JPS58105548A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58105548A JPS58105548A JP20498781A JP20498781A JPS58105548A JP S58105548 A JPS58105548 A JP S58105548A JP 20498781 A JP20498781 A JP 20498781A JP 20498781 A JP20498781 A JP 20498781A JP S58105548 A JPS58105548 A JP S58105548A
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- semiconductor
- pellet
- lead
- pellets
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラス篭−ル）’ｆｉダイオード等の半導体ｍ
ｅの製造方法に関するものである。
ｅの製造方法に関するものである。
一般に、高耐圧ガラスモールド型ダイオード１１１は、
４７図に示す如く、リード線（１１とヒートシン？ｉｌ
ｌとをパーカッシｉｉｙ溶接等によむ固着一体化してな
ゐ一対のスラクリーＶ（４）と、一対のスラグリード１
４Ｈ４）のヒートシン夕１１１’ｎ１間に挿入された半
導体ペレツ） ＦＩＩ及び、上記ヒートシンク１８３１
８１と半導体ベレットＩＩＩを毫−ルドするガラス（６
）とによって構成されている・そして上記ガラスモール
ド型ダイオード１１１の製造は、先ずその両面に予めム
ｌ蒸着膜（７１け）を形成した半導体ベレット！ｓ１を
製作し、当該半導体ベレット（６１を一対のスラタリー
Ｖ ＋４１１４１のヒートシンクｎｌ １１１間に介在
させた伏惑で加熱し、ムｌ蒸着膜＋７１ ＋７１をロー
材として、ヒートシンク１１１１１１と半導体ベレット
（ｚｌとを結合さす０次にヒートシンクＩｌｌ １３１
と半導体ベレツ） （Ｉｌの外周にガラス懸濁液を付着
させ九後、加熱し、と−トシンタｉｍｌ ｉｌｌ及び半
導体ベレット（暴１の外局をガラス峰−ルドしてガラス
モールド型ダイオード＋１）を得ている・ところで、上
記したガラスモールド型ダイオード＋１） Ｋ使用する
半導体ベレット（ｉ）は、従来下記に示すような方法に
て製造されている。先ず第１図に示すように、１層（８
ａ）、１層（８ｂ）、を層（８０）を形成した半導体ウ
ニ八−（８１の表裏両面にムｌ蒸着膜（７１（７）を付
着させる０次にこの半導体ウェハー（組を５４７のワッ
クス（Ｉｌｌを介して支持合一上に固定し、更に半導体
ウェハー（８）の上面に第コのワックス（１１）を介し
て多数の金属用板製のマスタ（１！ｌを所定間隔で固定
する０次に−ｗスクＯ３の上方からサンドブラスト装置
等を用いて半導体ウェハ−１８Ｈｃ＃ｉａ粒子等の砥粒
を吹き付け、＄１Ｆｊ！ＪＫ示す如く、半導体ウェハー
（畠）を円錐台形状をした所定個数の半導体ベレッ）
：Ｉｌに分割する。尚、半導体ベレッ） １１を円錐台
形状にするのは、半導体ベレットｔｓ）の耐電圧を向上
さすためである０次に半導体ベレット（暴１の傾斜端面
の砥粒にて傷つけられたダメージ層をエツチングにて除
去する。後ｒｔ第コのワックス（ｚｌ）のみを溶解除去
して半導体ペレッ） ’ｌｌ上に載蓋したｉスタＯ！１
を取除いた後、ＪＩ／のワックス（９）を溶ｐｓ除去し
て半導体ベレッ） ：ｌｉｌを支持台−から取外し、４
ダ図に示すような両面にムｌ蒸着膜（ｙｌ ｆｆｌを有
する半導体ベレット１−１を得ている。
４７図に示す如く、リード線（１１とヒートシン？ｉｌ
ｌとをパーカッシｉｉｙ溶接等によむ固着一体化してな
ゐ一対のスラクリーＶ（４）と、一対のスラグリード１
４Ｈ４）のヒートシン夕１１１’ｎ１間に挿入された半
導体ペレツ） ＦＩＩ及び、上記ヒートシンク１８３１
８１と半導体ベレットＩＩＩを毫−ルドするガラス（６
）とによって構成されている・そして上記ガラスモール
ド型ダイオード１１１の製造は、先ずその両面に予めム
ｌ蒸着膜（７１け）を形成した半導体ベレット！ｓ１を
製作し、当該半導体ベレット（６１を一対のスラタリー
Ｖ ＋４１１４１のヒートシンクｎｌ １１１間に介在
させた伏惑で加熱し、ムｌ蒸着膜＋７１ ＋７１をロー
材として、ヒートシンク１１１１１１と半導体ベレット
（ｚｌとを結合さす０次にヒートシンクＩｌｌ １３１
と半導体ベレツ） （Ｉｌの外周にガラス懸濁液を付着
させ九後、加熱し、と−トシンタｉｍｌ ｉｌｌ及び半
導体ベレット（暴１の外局をガラス峰−ルドしてガラス
モールド型ダイオード＋１）を得ている・ところで、上
記したガラスモールド型ダイオード＋１） Ｋ使用する
半導体ベレット（ｉ）は、従来下記に示すような方法に
て製造されている。先ず第１図に示すように、１層（８
ａ）、１層（８ｂ）、を層（８０）を形成した半導体ウ
ニ八−（８１の表裏両面にムｌ蒸着膜（７１（７）を付
着させる０次にこの半導体ウェハー（組を５４７のワッ
クス（Ｉｌｌを介して支持合一上に固定し、更に半導体
ウェハー（８）の上面に第コのワックス（１１）を介し
て多数の金属用板製のマスタ（１！ｌを所定間隔で固定
する０次に−ｗスクＯ３の上方からサンドブラスト装置
等を用いて半導体ウェハ−１８Ｈｃ＃ｉａ粒子等の砥粒
を吹き付け、＄１Ｆｊ！ＪＫ示す如く、半導体ウェハー
（畠）を円錐台形状をした所定個数の半導体ベレッ）
：Ｉｌに分割する。尚、半導体ベレッ） １１を円錐台
形状にするのは、半導体ベレットｔｓ）の耐電圧を向上
さすためである０次に半導体ベレット（暴１の傾斜端面
の砥粒にて傷つけられたダメージ層をエツチングにて除
去する。後ｒｔ第コのワックス（ｚｌ）のみを溶解除去
して半導体ペレッ） ’ｌｌ上に載蓋したｉスタＯ！１
を取除いた後、ＪＩ／のワックス（９）を溶ｐｓ除去し
て半導体ベレッ） ：ｌｉｌを支持台−から取外し、４
ダ図に示すような両面にムｌ蒸着膜（ｙｌ ｆｆｌを有
する半導体ベレット１−１を得ている。
ところが、上記した方法にてガラスモールド。
鳳ダイオード１１） Ｋ使用する半導体ベレットｆＩＩ
を製造すると、半導体ウェハーＣ暮）をサンドブラスト
装置にで所定個数の半導体ベレツ） ！１）に分割すゐ
時、半導体ウェハー（＠１０両面に蒸着させたムＩ蒸着
膜（７１（ｆｌが軟いので、砥粒に対して緩衝材の働き
をし、半導体ウェハー（組の分割に時間がかかるといっ
た問題があった。又、ムｌ蒸着膜（１１（７）は半導体
ウェハー（８）の両面に同時に形成することができず、
片面ずつ形成しなければならないため、ムｌ蒸着膜ＴＱ
＋’Ｆｌの形成にも時間がかかるといった問題もあっ
た・更に、半導体ウェハーｔｓ＋の両面にムｌ蒸着膜（
７）（７）を形成しておくと、サンドブラスト装置にて
所定個数に分割された半導体ベレットｉｌ１表面のダメ
ージ層をエツチングにて除去する時、半導体ベレット：
６）とムｌ蒸着膜ｉｌｌ １７）とは別々にエツチング
するため、この工程でも作業工数が増え、作業に時間が
かかるといった問題があった・ 本発明は上記従来の問題点に鎌み、ムｌ蒸着膜を形成し
ていな一半導体つエバーを所定個数の半導体ベレットに
分割し、轟該半導体ペレットを一対のスラグリード間に
４人する時、スラグリードのヒートシンクと半導体ベレ
ットとの間にムＩ板を介在させるようにした半導体装置
の製造方法を提供するものであり、以下本発明の詳細を
図面Ｋｍす実施例に従って説明すると次の通りである。
を製造すると、半導体ウェハーＣ暮）をサンドブラスト
装置にで所定個数の半導体ベレツ） ！１）に分割すゐ
時、半導体ウェハー（＠１０両面に蒸着させたムＩ蒸着
膜（７１（ｆｌが軟いので、砥粒に対して緩衝材の働き
をし、半導体ウェハー（組の分割に時間がかかるといっ
た問題があった。又、ムｌ蒸着膜（１１（７）は半導体
ウェハー（８）の両面に同時に形成することができず、
片面ずつ形成しなければならないため、ムｌ蒸着膜ＴＱ
＋’Ｆｌの形成にも時間がかかるといった問題もあっ
た・更に、半導体ウェハーｔｓ＋の両面にムｌ蒸着膜（
７）（７）を形成しておくと、サンドブラスト装置にて
所定個数に分割された半導体ベレットｉｌ１表面のダメ
ージ層をエツチングにて除去する時、半導体ベレット：
６）とムｌ蒸着膜ｉｌｌ １７）とは別々にエツチング
するため、この工程でも作業工数が増え、作業に時間が
かかるといった問題があった・ 本発明は上記従来の問題点に鎌み、ムｌ蒸着膜を形成し
ていな一半導体つエバーを所定個数の半導体ベレットに
分割し、轟該半導体ペレットを一対のスラグリード間に
４人する時、スラグリードのヒートシンクと半導体ベレ
ットとの間にムＩ板を介在させるようにした半導体装置
の製造方法を提供するものであり、以下本発明の詳細を
図面Ｋｍす実施例に従って説明すると次の通りである。
先ず、本発明に用いる半導体ベレットの製造方法を５５
図乃至第２図に従って説明する。即ち、本発明に用いる
半導体ベレットを得るＫＦｉ、１ｌｉＪ図に示す如く、
２層（Ｂｏａ） 、ｒ層（ｓｏｂ）、を層（ｇｏ＠）を
−鴫した半導体ウェハー翰を第、。
図乃至第２図に従って説明する。即ち、本発明に用いる
半導体ベレットを得るＫＦｉ、１ｌｉＪ図に示す如く、
２層（Ｂｏａ） 、ｒ層（ｓｏｂ）、を層（ｇｏ＠）を
−鴫した半導体ウェハー翰を第、。
／のワックスｒ２１＋を介して石英板等の支持台、＠上
に固定した後、半導体ウェハー翰の上面に第コのワック
ス−を介して金属用板製のマスク！２４１ｔ−Ｍ定する
・次に従来と同様、サンドブラスト装ｆｌｌＫより、マ
スク嬶１の上方から半導体ウニへ−四Ｋｇｉｏ粒子等の
砥粒を吹き付け、ｊＩぶ図に示すように、半導体ウェハ
ー翰を円錐台形状をした調定個数の半導体ベレット（至
）に分割し、各分割した半導体ベレット−のダメージ層
をエツチングにて除去する０次に第コのワックスーヲ除
去して半導体ベレット（２）上に位置するマスタ（財）
を取除い九後、第１のワッタス鰭門除去し丁半導体ベレ
ット−を支持台−から取外し、第２図に示すよ、うな、
両面にムｌ蒸着膜？なｈ半導体ベレット（至）を得る。
に固定した後、半導体ウェハー翰の上面に第コのワック
ス−を介して金属用板製のマスク！２４１ｔ−Ｍ定する
・次に従来と同様、サンドブラスト装ｆｌｌＫより、マ
スク嬶１の上方から半導体ウニへ−四Ｋｇｉｏ粒子等の
砥粒を吹き付け、ｊＩぶ図に示すように、半導体ウェハ
ー翰を円錐台形状をした調定個数の半導体ベレット（至
）に分割し、各分割した半導体ベレット−のダメージ層
をエツチングにて除去する０次に第コのワックスーヲ除
去して半導体ベレット（２）上に位置するマスタ（財）
を取除い九後、第１のワッタス鰭門除去し丁半導体ベレ
ット−を支持台−から取外し、第２図に示すよ、うな、
両面にムｌ蒸着膜？なｈ半導体ベレット（至）を得る。
このよう−して！られた半導体”！ Ｌ／ ”７ ）（
至）を用いてガラスモールド盟ダイオードを形成するに
は、ｊｌ／因に示すよ、うな、スラグリード１と嵌合す
る。多数の孔（至）翰・・・を有するグラファイト、等
Ｏ治具鰭を用意する。そして、治具−の各孔（至）内に
、ｊｌＨＦ図に示すように先ずリード線（１８ａ）とヒ
ートシンク（２９す、からなる第１０スラダリード（３
０ａ）を挿入する・次忙、第７０図に示す如く、第１の
スラグリー）’ （ＰＯａ）のヒートジノ／ （８９ａ
）上に、別工橿で形成した円ｉｌＩ状ノ第１ツムｌ板、
（３１ａ）を載蓋し、この第７のムｌｉＭ（懸亀）上に
、−第１／図に示すように半導体ベレット−を載置する
０次に第１コ図に示す如く半導体ベレット（２）上に円
板状をしたｇＩｉコのムｇｉｇ（３１））を載置し、最
後に第一のムｌ板（３１ｍ））上に１ リード線（ｇｓ
ｂ）とヒートシンク（ａｅｂ）とからなる第一のスラグ
リード（３０１））を載ｔｔする（第１Ｊ図の伏ｓ）、
この状態で治具ｅ？７）Ｋ通電加熱してムｌ板（３１ａ
）（３１ｂ）ヲａ −材トＬ ？ ｉＩ ／、第一のヒ
ーシンク（２Ｑ＆）（２９ｂ）と半導体ベレット−とを
結合させる。後は半導体ベレット（至）を挾んで結合し
た°第／及び第２のスラグリード（８０ｍ）（３０１）
）を治具−から取出し、第１及び５４．２のヒートシン
ク（２９ｍ）（！９ｂ）と半導体ベレット（至）との周
囲を従来と同様の方法にてガラスモールドシ、４／４Ｉ
図に示すようなガラスモールド型ダイオード（至）を得
る。
至）を用いてガラスモールド盟ダイオードを形成するに
は、ｊｌ／因に示すよ、うな、スラグリード１と嵌合す
る。多数の孔（至）翰・・・を有するグラファイト、等
Ｏ治具鰭を用意する。そして、治具−の各孔（至）内に
、ｊｌＨＦ図に示すように先ずリード線（１８ａ）とヒ
ートシンク（２９す、からなる第１０スラダリード（３
０ａ）を挿入する・次忙、第７０図に示す如く、第１の
スラグリー）’ （ＰＯａ）のヒートジノ／ （８９ａ
）上に、別工橿で形成した円ｉｌＩ状ノ第１ツムｌ板、
（３１ａ）を載蓋し、この第７のムｌｉＭ（懸亀）上に
、−第１／図に示すように半導体ベレット−を載置する
０次に第１コ図に示す如く半導体ベレット（２）上に円
板状をしたｇＩｉコのムｇｉｇ（３１））を載置し、最
後に第一のムｌ板（３１ｍ））上に１ リード線（ｇｓ
ｂ）とヒートシンク（ａｅｂ）とからなる第一のスラグ
リード（３０１））を載ｔｔする（第１Ｊ図の伏ｓ）、
この状態で治具ｅ？７）Ｋ通電加熱してムｌ板（３１ａ
）（３１ｂ）ヲａ −材トＬ ？ ｉＩ ／、第一のヒ
ーシンク（２Ｑ＆）（２９ｂ）と半導体ベレット−とを
結合させる。後は半導体ベレット（至）を挾んで結合し
た°第／及び第２のスラグリード（８０ｍ）（３０１）
）を治具−から取出し、第１及び５４．２のヒートシン
ク（２９ｍ）（！９ｂ）と半導体ベレット（至）との周
囲を従来と同様の方法にてガラスモールドシ、４／４Ｉ
図に示すようなガラスモールド型ダイオード（至）を得
る。
ガラスモールド型ダイオード關を上記した方法にて製造
すれば、半導体ベレット（２）の両面にムＩ蒸着膜を形
成する必要がなくなるため、半導体ウェハー−製造時の
作業工、数が減少する゛と同時に、半導体クエへ−一の
サンドブラスト装置による分割時、ムｌ蒸着膜が緩衝材
の動きをすることもなくなるため、半導体ウェハー−の
分割作業が短時間で行なえるようになゐ・更に、半導体
ウェハー−の半導体ベレット−への分割後、ムｌ蒸着膜
がないため半導体ベレット（至）周囲のダメージ層の除
去の一回のエツチング王権でよくなり、結果として半導
体ベレットｊの製造工程を大＠に減少さすことができ、
当該半導体ベレット−を使用したガラスモールド型ダイ
オード關の製造が容易に行なえるようＫなる。尚、本発
明の製造方法では別工徨で製造し九ムｌ板（３１ａ）（
３１１））を半導体ベレット輸の両面に載置する工程が
増えるととＫなるが、ムｌ板（３１ｍ）（３］１）の治
具−の孔翰内への挿入は、多数の透孔な有する組立治具
を用いて一括して行な見るので非常に容易なため、時間
的ロスが生じることはない、又、上記説明は％ｔ／）プ
ラスト！！Ｉ蓋を用いて分割した半導体ベレット−を使
用した例について説明したが、本発明は半導体ウェハ−
をダイす一カット法を用いて分割して得た半導体べシッ
ト輛を使用するとともできる・以上説明し九ように、本
発明はリード線とヒートシンクからなる一対のスラグリ
ード間ｋ。
すれば、半導体ベレット（２）の両面にムＩ蒸着膜を形
成する必要がなくなるため、半導体ウェハー−製造時の
作業工、数が減少する゛と同時に、半導体クエへ−一の
サンドブラスト装置による分割時、ムｌ蒸着膜が緩衝材
の動きをすることもなくなるため、半導体ウェハー−の
分割作業が短時間で行なえるようになゐ・更に、半導体
ウェハー−の半導体ベレット−への分割後、ムｌ蒸着膜
がないため半導体ベレット（至）周囲のダメージ層の除
去の一回のエツチング王権でよくなり、結果として半導
体ベレットｊの製造工程を大＠に減少さすことができ、
当該半導体ベレット−を使用したガラスモールド型ダイ
オード關の製造が容易に行なえるようＫなる。尚、本発
明の製造方法では別工徨で製造し九ムｌ板（３１ａ）（
３１１））を半導体ベレット輸の両面に載置する工程が
増えるととＫなるが、ムｌ板（３１ｍ）（３］１）の治
具−の孔翰内への挿入は、多数の透孔な有する組立治具
を用いて一括して行な見るので非常に容易なため、時間
的ロスが生じることはない、又、上記説明は％ｔ／）プ
ラスト！！Ｉ蓋を用いて分割した半導体ベレット−を使
用した例について説明したが、本発明は半導体ウェハ−
をダイす一カット法を用いて分割して得た半導体べシッ
ト輛を使用するとともできる・以上説明し九ように、本
発明はリード線とヒートシンクからなる一対のスラグリ
ード間ｋ。
一対のムｌ板を介して半導体ベレットを介在させた伏線
で加熱し、ムｌ板をロー材として一対のスラグリードと
半導体ベレットとを結合させた後、半導体ベレットと一
対のスラグリードのヒートシンクとをガラスモールドす
るようにしたから、ガラスモールド型ダイオードの製造
工程、製造時間を短縮できる。
で加熱し、ムｌ板をロー材として一対のスラグリードと
半導体ベレットとを結合させた後、半導体ベレットと一
対のスラグリードのヒートシンクとをガラスモールドす
るようにしたから、ガラスモールド型ダイオードの製造
工程、製造時間を短縮できる。
第１図は従来のガラスモールド源ダイオードの断面図、
第２図乃至ｇｙ図は従来のガラスモールド型ダイオード
に使用する半導体ベレットの製造工程を示す図面、第５
図乃至第２図は、本発明に使用する半導体ベレットの製
造工程を示す図面、第１図は本発明方法に用る治具を示
す斜視図、第２図乃至第１Ｊ図は本発明に係る製造方法
を説明するための図面、第１ダ図は本発明に係るガラス
モール）″をダイオードの断面図である。 閲・・半導体ウェハー、□□□・・半導体ベレット、翰
拳・孔、ｅｉ’７１−−治具、（２１１ｍ）（ｊｉ！８
１１）＊ ＠リード線、（ａｅａ）（ｇｓｂ）・・ヒー
トシンク、（３０ａ）（＄０ｂ）ｓ ＠ スラグリード
、（３１ｍ）（３１））＊ ｅムｌ板、鴎・・ガラスモ
ールド型ダイオード。 １Ｐ９図 イＹ 艙１１− ２り ｒｌｏ図 ！ ３ノ
第２図乃至ｇｙ図は従来のガラスモールド型ダイオード
に使用する半導体ベレットの製造工程を示す図面、第５
図乃至第２図は、本発明に使用する半導体ベレットの製
造工程を示す図面、第１図は本発明方法に用る治具を示
す斜視図、第２図乃至第１Ｊ図は本発明に係る製造方法
を説明するための図面、第１ダ図は本発明に係るガラス
モール）″をダイオードの断面図である。 閲・・半導体ウェハー、□□□・・半導体ベレット、翰
拳・孔、ｅｉ’７１−−治具、（２１１ｍ）（ｊｉ！８
１１）＊ ＠リード線、（ａｅａ）（ｇｓｂ）・・ヒー
トシンク、（３０ａ）（＄０ｂ）ｓ ＠ スラグリード
、（３１ｍ）（３１））＊ ｅムｌ板、鴎・・ガラスモ
ールド型ダイオード。 １Ｐ９図 イＹ 艙１１− ２り ｒｌｏ図 ！ ３ノ
Claims (1)
- （１） リード線とヒートシンクとからなる一対のスラ
グリード間に、一対のムＩ板を介して半導体ベレットを
介在させた状態で加熱し、ムｌ板をロー材として一対の
スラグリードと半導体ベレットとを結合した後、半導体
ベレットと一対のスラグリードのヒートシンクとをガラ
ス峰−ルドするようにしなことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20498781A JPS58105548A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20498781A JPS58105548A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58105548A true JPS58105548A (ja) | 1983-06-23 |
Family
ID=16499593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20498781A Pending JPS58105548A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58105548A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102259247A (zh) * | 2011-06-14 | 2011-11-30 | 许行彪 | 电子元件一孔焊接模及焊接工艺 |
-
1981
- 1981-12-17 JP JP20498781A patent/JPS58105548A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102259247A (zh) * | 2011-06-14 | 2011-11-30 | 许行彪 | 电子元件一孔焊接模及焊接工艺 |
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