JPS5810753B2 - エレクトロクロミツクヒヨウジソシノ セイゾウホウホウ - Google Patents

エレクトロクロミツクヒヨウジソシノ セイゾウホウホウ

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JPS5810753B2
JPS5810753B2 JP50118104A JP11810475A JPS5810753B2 JP S5810753 B2 JPS5810753 B2 JP S5810753B2 JP 50118104 A JP50118104 A JP 50118104A JP 11810475 A JP11810475 A JP 11810475A JP S5810753 B2 JPS5810753 B2 JP S5810753B2
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electrode
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    • G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
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    • G02F1/1533—Constructional details structural features not otherwise provided for
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は遷移金属酸化物のエレクトロクロミズムを利用
した表示素子のパターン形成方法に関するものである。
ここでエレクトロクロミズムとは電界又は電流によって
引き起こされる可逆的な色の変化をいう。
このエレクトロクロミズムを利用した表示素子は前記遷
移金属酸化物が表示電極上に形成されており、かつ電解
液に接している部分のみが、駆動時に色の変化を示す。
従って所望のパターンを得るには次のような方法が考え
られる。
■ 第１図及び第２図に示す如く、表示電極を所望のパ
ターンに形成し、この表示電極の表示部分を完全に覆う
ように一回り大きく、あるいは端子部を残して全面に、
遷移金属酸化物層を設け、さらに表示に不要な引き出し
部分を絶縁膜４で覆い、駆動時に着色しないようにする
。
ここで遷移金属酸化物の層３を表示電極よりも広く設け
るのは以下の理由による。
すなわち、電極上に遷移金属酸化物層を位置合せして載
せようとしても若干の位置のずれがおこる。
このとき表示電極が電解液に触れると 〔表示電極１電解液１遷移金属酸化物層〕のように電池
を形成するので外部から駆動しなくても、自発的に電流
が流れ遷移金属酸化物層が着色あるいは消去し、エレク
トロクロミックの表示素子の特徴であるメモリー効果を
損うことになるからである。
■ 表示電極及び遷移金属酸化物層３を共に所望のパタ
ーンよりも広く形成し、さらに所望の表示部分以外を絶
縁物でおおう（第３図参照）。
しかし、■の方法では表示電極の外側にも着色し、この
部分は一旦着色すると消去しにくい、という欠点がある
。
また■の方法では位置合せの精度の制限から、隣り合っ
た表示電極の間隔をあまり狭くできないという欠点があ
る。
本発明は表示電極と遷移金属酸化物の端部形状を正確に
合致せしめて両者を積層させることにより上述の欠点を
避け、能率的なパターンの形成方法を提供することを目
的とするものである。
以下に本発明の方法について説明する。
まず、２枚の基板のそれぞれに表示用電極と対向電極に
用いる為の導電膜を形成する。
この表示素子を透過型として使用する場合は、基板及び
導電膜は共に透明でなければならないが、反射型として
使用する場合は、背面側の基板は必ずしも透明である必
要はなく、また導電膜も背面側は透明である必要はない
。
前面側の基板上に透明な表示電極を設けた場合は電解液
中に顔料を懸濁させれば見やすくなる。
前面側の基板上に対向電極を設ける場合は、表示部分が
見えるように窓をあければ不透明な電極であってもよい
。
上記基板としては、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂
、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル等の合成樹脂又はガラ
ス等が用いられる。
電極としてはＩｎ２Ｏ３ｙ ５ｎ０２等の透明導電膜、
Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ等の貴金属が用いられる。
参照電極は必要に応じて設けるのであるが、対向電極と
同一基板上に設けるとよい。
この場合は基板全面に導電膜を蒸着等の方法で設け、エ
ツチング等の方法で対向電極と参照電極に分割するか、
あるいはマスク蒸着によって対向電極と参照電極とを同
時に形成すればよい。
次にもう一方の基板に導電膜を設ける。
この段階では導電膜を所望のパターンに分割しておく必
要はない。
さらに前記導電膜上に遷移金属酸化物層を塗布、焼結、
蒸着、スパック−１ＣＶＤ等の方法により設ける。
つづいてエツチングによりパターンを分割するためのマ
スク部材を周知のフォトエツチング法あるいは印刷法等
により形成し、遷移金属酸化物層および導電膜を引き続
いてエツチングする。
前記エツチングに用いるエツチング液は遷移金属酸化物
層に対する物と、導電膜に対する物とは同一である必要
はないが、前記マスク部材は両者に耐える必要がある。
前記マスク部材にポジタイプレジスト（キノンジアジド
系レジスト、例えば５ＨＩＰＬＥＹ社製ＡＺ−１１−１
、ＡＺ −１１９Ａ又は東京応化製０ＦＰＲ１いずれも
商品名）を用いると、前記レジストに対する現像液（前
記のレジストに対して夫々専用現像液が市販されている
）は塩基性であり、遷移金属高酸化数酸化物は酸性であ
るので、前記レジストを塗布、乾燥、露光後、現像する
際に、レジストの現像と同時に遷移金属酸化物のエツチ
ングも行なえることになる。
さらにポストベークを行なった後に、導電膜のエツチン
グを行なえば、遷移金属酸化物層と導電膜の端面が揃っ
た状態のパターンが得られる。
レジストを剥離後、引き出し部を絶縁層で覆い、この基
板と前記対向電極および必要に応じて参照電極を設けた
基板とをスペーサを介して貼り合せ間隙に電解液を注入
、封止すればエレクトロクロミック表示素子は完成する
。
ここで前述のように導電膜の端面が電解液に触れ、電池
を形成することによってメモリー効果を損なう事になる
が、導電膜が電解液に触れるのはたかだか幅１μｍの端
面だけであるので、前述の効果は実際上無視できる。
かくして、本発明によれば、透明電極と遷移金属酸化物
層の端部が正確に合致した積層体を容易に得ることがで
き、エレクトロクロミック反応の着脱色が容易でかつ精
細度の高い電極形状と同時に効率良く表示パターンを形
成することができる。
更に本発明は透明導電膜上にエレクトロクロミック物質
を積層し、エレクトロクロミック物質上にマスク材とし
て堆積したレジストを表示パターンに即して露光現像す
る過程で同時にエレクトロクロミック物質もパターン加
工し、ポストベーキング後にレジストをマスクとして、
パターン加工されたエレクトロクロミック物質の下層の
透明導電膜をエツチング加工するため高精度なパターン
の位置合せを必要とすることなく量産性を得ることが可
能である。
実施例 １ 一組のガラス基板１，８のそれぞれ片面の全面にＩｎ２
０３２．７を蒸着した。
対向電極及び参照電極に用いる方の基板は周知のフォト
エツチング法または、レジストインキ印刷後エツチング
する事によって対向電極と参照電極を分離して形成した
。
この際、あとで前記２枚の基板を貼合せた時に対向電極
が表示電極と向い合うようにすれは電解液の抵抗による
電圧降下の影響を小さくできる。
表示電極用基板には端子部に半田付出来るようにＦｅ−
Ｃｒ９を蒸着した。
前記Ｆｅ−Ｃｒ層９は後述のように、■ｎ２０３と同時
にエツチングできるので端子一つ一つを分離してマスク
蒸着する必要はなく、前記基板１の一辺もしくは複数連
に帯状に設けてもよい。
次に前記基板に端子部を除いてＷＯ３膜３を蒸着した。
次に図示しないポジクイプレシスト（Ｓｈｉｐｌｅｙ社
製ＡＺ−１１９Ａ）をスピンナーもしくはロールコータ
−等によって塗布し、乾燥後所望のパターンに露光し、
５ｈｉｐｌｅｙ社製ＡＺ−３０３Ａにより現像した。
この際、現像時間を通常よりも長くする事によってＷＯ
２のエツチングも同時に完了することが出来た。
ついでボストベークの後Ｆ ｅ Ｃ１３−ＨＣｌ混合液
でＦｅ−Ｃｒ及び■ｎ２０３をエツチングする。
さらに、表示に不要な引出し部分を電解液から絶縁する
ために、ネガタイプレジスト（ＫｏｄａＫ社製ＫＭＥＲ
）４を塗布し、表示に必要な部分及び端子部をマスクし
て露光、現像し、表示に必要な部分のみが電解液に触れ
るようにした。
これら２枚の基板をマイラー製のスペーサー５を介して
貼り合せ、間隙に電解液（アセトニトリルにＬ ｓ Ｃ
ｌｊ ０４１、０ Ｍを溶解した物）５を注入、封止し
て第４図に示すエレン１ヘロクロミツク表示素子を完成
した実施例 ２ 実施例１において電解液をプロピオニドＩＪルにＬｉＣ
ｌＯ４を１．０Ｍ溶解した物に替えて実施した。
実施例 ３ 実施例１において電解液をプロピレンカーボネートにＬ
ｉ ＣｌＯ４を１．０Ｍ溶解した物にかえて実施した
。
実施例 ４ 実施例１，２．３においてＷＯ２をＴｉＯ２にかえて実
施した。
実施例 ５ 実施例１，２．３においてＷＯ２をＭ２Ｏ３にかえて実
施した。
実施例 ６ 実施例１．２、３、４．、５において絶縁膜としてネガ
タイプレジスト（ＫＭＥ’Ｒ，）のかわりにＳｉＯをマ
スク蒸着して実施した。
実施例 ７ 実施例６においてＳｉＯをＳｉＯ２にかえて実施した。
実施例 ８ 実施例６においてＳｉＯをＡｌ２Ｏ３にかえて実施した
。
実施例 ９ 実施例６においてＳｉＯをＭｇＦ２にかえて実施した。
【図面の簡単な説明】
第１図はエレクトロクロミック表示素子の一例の平面図
、第２図及び第３図は本発明と比較される方法を説明す
るための断面図、第４図は本発明の一実施例の断面図で
あり、第２図乃至第４図の断面個所は第１図のＡ −Ａ
線部にあたる。 １・・・・・・基板、２・・・・・・電極、３・・・・
・・遷移金属酸化物層、４・・・・・・絶縁物、５・・
・・・・スペーサー、６・・・・・・電解液、７・・・
・・・対向電極、８・・・・・・基板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 内面に透明電極がパターン形成された透明基板と対
    向配置された対向基板間にエレクトロクロミック物質と
    電解液を封入して成るエレクトロクロミック表示素子の
    製造方法に於いて、前記透明基板に透明導電膜を被着後
    、該透明導電膜上にエレクトロクロミック物質を堆積す
    る工程と、該エレクトロクロミック物質上にレジストを
    塗布した後表示パターンに即して露光現象すると同時に
    前記エレクトロクロミック物質を前記表示パターンにエ
    ツチング加工する工程と、ポストベーキング後に前記レ
    ジストをマスクとして前記透明導電膜をエツチング加工
    して前記透明電極を形成する工程と、を具備して成り、
    前記エレクトロクロミック物質と前記透明電極の端部形
    状を合致させて積層形成することを特徴とするエレクト
    ロクロミック表示素子の製造方法。
JP50118104A 1975-09-29 1975-09-29 エレクトロクロミツクヒヨウジソシノ セイゾウホウホウ Expired JPS5810753B2 (ja)

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JPS5242093A JPS5242093A (en) 1977-04-01
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