター（Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ．）６１巻、１７７５−１
７７７（１９９２年）で公表されている。これは、Ｇａ
Ａｓ基板上に分散型ブラッグリフレクタ（ＤＢＲ）層を
追加することにより、ＧａＡｓ基板上に照射される光を
反射させて、ＧａＡｓ基板によって吸収される光を減ら
すものである。しかしながら、ＤＢＲ層だけがＧａＡｓ
基板にほぼ垂直入射する光を反射するので、効率は非常
によいというわけではない。
【０００４】キッシュ（Ｋｉｓｈ）他は、ウェーハ接合
透明基板（ＴＳ）（ＡｌxＧａ1-x） 0.5Ｉｎ0.5Ｐ／Ｇａ
Ｐ発光ダイオードについて開示した［応用物理レター
（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ．）６４巻、Ｎｏ．２
１、２８３９（１９９４年）、超高効率半導体ウェーハ
接合透明基板（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ／Ｇａ
Ｐ］。水素化合物ベーパーフェーズエピタキシー（ＨＶ
ＰＥ）を使って非常に厚い（約５０μｍ）ｐ型ＧａＰウ
インドー層を成長させることによって、このＴＳ Ａｌ
ＧａＩｎＰ ＬＥＤが組み立てられた。接合を行う前に
化学機械研磨とエッチング技術を使ってｎ型ＧａＡｓ基
板が選択的に除去された。次に、露出されたｎ型（Ａｌ
xＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層は、８−１０ミル厚
のｎ型ＧａＰ基板にウェーハ接合される。その結果であ
るＴＳ ＡｌＧａＩｎＰ ＬＥＤは、吸収基板（ＡＳ）
ＡｌＧａＩｎＰ ＬＥＤに比べて光出力が２倍に向上し
たことを示す。しかしながら、ＴＳ ＡｌＧａＩｎＰ
ＬＥＤの組立てプロセスは余りにも複雑である。従っ
て、高歩留まりでかつ低コストでこれらのＴＳ ＡｌＧ
ａＩｎＰ ＬＥＤを製造することは困難である。
透明基板（ＴＳ）（ＡｌxＧａ1-x） 0.5Ｉｎ0.5Ｐ／Ｇａ
Ｐ発光ダイオードについて開示した［応用物理レター
（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ．）６４巻、Ｎｏ．２
１、２８３９（１９９４年）、超高効率半導体ウェーハ
接合透明基板（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ／Ｇａ
Ｐ］。水素化合物ベーパーフェーズエピタキシー（ＨＶ
ＰＥ）を使って非常に厚い（約５０μｍ）ｐ型ＧａＰウ
インドー層を成長させることによって、このＴＳ Ａｌ
ＧａＩｎＰ ＬＥＤが組み立てられた。接合を行う前に
化学機械研磨とエッチング技術を使ってｎ型ＧａＡｓ基
板が選択的に除去された。次に、露出されたｎ型（Ａｌ
xＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層は、８−１０ミル厚
のｎ型ＧａＰ基板にウェーハ接合される。その結果であ
るＴＳ ＡｌＧａＩｎＰ ＬＥＤは、吸収基板（ＡＳ）
ＡｌＧａＩｎＰ ＬＥＤに比べて光出力が２倍に向上し
たことを示す。しかしながら、ＴＳ ＡｌＧａＩｎＰ
ＬＥＤの組立てプロセスは余りにも複雑である。従っ
て、高歩留まりでかつ低コストでこれらのＴＳ ＡｌＧ
ａＩｎＰ ＬＥＤを製造することは困難である。
【０００５】ホング（Hｏｒｎｇ）他は、技術によって
組立てられたミラー基板（ＭＳ）ＡｌＧａＩｎＰ／金属
／Ｓｉ０2／Ｓｉ ＬＥＤについて報告した［応用物理
レター（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ．）７５巻、
Ｎｏ．２０、３０５４（１９９９年）、ウェーハ接合に
よって組立てられたミラー基板を備えるＡｌＧａＩｎＰ
発光ダイオード］。彼らはＡｕＢｅ／Ａｕを接着剤とし
て用いて、Ｓｉ基板とＬＥＤエピ層を結合した。しかし
ながら、これらのＭＳ ＡｌＧａＩｎＰ ＬＥＤの輝度
は、２０ｍＡの注入電流で約９０ｍｃｄであり、ＴＳ
ＡｌＧａＩｎＰＬＥＤの輝度よりも４０％低い。
組立てられたミラー基板（ＭＳ）ＡｌＧａＩｎＰ／金属
／Ｓｉ０2／Ｓｉ ＬＥＤについて報告した［応用物理
レター（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ．）７５巻、
Ｎｏ．２０、３０５４（１９９９年）、ウェーハ接合に
よって組立てられたミラー基板を備えるＡｌＧａＩｎＰ
発光ダイオード］。彼らはＡｕＢｅ／Ａｕを接着剤とし
て用いて、Ｓｉ基板とＬＥＤエピ層を結合した。しかし
ながら、これらのＭＳ ＡｌＧａＩｎＰ ＬＥＤの輝度
は、２０ｍＡの注入電流で約９０ｍｃｄであり、ＴＳ
ＡｌＧａＩｎＰＬＥＤの輝度よりも４０％低い。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述のように、従来のＬ
ＥＤは多くの欠点がある。従って、本発明は、従来の欠
点を解消するＬＥＤ構造とその形成方法を提供する。
ＥＤは多くの欠点がある。従って、本発明は、従来の欠
点を解消するＬＥＤ構造とその形成方法を提供する。
【０００７】本発明は発光ダイオードを提供するもので
ある。発光ダイオードは、光吸収基板上に形成された多
層ＡｌＧａＩｎＰエピタキシャル構造をもつＬＥＤエピ
タキシャル構造と、透明基板と、透明基板と多層ＡｌＧ
ａＩｎＰエピタキシャル構造を接合するための透明粘着
性物質材料層を備える。ＬＥＤのアクティブ層は、シン
グルヘテロ構造（ＳＨ）と、ダブルヘテロ構造（ＤＨ）
と、多量子井戸（ＭＱＷ）、もしくは、量子井戸ヘテロ
構造（ＱＷＨ）を備えることができる。一方、第１と第
２のオーミックコンタクト金属層は、第１と第２の導電
型エピタキシャル層にそれぞれ接合されている。その
上、第１と第２のオーミックコンタクト金属層の両方と
もに、同じ側に位置している。
ある。発光ダイオードは、光吸収基板上に形成された多
層ＡｌＧａＩｎＰエピタキシャル構造をもつＬＥＤエピ
タキシャル構造と、透明基板と、透明基板と多層ＡｌＧ
ａＩｎＰエピタキシャル構造を接合するための透明粘着
性物質材料層を備える。ＬＥＤのアクティブ層は、シン
グルヘテロ構造（ＳＨ）と、ダブルヘテロ構造（ＤＨ）
と、多量子井戸（ＭＱＷ）、もしくは、量子井戸ヘテロ
構造（ＱＷＨ）を備えることができる。一方、第１と第
２のオーミックコンタクト金属層は、第１と第２の導電
型エピタキシャル層にそれぞれ接合されている。その
上、第１と第２のオーミックコンタクト金属層の両方と
もに、同じ側に位置している。
【０００８】本発明は、光吸収基板上に形成された多層
ＡｌＧａＩｎＰエピタキシャル構造をもつＬＥＤエピタ
キシャル構造を提供するステップと、透明基板を提供す
るステップと、前記透明基板と多層ＡｌＧａＩｎＰエピ
タキシャル構造を接合するために、ＢＣＢ（Ｂ−ｓｔａ
ｇｅｄ ｂｉｓｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）樹
脂やエポキシ樹脂等の透明粘着性物質材料層を使うステ
ップとを含む、発光ダイオードの製造方法を提供する。
次に、光吸収基板を除去して、第１の導電型エッチスト
ップ層を露出させることで、例えば、第１のオーミック
コンタクト金属層が形成される。また、エッチングステ
ップでは、第２の導電型エピタキシャル層を露出して、
第２のオーミックコンタクト層が形成する。さらに、第
１と第２のオーミックコンタクト金属層共に同じ側に配
置されている。
ＡｌＧａＩｎＰエピタキシャル構造をもつＬＥＤエピタ
キシャル構造を提供するステップと、透明基板を提供す
るステップと、前記透明基板と多層ＡｌＧａＩｎＰエピ
タキシャル構造を接合するために、ＢＣＢ（Ｂ−ｓｔａ
ｇｅｄ ｂｉｓｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）樹
脂やエポキシ樹脂等の透明粘着性物質材料層を使うステ
ップとを含む、発光ダイオードの製造方法を提供する。
次に、光吸収基板を除去して、第１の導電型エッチスト
ップ層を露出させることで、例えば、第１のオーミック
コンタクト金属層が形成される。また、エッチングステ
ップでは、第２の導電型エピタキシャル層を露出して、
第２のオーミックコンタクト層が形成する。さらに、第
１と第２のオーミックコンタクト金属層共に同じ側に配
置されている。
【０００９】本発明の利点は単純なＬＥＤ構造を提供す
ることで、低温でＬＥＤ構造の接着プロセスを実行でき
るので、Ｖ族元素の蒸発の問題が回避される。さらに、
透明基板を使うことによってＬＥＤの発光効率は大幅に
改善される。
ることで、低温でＬＥＤ構造の接着プロセスを実行でき
るので、Ｖ族元素の蒸発の問題が回避される。さらに、
透明基板を使うことによってＬＥＤの発光効率は大幅に
改善される。
【００１０】本発明のその他の利点は、透明基板の材料
として低コストのガラスを使うことができる単純化され
たプロセスにある。従って、歩留まりの高いスループッ
トと低コストが達成される。
として低コストのガラスを使うことができる単純化され
たプロセスにある。従って、歩留まりの高いスループッ
トと低コストが達成される。
【００１１】本発明のその他の利点は、弾力的な特性の
透明粘着性物質材料を使って、透明基板と多層ＡｌＧａ
ＩｎＰエピタキシャル構造を接合することにある。従っ
て、エピタキシャル構造が荒い表面をもっていたとして
も、弾力的な透明粘着性物質層を使うことによって優れ
た接合結果が得られる。
透明粘着性物質材料を使って、透明基板と多層ＡｌＧａ
ＩｎＰエピタキシャル構造を接合することにある。従っ
て、エピタキシャル構造が荒い表面をもっていたとして
も、弾力的な透明粘着性物質層を使うことによって優れ
た接合結果が得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、ＬＥＤ構造とその形成
方法を開示するものであり、以下で詳細に説明される。
方法を開示するものであり、以下で詳細に説明される。
【００１３】図１に関して、本発明の発光ダイオードの
エピタキシャル構造は、ｎ型ＧａＡｓ基板２６、エッチ
ストップ層２４、ｎ型（ＡｌｘＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
下位クラッド層２２、（ＡｌｘＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
アクティブ層２０、ｐ型（ＡｌｘＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5
Ｐ上位クラッド層１８、ｐ型オーミックコンタクトエピ
タキシャル層１６を備える。
エピタキシャル構造は、ｎ型ＧａＡｓ基板２６、エッチ
ストップ層２４、ｎ型（ＡｌｘＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
下位クラッド層２２、（ＡｌｘＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
アクティブ層２０、ｐ型（ＡｌｘＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5
Ｐ上位クラッド層１８、ｐ型オーミックコンタクトエピ
タキシャル層１６を備える。
【００１４】上述の説明では、材料のエネルギーギャッ
プがアクティブ層のものよりも大きい限り、ｐ型オーミ
ックコンタクトエピタキシャル層の材料はＡｌＧａＡ
ｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＡｓＰでよく、アクティブ層
から出される光は吸収されない。
プがアクティブ層のものよりも大きい限り、ｐ型オーミ
ックコンタクトエピタキシャル層の材料はＡｌＧａＡ
ｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＡｓＰでよく、アクティブ層
から出される光は吸収されない。
【００１５】さらに、アクティブ層は約０≦ｘ≦０．４
５のＡｌ組成をもち、下位クラッド層は約０．５≦ｘ≦
１のＡｌ組成をもち、上位クラッド層は約０．５≦ｘ≦
１のＡｌ組成をもつ。もし、ｘ＝０ならば、アクティブ
層の組成はＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐであり、ＬＥＤの波長λｄ
は６３５ｎｍである。
５のＡｌ組成をもち、下位クラッド層は約０．５≦ｘ≦
１のＡｌ組成をもち、上位クラッド層は約０．５≦ｘ≦
１のＡｌ組成をもつ。もし、ｘ＝０ならば、アクティブ
層の組成はＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐであり、ＬＥＤの波長λｄ
は６３５ｎｍである。
【００１６】上述の説明では、（ＡＩxＧａ1-x）0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐ等の化合物比が好適な例であって、いかなる比
のＩＩ−Ｖ族半導体材料に対しても本発明を適用でき
る。さらに、本発明のＡｌＧａＩｎＰアクティブ層２０
の構造は、ＳＨ構造、ＤＨ構造、複数の量子井戸（ＭＱ
Ｗｓ）構造、もしくは、量子井戸ヘテロ構造（ＱＷＨ
ｓ）でよい。ＤＨ構造は、図１に示されるように、ｎ型
（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ下位クラッド層２２と、
（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐアクティブ層２０と、ｐ
型（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ上位クラッド層１８と
を備える。尚、下位クラッド層２２と、アクティブ層２
０と、上位クラッド層１８の好適な厚さはそれぞれ、約
０．５−３．０、０．５−２．０、０．５−３．０μｍ
である。
ｎ0.5Ｐ等の化合物比が好適な例であって、いかなる比
のＩＩ−Ｖ族半導体材料に対しても本発明を適用でき
る。さらに、本発明のＡｌＧａＩｎＰアクティブ層２０
の構造は、ＳＨ構造、ＤＨ構造、複数の量子井戸（ＭＱ
Ｗｓ）構造、もしくは、量子井戸ヘテロ構造（ＱＷＨ
ｓ）でよい。ＤＨ構造は、図１に示されるように、ｎ型
（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ下位クラッド層２２と、
（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐアクティブ層２０と、ｐ
型（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ上位クラッド層１８と
を備える。尚、下位クラッド層２２と、アクティブ層２
０と、上位クラッド層１８の好適な厚さはそれぞれ、約
０．５−３．０、０．５−２．０、０．５−３．０μｍ
である。
【００１７】本発明のエッチストップ層２４の好適な材
料は、ＧａＡｓ基板２６の格子と一致、もしくは、不一
致する格子をもつＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料でもよ
い。また、本発明のエッチストップ層２４の材料も、Ｇ
ａＡｓ基板２６のエッチレートより非常に小さいエッチ
レートをもつ。例えば、ＩｎＧａＰ、もしくは、ＡｌＧ
ａＡｓはエッチストップ層２４に適した候補になり得
る。さらに、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下位クラッド層は、Ｇ
ａＡｓ基板のエッチレートよりも非常に低いエッチレー
トをもつ。従って、もし下位クラッド層が十分な厚みを
もつなら、異なる組成をもつエッチストップ層として利
用されるオプションとしてのエピタキシャル層は不要で
ある。
料は、ＧａＡｓ基板２６の格子と一致、もしくは、不一
致する格子をもつＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料でもよ
い。また、本発明のエッチストップ層２４の材料も、Ｇ
ａＡｓ基板２６のエッチレートより非常に小さいエッチ
レートをもつ。例えば、ＩｎＧａＰ、もしくは、ＡｌＧ
ａＡｓはエッチストップ層２４に適した候補になり得
る。さらに、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下位クラッド層は、Ｇ
ａＡｓ基板のエッチレートよりも非常に低いエッチレー
トをもつ。従って、もし下位クラッド層が十分な厚みを
もつなら、異なる組成をもつエッチストップ層として利
用されるオプションとしてのエピタキシャル層は不要で
ある。
【００１８】図２に示される構造は、ＢＣＢ（Ｂ−ｓｔ
ａｇｅｄ ｂｉｓｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）
樹脂等の透明粘着性物質層１４と透明基板（ＴＳ）１０
を備える。粘着性物質層１４の材料はＢＣＢに限定され
るものではない。エポキシやその他の材料等の同様の特
性の粘着性物質材料も本発明に適用可能である。ガラ
ス、サファイアウェーハ、ＳｉＣウェーハ、ＧａＰウェ
ーハ、ＧａＡｓＰウェーハ、ＺｎＳｅウェーハ、ＺｎＳ
ウェーハ、もしくは、ＺｎＳＳｅウェーハから透明基板
を構成することができる。材料によって吸収される光が
些細である限り、これらの材料を透明基板として選ぶこ
とができる。本発明の１つの利点は、透明基板が単結晶
ウェーハである必要がないことである。ＬＥＤエピタキ
シャル層を支持するために透明基板を使ってエピタキシ
ャル層の破壊を回避することができ、電流が透明基板を
流れることはない。言いかえれば、多結晶とアモルファ
ス結晶の両方をキャリアー基板として使うことができ
る。従って、製造コストは大きく下がる。
ａｇｅｄ ｂｉｓｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）
樹脂等の透明粘着性物質層１４と透明基板（ＴＳ）１０
を備える。粘着性物質層１４の材料はＢＣＢに限定され
るものではない。エポキシやその他の材料等の同様の特
性の粘着性物質材料も本発明に適用可能である。ガラ
ス、サファイアウェーハ、ＳｉＣウェーハ、ＧａＰウェ
ーハ、ＧａＡｓＰウェーハ、ＺｎＳｅウェーハ、ＺｎＳ
ウェーハ、もしくは、ＺｎＳＳｅウェーハから透明基板
を構成することができる。材料によって吸収される光が
些細である限り、これらの材料を透明基板として選ぶこ
とができる。本発明の１つの利点は、透明基板が単結晶
ウェーハである必要がないことである。ＬＥＤエピタキ
シャル層を支持するために透明基板を使ってエピタキシ
ャル層の破壊を回避することができ、電流が透明基板を
流れることはない。言いかえれば、多結晶とアモルファ
ス結晶の両方をキャリアー基板として使うことができ
る。従って、製造コストは大きく下がる。
【００１９】その後、図１のエピタキシャル層構造は図
２の透明基板と結合される。本発明の方法に基づいて、
加圧／加熱下のある温度、例えば、２５０℃で接着工程
を実施することができる。ＬＥＤエピタキシャル構造と
透明基板間の接着特性を改善するために、例えば、堆
積、蒸発、もしくは、スパッタによって、密着強化層
を、ＬＥＤエピタキシャル構造の表面と透明基板の表面
上に形成することができる。その後、ＢＣＢ層が塗布さ
れ、次に、ＬＥＤエピタキシャル構造と透明基板間の接
着を完了するまでの期間、ある温度、例えば、２５０℃
とある圧力が加えられる。適切に接着させるために、Ｌ
ＥＤエピタキシャル構造とＢＣＢ層によって接合された
透明基板を低温、例えば、６０℃から１００℃まで加熱
して有機溶剤をＢＣＢ層から除去し、その温度を２００
℃から６００℃までの範囲で上げることができるので、
ＬＥＤエピタキシャル構造と透明基板とＢＣＢ層の接合
力は優れたものになる。その後、エッチャント、例え
ば、５Ｈ3ＰＯ4：３Ｈ2Ｏ2：３Ｈ 2Ｏ、もしくは、１Ｎ
Ｈ4ＯＨ：３５Ｈ2Ｏ2によって、不透明なｎ型ＧａＡｓ
基板が除去される。しかしながら、エッチストップ層Ｉ
ｎＧａＰ、もしくは、ＡｌＧａＡｓは相変わらず、アク
ティブ層から出された光を吸収する。従って、エッチス
トップ層を除去してｎ型オーミックコンタクト金属層と
接触するエッチストップ層の一部だけを残す必要があ
る。ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下位クラッド層とＡｌＧａＩｎ
Ｐアクティブ層とｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上位クラッド層の
一部分を除去するために、ドライエッチング法、例え
ば、ＲＩＥが適用されて、さらにｐ型オーミックコンタ
クトエピタキシャル層が露出される。次に、ｐ型オーミ
ックコンタクト金属層２８が、ｐ型オーミックコンタク
トエピタキシャル層１６上に形成される。その後、図３
に示されるように、ｎ型オーミックコンタクト金属層３
０をｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下位クラッド層２２上に形成し
て、同じ側に形成されたｐ型とｎ型のオーミックコンタ
クト金属層を含むＬＥＤ構造を形成する。
２の透明基板と結合される。本発明の方法に基づいて、
加圧／加熱下のある温度、例えば、２５０℃で接着工程
を実施することができる。ＬＥＤエピタキシャル構造と
透明基板間の接着特性を改善するために、例えば、堆
積、蒸発、もしくは、スパッタによって、密着強化層
を、ＬＥＤエピタキシャル構造の表面と透明基板の表面
上に形成することができる。その後、ＢＣＢ層が塗布さ
れ、次に、ＬＥＤエピタキシャル構造と透明基板間の接
着を完了するまでの期間、ある温度、例えば、２５０℃
とある圧力が加えられる。適切に接着させるために、Ｌ
ＥＤエピタキシャル構造とＢＣＢ層によって接合された
透明基板を低温、例えば、６０℃から１００℃まで加熱
して有機溶剤をＢＣＢ層から除去し、その温度を２００
℃から６００℃までの範囲で上げることができるので、
ＬＥＤエピタキシャル構造と透明基板とＢＣＢ層の接合
力は優れたものになる。その後、エッチャント、例え
ば、５Ｈ3ＰＯ4：３Ｈ2Ｏ2：３Ｈ 2Ｏ、もしくは、１Ｎ
Ｈ4ＯＨ：３５Ｈ2Ｏ2によって、不透明なｎ型ＧａＡｓ
基板が除去される。しかしながら、エッチストップ層Ｉ
ｎＧａＰ、もしくは、ＡｌＧａＡｓは相変わらず、アク
ティブ層から出された光を吸収する。従って、エッチス
トップ層を除去してｎ型オーミックコンタクト金属層と
接触するエッチストップ層の一部だけを残す必要があ
る。ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下位クラッド層とＡｌＧａＩｎ
Ｐアクティブ層とｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上位クラッド層の
一部分を除去するために、ドライエッチング法、例え
ば、ＲＩＥが適用されて、さらにｐ型オーミックコンタ
クトエピタキシャル層が露出される。次に、ｐ型オーミ
ックコンタクト金属層２８が、ｐ型オーミックコンタク
トエピタキシャル層１６上に形成される。その後、図３
に示されるように、ｎ型オーミックコンタクト金属層３
０をｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下位クラッド層２２上に形成し
て、同じ側に形成されたｐ型とｎ型のオーミックコンタ
クト金属層を含むＬＥＤ構造を形成する。
【００２０】本発明の波長６３５ｎｍのＡｌＧａＩｎＰ
ＬＥＤの光出力は４ｍｗより大きく（２０ｍＡの注入
電流で）、また、従来の吸収基板ＡｌＧａＩｎＰ ＬＥ
Ｄの光出力パワーより２倍大きい。
ＬＥＤの光出力は４ｍｗより大きく（２０ｍＡの注入
電流で）、また、従来の吸収基板ＡｌＧａＩｎＰ ＬＥ
Ｄの光出力パワーより２倍大きい。
【００２１】本発明は、高明度のＡｌＧａＩｎＰ ＬＥ
Ｄに限定されるものではなく、また、その他のＬＥＤ材
料、例えば、赤色と赤外線赤色のＡＩＧａＡｓ ＬＥＤ
に適している。図５は、本発明の第２の実施形態のエピ
タキシャル構造の断面を示す。ＡｌＧａＡｓ赤色ＬＥＤ
（６５０ｎｍ）は、ｎ型ＧａＡｓ基板５１と、約７０〜
８０％のＡｌ組成と０．５μｍ〜２μｍの厚みをもつｎ
型ＡｌＧａＡｓ下位クラッド層５２と、約７０〜８０％
のＡｌ組成と０．５μｍ〜２μｍの厚みをもつｐ型Ａｌ
ＧａＡｓ上位クラッド層５４とのスタック構造を備え
る。次に、ＡｌＧａＡｓ赤色ＬＥＤ構造が透明基板５
６、例えば、ＢＣＢ５５によるサファイアに接合され
る。そして、ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2＝１．７：１等のエッ
チャントによってエピタキシャル構造をエッチングし
て、不透明なｎ型ＧａＡｓ基板を除去する。その後、ウ
ェットエッチング、もしくは、ドライエッチングが適用
されて、ｎ型ＡｌＧａＡｓ下位クラッド層とＡｌＧａＡ
ｓアクティブ層の一部が除去され、さらに、ｐ型ＡｌＧ
ａＡｓ上位クラッド層が露出される。次に、ｐ型オーミ
ックコンタクト金属層５７がｐ型ＡｌＧａＡｓ上位クラ
ッド層５４上に形成される。そして、ｎ型オーミックコ
ンタクト金属層５８がｎ型ＡｌＧａＡｓ下位クラッド層
５２に形成されて、同じ側に形成されたｐ型とｎ型のオ
ーミックコンタクト金属層を含むＬＥＤ構造が形成され
る。
Ｄに限定されるものではなく、また、その他のＬＥＤ材
料、例えば、赤色と赤外線赤色のＡＩＧａＡｓ ＬＥＤ
に適している。図５は、本発明の第２の実施形態のエピ
タキシャル構造の断面を示す。ＡｌＧａＡｓ赤色ＬＥＤ
（６５０ｎｍ）は、ｎ型ＧａＡｓ基板５１と、約７０〜
８０％のＡｌ組成と０．５μｍ〜２μｍの厚みをもつｎ
型ＡｌＧａＡｓ下位クラッド層５２と、約７０〜８０％
のＡｌ組成と０．５μｍ〜２μｍの厚みをもつｐ型Ａｌ
ＧａＡｓ上位クラッド層５４とのスタック構造を備え
る。次に、ＡｌＧａＡｓ赤色ＬＥＤ構造が透明基板５
６、例えば、ＢＣＢ５５によるサファイアに接合され
る。そして、ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2＝１．７：１等のエッ
チャントによってエピタキシャル構造をエッチングし
て、不透明なｎ型ＧａＡｓ基板を除去する。その後、ウ
ェットエッチング、もしくは、ドライエッチングが適用
されて、ｎ型ＡｌＧａＡｓ下位クラッド層とＡｌＧａＡ
ｓアクティブ層の一部が除去され、さらに、ｐ型ＡｌＧ
ａＡｓ上位クラッド層が露出される。次に、ｐ型オーミ
ックコンタクト金属層５７がｐ型ＡｌＧａＡｓ上位クラ
ッド層５４上に形成される。そして、ｎ型オーミックコ
ンタクト金属層５８がｎ型ＡｌＧａＡｓ下位クラッド層
５２に形成されて、同じ側に形成されたｐ型とｎ型のオ
ーミックコンタクト金属層を含むＬＥＤ構造が形成され
る。
【００２２】本発明のＡｌＧａＡｓ ＬＥＤの光出力パ
ワーは、従来の吸収基板ＡｌＧａＡｓ ＬＥＤの光出力
パワーよりも２倍大きい。本発明のＡｌＧａＡｓ ＬＥ
Ｄの波長は６５０ｎｍであるが、これに限定されるもの
ではない。
ワーは、従来の吸収基板ＡｌＧａＡｓ ＬＥＤの光出力
パワーよりも２倍大きい。本発明のＡｌＧａＡｓ ＬＥ
Ｄの波長は６５０ｎｍであるが、これに限定されるもの
ではない。
【００２３】ＬＥＤは透明基板を備え、ｐ型とｎ型のオ
ーミック金属層の両方とも、透明基板の同じ側に形成さ
れる。従って、チップフリップパッケージ法が適用可能
であり、もはや、従来のワイヤボンディング法は必要な
い。従って、本発明の方法によって形成されたＬＥＤは
より高い信頼性をもつ。さらに、透明基板，によって光
は吸収されないので、ＬＥＤの明度が改善される。その
上、高硬度のサファイアやガラスやＳｉＣから透明基板
を形成できるので、基板を割ることなくその厚さを１０
０マイクロメータまで薄くすることができるので、薄い
厚みと小さなサイズのＬＥＤ構造が製造される。
ーミック金属層の両方とも、透明基板の同じ側に形成さ
れる。従って、チップフリップパッケージ法が適用可能
であり、もはや、従来のワイヤボンディング法は必要な
い。従って、本発明の方法によって形成されたＬＥＤは
より高い信頼性をもつ。さらに、透明基板，によって光
は吸収されないので、ＬＥＤの明度が改善される。その
上、高硬度のサファイアやガラスやＳｉＣから透明基板
を形成できるので、基板を割ることなくその厚さを１０
０マイクロメータまで薄くすることができるので、薄い
厚みと小さなサイズのＬＥＤ構造が製造される。
【００２４】本発明の利点の１つは、透明基板と多層Ａ
ｌＧａＩｎＰエピタキシャル構造を接合するために、弾
力特性をもつ透明粘着性物質材料を使用したことであ
る。従って、エピタキシャル構造が荒い表面をもってい
たとしても、弾力特性をもつ透明粘着性物質材料の使用
によって優れた接合結果が得られる。
ｌＧａＩｎＰエピタキシャル構造を接合するために、弾
力特性をもつ透明粘着性物質材料を使用したことであ
る。従って、エピタキシャル構造が荒い表面をもってい
たとしても、弾力特性をもつ透明粘着性物質材料の使用
によって優れた接合結果が得られる。
【００２５】本発明の好適な実施形態を図示し説明して
きたが、本発明の精神と範囲から逸脱することなく、そ
れらに対して様々な変更を行うことが可能であることを
正しく理解されたい。
きたが、本発明の精神と範囲から逸脱することなく、そ
れらに対して様々な変更を行うことが可能であることを
正しく理解されたい。
【図１】本発明に係る好適な実施形態の発光ダイオード
の製造プロセスの概略断面図である。
の製造プロセスの概略断面図である。
【図２】本発明に係る好適な実施形態の発光ダイオード
の製造プロセスの概略断面図である。
の製造プロセスの概略断面図である。
【図３】本発明に係る好適な実施形態の発光ダイオード
の製造プロセスの概略断面図である。
の製造プロセスの概略断面図である。
【図４】従来の発光ダイオードの構造の概略断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の発光ダイオードの構造の概略断面図で
ある。
ある。
【図６】本発明の発光ダイオードの構造の概略断面図で
ある。
ある。
１６ ｐ型オーミックコンタクトエピタキシャル層
１８ ｐ型（ＡｌｘＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ上位クラッ
ド層 ２０ （ＡｌｘＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐアクティブ層 ２２ ｎ型（ＡｌｘＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ下位クラッ
ド層 ２４ エッチストップ層 ２６ ｎ型ＧａＡｓ基板
ド層 ２０ （ＡｌｘＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐアクティブ層 ２２ ｎ型（ＡｌｘＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ下位クラッ
ド層 ２４ エッチストップ層 ２６ ｎ型ＧａＡｓ基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平６−296040（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−130326（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−10536（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−36486（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−168236（ＪＰ，Ａ)
特開2000−216428（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−226783（ＪＰ，Ａ)
特開2000−250079（ＪＰ，Ａ)
特表2000−500617（ＪＰ，Ａ)
実用新案登録3067751（ＪＰ，Ｕ)
特許2920213（ＪＰ，Ｂ１)
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ，1999年，Ｖｏｌ．75 Ｎ
ｏ．20，ｐ．3054
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
Claims (25)
- 【請求項１】 発光ダイオードであって、 光吸収基板上に形成された多層ＡＩＧａＩｎＰエピタキ
シャル構造をもつＬＥＤエピタキシャル構造と、 透明基板と、 前記透明基板と前記多層ＡｌＧａＩｎＰエピタキシャル
構造とを接合するために使用される弾力的な透明粘着性
物質材料であって、ＢＣＢ（Ｂ-staged bisbenzocyclob
utene）樹脂及びエポキシ樹脂からなる群から選択さ
れ、もって、上記接着する温度を下げ、粗い表面を持つ
多層ＡＬＧａＩｎＰエピタキシャル構造に対し優れた接
合効果を得て、ＬＥＤの発光効率を改善するための弾力
的な透明粘着性物質材料と、前記透過性基板の同じ側に形成された第１及び第２のオ
ーミック接触金属層と、 を備える発光ダイオード。 - 【請求項２】 前記光吸収基板はＧａＡｓである、請求
項１に記載の発光ダイオード。 - 【請求項３】 前記ＬＥＤエピタキシャル構造はＡｌＧ
ａＩｎＰホモ構造である、請求項１に記載の発光ダイオ
ード。 - 【請求項４】 前記ＬＥＤエピタキシャル構造はＡｌＧ
ａＩｎＰヘテロ構造である、請求項１に記載の発光ダイ
オード。 - 【請求項５】 前記ＬＥＤエピタキシャル構造は、Ａｌ
ＧａＩｎＰダブルへテロ構造である、請求項１に記載の
発光ダイオード。 - 【請求項６】 前記ＬＥＤエピタキシャル構造はＡｌＧ
ａＩｎＰ量子井戸である、請求項１に記載の発光ダイオ
ード。 - 【請求項７】 前記透明基板と前記ＬＥＤエピタキシャ
ル構造を接合した後で前記光吸収基板を除去するステッ
プをさらに含む、請求項１に記載の発光ダイオード。 - 【請求項８】 前記透明基板はサファイアである、請求
項１に記載の発光ダイオード。 - 【請求項９】 前記透明基板はガラスである、請求項１
に記載の発光ダイオード。 - 【請求項１０】 前記透明基板は、ＧａＰ、もしくはＧ
ａＡｓＰである、請求項１に記載の発光ダイオード。 - 【請求項１１】 前記透明基板は、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、
もしくはＺｎＳＳｅである、請求項１に記載の発光ダイ
オード。 - 【請求項１２】 前記透明基板はＳｉＣである、請求項
１に記載の発光ダイオード。 - 【請求項１３】 前記透明基板と前記多層ＡｌＧａＩｎ
Ｐエピタキシャル構造とは前記以下の複数の段階、即
ち、６０℃から１００℃までの温度範囲で加熱／加圧工
程を実行する第１段階と、２００℃から６００℃の温度
範囲で加熱／加圧工程を実行する第２段階とによって接
合される、請求項１に記載の発光ダイオード。 - 【請求項１４】 発光ダイオードを形成する方法であっ
て、 光吸収基板上に形成された多層ＡｌＧａＡｓエピタキシ
ャル構造を含むＬＥＤエピタキシャル構造を提供するス
テップと、 透明基板を提供するステップと、弾力的な透明粘着性物質材料を用いて 前記透明基板と前
記多層ＡｌＧａＡｓエピタキシャル構造とを接合するス
テップであって、前記弾力的な透明粘着性物質材料は、
ＢＣＢ樹脂及びエポキシ樹脂からなる群から選択され、
もって、上記接着するステップを実行する温度を下げ、
粗い表面を持つ多層ＡＬＧａＩｎＰエピタキシャル構造
に対し優れた接合効果を得て、ＬＥＤの発光効率を改善
する、前記ステップと、 第１のオーミック接触金属
層を形成し、第２のオーミック接触金属層を前記第１の
オーミック接触金属層と同じ側に形成するステップと、 を有し、 前記接合するステップは、６０℃〜１００
℃の温度中で加熱及び押圧ステップを実行する第１の段
階と、２００℃〜６００℃の温度中で加熱及び押圧ステ
ップを実行する第２の段階と、によって実行される、方
法。 - 【請求項１５】 前記光吸収基板はＧａＡｓである、請
求項１４に記載の方法。 - 【請求項１６】 前記ＬＥＤエピタキシャル構造はＡｌ
ＧａＡｓホモ構造である、請求項１４に記載の方法。 - 【請求項１７】 前記ＬＥＤエピタキシャル構造はＡｌ
ＧａＡｓヘテロ構造である、請求項１４に記載の方法。 - 【請求項１８】 前記ＬＥＤエピタキシャル構造は、Ａ
ｌＧａＡｓダブルヘテロ構造である、請求項１４に記載
の方法。 - 【請求項１９】 前記ＬＥＤエピタキシャル構造は、Ａ
ｌＧａＡｓ量子井戸である、請求項１４に記載の方法。 - 【請求項２０】前記透明基板と前記ＬＥＤエピタキシャ
ル構造とを接合した後で前記光吸収基板を除去するステ
ップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。 - 【請求項２１】 前記透明基板はサファイアである、請
求項１４に記載の方法。 - 【請求項２２】 前記透明基板はガラスである、請求項
１４に記載の方法。 - 【請求項２３】 前記透明基板はＧａＰ、もしくは、Ｇ
ａＡｓＰである、請求項１４に記載の方法。 - 【請求項２４】 前記透明基板はＺｎＳｅ、ＺｎＳ、も
しくは、ＺｎＳＳｅである、請求項１４に記載の方法。 - 【請求項２５】 前記透明基板はＳｉＣである、請求項
１４に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW090102561A TW493286B (en) | 2001-02-06 | 2001-02-06 | Light-emitting diode and the manufacturing method thereof |
| TW90102561 | 2001-02-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002246640A JP2002246640A (ja) | 2002-08-30 |
| JP3520270B2 true JP3520270B2 (ja) | 2004-04-19 |
Family
ID=21677258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001107502A Expired - Lifetime JP3520270B2 (ja) | 2001-02-06 | 2001-04-05 | 発光ダイオードとその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6709883B2 (ja) |
| JP (1) | JP3520270B2 (ja) |
| DE (1) | DE10118448A1 (ja) |
| TW (1) | TW493286B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017126720A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 信越半導体株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141556A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-05-17 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
| TW550834B (en) * | 2002-02-15 | 2003-09-01 | United Epitaxy Co Ltd | Light emitting diode and its manufacturing method |
| TW541710B (en) * | 2001-06-27 | 2003-07-11 | Epistar Corp | LED having transparent substrate and the manufacturing method thereof |
| TWI294699B (en) | 2006-01-27 | 2008-03-11 | Epistar Corp | Light emitting device and method of forming the same |
| TW518771B (en) * | 2001-09-13 | 2003-01-21 | United Epitaxy Co Ltd | LED and the manufacturing method thereof |
| US7928455B2 (en) * | 2002-07-15 | 2011-04-19 | Epistar Corporation | Semiconductor light-emitting device and method for forming the same |
| TW567618B (en) * | 2002-07-15 | 2003-12-21 | Epistar Corp | Light emitting diode with adhesive reflection layer and manufacturing method thereof |
| TW579610B (en) * | 2003-01-30 | 2004-03-11 | Epistar Corp | Nitride light-emitting device having adhered reflective layer |
| US8999736B2 (en) | 2003-07-04 | 2015-04-07 | Epistar Corporation | Optoelectronic system |
| US7172909B2 (en) * | 2003-07-04 | 2007-02-06 | Epistar Corporation | Light emitting diode having an adhesive layer and a reflective layer and manufacturing method thereof |
| US20050014305A1 (en) * | 2003-07-14 | 2005-01-20 | Min-Hsun Hsieh | Light emitting diode having an adhesive layer and a manufacturing method thereof |
| US6977212B2 (en) * | 2004-01-08 | 2005-12-20 | The United States Of America As Represented By The National Security Agency | Fabricating a semiconductor device using fully cured bisbenzocyclobutene |
| TWI244221B (en) * | 2004-03-01 | 2005-11-21 | Epistar Corp | Micro-reflector containing flip-chip light emitting device |
| US20050274971A1 (en) * | 2004-06-10 | 2005-12-15 | Pai-Hsiang Wang | Light emitting diode and method of making the same |
| TWI352437B (en) * | 2007-08-27 | 2011-11-11 | Epistar Corp | Optoelectronic semiconductor device |
| JP4225510B2 (ja) | 2005-07-06 | 2009-02-18 | 昭和電工株式会社 | 化合物半導体発光ダイオードおよびその製造方法 |
| US7335924B2 (en) * | 2005-07-12 | 2008-02-26 | Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. | High-brightness light emitting diode having reflective layer |
| US7384808B2 (en) * | 2005-07-12 | 2008-06-10 | Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. | Fabrication method of high-brightness light emitting diode having reflective layer |
| WO2007073001A1 (en) | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode and method for fabricant thereof |
| US20080128734A1 (en) * | 2006-01-06 | 2008-06-05 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
| US20100084679A1 (en) * | 2006-01-06 | 2010-04-08 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
| WO2007083829A1 (en) | 2006-01-23 | 2007-07-26 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode and method for fabrication thereof |
| US8269236B2 (en) | 2006-02-08 | 2012-09-18 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode and fabrication method thereof |
| WO2007094476A1 (en) | 2006-02-14 | 2007-08-23 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode |
| JP4892445B2 (ja) | 2007-10-01 | 2012-03-07 | 昭和電工株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
| US20110121319A1 (en) * | 2007-12-10 | 2011-05-26 | Haase Michael A | Semiconductor light emitting device and method of making same |
| US7919780B2 (en) * | 2008-08-05 | 2011-04-05 | Dicon Fiberoptics, Inc. | System for high efficiency solid-state light emissions and method of manufacture |
| JP2010192701A (ja) | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び発光ダイオードの製造方法 |
| KR101047792B1 (ko) * | 2010-04-23 | 2011-07-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
| TW201322437A (zh) * | 2011-11-17 | 2013-06-01 | Helio Optoelectronics Corp | 高電壓交流發光二極體結構 |
| JP5957358B2 (ja) | 2012-10-16 | 2016-07-27 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 |
| CN108336204A (zh) * | 2018-04-04 | 2018-07-27 | 上海恩弼科技有限公司 | 单面出光的led芯片及其制作方法 |
| CN111525013A (zh) | 2019-02-01 | 2020-08-11 | 隆达电子股份有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| WO2024042417A1 (en) | 2022-08-26 | 2024-02-29 | 3M Innovative Properties Company | Optical waveguides and methods of making same |
| WO2024042416A1 (en) | 2022-08-26 | 2024-02-29 | 3M Innovative Properties Company | Multilayer optical gratings |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2920213B1 (ja) | 1998-02-12 | 1999-07-19 | 工業技術院長 | 面型光増幅素子とその製造方法 |
| JP3067751U (ja) | 1999-05-28 | 2000-04-11 | 全新光電科技股▲ふん▼有限公司 | 透明ガラス或いは石英を永久性基板にした発光ダイオード |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5300788A (en) * | 1991-01-18 | 1994-04-05 | Kopin Corporation | Light emitting diode bars and arrays and method of making same |
| US5256599A (en) * | 1992-06-01 | 1993-10-26 | Motorola, Inc. | Semiconductor wafer wax mounting and thinning process |
| JP3230638B2 (ja) * | 1993-02-10 | 2001-11-19 | シャープ株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
| US5376580A (en) * | 1993-03-19 | 1994-12-27 | Hewlett-Packard Company | Wafer bonding of light emitting diode layers |
| US5764119A (en) * | 1995-10-16 | 1998-06-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wiring board for high-frequency signals and semiconductor module for high-frequency signals using the wiring board |
| DE19543540C1 (de) * | 1995-11-22 | 1996-11-21 | Siemens Ag | Vertikal integriertes Halbleiterbauelement mit zwei miteinander verbundenen Substraten und Herstellungsverfahren dafür |
| US5724376A (en) * | 1995-11-30 | 1998-03-03 | Hewlett-Packard Company | Transparent substrate vertical cavity surface emitting lasers fabricated by semiconductor wafer bonding |
| US5917202A (en) * | 1995-12-21 | 1999-06-29 | Hewlett-Packard Company | Highly reflective contacts for light emitting semiconductor devices |
| US5656552A (en) * | 1996-06-24 | 1997-08-12 | Hudak; John James | Method of making a thin conformal high-yielding multi-chip module |
| US6013534A (en) * | 1997-07-25 | 2000-01-11 | The United States Of America As Represented By The National Security Agency | Method of thinning integrated circuits received in die form |
| US6017822A (en) * | 1998-09-16 | 2000-01-25 | The United States Of America As Represented By The National Security Agency | Method of thinning semiconductor wafer of smaller diameter than thinning equipment was designed for |
| JP3898357B2 (ja) * | 1998-09-28 | 2007-03-28 | 日東電工株式会社 | プラズマディスプレイパネル用フィルター |
| US6066574A (en) * | 1998-11-06 | 2000-05-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Hot plate cure process for BCB low k interlevel dielectric |
| US6258699B1 (en) * | 1999-05-10 | 2001-07-10 | Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. | Light emitting diode with a permanent subtrate of transparent glass or quartz and the method for manufacturing the same |
| DE19926958B4 (de) * | 1999-06-14 | 2008-07-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemissions-Halbleiterdiode auf der Basis von Ga (In, AL) P-Verbindungen mit ZnO-Fensterschicht |
| KR100463653B1 (ko) * | 1999-07-29 | 2004-12-29 | 가부시키가이샤 시티즌 덴시 | 발광 다이오드 |
| US6287882B1 (en) * | 1999-10-04 | 2001-09-11 | Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. | Light emitting diode with a metal-coated reflective permanent substrate and the method for manufacturing the same |
| TW456058B (en) * | 2000-08-10 | 2001-09-21 | United Epitaxy Co Ltd | Light emitting diode and the manufacturing method thereof |
-
2001
- 2001-02-06 TW TW090102561A patent/TW493286B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-04-05 JP JP2001107502A patent/JP3520270B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-06 US US09/828,060 patent/US6709883B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-12 DE DE10118448A patent/DE10118448A1/de not_active Ceased
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2920213B1 (ja) | 1998-02-12 | 1999-07-19 | 工業技術院長 | 面型光増幅素子とその製造方法 |
| JP3067751U (ja) | 1999-05-28 | 2000-04-11 | 全新光電科技股▲ふん▼有限公司 | 透明ガラス或いは石英を永久性基板にした発光ダイオード |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，１９９９年，Ｖｏｌ．７５ Ｎｏ．２０，ｐ．３０５４ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017126720A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 信越半導体株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
| WO2017122255A1 (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 信越半導体株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10118448A1 (de) | 2002-08-22 |
| US20020105003A1 (en) | 2002-08-08 |
| JP2002246640A (ja) | 2002-08-30 |
| US6709883B2 (en) | 2004-03-23 |
| TW493286B (en) | 2002-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3520270B2 (ja) | 発光ダイオードとその製造方法 | |
| JP3520271B2 (ja) | 発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法 | |
| US6838704B2 (en) | Light emitting diode and method of making the same | |
| US6462358B1 (en) | Light emitting diode and method for manufacturing the same | |
| US8791467B2 (en) | Light emitting diode and method of making the same | |
| US6583443B1 (en) | Light emitting diode and method of making the same | |
| US6319778B1 (en) | Method of making light emitting diode | |
| JP3230638B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| USRE43411E1 (en) | Series connection of two light emitting diodes through semiconductor manufacture process | |
| US6853011B2 (en) | Light emitting diode and method of making the same | |
| KR101161917B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| US7554124B2 (en) | Nitride-based compound semiconductor light emitting device, structural unit thereof, and fabricating method thereof | |
| JP4597796B2 (ja) | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2000277804A (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子、並びに発光素子 | |
| JPH098403A (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 | |
| JP4332407B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP4918245B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| TWI817264B (zh) | 垂直式發光二極體及其製造方法 | |
| TW202002322A (zh) | 發光元件以及發光元件的製造方法 | |
| KR20070006239A (ko) | 발광다이오드 소자의 제조방법 | |
| JPH08288548A (ja) | 発光ダイオード | |
| JP2007116065A (ja) | 発光素子および発光素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040113 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040202 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3520270 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090206 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090206 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100206 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100206 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110206 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140206 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |