JPS58112767A - サ−マルヘツド装置 - Google Patents
サ−マルヘツド装置Info
- Publication number
- JPS58112767A JPS58112767A JP56215433A JP21543381A JPS58112767A JP S58112767 A JPS58112767 A JP S58112767A JP 56215433 A JP56215433 A JP 56215433A JP 21543381 A JP21543381 A JP 21543381A JP S58112767 A JPS58112767 A JP S58112767A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- heat
- ceramic substrate
- conductive pattern
- head device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、感熱記録に用いられるサーマルヘッド装置の
改良に関する。
改良に関する。
平板状基板上に発熱部を形成し九サーマヘッド装置は従
来から知られてｉるが、このような平板状基板に代えて
、円柱形のガラス棒を用いたサーマルヘッド装置が近都
開発されている。このようなガラス棒を用−たサーマル
ヘッド装置を第１図によ参説明する。
来から知られてｉるが、このような平板状基板に代えて
、円柱形のガラス棒を用いたサーマルヘッド装置が近都
開発されている。このようなガラス棒を用−たサーマル
ヘッド装置を第１図によ参説明する。
第１図において、円柱状のサブストレートたるガラス棒
ｌの周１！ＩＫは発熱抵抗体！および導電パターン口が
形成されてシリ、前記発熱抵抗体２およびこの発熱抵抗
体！の近傍の導電パターン８上は保■か１び耐摩耗膜４
によ）被覆されている。
ｌの周１！ＩＫは発熱抵抗体！および導電パターン口が
形成されてシリ、前記発熱抵抗体２およびこの発熱抵抗
体！の近傍の導電パターン８上は保■か１び耐摩耗膜４
によ）被覆されている。
そして、前記ガラス棒ｌは、ガラスエポキシｐｃｌ−ド
からなる基ｔＩ／Ｌｉ上Ｋｌｌ定され、前記導電パター
ン３シよび基板６はフレームリード（図示せず）＆Ｊ！
によ多接続１れている。
からなる基ｔＩ／Ｌｉ上Ｋｌｌ定され、前記導電パター
ン３シよび基板６はフレームリード（図示せず）＆Ｊ！
によ多接続１れている。
しかしながら、このようなサーマルヘッド装置は、ガラ
ス棒ｌを用いているため、高速印字させた鳩舎、ガ７ス
欅ＩＫ熱が蓄積されてしまい、感熱記鍮紙に尾引きや地
肌汚れを生じたり、主および副走査方向に濃度むらを起
すおそれがある。
ス棒ｌを用いているため、高速印字させた鳩舎、ガ７ス
欅ＩＫ熱が蓄積されてしまい、感熱記鍮紙に尾引きや地
肌汚れを生じたり、主および副走査方向に濃度むらを起
すおそれがある。
本発明は、このような従来のものにおける欠点を除去し
、高速印字時に１尾引きや地肌汚れ、あるいは談度むら
の生じないＬうＫしたサーマルヘッド装置ｔｍ供するこ
とを目的としてなされたもので、外周円弧状のセラミッ
ク基板の外周面に発熱部および導電パターンを形成し、
ガラスよりはるかに熱伝導率の高いセラきツク基板に
工り冷却を良好ならしめたものである。
、高速印字時に１尾引きや地肌汚れ、あるいは談度むら
の生じないＬうＫしたサーマルヘッド装置ｔｍ供するこ
とを目的としてなされたもので、外周円弧状のセラミッ
ク基板の外周面に発熱部および導電パターンを形成し、
ガラスよりはるかに熱伝導率の高いセラきツク基板に
工り冷却を良好ならしめたものである。
以下、本発明を図面に示す実施例にＬす説明する。
第８図お工び第８図は本発明の第１実施例を示すもので
あり１ｇ５ｍは第２図の要部の拡大図である。
あり１ｇ５ｍは第２図の要部の拡大図である。
第２図および第８図において、円筒形のセラミック基［
６の外周面はグレーズ層７に工り被覆されておシ、この
グレーズ層７の外周面の上部には。
６の外周面はグレーズ層７に工り被覆されておシ、この
グレーズ層７の外周面の上部には。
’ｒａ、１、ＭｉＯｒなどからなる発熱抵抗体８がセラ
ミック基板６０軸線方向く積層され、この発熱抵抗体ｓ
ｔｃ＊続されるように前記グレーズ層７の外周面はＭＬ
Ｏｒとム硫の積層膜からなる導電バターーン９により被
覆されている。さらに、前記発熱抵抗体８およびこの発
熱抵抗体８の近傍の導電パターン９上は保護および耐摩
耗膜１０に工す被覆されている。この保護および耐摩耗
膜１０は、保＠膜が８１０ 耐摩耗膜がテ＆ ｚ Ｏ
ｓから麦る。
ミック基板６０軸線方向く積層され、この発熱抵抗体ｓ
ｔｃ＊続されるように前記グレーズ層７の外周面はＭＬ
Ｏｒとム硫の積層膜からなる導電バターーン９により被
覆されている。さらに、前記発熱抵抗体８およびこの発
熱抵抗体８の近傍の導電パターン９上は保護および耐摩
耗膜１０に工す被覆されている。この保護および耐摩耗
膜１０は、保＠膜が８１０ 耐摩耗膜がテ＆ ｚ Ｏ
ｓから麦る。
２を
前記セライック基板６はガラエポ基板１１の弧状面１１
ａ上に載置固定されており、このガラエポ基板１１の両
側ＮＫ影形成れ良導電パターン１２．１２と帥記セライ
ック基板６上の導電パターン９とがテープキャリヤ１３
．１３を介して接続されている。
ａ上に載置固定されており、このガラエポ基板１１の両
側ＮＫ影形成れ良導電パターン１２．１２と帥記セライ
ック基板６上の導電パターン９とがテープキャリヤ１３
．１３を介して接続されている。
さらに、前記セラミック基板６の内部にはガラスＬシは
るかに熱伝導率の高いムｌのような物質１４が充填され
ている・ つぎに、前述した実施例の作用について説明する。
るかに熱伝導率の高いムｌのような物質１４が充填され
ている・ つぎに、前述した実施例の作用について説明する。
発熱抵抗体８に通電して感熱記鎌倉行なうと。
この発熱抵抗体８の形成されている部位のセラミック基
ＷＬ６は加熱されているが、このセランツク基板６内Ｋ
Ｆｉ、高熱伝導率の物質１４が充填されているので、セ
ラミック基［＠内の熱はこの物質１４を通じて逃げ為こ
とＫなる。したがって、セラミック基板６お１び発熱抵
抗体８は良好に冷却され、高速印字しても、尾引きや地
肌汚れ、あるいは濃度むらは生じない。
ＷＬ６は加熱されているが、このセランツク基板６内Ｋ
Ｆｉ、高熱伝導率の物質１４が充填されているので、セ
ラミック基［＠内の熱はこの物質１４を通じて逃げ為こ
とＫなる。したがって、セラミック基板６お１び発熱抵
抗体８は良好に冷却され、高速印字しても、尾引きや地
肌汚れ、あるいは濃度むらは生じない。
第４図は本発明の第２笑施例を示すものであり。
セラミック基板６を半円筒形として、内部の）１のよう
な高熱伝導率の物質１４により、前述した実施例におけ
るガラエポ基板１１の高さに相当する範囲の放熱板１４
＆を形成したものである。本実施例ＫＬれば、この放熱
板Ｕ亀と導電パターン１２とを電気的Ｋｌ！！ＩＩＩＬ
なければならないが、そのため放熱９１４ ａの両側面
には有機物質からなる絶縁板ｉｓ。
な高熱伝導率の物質１４により、前述した実施例におけ
るガラエポ基板１１の高さに相当する範囲の放熱板１４
＆を形成したものである。本実施例ＫＬれば、この放熱
板Ｕ亀と導電パターン１２とを電気的Ｋｌ！！ＩＩＩＬ
なければならないが、そのため放熱９１４ ａの両側面
には有機物質からなる絶縁板ｉｓ。
１５が貼設されている。ま友、ホーロー材からなる放熱
板１４ａとしてもｚｖｈＬｓあるいは、ガラエボＰＯボ
ードを貼り合わせてもよい。
板１４ａとしてもｚｖｈＬｓあるいは、ガラエボＰＯボ
ードを貼り合わせてもよい。
前述しｔ構成に！ｆＬば、高ｆＩ＆伝導率の物質１４か
らなる表面積の大きな放熱板１４＆が形成されているの
で、前述し友実施例ｔＤもさらにセラミック基板６およ
び！ｉｌｌ＠抵抗体８の冷却を良好になすことができる
。
らなる表面積の大きな放熱板１４＆が形成されているの
で、前述し友実施例ｔＤもさらにセラミック基板６およ
び！ｉｌｌ＠抵抗体８の冷却を良好になすことができる
。
第６図は本発明の第８実施例を示すものであり。
円柱形のセラミック基板６を用い、この円柱形のセラ建
ツタ基板６上にグレーズ層７、発熱抵抗体８、導電パタ
ーンＩ、保護および耐摩耗層ｌＯを形成したものである
。このセｑ＜ツタ基板６の基板１６はムｊの１うな熱伝
導率の高い金属に工り形成されており、この基板１６と
導電パターン１２との間の電気的絶縁をなす究め基板１
６の両側面にはガラエポ基板１フ、１フが貼設されてい
る。
ツタ基板６上にグレーズ層７、発熱抵抗体８、導電パタ
ーンＩ、保護および耐摩耗層ｌＯを形成したものである
。このセｑ＜ツタ基板６の基板１６はムｊの１うな熱伝
導率の高い金属に工り形成されており、この基板１６と
導電パターン１２との間の電気的絶縁をなす究め基板１
６の両側面にはガラエポ基板１フ、１フが貼設されてい
る。
前述した構成によれば、セラミック基板６はガラスの約
訂倍の熱伝導率を有し、このセラミック基板６の鴫はさ
らに基板１６から外部に放出されるので、セラずツク基
板６および発熱抵抗体８の冷却を良好になすことができ
る。
訂倍の熱伝導率を有し、このセラミック基板６の鴫はさ
らに基板１６から外部に放出されるので、セラずツク基
板６および発熱抵抗体８の冷却を良好になすことができ
る。
以上説明した１うに１本発明に係るサーマルヘッド熱賦
は、外周円弧状のセラミック基板の外周面に発熱部ｔｌ
Ｐよび導電パターンを形成したので。
は、外周円弧状のセラミック基板の外周面に発熱部ｔｌ
Ｐよび導電パターンを形成したので。
七う建ツク基板内を熱伝導率の高い物質により構成し得
るようにでき、高速印字時に１尾引きや地肌汚れ、ある
いは濃度むらが生ぜず良好な発色をすることができると
いう優れた効果を奏する。
るようにでき、高速印字時に１尾引きや地肌汚れ、ある
いは濃度むらが生ぜず良好な発色をすることができると
いう優れた効果を奏する。
第１図は従来のサーマルヘッド装置を示す縦断面図、第
３図は本発明に係るサーマルヘッド装置の第１実施例を
示す縦断面図、第８図は第２図の要所の鉱大図、第４図
お工び第５図はそれぞれ本発明に係るサーマルヘッド装
置の他の実施例を示す縦断′ｉｉｉ図である。 ２．８・・・発熱抵抗体、８．ト・・導電パターン、６
・・・セラミック基鷹、７・・・グレーズ層、１１・・
・ガラエポ基板、１４ａ・・・放熱板、１６・・・基板
。 出願人代理人 猪 股 清
３図は本発明に係るサーマルヘッド装置の第１実施例を
示す縦断面図、第８図は第２図の要所の鉱大図、第４図
お工び第５図はそれぞれ本発明に係るサーマルヘッド装
置の他の実施例を示す縦断′ｉｉｉ図である。 ２．８・・・発熱抵抗体、８．ト・・導電パターン、６
・・・セラミック基鷹、７・・・グレーズ層、１１・・
・ガラエポ基板、１４ａ・・・放熱板、１６・・・基板
。 出願人代理人 猪 股 清
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、外周円弧状のセラミック基板の外周面に発熱ＳをＬ
び導電パターンを形成したことを特徴とするサーマルヘ
ッド装置。 乙前記セラミック基板を８筒形として内部に熱伝導率の
高い物質を充填した特許請求の範囲第１項記載のサーマ
ルヘッド装置。 ８、前記セラミック基板を半円筒形として内部に熱伝導
率のａＩｌｉｖｈ物質を充填した特許請求の範囲第１項
記載の伊−マルヘッド装置。 ４、前記セラミックＪ！板を円柱形とした特許請求の範
！！１１１１１項記載のサーマルヘッドａｍ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56215433A JPS58112767A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | サ−マルヘツド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56215433A JPS58112767A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | サ−マルヘツド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58112767A true JPS58112767A (ja) | 1983-07-05 |
Family
ID=16672254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56215433A Pending JPS58112767A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | サ−マルヘツド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58112767A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6024966A (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-07 | Murata Mfg Co Ltd | サ−マルヘツド |
| DE3643208A1 (de) * | 1985-12-26 | 1987-07-02 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von thermischen druckkoepfen |
| JPS63128034U (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-22 |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP56215433A patent/JPS58112767A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6024966A (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-07 | Murata Mfg Co Ltd | サ−マルヘツド |
| DE3643208A1 (de) * | 1985-12-26 | 1987-07-02 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von thermischen druckkoepfen |
| US4989017A (en) * | 1985-12-26 | 1991-01-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermal print head |
| JPS63128034U (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-22 |
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