JPS58118134A - 厚膜集積回路基板 - Google Patents

厚膜集積回路基板

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JPS58118134A
JPS58118134A JP21321081A JP21321081A JPS58118134A JP S58118134 A JPS58118134 A JP S58118134A JP 21321081 A JP21321081 A JP 21321081A JP 21321081 A JP21321081 A JP 21321081A JP S58118134 A JPS58118134 A JP S58118134A
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JP
Japan
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substrate
thick film
integrated circuit
film integrated
electrode
Prior art date
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Granted
Application number
JP21321081A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6355795B2 (ja
Inventor
Kazuyuki Nishimoto
西本 和幸
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS58118134A publication Critical patent/JPS58118134A/ja
Publication of JPS6355795B2 publication Critical patent/JPS6355795B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/01Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
    • H01L27/013Thick-film circuits

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は厚膜集積回路基板に関し、厚膜集積回路を構成
させるにおいて、その基板材料に+1!b誘it体材料
を使用するようにしたものである。
従来、厚膜集積回路の喪造にあたっては、その基板材料
として、いわゆるアルミナ粉末と有機高分子材料を主成
分とするバインダから成るビークルとを混合したスラリ
ーをシート状に成型し、乾燥後、約1600℃の高温で
焼結した、厚さが約1 mm以下のアルミナ焼結体を基
板とし、その上に導体電極や抵抗体を印刷し、またIC
チップやチップコンデンサを取付けたものが多く使用さ
れている。しかしながら、この方法においてはその集積
密度に限界があり、最近要望されている超小型厚膜集積
回路部品として十分応え得るものではない。この問題を
解決するために最近、前記導体電極や抵抗体を印刷する
基板自体を高誘電体材料で形成し、各楠コンデンサをそ
の中に組み込んでしまおうとする試みかなされつつある
。たとえばその−例をあげて詳しく説明すると、チタン
酸バリウムの厚さ約30〜100μmのシートを作成し
、その上に必要な容量値を得るために電極パター ンを
形成し、さらにその容量値を得るに必要な面積を確保す
るために前記電極の印刷されたシートを数枚ないし10
数枚以上横71 L、加圧成形した倹約1300〜14
00℃で焼結させるものである。
この様にして構成された高誘電体基板をコンデンサとし
て回路の一部を構成させる一方、この基板の上に必要な
パターン状に導体電極や抵抗体を印刷、焼成する事によ
って極めて為密度にCR回路を一枚の基板上に構成し得
るものである。しかしながら、ここで問題となることは
、基板そのものが高誘電体材料であるために、その−F
にwIi極を形成させた場合、各電極間に大きな浮遊容
量を発生し、電気信号の伝達特性を阻害する大きな要因
となる。
本発明はIJ記浮遊容量を低減せしめ、電気信号の伝達
特性を良好ならしめ、かつ厚膜集積回路において、その
集積度を1]及的、高密度たらしめようとするものであ
って、その詳細を実施例において詩、明する。
チタン酸バリウムを主成分とするAM誘電体材料微粉末
に、エチルセルローズをターピネオイルプチルカルビト
ール、メチルアルコールなど有機溶剤に溶解したバイン
ダを加え、ボットミルに入れ、メノウ玉石を用いて約1
0時間以上湿式混合したのち、ドクタブレード成形機を
用いて、厚さ約30μm〜10 C11Hのシート状に
成形する。そのあと乾燥して有機溶剤を完全に除去し、
シルクスクリー ン印剛徴を用いて回路構成上必要な電
極パター ンを蜘−パラジウムペース)fたはパラジウ
ムペーストを用いて印刷する。この様に構成されたシー
トを数枚乃至10数枚、積層、加圧成形したのち、必要
形状にダイシングし、自然雰囲気中で1380’Cの温
度にて2時間焼成して焼結体を得る。得られた焼結体に
銀ペースト又は銀パラジウムペーストを塗布し、さらに
酸化ルテニウムより成る抵抗体ペーストを印紬1したの
ち800〜850Cで焼付る。
第1図はこの様にして構成されたコンデンサ部品として
sII能する尚誘電体材料を基板としたp#膜集積回路
の一例を不すもので、 (Alはその平面図、+B+は
断面図である。図において、(11は高誘電体基板、(
2)は積層コンデンサを構成する内部電極、(3)は同
じく外表面に構成された対同南極、(4)は他の集積回
路基板または印刷配線基板と接続するための端面電極、
(51は印刷抵抗体、(6)は抵抗体(5)の外部電極
である。
第2図は本発明にかかわる厚膜集積回路基板の一実施例
を示す断Ii[i図であって、(7)は本発明によって
高誘電体基板(1)の両面を被覆するところのアルミナ
基板である。すなわち、積層コンデンサを構成するi*
誘電体基板(1)は、前述した様な従来法に基づいて形
成されるが、基板の成形打抜き時に、その両面を前記高
誘電体基板(1)の製造法と同様にして成形されたアル
ミナ基板(7)のグリーンシートではさみ打抜き成形を
行う。そのあと成形体を高温で焼結して茜誘電体基板(
11と一体化した一体基板とする。しかるのちアルミナ
基板(7)の上に外部型&(6j、端Iklth極(4
1、抵抗体(5)などを印刷し、焼成して厚膜回路を構
成させるのである。
i!jl+誘電体基板(1)とアルミナ基板(7)は上
記の様に同時に焼成する他、別々に焼成した後、ガラス
簀接着剤を用いて高温で接合しても艮い。
以上詳述した様な構成の本発明、によれは、外部電極と
高誘電体材料の間には常に低嫡電率のアルミナ基板が介
在するために、電極間に発生する浮遊容量は極めて小さ
いものとなり、したかつて良好な電気信号の伝達特性を
得るものであり、また集積度の可及的な高密度比をも図
り得るものである。
【図面の簡単な説明】
第1図(Alは高誘電体基板を用いた従来の厚膜集積回
路の構成を示す平面図、U (B+はその断iio[!
/l、第2図は本発明による厚膜集積回路の一実施例を
示す#1iII図である。 (11は高誘電体基板、(2)は内部電極、fa+は対
向電極、(41は端面電極、(5)は印刷抵抗体、(t
]1は外部電極、(7)はアルミナ基板である。 特許出願人代押人 第1図 手 続 補 正 書(自発) 昭和 57年 6 月〆フ [ 特許庁長官  島 1)春 樹 殿 I 11件の表示 昭和56年 特許 願第 213210  号2発明の
名称 厚層集積(2)路基板 3 補正をする者 事件との関係   特 許   出願人件 所 大阪府
門真市大字門真10068地4代理人 昭和   年   月   日(発送日 昭禾口  年
  月6袖Jの対象 明細書の発明の詳細な説vAq)欄 7、補正の内容 (1)明細書画4頁第6行目〜第4行目3    「エ
チルセルローズを・・・・・・・メチルアルコール」と
あるを、「エチルセルローズ、ポリビニルブチラール、
またはアクリル樹脂などを、トリクロロエタン、メチル
エチルケトン、イソプロピルアルコールおよび、メチル
アルコール」と訂正する。 (2)明11115頁第9行目 「外部11I極」とおるを、「導出電極」と訂正する。 日)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 fil  誘電体材料と内部電極を交互に積層してなる
    積層コンデンサを支持体とする厚膜集積回路基板におい
    て、上記積層コンデンサの両面をアルミナ基板で圧接被
    覆し、このアルミナ基板の上に電極や導体および抵抗等
    を設けたことを特徴とする厚膜集積回路基板。 (2)  上We 積層コンデンサとその両面を被覆す
    るアルミナ基板とを同時焼成して成ることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の厚膜集積回路基板。 (3)上記積層コンデンサとその両面を被覆するアルミ
    ナ基板とを別々に焼成し、ガラス質接着剤を用いて高温
    で接合したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の厚膜集積回路基板。
JP21321081A 1981-12-30 1981-12-30 厚膜集積回路基板 Granted JPS58118134A (ja)

Priority Applications (1)

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JP21321081A JPS58118134A (ja) 1981-12-30 1981-12-30 厚膜集積回路基板

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JP21321081A JPS58118134A (ja) 1981-12-30 1981-12-30 厚膜集積回路基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58118134A true JPS58118134A (ja) 1983-07-14
JPS6355795B2 JPS6355795B2 (ja) 1988-11-04

Family

ID=16635359

Family Applications (1)

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JP21321081A Granted JPS58118134A (ja) 1981-12-30 1981-12-30 厚膜集積回路基板

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02229462A (ja) * 1989-03-02 1990-09-12 Tdk Corp 積層混成集積回路部品の構造

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52120338U (ja) * 1976-03-10 1977-09-12
JPS5643716A (en) * 1979-09-18 1981-04-22 Tdk Electronics Co Ltd Solid*layerrbuilt electronic circuit parts

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Publication number Publication date
JPS6355795B2 (ja) 1988-11-04

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