JPH038947B2 - - Google Patents
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- JPH038947B2 JPH038947B2 JP652582A JP652582A JPH038947B2 JP H038947 B2 JPH038947 B2 JP H038947B2 JP 652582 A JP652582 A JP 652582A JP 652582 A JP652582 A JP 652582A JP H038947 B2 JPH038947 B2 JP H038947B2
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
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- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
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- Nozzles (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液体噴射装置例えばインクジエツト
記録装置に使用して好適なマルチノズルプレート
の製造方法に関する。
記録装置に使用して好適なマルチノズルプレート
の製造方法に関する。
第１図は、本発明によるマルチノズルプレート
の製造方法の一実施例を示す工程図で、図中、１
は（100）Si単結晶、２はSiO2膜、３は形成され
たメサ部、４はエレクトロフオーミングされた
Niで、第２図に、メサ部３の斜視図を、また、
第３図に、該メサ部３の平面図（ただし、メサ部
上のSiO2膜を除去した状態）を示す。第１図の
（）〜（）の工程は、（100）Si単結晶の異方
性エツチングの工程であり、該工程は、特開昭55
−49274号公報第(2)頁上右欄第１〜９行目に記載
されているようにして、すなわち、（100）Si単結
晶板１にエツチング保護膜として例えばSiO2２を
4000〜5000〓の厚さに形成し、次いで、開孔パタ
ーン（20〜25μｍ）をフオトリンググラフイ技術
にて作成し、その後、公知の異方性エツチングに
よつてその開口部を頂点とする12角形の台形状
（横から見た場合）のメサ部３を形成する。而し
て、特開昭55−49274号公報に記載された発明は、
上述のごとくしてSi単結晶を異方性エツチングし
てメサ部３を作つた後、エツチング保護膜２を除
去し、Si単結晶１の上にオリフイス板材層を形
成、研摩し、その後に、Si単結晶１を除去して12
角錐のノズルを形成するようにしているが、該特
開昭55−49274号公報に記載の発明は、オリフイ
ス板材層を研摩する工程が難しく、研摩むらに起
因するノズル径のバラツキが生じ、また、研摩時
に、ノズル部でダレを生じる等し、結晶配列の精
度で形成されるべきノズル精度が損なわれてしま
う欠点があつた。
の製造方法の一実施例を示す工程図で、図中、１
は（100）Si単結晶、２はSiO2膜、３は形成され
たメサ部、４はエレクトロフオーミングされた
Niで、第２図に、メサ部３の斜視図を、また、
第３図に、該メサ部３の平面図（ただし、メサ部
上のSiO2膜を除去した状態）を示す。第１図の
（）〜（）の工程は、（100）Si単結晶の異方
性エツチングの工程であり、該工程は、特開昭55
−49274号公報第(2)頁上右欄第１〜９行目に記載
されているようにして、すなわち、（100）Si単結
晶板１にエツチング保護膜として例えばSiO2２を
4000〜5000〓の厚さに形成し、次いで、開孔パタ
ーン（20〜25μｍ）をフオトリンググラフイ技術
にて作成し、その後、公知の異方性エツチングに
よつてその開口部を頂点とする12角形の台形状
（横から見た場合）のメサ部３を形成する。而し
て、特開昭55−49274号公報に記載された発明は、
上述のごとくしてSi単結晶を異方性エツチングし
てメサ部３を作つた後、エツチング保護膜２を除
去し、Si単結晶１の上にオリフイス板材層を形
成、研摩し、その後に、Si単結晶１を除去して12
角錐のノズルを形成するようにしているが、該特
開昭55−49274号公報に記載の発明は、オリフイ
ス板材層を研摩する工程が難しく、研摩むらに起
因するノズル径のバラツキが生じ、また、研摩時
に、ノズル部でダレを生じる等し、結晶配列の精
度で形成されるべきノズル精度が損なわれてしま
う欠点があつた。
本発明は、上述のごとき従来技術の欠点すなわ
ち特開昭55−49274号公報の発明における研摩に
よる精度の低下を防止するとともに、工程数を少
なくすることを目的としてなされたものである。
すなわち、本発明においては、上述のようにし
て、工程（）が終了してメサ部３が形成した
後、エレクトロフオーミングでオリフイス板材層
を形成する。この場合、Siの異方性エツチングで
形成されたメサ部３の上には、マスクに使用した
SiO2のパターン（正方形）が残つているが、これ
は好都合なことに、絶縁性物質であるため、Siに
エレクトロフオーミングを行なつても（Siは半導
体であるから、特別な処理をすることなくエレク
トロフオーミングをすることができる）該SiO2の
パターン部には例えばNiがつかない。その後、
工程（）において、不要となつたSi及びSiO2を
例えばエツチングで除去すれば、ノズルプレート
が完成する。このように、本発明によると、特開
昭55−49274号公報に記載された発明のように、
SiO2のパターンを除去し、それからオリフイス板
材層を形成し、その後、研摩するという面倒な工
程を行なうことなく、単結晶の結晶配列の精度と
同等の精度のエレクトロフオーミングによるノズ
ルを得ることができる。なお、研摩するという工
程は、せつかく精度よくエレクトロフオーミング
できても面だれ、欠け等が発生して精度を落とす
一因となつている。
ち特開昭55−49274号公報の発明における研摩に
よる精度の低下を防止するとともに、工程数を少
なくすることを目的としてなされたものである。
すなわち、本発明においては、上述のようにし
て、工程（）が終了してメサ部３が形成した
後、エレクトロフオーミングでオリフイス板材層
を形成する。この場合、Siの異方性エツチングで
形成されたメサ部３の上には、マスクに使用した
SiO2のパターン（正方形）が残つているが、これ
は好都合なことに、絶縁性物質であるため、Siに
エレクトロフオーミングを行なつても（Siは半導
体であるから、特別な処理をすることなくエレク
トロフオーミングをすることができる）該SiO2の
パターン部には例えばNiがつかない。その後、
工程（）において、不要となつたSi及びSiO2を
例えばエツチングで除去すれば、ノズルプレート
が完成する。このように、本発明によると、特開
昭55−49274号公報に記載された発明のように、
SiO2のパターンを除去し、それからオリフイス板
材層を形成し、その後、研摩するという面倒な工
程を行なうことなく、単結晶の結晶配列の精度と
同等の精度のエレクトロフオーミングによるノズ
ルを得ることができる。なお、研摩するという工
程は、せつかく精度よくエレクトロフオーミング
できても面だれ、欠け等が発生して精度を落とす
一因となつている。
以上に、（100）Si単結晶を用いた例を参照しな
がら本発明の一実施例について説明したが、本発
明は、上記実施例に限定されるものではなく、例
えば、GaAs、Ge等の他の材料を用いてもよいし、
金属の単結晶を用いてもよい。また、面指数も
（100）に限定されるものではなく（110）でもよ
い（ただし、この場合、ノズルの断面形状は必ず
しも上記実施例のようにならない）。また、絶縁
性物質もSiO2に限定されるものではなく例えばSi
窒化物（Si3N4）でもよく、エレクトロフオーシ
ングする材料もNiに限定されるものではない。
更に、メサ部を形成する材料として、アルミニウ
ムを用いてもよく、その場合、アルミニウムは、
ドライエツチングによりメサエツチングされる
が、平行平板型のドライエツチング装置を用いる
と、材料そのものに異方性がなくても、装置に起
因する異方性のため、精度のよいメサ部を形成す
ることができる。なお、この場合の絶縁性物質と
しては、例えば、フオトレジストを用いればよ
い。また、パターンの形状はどのようなものでも
よいが、丸パターンが一般的である。
がら本発明の一実施例について説明したが、本発
明は、上記実施例に限定されるものではなく、例
えば、GaAs、Ge等の他の材料を用いてもよいし、
金属の単結晶を用いてもよい。また、面指数も
（100）に限定されるものではなく（110）でもよ
い（ただし、この場合、ノズルの断面形状は必ず
しも上記実施例のようにならない）。また、絶縁
性物質もSiO2に限定されるものではなく例えばSi
窒化物（Si3N4）でもよく、エレクトロフオーシ
ングする材料もNiに限定されるものではない。
更に、メサ部を形成する材料として、アルミニウ
ムを用いてもよく、その場合、アルミニウムは、
ドライエツチングによりメサエツチングされる
が、平行平板型のドライエツチング装置を用いる
と、材料そのものに異方性がなくても、装置に起
因する異方性のため、精度のよいメサ部を形成す
ることができる。なお、この場合の絶縁性物質と
しては、例えば、フオトレジストを用いればよ
い。また、パターンの形状はどのようなものでも
よいが、丸パターンが一般的である。
以上の説明から明らかなように、本発明による
と、結晶配列の精度でエレクトロフオーミングノ
ズルを形成することができ、しかも、オリフイス
板材層の研摩がないため、工程が簡単でかつ精度
よく形成することができる。
と、結晶配列の精度でエレクトロフオーミングノ
ズルを形成することができ、しかも、オリフイス
板材層の研摩がないため、工程が簡単でかつ精度
よく形成することができる。
第１図は、本発明によるマルチノズルプレート
の製造方法の一実施例を示す工程図、第２図は、
第１図に示したメサ部３の斜視図、第３図は、メ
サ部３の平面図である。 １……（100）Si単結晶、２……SiO2膜、３…
…メサ部、４……エレクロフオーミングされた
Ni。
の製造方法の一実施例を示す工程図、第２図は、
第１図に示したメサ部３の斜視図、第３図は、メ
サ部３の平面図である。 １……（100）Si単結晶、２……SiO2膜、３…
…メサ部、４……エレクロフオーミングされた
Ni。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導体又は半導体部材の少なくとも一面を研摩
する工程と、研摩された面に絶縁性物質のパター
ンを選択的に形成する工程と、前記絶縁性物質を
耐エツチングマスクとして用いて前記導体又は半
導体部材にメサエツチングを施こす工程と、前記
導体又は半導体部材を陰極にして金属をエレクト
ロフオーミングする工程と、前記導体又は半導体
部材及び絶縁性物質を除去する工程とから成るこ
とを特徴とする液体噴射装置のマルチノズルプレ
ートの製造方法。 ２ 前記導体又は半導体部材が単結晶材料である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
液体噴射装置のマルチノズルプレートの製造方
法。 ３ 前記メサエツチングが単結晶材料のもつ性質
である異方性を利用したエツチングであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の液体噴
射装置のマルチノズルプレートの製造方法。 ４ 前記メサエツチングが、エツチング構造によ
る異方性を利用したエツチングであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の液体噴射装
置のマルチノズルプレートの製造方法。 ５ 前記導体又は半導体部材がSi単結晶であり、
前記絶縁性物質がSi酸化物（SiO2）又はSi窒化物
（Si3N4）であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の液体噴射装置のマルチノズルプレ
ートの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP652582A JPS58124660A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 液体噴射装置のマルチノズルプレ−トの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP652582A JPS58124660A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 液体噴射装置のマルチノズルプレ−トの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58124660A JPS58124660A (ja) | 1983-07-25 |
| JPH038947B2 true JPH038947B2 (ja) | 1991-02-07 |
Family
ID=11640776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP652582A Granted JPS58124660A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 液体噴射装置のマルチノズルプレ−トの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58124660A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103073142A (zh) * | 2013-01-11 | 2013-05-01 | 中国电子工程设计院 | 一种多效组的低温多效蒸馏海水淡化系统 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61187567A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-21 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | ガス噴射弁 |
| JPH06134348A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-17 | Masaharu Fukutomi | 噴板およびその製造方法 |
| EP0997559A1 (en) * | 1998-10-22 | 2000-05-03 | Westbury Development Europa B.V. | A method to form thin films and thick layers of single crystal structure by electro-plating |
| US6235177B1 (en) * | 1999-09-09 | 2001-05-22 | Aerogen, Inc. | Method for the construction of an aperture plate for dispensing liquid droplets |
| US8499453B2 (en) * | 2009-11-26 | 2013-08-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing liquid discharge head, and method of manufacturing discharge port member |
-
1982
- 1982-01-19 JP JP652582A patent/JPS58124660A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103073142A (zh) * | 2013-01-11 | 2013-05-01 | 中国电子工程设计院 | 一种多效组的低温多效蒸馏海水淡化系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58124660A (ja) | 1983-07-25 |
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