JPS5811497B2 - Ｔｉ↓−Ａｌ多孔質合金及びその製造方法 - Google Patents

Ｔｉ↓−Ａｌ多孔質合金及びその製造方法

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JPS5811497B2 JP53122885A JP12288578A JPS5811497B2 JP S5811497 B2 JPS5811497 B2 JP S5811497B2 JP 53122885 A JP53122885 A JP 53122885A JP 12288578 A JP12288578 A JP 12288578A JP S5811497 B2 JPS5811497 B2 JP S5811497B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は多孔質で大きな比表面積を有し、コンデンサ用
陽極体、触媒、フィルター等々に適するＴｌ−Ａｌ多孔
質合金及びその製造方法に関するものである。
従来コンデンサ用陽極体、触媒あるいは航空機の燃料フ
ィルタ等々に金属の多孔質燃焼体が用いられているが、
その場合、焼結体は比表面積及び空孔率が太き（、かつ
ある程度の機械的強度を有することが必要である。
コンデンサ用陽極体としては、上記要求に加えて、更に
弁作用を有することが必要である。
弁作用のある金属としては、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ等
が知られている。
これらの金属、例えばＡｌ粉末を加圧成形し、焼結して
コンデンサ用陽極体を作ろうとするとき、製造作業中の
取扱いあるいは使用に耐え得る機械的強度を保持させる
べく、加圧力を上げたり焼結温度を上げたりすると比表
面積が小さくなり、コンデンサの容量が小さくなるとい
う欠点があった。
このような事情はＴａ、Ｎｂ、Ｔｉ等においても同様で
ある。
多孔質焼結体でフィルタを作る場合にも同じ様な問題が
ある。
例えば、酸素ガス、水素ガス等の吸着用フィルタを作る
場合、吸着反応する金属としてＡ３Ｔｉ等の活性金属が
用いられるが、ＡＩ単体あるいはＴｉ単体からなる焼結
体でしかも充分な機械的強度を保持し比表面積の大きな
焼結体、を製造することは前記コンデンサ用陽極体の場
合と同様に困難であった。
本発明は、これらの諸欠点を除き、多孔質で大きな比表
面積を有し、コンデンサ用陽極体、触媒、フィルタ等々
の用途に適するＴｉ−Ａｌ多孔質合金及びその製造方法
を提供するものである。
従来、高融点金属の粉末と低融点金属の粉末とを混合し
加圧成形した混合圧粉体を低融点金属の軟水温度で熱処
理すると、低融点金属がバインダーとして機能したよう
な焼結体が得られることが知られていたが、密度が高く
比表面積の小さい焼結体しか得られなかった。
しかしながら、本発明者等はＴｉとＡＩとの組み合せに
おいて、Ｔｉ粉末とＡｌ粉末とを混合し加圧成形して、
ＡＩの軟化温度好ましくはＡＩの実効融点未満かつ５０
０℃以上の温度で熱処理を行うと、比表面積の大きな多
孔質焼結体が得られることを発見した。
ここにいう実効融点とは、通常の定義によるところの融
点にほとんど等しいが厳密に言えば若干高い。
融解が無限に緩慢に行なわれたときの温度を１ａｔｍＯ
下で定めたのが通常の融点であるため有限の速さで融解
が行なわれるときの温度は融点よりも多少高くなるから
である。
又、この他にも圧力や不純物の影響によるずれも多少は
あり、こうしたゆらぎを含めて極めて現実的に定めたの
がここにいう実効融点である。
さて、前記本発明者等によって発見された現象は、次の
理由によって起っているものと思われるすなわち、Ｔｉ
とＡｌの混合圧粉体をＡＩの軟化温度に保持すると、急
速に合金化反応が進行してＴｉＡｌ３なる中間化合物相
が形成され、この相を通じて更にＴｉ、Ａ１間の相互拡
散が進行し、最終的には状態図に示される平衡相に到達
する。
この際、ＴｉＡｌ３なる中間化合物相においては、Ａｌ
の拡散が支配的であるために、ＡＩが一方的にＴｉ中に
拡散することになり、その結果、ＡＩ粉末の存在したと
ころが空孔となり、大きな比表面積を得ることが出来る
のである。
さて本発明によるＴｉ−Ａｌ多孔質合金は特異な構造を
有しており、それがために広汎な多くの新用途を有する
。
そしてまたこうしたＴｉ−Ａｌ多孔質合金を製造する方
法もまた独特の工夫を要求するのは当然であり、そのう
ち特に優れた製造方法として本発明の製造方法があるわ
けである。
単にＴｉとＡ１とが合金化したものの粉末及びその製造
方法について議論するならば、本願出願前にも知られた
ものがある。
例えば昭和５１年１月２７日に日本国において発行され
た特開昭５１−１０１６５号公報記載の「アルミニウム
ーチタニウム合金粉末の製造方法」がそれである。
この従来提案の特許請求の範囲は「３０〜８５重量％の
Ａ１粉末と１５〜７０重量％のＴｉ粉末からなる混合粉
末または混合粉末の成形体を、その一部が液相となる温
度に加熱してＡＩとＴｉを合金化させ、次に粉砕するこ
とを特徴とする、Ａｌ−Ｔｉ合金粉末の製造方法。
」というものである。そしてこの提案の詳細は、その「
発明の詳細な説明」の欄の記載等を参酌すると、ＡＩと
Ｔｉとが均一に混り合った合金の粉末（粉砕した結果と
して生ずるこの粉末は多孔質体であることを要しない）
を得るためのものであり、本願発明の目的のように特異
な多孔質性を追求するものではないことが判明する。
すなわち、この方法は、いわゆる液相焼結と呼ばれる手
法であり、ＡｌＯ液相の出現により、成形体が膨張し、
合金化が進むと同時に粉砕が容易な多孔質体となるので
ある。
しかしながら、この液相焼結法では、多孔質体の内部空
孔が外部と通じない孤立した空孔となる特徴がある。
この従来なされた提案においては、多少でも粉砕し易く
なるように中間形態として多孔質体になればよいのであ
るから、こうした互いに孤立し外界に通じていない空孔
であっても一画に構わないのであるが、本発明のように
ある程度の大きさを持った塊を考えたときに外界に通じ
ているという意味における比表面積を著しく大きくした
多孔質体を得ようとする目的には全く不向きであり、事
実そのような意味での多孔質体は製造し得ないのである
。
本発明の如き意味合いでのＴｉ−Ａｌ多孔質合金は従来
は製造し得ないものであり、従ってかかる構造のＴｉ−
Ａｌ多孔質合金及びその製造方法は本発明によって初め
て提案されるわけである。
本発明においては、粉砕し易いことはむしろ困ることで
あり、各用途において遭遇するであろう条件下において
所定の大きさ形状を保ち充分耐え得るだけの機械的強度
を欲する点もまた、この従来なされた提案との明白な相
違点の１つである。
本発明は、前記本発明者の発見に基づいてなされたもの
であり、以下に詳述するような数々の特徴や特異な用途
を有している。
Ｔｉ、ＡＩは共に弁作用を有する金属であり、本発明の
Ｔｉ−Ａｌ多孔質合金もまた充分な弁作用を呈するので
コンデンサ用陽極体として極めて有効である。
また、Ｔｉ−Ａ１合金は、酸化窒素を酸素と窒素に分解
するときの触媒等として極めて優れた性質を有しており
、分解すべき気体との接触面積即ち比表面積を大きくし
得る本発明によれば、その触媒作用は極めて高効率とな
る。
また、航空機の燃料用フィルターなどはより軽量なもの
が望まれるのであるが、本発明のＴｉ−Ａｌ多孔質合金
は、その真密度が３〜４ｇ／ｃｍ３程度と小さく、従来
のステンレススチール製等のフィルタに比べ半分以下の
軽さであり、重量比強度、加工性なども従来のものと同
等もしくはそれ以上のものとなり、その総合性能は極め
て優れたものとなる。
これらのように、本発明によるＴｉ−Ａｌ多孔質合金は
、コンデンサ用陽極体、触媒、フィルター等々の種々の
用途に適するものであるが、コンデンサの電荷蓄積能力
あるいは触媒作用の効率を考えると大きな比表面積を有
することが望ましく、実用上０．０１ｍ２／？以上の比
表面積が必要である。
本発明者等による実験的理論的検討によれば、焼結体の
比表面積を０．０１ｍ２／ｇ以上に保持しようとする場
合、焼結体の見掛は密度が理論密度の２０％より小さい
場合は機械的強度か弱すぎて手で取扱うことすら困難と
なるので、実用的に不適当と判断した。
また焼結体の見掛は密度を理論密度の８０％より大きく
すると、いかなる方法、いかなる組成によっても比表面
積を０．０１ｍ２／？以上にすることはできなかったの
で、この範囲も除外した。
ここで、焼結体の見掛は密度とは、焼結体の外形寸法か
ら算出した体積で焼結体の質量を除した商であり理論密
度とは空孔率が零、即ち空孔が全くないとしたときの焼
結体の体積で焼結体の質量を除した商を意味する。
次に本発明を実施例に従って更に詳細に説明する。
２００メツシユのＡ１粉末と２００メツシユのＴｉ粉末
とを第１表に示した混合比で混合し、１ｔｏｎ／ｃｍ２
で加圧成形し、真空中で第１表に示す熱処理条件で焼結
した。
なお、第１表において、第１熱処理とはＡｌの実効融点
未満の温度での熱処理を意味し、第２熱処理とは、Ａｌ
の実効融点を越える温度での熱処理を意味する。
第１熱処理及び第２熱処理の双方を実施する場合は、第
１、第２の順に行った。
上記の各種条件の下で得られた焼結体を測定したところ
第２表に示す結果を得た。
ただし、機棉的強度は加用破壊試験による破壊圧力で表
わした。
以上の実験データから次のことが明らかとなる３まず、
ＡＩの実効融点（約６６０℃）未満の温度での熱処理、
即ち第１熱処理を行なわずに、いきなりＡＩの実効融点
を越える温度における熱処理即ち第２熱処理を行なうと
、わずか３０分の熱処理時間においても、比表面積が著
しく失なわれる。
これはＡｌの融解に起因するものと思われる。
次に、Ａｌの実効融点未満での熱処理、即ち第１熱処理
のみを行う場合にも、４００℃程度の低過ぎる温度では
、はとんど反応が進行せず、１０５分もの間熱処理を行
っても、加圧成形後とほとんど変わらず、比表面積も機
械的強度もともに小さい。
またこうした低過ぎる温度による第１熱処理の後第２熱
処理によってＡＩの実効融点を越えて昇温すると、残存
ＡＩが融解することにより、比表面積はやはり著しく減
少する。
しかし、本発明によって選択した条件、即ちＡｌの実効
融点未満でかつ５００℃以上の温度によって第１熱処理
を行うと、大きな比表面積を有しかつ、機械的強度もあ
る程度の大きさを持つ所望の焼結体が得られる。
そしてこの場合は、第１熱処理温度が低過ぎＡＩが残存
している前記のような場合とは異なり、第２熱処理を付
加することも可能である。
従って以上の実験結果から、大きな比表面積と大きな機
械的強度をもつ本発明のＴｉ−Ａｌ多孔質合金を得るた
めには、ＡＩの実効融点未満かつ５００℃以上の温度で
の熱処理が不可欠であることがわかる。
この温度範囲においては、ＡｌがＴｉ中に拡散する形で
合金化反応が進行し、ＡＩが存在した部分が空孔となる
ようであり、結果として０．０１ｍ２／２以上の大きな
比表面積が実現できる。
この際、熱処理温度がＡＩの実効融点未満５００℃以上
という妥癌な温度であったとしても、試料番号７３〜８
１０群が示すように熱処理時間が５分間未満の場合には
、合金化過程が十分に進行せず大きな比表面積を得るこ
とができないし、また、その後Ａｌの実効融点以上に昇
温すると未反応のＡＩが融解することにより、試料番号
８２〜９０の群が示すように、やはり大きな比表面積を
得ることができない。
しかしＡｌの実効融点未満かつ５００℃以上の温度で５
分間以上熱処理を行った場合には、この段階で大部分の
ＡＩが合金化してしまうので、その後第２の熱処理とし
て、ＡＩの実効融点以上の温度で熱処理を行っても、試
料番号９１〜９８の群が示すように、Ａ１の融解に伴う
比表面積の著しい減少は起こらず、単なる通常の焼結過
程の進行によって、比表面積の漸減と見掛は密度の漸増
が起こるだけである。
従って機械的強度を更に太きくしようと思えば、ＡＩの
実効融点未満かつ５００℃以上の温度で５分間以上保持
した後、更に昇温するなどして焼結を適尚に進行させれ
ばよい。
ただしこの場合には、焼結の進行とともに、焼結体の見
掛は密度が大きくなり、同時に比表面積も小さくなるか
らあらかじめその限界については充分な注意を払うべき
である。
しかし、加圧成形時の加圧力を成形しうる最低限のもの
にしたとしても上記本発明による熱処理を行なえば、見
掛は密度が小さく、比表面積のきわめて大きな焼結体が
得られる。
しかし、この場合には機械的強度が問題となり、見掛は
密度が理論密度の２０％より小さいものは実用に耐え得
るものではない。
又、焼結体としての見掛は密度が理論密度の８０％を越
えると、混合圧粉体におけるＴｉとＡＩの組成比がいか
ようであろうとも、結果としてその比表面積が０．０１
ｍ／ｇよりも小さくなってしまうので、不適描である。
従って、本発明のＴｉ−Ａｌ多孔質合金の見掛は密度と
しては、理論密度の２０〜８０％の範囲が適尚である。
次に本発明の応用例について述べる。
上記実施例の試料番号４６〜７２の群及び９１〜１１４
０群と同等の条件で、見掛けの陽極体積０．０２ｃｍ３
のＴｉ＝ＡＩ合金電解コンデンザを作り、従来のＴａ電
解コンデンサと比較したところ、重量当りの静電容量が
２〜５倍もある優秀なＴｉ＝ＡＩミニＡ１合金電解コン
デンサた。
こうして得られたＴｉ−Ａ１合金電解コンデンサの漏れ
電流（４０ｖ化成・８ｖ評価値）及び誘電損失について
の代表的な値として上記実施例の試料番号１００〜１０
６０群について得た値を例示すれば、０．００１３〜０
．０１７μＡ／μＦ−Ｖ及び１．５〜４．０％の範囲の
値をそれぞれ再現性良く実現できた。
また、上記実施例の試料番号５２〜５７０群と同等の条
件で直径５０ｍｍ−長さ２００ｍｍの円筒フィルタ状の
触媒構体を作製し、内径５０ｍｍのガラス管中に挿入し
、全系を４５０℃に保持してガラス管の一方から酸化窒
素を流し、他方の側から流出する気体をガスクロマトグ
ラフィで分析したところ、流出気体はすべて酸素と窒素
に分解されており、酸化窒素は検出されなかった。
また、上記実施例の試料番号９９〜１０６０群と同等の
条件で直径２００ｍｍ厚さ５０ｍｍの円板状フィルタを
作製し、不純物として粒径０．５μｍ以下の金属酸化物
の微粉末を０．１ｍ９／ｌの割合で含むガソリンを流速
１００１／ｈｒで通したところ、フィルタを通過したガ
ソリン中には不純物は検出されなかった。
また、同じ条件で５００時間ガソリンを通したところ、
フィルタの１過能力には何ら低下が見られず、腐食等に
よるフィルタの脆化もなかった。
以上、詳細に説明したように、本発明のＴｉ−Ａｌ多孔
質合金はコンデンサ用陽極体、触媒、フィルタ等々の多
目的に使用可能であり、その結果得られる各種応用製品
の特性も又優秀であり、しかも安価である。
更に本発明によるＴｉ−Ａｌ多孔質合金の製造方法によ
れば、確実に容易に低コストでしかも多種多様の形状の
ものが製造し得る利点を有する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 Ｉ Ｔｉ及びＡＩよりなる合金であって、理論密度の２
    ０〜８０％の見掛は密度を有し、かつ、比表面積が０．
    ０１ｍ２／ｙ以上であることを特徴とするＴｉ−Ａｌ多
    孔質合金。 ２ Ｔｉ粉末及びＡｌ粉末を混合し加圧成形したものを
    、真空中もしくは不活性ガス中においてＡＩの実効融点
    未満かつ５００℃以上の温度で５分間以上保持すること
    を熱処理過程に含む、ことを特徴とするＴｉ−Ａｌ多孔
    質合金の製造方法。
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Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6044822B2 (ja) * 1980-04-02 1985-10-05 日本電気株式会社 固体電解コンデンサ用多孔質体の製造方法
JPS6048090B2 (ja) * 1980-04-02 1985-10-25 日本電気株式会社 固体電解コンデンサ用多孔質体及びその製造方法
JPS592316A (ja) * 1982-06-28 1984-01-07 日本電気株式会社 電解コンデンサ用多孔質体の製造方法
JPS60246618A (ja) * 1984-05-22 1985-12-06 日本電気株式会社 電解コンデンサの製造方法
US4591482A (en) * 1985-08-29 1986-05-27 Gorham International, Inc. Pressure assisted sinter process
US4923513A (en) * 1989-04-21 1990-05-08 Boehringer Mannheim Corporation Titanium alloy treatment process and resulting article
US5236032A (en) * 1989-07-10 1993-08-17 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Method of manufacture of metal composite material including intermetallic compounds with no micropores
US5344605A (en) * 1991-11-22 1994-09-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of degassing and solidifying an aluminum alloy powder
US5768679A (en) * 1992-11-09 1998-06-16 Nhk Spring R & D Center Inc. Article made of a Ti-Al intermetallic compound
JP3839493B2 (ja) * 1992-11-09 2006-11-01 日本発条株式会社 Ｔｉ−Ａｌ系金属間化合物からなる部材の製造方法
WO1996004407A1 (en) * 1994-08-01 1996-02-15 Kroftt-Brakston International, Inc. Method of making metals and other elements
US7435282B2 (en) * 1994-08-01 2008-10-14 International Titanium Powder, Llc Elemental material and alloy
US6521173B2 (en) * 1999-08-19 2003-02-18 H.C. Starck, Inc. Low oxygen refractory metal powder for powder metallurgy
US7621977B2 (en) * 2001-10-09 2009-11-24 Cristal Us, Inc. System and method of producing metals and alloys
DE10150948C1 (de) * 2001-10-11 2003-05-28 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung gesinterter poröser Körper
US7632333B2 (en) * 2002-09-07 2009-12-15 Cristal Us, Inc. Process for separating TI from a TI slurry
US20050284824A1 (en) * 2002-09-07 2005-12-29 International Titanium Powder, Llc Filter cake treatment apparatus and method
UA79310C2 (en) * 2002-09-07 2007-06-11 Int Titanium Powder Llc Methods for production of alloys or ceramics with the use of armstrong method and device for their realization
WO2004033737A1 (en) * 2002-10-07 2004-04-22 International Titanium Powder, Llc. System and method of producing metals and alloys
US20070180951A1 (en) * 2003-09-03 2007-08-09 Armstrong Donn R Separation system, method and apparatus
US7540996B2 (en) * 2003-11-21 2009-06-02 The Boeing Company Laser sintered titanium alloy and direct metal fabrication method of making the same
IL164017A0 (en) * 2004-09-09 2005-12-18 Cerel Ceramic Technologies Ltd Solid electrolyte capacitor with controlled properties and method for manufacturing the same
JP4513520B2 (ja) 2004-11-15 2010-07-28 三菱マテリアル株式会社 圧縮強度に優れたチタン合金スポンジ状焼結体
US20070017319A1 (en) 2005-07-21 2007-01-25 International Titanium Powder, Llc. Titanium alloy
EA200801029A1 (ru) 2005-10-06 2008-10-30 Интернэшнл Тайтейнием Паудер, Ллк Борид титана
US20080031766A1 (en) * 2006-06-16 2008-02-07 International Titanium Powder, Llc Attrited titanium powder
US7753989B2 (en) * 2006-12-22 2010-07-13 Cristal Us, Inc. Direct passivation of metal powder
US9127333B2 (en) * 2007-04-25 2015-09-08 Lance Jacobsen Liquid injection of VCL4 into superheated TiCL4 for the production of Ti-V alloy powder
EP2048261A1 (fr) * 2007-10-12 2009-04-15 ArcelorMittal France Générateur de vapeur industriel pour le dépôt d'un revêtement d'alliage sur une bande métallique
KR101321176B1 (ko) 2009-03-30 2013-10-23 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 알루미늄 다공질 소결체의 제조 방법 및 알루미늄 다공질 소결체
JP5402380B2 (ja) * 2009-03-30 2014-01-29 三菱マテリアル株式会社 アルミニウム多孔質焼結体の製造方法
US9330406B2 (en) 2009-05-19 2016-05-03 Cobra Golf Incorporated Method and system for sales of golf equipment
US8007373B2 (en) * 2009-05-19 2011-08-30 Cobra Golf, Inc. Method of making golf clubs
JP5428546B2 (ja) * 2009-06-04 2014-02-26 三菱マテリアル株式会社 アルミニウム多孔質焼結体を有するアルミニウム複合体の製造方法
JP5526941B2 (ja) * 2010-03-31 2014-06-18 三菱マテリアル株式会社 アルミニウム多孔質焼結体の製造方法
JP5526938B2 (ja) * 2010-03-31 2014-06-18 三菱マテリアル株式会社 アルミニウム多孔質焼結体の製造方法
JP5526940B2 (ja) * 2010-03-31 2014-06-18 三菱マテリアル株式会社 アルミニウム多孔質焼結体の製造方法
JP5526939B2 (ja) * 2010-03-31 2014-06-18 三菱マテリアル株式会社 アルミニウム多孔質焼結体の製造方法
WO2013123131A1 (en) 2012-02-14 2013-08-22 Sion Power Corporation Electrode structure for electrochemical cell
WO2013134655A1 (en) 2012-03-09 2013-09-12 Sion Power Corporation Porous support structures, electrodes containing same, and associated methods
CN103343252B (zh) * 2013-06-30 2015-09-02 成都易态科技有限公司 烧结Ti-Al基合金多孔材料的制备方法
CN103397243B (zh) * 2013-07-31 2015-11-18 成都易态科技有限公司 烧结Fe-Al基合金多孔材料的制备方法
CN103397244B (zh) * 2013-07-31 2016-03-02 成都易态科技有限公司 抗高温氧化的烧结Fe-Al基合金多孔材料的制备方法
US9821255B2 (en) * 2014-08-01 2017-11-21 Hamilton Sundstrand Corporation Screen and screen elements for fuel systems
JP6485967B2 (ja) * 2016-11-04 2019-03-20 東邦チタニウム株式会社 チタン系多孔体及びその製造方法
US10343031B1 (en) 2017-10-18 2019-07-09 Cobra Golf Incorporated Golf club head with openwork rib
US11511166B1 (en) 2017-11-15 2022-11-29 Cobra Golf Incorporated Structured face for golf club head
JP7077085B2 (ja) * 2018-03-19 2022-05-30 東邦チタニウム株式会社 多孔質チタン系焼結体、その製造方法、及び電極

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4967604A (ja) * 1972-10-17 1974-07-01

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1219104B (de) * 1962-04-28 1966-06-16 Siemens Ag Poroeses Sintergeruest fuer Elektroden galvanischer Elemente
US3428490A (en) * 1962-08-29 1969-02-18 Sun Oil Co Noble metal aluminum alloys as catalysts for fuel cell electrodes
US3407231A (en) * 1966-05-25 1968-10-22 Shell Oil Co Dimethylacetamide production
DE1955396B2 (de) * 1968-11-05 1971-09-30 Elektrolytkondensator und verfahren zu seiner herstellung
DE1910478A1 (de) * 1969-03-01 1970-09-17 Chemoplan Chemisch Physikalisc Elektrode

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4967604A (ja) * 1972-10-17 1974-07-01

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5550448A (en) 1980-04-12
DE2940290C2 (ja) 1989-12-14
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US4331477A (en) 1982-05-25

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