SU424449A1 - Катод для реактивного распыления кремния - Google Patents
Катод для реактивного распыления кремнияInfo
- Publication number
- SU424449A1 SU424449A1 SU1607659A SU1607659A SU424449A1 SU 424449 A1 SU424449 A1 SU 424449A1 SU 1607659 A SU1607659 A SU 1607659A SU 1607659 A SU1607659 A SU 1607659A SU 424449 A1 SU424449 A1 SU 424449A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- silicon
- layer
- cathode
- reactive silicon
- graphite
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Изобретение относитс к области технологии полупроводниковых материалов и приборов . Кремниевые катоды используютс в (устаiHOBKax реактивного распылени дл получени тонких слоев двуокиси кремии , нитрида кремни , легированных поликристаллнческих кремниевых слоев и пассивации поверхности полупроводниковых приборов. Известен катод дд реактивного распылени , .представл ющий собой графитовую основу , покрытую слоем кремни . Однако вследствие различных коэффициентов линейного расшире1 и кремни и графита, а также различи температурной зависимости этих коэффициентов , такие катоды имеют трещины на поверхности и малый срок службы. С целью увеличени срока службы катода предлагают располагать между кремниевым слоем и графитовой основой промежуточный слой карбида кремни толщиной в 100-600 раз мепьще толщины кремниевого сло . Обычно толщина сло карбида кремни составл ет 5-15 мкм. На чертеже показано устройство катода дл .реактив ного распылеии . Он дредставл ет собой графитовлю основу /, промежуточный слой карбида кремни 2 и кремниевый слой .3. Образование промежуточного сло карбида кре.мни осу1дествл ют вплавлением тонкого сло кремни (50-100 мкм) в графит или нанесением карбида кремни на графит из парогазовой фазы. Затем нанос т слой кремни также из иарогазовой фазы. При расположении кремниевого сло на промежуточпом слое карбида кремни получают свободный от трещим и напр жений кремниевый слой. Вследствие того, что слой кремни нанос т из газовой фазы, графитова основа покрываетс кремнием со всех сторон , что исключает необходимость маскировани обратиой стороны кремниевого катода. Пснользование таких монолитных катодов в установках катодного распылени позвол ет повысить их производительиость II выход годной продукции. Предмет изобретени 1.Катод дл реактивного распылени кремни па графитовой основе, покрытой слоем кремни , отличающийс тем, что, с целью увеличени срока службы, между слоем кремни и графитовой основой расположен промежуточный слой карбида кремни толщиной в 100-600 раз меньше толщины сло кремни . 2.Катод по п. 1, отличающийс тем, что промежуточный слой карбида кремни имеет толщину 5-15 мкм.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1607659A SU424449A1 (ru) | 1971-01-05 | 1971-01-05 | Катод для реактивного распыления кремния |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1607659A SU424449A1 (ru) | 1971-01-05 | 1971-01-05 | Катод для реактивного распыления кремния |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU424449A1 true SU424449A1 (ru) | 1974-05-15 |
Family
ID=20462875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1607659A SU424449A1 (ru) | 1971-01-05 | 1971-01-05 | Катод для реактивного распыления кремния |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU424449A1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4136006A (en) * | 1976-10-20 | 1979-01-23 | U.S. Philips Corporation | Electrode for electrochemical machining |
| WO2006017070A3 (en) * | 2004-07-07 | 2006-06-15 | Gen Electric | Protective cotaing on a substrate and method of making thereof |
-
1971
- 1971-01-05 SU SU1607659A patent/SU424449A1/ru active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4136006A (en) * | 1976-10-20 | 1979-01-23 | U.S. Philips Corporation | Electrode for electrochemical machining |
| WO2006017070A3 (en) * | 2004-07-07 | 2006-06-15 | Gen Electric | Protective cotaing on a substrate and method of making thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910005397A (ko) | 반도체 웨이퍼 상에 텅스텐 층을 cvd 증착시키는 방법 | |
| US4972251A (en) | Multilayer glass passivation structure and method for forming the same | |
| SU424449A1 (ru) | Катод для реактивного распыления кремния | |
| JPH08330421A (ja) | 半導体装置の層間絶縁膜 | |
| GB1338193A (en) | Metal-oxide-metal thin-film capacitors and method of making same | |
| GB1459990A (en) | Technique for fabricating high q mim capacitors | |
| EP0193298A3 (en) | Method for the formation of epitaxial layers for integrated circuits | |
| US3331994A (en) | Method of coating semiconductor with tungsten-containing glass and article | |
| JP3184013B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US4606936A (en) | Stress free dielectric isolation technology | |
| JPS6262460B2 (ru) | ||
| US3764507A (en) | Method of making semiconductor layers on high purity alumina layers | |
| JPS58135645A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62193265A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0236549A (ja) | 薄膜デバイス | |
| Kroll et al. | Formation of silica films on silicon using silane and carbon dioxide | |
| JPH0414836A (ja) | Ｓｉ基板 | |
| JPS62247064A (ja) | 金属被膜の成長方法 | |
| JP2687354B2 (ja) | ＳｉＣ被膜を有するポリシリコン部材の製造方法 | |
| JP3197545B2 (ja) | 炭素被膜 | |
| KR100265837B1 (ko) | 반도체장치의장벽금속막형성방법 | |
| JPS5878430A (ja) | 絶縁性保護膜の形成方法 | |
| JPS57192017A (en) | Epitaxial growing method | |
| KR930015122A (ko) | 강유전체 박막의 제조방법 및 박막 적외선 센서 | |
| JPS5948923A (ja) | 半導体装置の製造方法 |