JPS58112755A - インクズエツト記録ヘツド用ノズルおよびその製造方法 - Google Patents
インクズエツト記録ヘツド用ノズルおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS58112755A JPS58112755A JP21528181A JP21528181A JPS58112755A JP S58112755 A JPS58112755 A JP S58112755A JP 21528181 A JP21528181 A JP 21528181A JP 21528181 A JP21528181 A JP 21528181A JP S58112755 A JPS58112755 A JP S58112755A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- crystal substrate
- etching
- substrate
- silicon single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 101100130497 Drosophila melanogaster Mical gene Proteins 0.000 description 1
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100345589 Mus musculus Mical1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 210000002816 gill Anatomy 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1632—Manufacturing processes machining
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/162—Manufacturing of the nozzle plates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
こＯ発明はインクジェット記録へラドに適したインク噴
射用ノズルに関し、４１１にシリコン単結晶基板を用い
たノズルとそのＩｌ造方法に関する。
射用ノズルに関し、４１１にシリコン単結晶基板を用い
たノズルとそのＩｌ造方法に関する。
インタジェッ技術録技衝では、一般にインク噴射用Ｏノ
ズルの構造や加工槽ｆが、噴射特性に大きな影響ｔ＆ぼ
丁ため従来種々のノズルが提案されてきた。シリコン単
結晶基板に異方性エツチングの技術を用いてインクジェ
ット用のノズルを形成することも１例えば特公昭５４−
２７２８６等によって広（知られている奄Ｏである。こ
＼で、異方性エツチング技術そＯ％Ｏについてはジャー
ナルオプ ザ エレクトロ ケミカル ソサエティ誌（
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ ｌｌｅｅｔｒｏｃｈｅ
ｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙｓ）４１１４巻％ １９６
７年、９９６５頁に配電された論文によって既に知られ
ているａころである。
ズルの構造や加工槽ｆが、噴射特性に大きな影響ｔ＆ぼ
丁ため従来種々のノズルが提案されてきた。シリコン単
結晶基板に異方性エツチングの技術を用いてインクジェ
ット用のノズルを形成することも１例えば特公昭５４−
２７２８６等によって広（知られている奄Ｏである。こ
＼で、異方性エツチング技術そＯ％Ｏについてはジャー
ナルオプ ザ エレクトロ ケミカル ソサエティ誌（
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ ｌｌｅｅｔｒｏｃｈｅ
ｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙｓ）４１１４巻％ １９６
７年、９９６５頁に配電された論文によって既に知られ
ているａころである。
前記異方性エツチングによって製造されたノズルは、４
Ｉ公昭４４−４５１７によって最初に開示されターワめ
るコンテイヌアス型インクジェット記録技術に対しては
十分清足のいく４１ｏであった。しかし、例えば特公ｌ
１１ｇ！１−３９４９５あるいは特公昭５３−１２１３
１１に開示さｆしたいわゆるドロップオンディマント薯
インクジェット記録技術に対しテハ次Ｏｘ５な問題点が
明らかとなった、丁なわちドロップオンディマント型で
は噴射エネルギー全コンテイヌアス１ｉａｔｒ：高（す
ることが困難なため、イ／り噴射の状態メトノズル・オ
リフィス周囲のわずかな状１１の変化１例えばごみやイ
ンクの付着等によって大きく影響てれ、高品質記録を常
に維持することが困難であったー この発明の目的は、前記問題点を解決したインク噴射用
ノズルおよびその製造方法を提倶することにある・ この発明によれば、インクを記録媒体に向けて噴射し記
録を行ラインクジエツト記ｆｉヘッドにおけるインク噴
射用ノズルであって、（１，００）面を有するシリコン
単結晶基板糺形成されかつ内１１か（１１１１面で構成
された四角篭形状ｉ有するインタ噴射用ノズルにおいて
、少なくとも前記ノズルの先端部が（ｌ’ｘｘｊ面で構
成された四角錐形状の外壁ｔ−有することｔ４％徽とし
たインク噴射用ノズルが得られる。
Ｉ公昭４４−４５１７によって最初に開示されターワめ
るコンテイヌアス型インクジェット記録技術に対しては
十分清足のいく４１ｏであった。しかし、例えば特公ｌ
１１ｇ！１−３９４９５あるいは特公昭５３−１２１３
１１に開示さｆしたいわゆるドロップオンディマント薯
インクジェット記録技術に対しテハ次Ｏｘ５な問題点が
明らかとなった、丁なわちドロップオンディマント型で
は噴射エネルギー全コンテイヌアス１ｉａｔｒ：高（す
ることが困難なため、イ／り噴射の状態メトノズル・オ
リフィス周囲のわずかな状１１の変化１例えばごみやイ
ンクの付着等によって大きく影響てれ、高品質記録を常
に維持することが困難であったー この発明の目的は、前記問題点を解決したインク噴射用
ノズルおよびその製造方法を提倶することにある・ この発明によれば、インクを記録媒体に向けて噴射し記
録を行ラインクジエツト記ｆｉヘッドにおけるインク噴
射用ノズルであって、（１，００）面を有するシリコン
単結晶基板糺形成されかつ内１１か（１１１１面で構成
された四角篭形状ｉ有するインタ噴射用ノズルにおいて
、少なくとも前記ノズルの先端部が（ｌ’ｘｘｊ面で構
成された四角錐形状の外壁ｔ−有することｔ４％徽とし
たインク噴射用ノズルが得られる。
更にこの発明によれば、（ｔｏｎ）面を有しかり（１（
１Ｇ）方向に所定の厚みｔ有するシリコン単結晶基板の
表面に所定の厚みのシリコン醸化膜で形成する工１ｔ、
前記シリコン単結晶基板の片面の酸化膜を所５ｐｏ寸法
形状にエツチング除去り、て窓ｈＷ４成する工穆亡、前
記窓ｔろして前記シリコン単結晶基板を異方性エツチン
グで行ない反対面υ酸化ＦＩＫに至る迄の微細孔を形成
する工程と、前記反対面の酸化膜の前記微細孔およびそ
の周囲を除ｉた部分ｔエツチング除去する工程と、前記
反対面の陵化膜！エツチング除去した後のシダコン単結
晶基板１所定ｏｓｉ−ｇに異方性エツチングする工程上
、前記シ呼コン単結晶基板表面の酸化膜を除去する工程
とからなることｔ＋％黴とするインクジェットヘッド用
ノズルＯ製造方法が得られる。
１Ｇ）方向に所定の厚みｔ有するシリコン単結晶基板の
表面に所定の厚みのシリコン醸化膜で形成する工１ｔ、
前記シリコン単結晶基板の片面の酸化膜を所５ｐｏ寸法
形状にエツチング除去り、て窓ｈＷ４成する工穆亡、前
記窓ｔろして前記シリコン単結晶基板を異方性エツチン
グで行ない反対面υ酸化ＦＩＫに至る迄の微細孔を形成
する工程と、前記反対面の酸化膜の前記微細孔およびそ
の周囲を除ｉた部分ｔエツチング除去する工程と、前記
反対面の陵化膜！エツチング除去した後のシダコン単結
晶基板１所定ｏｓｉ−ｇに異方性エツチングする工程上
、前記シ呼コン単結晶基板表面の酸化膜を除去する工程
とからなることｔ＋％黴とするインクジェットヘッド用
ノズルＯ製造方法が得られる。
以下にこの発明について図ｍｔ−参照しながら詳ＩＩＫ
説゛明する畠 第１図−）、（転）にこの発明によるノズルの一実施例
の概略図および断Ｎ因を示す、このノズルは（ＸＯＯ）
面を有するシダコン単結晶基板１０１に異方性エツチン
グ技術ｔｍ−て形成されたものであり、ノズルの内壁１
０２およびノズル先端部を形成ＴＡ外壁ｘｏ３ａｈｆｆ
ｔも［ｘｘＪ面で形成さｎて鱒る。この穴めノズル形状
は内壁、外壁と１四角錐形状となって−る。こＯ実施例
に示しｔように１ノズル先端ＮＤ＠Ｍ１０４は、外壁１
０３によって薄く形成されてシｇ、そＯ結果いわゆるオ
ンディｗｙｒ型インクジェット技術にとうて最適ノノズ
ルが得られる・丁なわち％第２＠に示すよ５Ｋ。
説゛明する畠 第１図−）、（転）にこの発明によるノズルの一実施例
の概略図および断Ｎ因を示す、このノズルは（ＸＯＯ）
面を有するシダコン単結晶基板１０１に異方性エツチン
グ技術ｔｍ−て形成されたものであり、ノズルの内壁１
０２およびノズル先端部を形成ＴＡ外壁ｘｏ３ａｈｆｆ
ｔも［ｘｘＪ面で形成さｎて鱒る。この穴めノズル形状
は内壁、外壁と１四角錐形状となって−る。こＯ実施例
に示しｔように１ノズル先端ＮＤ＠Ｍ１０４は、外壁１
０３によって薄く形成されてシｇ、そＯ結果いわゆるオ
ンディｗｙｒ型インクジェット技術にとうて最適ノノズ
ルが得られる・丁なわち％第２＠に示すよ５Ｋ。
従来ノズル端面２６１は外部からのホコリやノズル内部
からＯインタ等によって汚れやすく、このような汚れ部
分２０２に框常にインクが溜る工すになる。その結果噴
射エネルギーがあまり高くできないオノデイマンド型イ
ンクジェット技術においてインクＷＲｗ噴射する場合、
第３図ｔｅｌに示すように噴射方向−＄２０３が汚ｆＬ
２０２の方向に曲げられたり、第３図（ｂｌに示すよつ
にインク滴２０４がノズルＸり分離する際に尾２０５が
汚れ２０２の方向に引きずられ、結局飛糖万同２０３が
汚れの方向に曲げられる等０間［があった、このような
ノズル端面の汚れによる影響は噴射エネルギーが縄くな
るに従って小さくなＶ％いわゆるコンテイヌアス型イン
クジェット技ｖａｖｃおいては、実用１殆んどノズル端
面の汚ｆＬによる影響は無くなるのである。
からＯインタ等によって汚れやすく、このような汚れ部
分２０２に框常にインクが溜る工すになる。その結果噴
射エネルギーがあまり高くできないオノデイマンド型イ
ンクジェット技術においてインクＷＲｗ噴射する場合、
第３図ｔｅｌに示すように噴射方向−＄２０３が汚ｆＬ
２０２の方向に曲げられたり、第３図（ｂｌに示すよつ
にインク滴２０４がノズルＸり分離する際に尾２０５が
汚れ２０２の方向に引きずられ、結局飛糖万同２０３が
汚れの方向に曲げられる等０間［があった、このような
ノズル端面の汚れによる影響は噴射エネルギーが縄くな
るに従って小さくなＶ％いわゆるコンテイヌアス型イン
クジェット技ｖａｖｃおいては、実用１殆んどノズル端
面の汚ｆＬによる影響は無くなるのである。
−万％ｓ１図（ａｔ、 （ｂｌに示したこの発明による
実施例では、ノズル端面１０４ｔ！外壁１０３によって
限定されてお１５％ノズル端面Ｏ汚れの影響は小さく押
えることが可能である。４＄に、ノズル端面１０４の巾
をノズルオリフィス０対角長のＶ器以下に丁ることによ
や、ノズル端面の汚れの影響はオンディマント型インク
ジェット技術に対して本実用上無くなるこｔが実験的に
見出された。この場合。
実施例では、ノズル端面１０４ｔ！外壁１０３によって
限定されてお１５％ノズル端面Ｏ汚れの影響は小さく押
えることが可能である。４＄に、ノズル端面１０４の巾
をノズルオリフィス０対角長のＶ器以下に丁ることによ
や、ノズル端面の汚れの影響はオンディマント型インク
ジェット技術に対して本実用上無くなるこｔが実験的に
見出された。この場合。
外＠１０３の長泗はノズル端面１０４の巾と同橿度以上
にとｎば十分で娶ったの 次に第４図（ａｌ 〜（ｉ） ｋ参照すると第１図（ａ
ｌ、（ｂｌにて示したこの発明によるノズルは次のよう
な製造プロセスによって作られる。Ｋ４図（１に示すよ
うにノズルを形成するためのシリコン基板１０１は（１
００）結晶面に沿って鏡面研磨さｎた千面會有し、十分
洗滌嘔れて−る。このシリコン基板１０１はＩ！４図（
ｂｌに示すように上下両面に約１ｏｏｏｒの厚さの８
ｉ０２膜１０５ ｔ−形成するために１０００℃の水蒸
気中で酸化される０次虻第４図ｔｅｌに示すエラにシリ
コン基板１０１の上下両面ｔフォトレジスト材１０６で
被覆すると共にノズルのベース孔のパターン１０７が下
部フォトレジスト層１０８に露光現象さルて形成される
０次に第４図＋ｄ）に示すように開口１０７内の８ｉ０
．層が緩衝液中の弗化水素陵内でエツチング除去される
。さらに第４図（ｅｌ Ｉｃ示すようＫ１１１口１０７
に露出したシリコン基板１０１を異方性エツチング液、
例えばエチレンジアミン、ピロカテコール及び水會含む
溶液を用いて、１１０℃〜１２Ｇ’Ｃにおいて異方性エ
ツチング液行う、エツチングは孔かシリコン基板を貫通
し上部旧ｏｔ層１０５に達する迄行なわれ、その結果、
（１１１）面で構成さｆまたノズルυ内壁が形成される
・次に第４図（ｆｌＫ示すように、上部フォトレジスト
層１０６にノズル端面の外部形状を決めるパターン１０
８が露光・現儂されて、ノズル先端の開口形状と相似形
の部分１０９ｔ−除込て他の部分のフォトレジスト層は
除去される０次に第４図−）に示すＬうにパターン１０
８内に露出した８壷０２層１０５が、第４図（ｄｉ（Ｊ
場合と同様にエツチング除去さｎる・続いて第４図伽）
（示すようにパターン１０８内に露出したシリコン基板
１Ｏ１ｔＩＸ第４図←）の場合と同様に異方性エツチン
グされる。エツチングが所定Ｖ深さ迄実施された時点で
エツチングを停止し、最終にｆａ ４ 図（ＤＩＣ示ｆ
Ｘ ５ Ｋ ｖジス）層１０６４８ｉ０，７４ｍ１０
１Ｓ’ｌ除去することにょ９１ノズルが形成される。
にとｎば十分で娶ったの 次に第４図（ａｌ 〜（ｉ） ｋ参照すると第１図（ａ
ｌ、（ｂｌにて示したこの発明によるノズルは次のよう
な製造プロセスによって作られる。Ｋ４図（１に示すよ
うにノズルを形成するためのシリコン基板１０１は（１
００）結晶面に沿って鏡面研磨さｎた千面會有し、十分
洗滌嘔れて−る。このシリコン基板１０１はＩ！４図（
ｂｌに示すように上下両面に約１ｏｏｏｒの厚さの８
ｉ０２膜１０５ ｔ−形成するために１０００℃の水蒸
気中で酸化される０次虻第４図ｔｅｌに示すエラにシリ
コン基板１０１の上下両面ｔフォトレジスト材１０６で
被覆すると共にノズルのベース孔のパターン１０７が下
部フォトレジスト層１０８に露光現象さルて形成される
０次に第４図＋ｄ）に示すように開口１０７内の８ｉ０
．層が緩衝液中の弗化水素陵内でエツチング除去される
。さらに第４図（ｅｌ Ｉｃ示すようＫ１１１口１０７
に露出したシリコン基板１０１を異方性エツチング液、
例えばエチレンジアミン、ピロカテコール及び水會含む
溶液を用いて、１１０℃〜１２Ｇ’Ｃにおいて異方性エ
ツチング液行う、エツチングは孔かシリコン基板を貫通
し上部旧ｏｔ層１０５に達する迄行なわれ、その結果、
（１１１）面で構成さｆまたノズルυ内壁が形成される
・次に第４図（ｆｌＫ示すように、上部フォトレジスト
層１０６にノズル端面の外部形状を決めるパターン１０
８が露光・現儂されて、ノズル先端の開口形状と相似形
の部分１０９ｔ−除込て他の部分のフォトレジスト層は
除去される０次に第４図−）に示すＬうにパターン１０
８内に露出した８壷０２層１０５が、第４図（ｄｉ（Ｊ
場合と同様にエツチング除去さｎる・続いて第４図伽）
（示すようにパターン１０８内に露出したシリコン基板
１Ｏ１ｔＩＸ第４図←）の場合と同様に異方性エツチン
グされる。エツチングが所定Ｖ深さ迄実施された時点で
エツチングを停止し、最終にｆａ ４ 図（ＤＩＣ示ｆ
Ｘ ５ Ｋ ｖジス）層１０６４８ｉ０，７４ｍ１０
１Ｓ’ｌ除去することにょ９１ノズルが形成される。
以上ノプロセスにおいて、異方性エツチングは（１ｘｉ
）面のエツチング速度は（１００）面のそｎよりも十分
遅φので（１１１）面のエツチングを近似的に無視して
考えるξ、ノズル端面１０４の巾ＷＮは纒４図（ｃ）Ｋ
おりる一ロパターン１０７の寸法ＷＲ，ａ ！ ４ 図
（ｆ）のレジストパターン１０９０寸法ＷＲ７とシリコ
ン率結晶基鈑の厚みｔｓｌから次式より決定さｎるー ＷピｗＲ，−ｗ□＋、／”ｉｔ、ｉ 以上０１９に％シリコン単結晶基板Ｑ異方性エツチング
ｏ技術を用−ることにより、オンディマント型インクジ
ェット技術に最適なノズルを容易に形灰することが可能
である。
）面のエツチング速度は（１００）面のそｎよりも十分
遅φので（１１１）面のエツチングを近似的に無視して
考えるξ、ノズル端面１０４の巾ＷＮは纒４図（ｃ）Ｋ
おりる一ロパターン１０７の寸法ＷＲ，ａ ！ ４ 図
（ｆ）のレジストパターン１０９０寸法ＷＲ７とシリコ
ン率結晶基鈑の厚みｔｓｌから次式より決定さｎるー ＷピｗＲ，−ｗ□＋、／”ｉｔ、ｉ 以上０１９に％シリコン単結晶基板Ｑ異方性エツチング
ｏ技術を用−ることにより、オンディマント型インクジ
ェット技術に最適なノズルを容易に形灰することが可能
である。
第１１１（ｔ）、 １ｂ）ｒｉこの発明にするノズルの
一実施例を示す概略図および断面図、Ｉ！２図は従来技
術１１Ｃｋケる／Ｘｘ端？ｉｉｏ問題点電説明するため
の概略図１Ｍ３図−、（ｍｓ）Ｈ従来技術におけるイン
ク噴射時の問題点を説明するための概略断面図、第４囚
（ａ）〜（ｉ３はこの発明によるノズルの製造プロセス
の一実施例’ｔｐＱ明するための概略図で８す、それぞ
３，１０１・・・・・・シリコン単結晶基板、１０２・
・・・・ツズル内壁、１０Ｂ・・・・・・ノズル外壁、
１０４・・・・・・ノズル端面。 １０５・・・・・・５ｉ０２ ＭＸ・、１０６・・・・
・・フォトレジスト材、１０７・−・・・開ロバターン
、１０８−・・−ノズル端面の外部形状を決ゆるパター
ン、１０９・・・・・・レジスト層残部パターン、２０
１・・・・・ノズル端面、２ｏ２・・・−・汚ｎ部分、
２０３−・・・噴射方向、２０４・・・・・・インク滴
、２０５・・・・・・インク滴の尾、を示している。 藁１図 （α） ＜ｂ） 第２−目 卒３図 （の） Ｃｂ） 第し／−図 （α） （９−） （ん） （、Ｊ／ン
一実施例を示す概略図および断面図、Ｉ！２図は従来技
術１１Ｃｋケる／Ｘｘ端？ｉｉｏ問題点電説明するため
の概略図１Ｍ３図−、（ｍｓ）Ｈ従来技術におけるイン
ク噴射時の問題点を説明するための概略断面図、第４囚
（ａ）〜（ｉ３はこの発明によるノズルの製造プロセス
の一実施例’ｔｐＱ明するための概略図で８す、それぞ
３，１０１・・・・・・シリコン単結晶基板、１０２・
・・・・ツズル内壁、１０Ｂ・・・・・・ノズル外壁、
１０４・・・・・・ノズル端面。 １０５・・・・・・５ｉ０２ ＭＸ・、１０６・・・・
・・フォトレジスト材、１０７・−・・・開ロバターン
、１０８−・・−ノズル端面の外部形状を決ゆるパター
ン、１０９・・・・・・レジスト層残部パターン、２０
１・・・・・ノズル端面、２ｏ２・・・−・汚ｎ部分、
２０３−・・・噴射方向、２０４・・・・・・インク滴
、２０５・・・・・・インク滴の尾、を示している。 藁１図 （α） ＜ｂ） 第２−目 卒３図 （の） Ｃｂ） 第し／−図 （α） （９−） （ん） （、Ｊ／ン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 インクを記録媒体に向け゛て噴射し記録を行うイ
ンクジェット記録ヘッドにおけるインク噴射用ノズルで
あって、 （１００）面を有するシリコン単結晶基板
に形成さ１かつ内壁が（１１１）面で構成され九四角錐
形状を有するインク噴射用ノズルにシいて、少なくと１
前記ノズルの先端部が（ｎ１１面で構成さｆＬ九四角錐
形状の外壁ｔ″有すること【特許としたインク噴射用ノ
ズル７ ｚ、、 （ｘｕｏ）面を有しかつ（１００）方向に所
定の厚みｔ有するシリコン単結晶基板の表面に所定の厚
みのクリプン酸化膜〒形成する工程と、前記シリコン単
結晶基板の片面の酸化膜を所定の寸法形状にエツチング
除去して窓を形成する工程と、前記窓會通して前記シリ
コン単結晶基板を異方性エツチングを行ない反対百の酸
化膜に至る迄の微細孔を形成する工１ｍと、前記反対面
の酸化膜ｅ＊Ｉｅ黴馴孔シよびそｅａｓｔ’除−九部分
をエツチング除去する工程と、前記反対面の酸化ＩＩＩ
をエツチング除去した後０Ｖｉｊ：ｌン単結晶基板を所
冗０＠さに異方性エツチングする１薯と、前記シリコン
単結晶基板表面の酸化膜を除去する工程とからなること
を特徴亡するインタジェットヘッド用ノズｐｈ−０＄１
造方法・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21528181A JPS58112755A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | インクズエツト記録ヘツド用ノズルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21528181A JPS58112755A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | インクズエツト記録ヘツド用ノズルおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58112755A true JPS58112755A (ja) | 1983-07-05 |
Family
ID=16669713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21528181A Pending JPS58112755A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | インクズエツト記録ヘツド用ノズルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58112755A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60224555A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インクジエツト記録ヘツドのノズル製造方法 |
| JPS60234853A (ja) * | 1984-05-08 | 1985-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インクジエツト記録ヘツドのノズル製造方法 |
| JPS6135258A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インクジェット記録ヘッド |
| US5487483A (en) * | 1994-05-24 | 1996-01-30 | Xerox Corporation | Nozzles for ink jet devices and method for microfabrication of the nozzles |
| EP0854040A2 (en) * | 1997-01-21 | 1998-07-22 | SCITEX DIGITAL PRINTING, Inc. | Method for providing particle-free ink jet printer components |
| WO2000006388A1 (de) * | 1998-07-24 | 2000-02-10 | Genspec S.A. | Mikromechanisch hergestellte düse zur erzeugung reproduzierbarer kleiner tropfen |
| EP1055518A2 (en) * | 1999-05-27 | 2000-11-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid discharge head and method of manufacturing the same |
| EP1065059A3 (en) * | 1999-07-02 | 2001-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing liquid discharge head, liquid discharge head, head cartridge, liquid discharging recording apparatus, method for producing silicon plate and silicon plate |
| US6315394B1 (en) | 1998-01-28 | 2001-11-13 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing a silicon substrate with a recess, an ink jet head manufacturing method, a silicon substrate with a recess, and an ink jet head |
| JP2013056545A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Samsung Electronics Co Ltd | プリンティング装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5431368A (en) * | 1977-08-10 | 1979-03-08 | Tokyo Electric Co Ltd | Toaster |
| JPS5638270A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-13 | Toshiba Corp | Multiple head for ink jet recording |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP21528181A patent/JPS58112755A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5431368A (en) * | 1977-08-10 | 1979-03-08 | Tokyo Electric Co Ltd | Toaster |
| JPS5638270A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-13 | Toshiba Corp | Multiple head for ink jet recording |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60224555A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インクジエツト記録ヘツドのノズル製造方法 |
| JPH0242354B2 (ja) * | 1984-04-20 | 1990-09-21 | ||
| JPS60234853A (ja) * | 1984-05-08 | 1985-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インクジエツト記録ヘツドのノズル製造方法 |
| JPH0242355B2 (ja) * | 1984-05-08 | 1990-09-21 | ||
| JPS6135258A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インクジェット記録ヘッド |
| JPH047707B2 (ja) * | 1984-07-27 | 1992-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| US5487483A (en) * | 1994-05-24 | 1996-01-30 | Xerox Corporation | Nozzles for ink jet devices and method for microfabrication of the nozzles |
| EP0854040A3 (en) * | 1997-01-21 | 1999-03-17 | SCITEX DIGITAL PRINTING, Inc. | Method for providing particle-free ink jet printer components |
| EP0854040A2 (en) * | 1997-01-21 | 1998-07-22 | SCITEX DIGITAL PRINTING, Inc. | Method for providing particle-free ink jet printer components |
| US6315394B1 (en) | 1998-01-28 | 2001-11-13 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing a silicon substrate with a recess, an ink jet head manufacturing method, a silicon substrate with a recess, and an ink jet head |
| WO2000006388A1 (de) * | 1998-07-24 | 2000-02-10 | Genspec S.A. | Mikromechanisch hergestellte düse zur erzeugung reproduzierbarer kleiner tropfen |
| US6523762B1 (en) | 1998-07-24 | 2003-02-25 | Genspec S.A. | Micromechanically produced nozzle for producing reproducible droplets |
| EP1055518A2 (en) * | 1999-05-27 | 2000-11-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid discharge head and method of manufacturing the same |
| EP1055518A3 (en) * | 1999-05-27 | 2002-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid discharge head and method of manufacturing the same |
| EP1065059A3 (en) * | 1999-07-02 | 2001-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing liquid discharge head, liquid discharge head, head cartridge, liquid discharging recording apparatus, method for producing silicon plate and silicon plate |
| JP2013056545A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Samsung Electronics Co Ltd | プリンティング装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5385635A (en) | Process for fabricating silicon channel structures with variable cross-sectional areas | |
| JP3338098B2 (ja) | 三次元シリコンデバイスの製造方法 | |
| JPS58112755A (ja) | インクズエツト記録ヘツド用ノズルおよびその製造方法 | |
| JPH05261931A (ja) | プリントヘッド用オリフィス板 | |
| JPH0655733A (ja) | インクジェットヘッド及びその製造方法 | |
| JPH09216368A (ja) | インクジェットノズルプレートおよびその製造方法 | |
| JPS6043309B2 (ja) | マルチノズルオリフイス板 | |
| US20120231565A1 (en) | Process for producing a substrate for a liquid ejection head | |
| JPH08230185A (ja) | インクジェット装置 | |
| JP3230017B2 (ja) | インクジェットヘッドの製造方法 | |
| JP5197724B2 (ja) | 液体吐出ヘッド用基板及び液体吐出ヘッドの製造方法 | |
| KR20120043139A (ko) | 액체 토출 헤드용 기판의 제조 방법 | |
| US9669628B2 (en) | Liquid ejection head substrate, method of manufacturing the same, and method of processing silicon substrate | |
| JP3228028B2 (ja) | インクジェット記録ヘッドの作製方法 | |
| JPH09246234A (ja) | シリコンウェハーの加工方法及びそのシリコンウェハーを用いた電子機器 | |
| JPH09207341A (ja) | インクジェットヘッド用ノズルプレートおよびその製造方法 | |
| JP5885433B2 (ja) | 液体吐出ヘッド用基板の製造方法 | |
| JPH038947B2 (ja) | ||
| JPH1034928A (ja) | インクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録ヘッドの製造方法 | |
| JP3743884B2 (ja) | インクジェットヘッドの製造方法 | |
| JP2003053700A (ja) | シリコン結晶異方性エッチング方法、インク流路板製造方法、インク流路板、インクジェットプリントヘッドおよびインクジェットプリンタ | |
| JPH0242354B2 (ja) | ||
| JPH111000A (ja) | ノズルプレートの製造方法、インクジェットヘッド、ノズルプレート及びインクジェット記録装置 | |
| JP2607308B2 (ja) | インクジェットプリンタヘッド及びその製造方法 | |
| JP3120463B2 (ja) | インクジェットプリンタのノズル列の形成方法 |