JPS58118275A - 感熱記録ヘツド - Google Patents
感熱記録ヘツドInfo
- Publication number
- JPS58118275A JPS58118275A JP57000303A JP30382A JPS58118275A JP S58118275 A JPS58118275 A JP S58118275A JP 57000303 A JP57000303 A JP 57000303A JP 30382 A JP30382 A JP 30382A JP S58118275 A JPS58118275 A JP S58118275A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gas
- film
- recording head
- sioxny
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、感熱記録ヘッドに係シ、耐摩耗層に関するも
のである。
のである。
従来の薄膜形感熱記録ヘッドは、金輌電極および発熱抵
抗体上に酸化タンタル（Ｔζ偽）。
抗体上に酸化タンタル（Ｔζ偽）。
炭化シリ：ｒン（ＳｉＣ） 、 窒化シリ：ｆｆ ／
（５１１ｖ１３３又はＳｌ、Ｎ４）等の耐摩耗層が設け
られている。
（５１１ｖ１３３又はＳｌ、Ｎ４）等の耐摩耗層が設け
られている。
しかし、１“〜らは硬度が小さく耐摩耗性に劣り、ｓｌ
ｃ Ｂ化学的に不安定でたとえば感熱記録紙上の感熱物
質と反応を生じて耐摩耗性を著しく劣化させ、ＳｉＡ’
Ｌ ３３は硬度が大きく化学的に安定であるが薄膜形状
では膜の内部応力が大きく亀裂を住じゃすい欠点があっ
た。
ｃ Ｂ化学的に不安定でたとえば感熱記録紙上の感熱物
質と反応を生じて耐摩耗性を著しく劣化させ、ＳｉＡ’
Ｌ ３３は硬度が大きく化学的に安定であるが薄膜形状
では膜の内部応力が大きく亀裂を住じゃすい欠点があっ
た。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点のない、硬度が
大きくて耐摩耗性に秀れ、化学的に安定で感熱紙や発熱
体との反応が小さく、薄膜としたときの内部応力が小さ
くて耐亀訣性の良好な耐摩耗層を提供することにあるっ 即ち、本発明は耐摩耗層が三層よシなっていて、かつ発
熱体層に接する側が５ｉ（４層、５１（４層上がＳｉＯ
ｘＮｙ層（但しくＪ（ａ（２，Ｊｙ（１，５３） 、
５ｉＯｘＮ。
大きくて耐摩耗性に秀れ、化学的に安定で感熱紙や発熱
体との反応が小さく、薄膜としたときの内部応力が小さ
くて耐亀訣性の良好な耐摩耗層を提供することにあるっ 即ち、本発明は耐摩耗層が三層よシなっていて、かつ発
熱体層に接する側が５ｉ（４層、５１（４層上がＳｉＯ
ｘＮｙ層（但しくＪ（ａ（２，Ｊｙ（１，５３） 、
５ｉＯｘＮ。
層上がＳｉｌ’ｂ、 ３３層であることで達成される。
なお、Ｓ１０．層を発熱体層と接する側としたのは発熱
体と反応しにくいうえに、耐クラツク性が良好なためで
あシ、５１＃１３３層を最上層としたのは硬度が大きく
、かつ耐腐食性良好なためであり、Ｓｉ ０ｘＮｙ層を
中間層としたのはＳ１０と５１（）ｘＮｙの中間的な性
質を有するためである。そして、これらの層は通常のド
ライプロセスで形成する１、 以下、本発明を実施例によシ詳細に説明すん実施例１ Ｓ１０．層、ＳＩＮ上３上層３層ｉＵｘＮｙ層（但し、
（へ２（’＜ｙ＜１−３３）の性状について説明する。
体と反応しにくいうえに、耐クラツク性が良好なためで
あシ、５１＃１３３層を最上層としたのは硬度が大きく
、かつ耐腐食性良好なためであり、Ｓｉ ０ｘＮｙ層を
中間層としたのはＳ１０と５１（）ｘＮｙの中間的な性
質を有するためである。そして、これらの層は通常のド
ライプロセスで形成する１、 以下、本発明を実施例によシ詳細に説明すん実施例１ Ｓ１０．層、ＳＩＮ上３上層３層ｉＵｘＮｙ層（但し、
（へ２（’＜ｙ＜１−３３）の性状について説明する。
プラズマＣＶＤ ｆｆ１−ｒ形成ｔ、り、５１’４７１
．５ＩＮＬ３３ 層、ｓｌｏ、、６゜Ｎ００６＠層の内
部応力、硬度の測定結果を表に示す。
．５ＩＮＬ３３ 層、ｓｌｏ、、６゜Ｎ００６＠層の内
部応力、硬度の測定結果を表に示す。
表
※内部応力の負の値は圧縮応力を示す
表から ５１０．層は硬度は小さいが内部応力も小はい
ことがわかる。また５ｉ（４層は電極配線層のＡｌおよ
び発熱体層Ｃｒ −Ｓｉ −０との接着も良好であり、
膜はがれ等の問題も発生しない。したがって発熱体層お
よび電極配線上に形成する。
ことがわかる。また５ｉ（４層は電極配線層のＡｌおよ
び発熱体層Ｃｒ −Ｓｉ −０との接着も良好であり、
膜はがれ等の問題も発生しない。したがって発熱体層お
よび電極配線上に形成する。
さらに、その上層に５１０ｘＮｙ （（ＩＪ（Ｊｇ （
Ｊ（ｙ（１３３層を成膜する。この５ｉＵｘＮｙ層はプ
ラズマｔ’ＶＤ成膜時の反応ガス組成比を変更するだけ
で戟嗅でき、下層（Ｓ１０．層）上に連続的Ｋｂν５膜
でき、５１嶋層との密着性が良好である。また、この層
の内部応力、硬度は表に示したとおりである。
Ｊ（ｙ（１３３層を成膜する。この５ｉＵｘＮｙ層はプ
ラズマｔ’ＶＤ成膜時の反応ガス組成比を変更するだけ
で戟嗅でき、下層（Ｓ１０．層）上に連続的Ｋｂν５膜
でき、５１嶋層との密着性が良好である。また、この層
の内部応力、硬度は表に示したとおりである。
さらに、この層の上に硬度の大きいＳＬ／Ｖ；、ｓｓ層
を連続成膜することによシ、耐摩耗性に秀れた耐摩耗層
構造とすることができる、 なお、ここで５１偽膜と８１Ｎ、、、、膜の間に存在す
る５ｉＵｘＮｙ （０ぐθ ０−４ｙ−４１，３３）膜
は、熱膨張焉数、内部応力等の物性値が５１（４と５ｉ
Ｎ１ 、ｓ ｓの中間的な値を持つため、５１ｏＲと５
１八、■を直接積層し賢場合にＳｘＱ、と５１名、３．
の熱膨張率の差によ多発生する熱歪等を緩和して脚の亀
裂の発生を抑制する効果を有している。
を連続成膜することによシ、耐摩耗性に秀れた耐摩耗層
構造とすることができる、 なお、ここで５１偽膜と８１Ｎ、、、、膜の間に存在す
る５ｉＵｘＮｙ （０ぐθ ０−４ｙ−４１，３３）膜
は、熱膨張焉数、内部応力等の物性値が５１（４と５ｉ
Ｎ１ 、ｓ ｓの中間的な値を持つため、５１ｏＲと５
１八、■を直接積層し賢場合にＳｘＱ、と５１名、３．
の熱膨張率の差によ多発生する熱歪等を緩和して脚の亀
裂の発生を抑制する効果を有している。
実施例２
図は、本発明の薄膜感熱配置ヘッドの断面図である。図
中１はグレーズ層を設けたアルミナ基板、２Ｆｉ厚さ０
．１５／ＪＦＩのＣｒ −Ｓｌ−０三元合金よりなる発
熱抵抗体層、３は〜さｌ 、ａ ｍの々電極、４は厚さ
１５μ風の５１０□層、５は享さＬＯμｍｔｙ、 ５１
ｏｘｓｙ （（ｋｌ、鳥’Ｘ、、ｙ＜１−３３ ）
層、６は捏さ１．５μｍのＳｉ＃、、３８層である０
図中の４〜６のはいずれもプラズマＣＶＤ （ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｔノーｐｏｚｉｔｉＯｎ）法
で行なった・即ち、反応性ガスとして５４゜＜０ガス、
キャリヤーガスとしてへガスを導入して、放’ｉｂ、に
力Ｌ ＯＡＦで、５１（−４膜を成膜する０この彼さら
にＮＭ、ガスを追加導入した後、光Ｏガス増を漸時減少
させることにより、５１０ｘＮｙ（火’＜２ （にＬ３
３）を連続成膜する。
中１はグレーズ層を設けたアルミナ基板、２Ｆｉ厚さ０
．１５／ＪＦＩのＣｒ −Ｓｌ−０三元合金よりなる発
熱抵抗体層、３は〜さｌ 、ａ ｍの々電極、４は厚さ
１５μ風の５１０□層、５は享さＬＯμｍｔｙ、 ５１
ｏｘｓｙ （（ｋｌ、鳥’Ｘ、、ｙ＜１−３３ ）
層、６は捏さ１．５μｍのＳｉ＃、、３８層である０
図中の４〜６のはいずれもプラズマＣＶＤ （ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｔノーｐｏｚｉｔｉＯｎ）法
で行なった・即ち、反応性ガスとして５４゜＜０ガス、
キャリヤーガスとしてへガスを導入して、放’ｉｂ、に
力Ｌ ＯＡＦで、５１（−４膜を成膜する０この彼さら
にＮＭ、ガスを追加導入した後、光Ｏガス増を漸時減少
させることにより、５１０ｘＮｙ（火’＜２ （にＬ３
３）を連続成膜する。
この後、へＯガス導入を停止して、５ｉＡＩ、 、 、
、膜を成膜する。図中の４〜６の成膜は 途中で放電
が停止することはなく連続的に成膜した。
、膜を成膜する。図中の４〜６の成膜は 途中で放電
が停止することはなく連続的に成膜した。
上記の方法で形成した発熱体について、印字寿命試験を
行ない耐摩耗層の耐摩耗性、耐亀裂性および発熱抵抗体
層の抵抗値変化率を調べた。
行ない耐摩耗層の耐摩耗性、耐亀裂性および発熱抵抗体
層の抵抗値変化率を調べた。
通電条件は、パルス電圧印加時間ｌ、 ＱｍｌａＣ、パ
ルス周期１０ｍ５ｅｃ、印加電力Ｑ６０−σ抗体である
。
ルス周期１０ｍ５ｅｃ、印加電力Ｑ６０−σ抗体である
。
また発熱抵抗体の形状は幅９０μｍ１長さ２５０μ肩で
ある。
ある。
この条件で、パルス印加数５０００万回、印１１！１．
ｉ送行距Ｈａｐｋｍ後の耐摩耗層の賑に麺は、０．ｒ６
μへ発熱抵抗体の抵抗イぼ変化率は初期値に対して３４
チであシ、耐摩耗層には何ら亀裂は発生しなかった０゛ なお、５１０ｘＮｙ （但し’Ｋ＜Ｑ Ｏ＜ｙＪ、 ３
３ ）層の厚さは最低α５μｍ必要である。０．５〜５
μｍの浮さが更に好ましい。
ｉ送行距Ｈａｐｋｍ後の耐摩耗層の賑に麺は、０．ｒ６
μへ発熱抵抗体の抵抗イぼ変化率は初期値に対して３４
チであシ、耐摩耗層には何ら亀裂は発生しなかった０゛ なお、５１０ｘＮｙ （但し’Ｋ＜Ｑ Ｏ＜ｙＪ、 ３
３ ）層の厚さは最低α５μｍ必要である。０．５〜５
μｍの浮さが更に好ましい。
比較例
従来の５１へ、■膜単層では印画紙送行路＠１５Ｋｒｘ
で５１／Ｖ１．３ｓ の膜はがれが発生した。また５１
（４とＳｘＮ、、３．の積層では３０層ｍでＳ’Ｍ−ｓ
ｓｋに亀裂が発生した。
で５１／Ｖ１．３ｓ の膜はがれが発生した。また５１
（４とＳｘＮ、、３．の積層では３０層ｍでＳ’Ｍ−ｓ
ｓｋに亀裂が発生した。
図は本発明の感熱記録ヘッドの断面図であ匂１・・・ア
ルミナ基板 ２・・・発熱抵抗体層３・・・ＡＩ！電極
番・・・Ｓｉ偽層５−５１０ｘＮｙ （Ｇ
ｋｌ：３２． （ＫｙＱ ３ｓ ） ｍｅ ・５１７ｖ
１０．、 Ｎ
ルミナ基板 ２・・・発熱抵抗体層３・・・ＡＩ！電極
番・・・Ｓｉ偽層５−５１０ｘＮｙ （Ｇ
ｋｌ：３２． （ＫｙＱ ３ｓ ） ｍｅ ・５１７ｖ
１０．、 Ｎ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板、この基板上に設けられた発熱体層、この発熱体層
に設けられた耐摩耗層よシなる感熱記録ヘッドにおいて
、耐摩耗層が三層よシなっていて、かつ発熱体層に接す
る側がＳｉへ層、ｓｉｏ。 層上が５ｉｏｘＮｙ層（但し、Ｏ（、ｚ（２，（ｙ＜、
１ ｓｓ）＊ｏｍｙ１伽上が５ｉＮｚ ３３層であるこ
とを特徴とする感熱記録ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57000303A JPS58118275A (ja) | 1982-01-06 | 1982-01-06 | 感熱記録ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57000303A JPS58118275A (ja) | 1982-01-06 | 1982-01-06 | 感熱記録ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58118275A true JPS58118275A (ja) | 1983-07-14 |
Family
ID=11470128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57000303A Pending JPS58118275A (ja) | 1982-01-06 | 1982-01-06 | 感熱記録ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58118275A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60109862A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Mitani Denshi Kogyo Kk | サ−マルヘツド |
| JPS61158475A (ja) * | 1984-12-31 | 1986-07-18 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感熱記録ヘツド |
-
1982
- 1982-01-06 JP JP57000303A patent/JPS58118275A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60109862A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Mitani Denshi Kogyo Kk | サ−マルヘツド |
| JPS61158475A (ja) * | 1984-12-31 | 1986-07-18 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感熱記録ヘツド |
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