JP3333888B2 - 高圧半導体整流素子の製造方法 - Google Patents
高圧半導体整流素子の製造方法Info
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- JP3333888B2 JP3333888B2 JP18427293A JP18427293A JP3333888B2 JP 3333888 B2 JP3333888 B2 JP 3333888B2 JP 18427293 A JP18427293 A JP 18427293A JP 18427293 A JP18427293 A JP 18427293A JP 3333888 B2 JP3333888 B2 JP 3333888B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、PN接合を形成した
半導体基板を積層したのち切断して柱状体を製作する高
圧半導体整流素子の製造方法に関する。
半導体基板を積層したのち切断して柱状体を製作する高
圧半導体整流素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図4に基づいて説明をする。図4(a)
は積層体1より柱状体を製作する状態を平面的に示す平
面図であり、良品限界線5の内側に有るものは良品柱状
体3であり、良品限界線5の外側に有るものは不良品柱
状体4である。図4(b)はA−A線断面図であり、積
層体1の構成を示してある。
は積層体1より柱状体を製作する状態を平面的に示す平
面図であり、良品限界線5の内側に有るものは良品柱状
体3であり、良品限界線5の外側に有るものは不良品柱
状体4である。図4(b)はA−A線断面図であり、積
層体1の構成を示してある。
【0003】映像機器の電源等に用いられる高圧半導体
整流素子(以下整流体と称す)は6〜24kVの高い逆
耐圧を必要とするが、1個のPN接合でそのような高耐
圧が得られないため、複数のPN接合を直列接続するこ
とが行われている。すなわち、PN接合を形成した半導
体基板1cをはんだ1d等により固着し積層体1を製作
し、その後平面前後切断線部分線6a、平面左右切断線
部分線6b及び上下切断線6cに沿って、ブレードソー
またはワイヤソー等で賽の目状に切断して柱状体の整流
体を製作する。この半導体基板1cは円形であるため、
そのような切断の際には、外周部から切り出された形状
不良の不良品柱状体4等の整流体が発生することが不可
避である。このような不良品柱状体4等をその後の工程
にまわさないように選別する必要がある。1枚の円形半
導体基板をダイシングした場合は、外周部から生ずる形
状不良チップは真空吸引で除去する方法がとられている
が、不良品柱状体4等の選別にはそのような方法を取る
ことができず、作業者が目視で選別している。
整流素子(以下整流体と称す)は6〜24kVの高い逆
耐圧を必要とするが、1個のPN接合でそのような高耐
圧が得られないため、複数のPN接合を直列接続するこ
とが行われている。すなわち、PN接合を形成した半導
体基板1cをはんだ1d等により固着し積層体1を製作
し、その後平面前後切断線部分線6a、平面左右切断線
部分線6b及び上下切断線6cに沿って、ブレードソー
またはワイヤソー等で賽の目状に切断して柱状体の整流
体を製作する。この半導体基板1cは円形であるため、
そのような切断の際には、外周部から切り出された形状
不良の不良品柱状体4等の整流体が発生することが不可
避である。このような不良品柱状体4等をその後の工程
にまわさないように選別する必要がある。1枚の円形半
導体基板をダイシングした場合は、外周部から生ずる形
状不良チップは真空吸引で除去する方法がとられている
が、不良品柱状体4等の選別にはそのような方法を取る
ことができず、作業者が目視で選別している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、多数の柱状体
から形状不良の不良品柱状体を目視で選別する作業は、
時間がかかり、人件費が増大する問題があり、パターン
認識による選別も簡単にはできない。この発明は前記の
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は形状不
良の不良品柱状体の整流体を目視によらないで簡単に選
別して行う高圧半導体整流素子の製造方法を提供するこ
とにある。
から形状不良の不良品柱状体を目視で選別する作業は、
時間がかかり、人件費が増大する問題があり、パターン
認識による選別も簡単にはできない。この発明は前記の
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は形状不
良の不良品柱状体の整流体を目視によらないで簡単に選
別して行う高圧半導体整流素子の製造方法を提供するこ
とにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の高圧半導体整流素子の製造方法は、P
N接合を形成した半導体基板の複数枚を一体に積層し、
その積層体の上下面いずれか一方の内周部を強磁性材料
によって被覆したのち、積層方向に平行で互いに垂直な
面で切断して柱状体に分割し、次いでその柱状体から強
磁性材料の付着した柱状体を良品として磁力を用いて選
別する工程を含むものとする。そして積層体の強磁性材
料による被覆を強磁性材料の箔の被着により行うこと、
あるいは強磁性材料粉末を含む液状樹脂の塗布および硬
化により行うことが有効である。
めに、この発明の高圧半導体整流素子の製造方法は、P
N接合を形成した半導体基板の複数枚を一体に積層し、
その積層体の上下面いずれか一方の内周部を強磁性材料
によって被覆したのち、積層方向に平行で互いに垂直な
面で切断して柱状体に分割し、次いでその柱状体から強
磁性材料の付着した柱状体を良品として磁力を用いて選
別する工程を含むものとする。そして積層体の強磁性材
料による被覆を強磁性材料の箔の被着により行うこと、
あるいは強磁性材料粉末を含む液状樹脂の塗布および硬
化により行うことが有効である。
【0006】
【作用】アルミニウムあるいははんだを用いて相互に結
合した半導体基板は強磁性を有しないため、積層体の上
下面いずれか一方の内周部を強磁性材料によって被覆し
たものは、磁力を用いて良品柱状体の選別が容易にでき
る。なお強磁性材料による被覆を強磁性材料の箔の被着
により行うこと、あるいは強磁性材料粉末を含む液状樹
脂の塗布および硬化により行っても、同様である。
合した半導体基板は強磁性を有しないため、積層体の上
下面いずれか一方の内周部を強磁性材料によって被覆し
たものは、磁力を用いて良品柱状体の選別が容易にでき
る。なお強磁性材料による被覆を強磁性材料の箔の被着
により行うこと、あるいは強磁性材料粉末を含む液状樹
脂の塗布および硬化により行っても、同様である。
【0007】
図1及び図4(従来例と共通箇所のみ参照)に基づいて
説明する。両面から不純物を拡散してp+ −n−n+ 構
造を形成した半導体基板(シリコンウエーハ)1cを図
4(b)に示すようにはんだ1dを用いて約7mmの高
さに積層したのち、その積層体1の外周側面7に、平均
粒径2〜3μmの鉄粉を容積比率で約50%含む強磁性
体材料2(鉄粉入りエポキシ樹脂)を約20μmの厚さ
に塗布し、硬化させた。次いで従来例と同様に、ブレー
ドソーを用いて図1に示すように一辺が約0.6mmの
正方形の断面を有する柱状体に切断したのち、付着した
研磨粉、オイル等をジメチルホルムアミドを用いて洗浄
し、乾燥させた。そして、得られた柱状体に電磁石を接
触させると、外周から切り出された形状不良品柱状体4
等には強磁性体材料2(鉄粉入りエポキシ樹脂)が付着
しているため、磁石に吸着され除去することができた。
同様の効果は鉄粉入りエポキシ樹脂を塗布する代わり
に、鉄箔を接着材を用いて積層体外周に貼り付けたとき
にも得られた。また、半導体基板1cをアルミニウムを
用いて合金化し相互に接着し積層した場合にも、同様に
して選別することができた。 〔参考例2〕 図2及び図4(従来例と共通箇所のみ参照)に基づいて
説明する。参考例1で用いたものと同じ積層体1の積層
体上面1aの外周部8に、幅tが3mmのドーナツ状底
面を有する板厚0.05mmの鉄箔からなる強磁性体材
料2を図示しないエポキシ樹脂で図2(b)に示すよう
に接着固定した。幅tの寸法は柱状体の辺の大きさによ
り1〜3mmの範囲で決めることが望ましい。このもの
を参考例1と同様に切断後洗浄乾燥し、得られた柱状体
に電磁石を接触させると、参考例1と同じ効果が得られ
た。特に柱状体10のように、半導体基板1cの直径の
バラツキにより不良品柱状体4等になるかならないかの
限界位置にあるものは、不良品の場合不良品として正確
に選別され、選別精度が向上した。なお強磁性体材料2
に鉄粉入りエポキシ樹脂を用いても、同様な効果がある
ことも確認している。 〔実施例1〕 図3に基づいて説明する。この場合は参考例1又は参考
例2と異なり、良品柱状体3を磁力で選別する方法であ
る。図3に示すように良品限界線5の内周部9に相当す
る積層体上面1a部分に、図示しないピッチにより、板
厚0.05mmの鉄箔からなる円形の強磁性体材料2を
接着固定した。その後参考例1と同様に切断し良品柱状
体3を磁力で選別することができた。この場合は良否の
限界線上にある柱状体10が仮に不良品柱状体4等であ
って良品柱状体3と判定されても、次工程の整流体特性
試験で不良品と判定され、作業上の支障が無いことを確
認している。ただし、内周部9内の良品柱状体3には強
磁性体材料2が付着しているため、ヒドロフラン等の溶
剤でピッチを再度剥離、洗浄乾燥する工程を追加した。
なお強磁性体材料2に鉄粉入りエポキシ樹脂を用いて
も、同様な効果があることも確認している。
説明する。両面から不純物を拡散してp+ −n−n+ 構
造を形成した半導体基板(シリコンウエーハ)1cを図
4(b)に示すようにはんだ1dを用いて約7mmの高
さに積層したのち、その積層体1の外周側面7に、平均
粒径2〜3μmの鉄粉を容積比率で約50%含む強磁性
体材料2(鉄粉入りエポキシ樹脂)を約20μmの厚さ
に塗布し、硬化させた。次いで従来例と同様に、ブレー
ドソーを用いて図1に示すように一辺が約0.6mmの
正方形の断面を有する柱状体に切断したのち、付着した
研磨粉、オイル等をジメチルホルムアミドを用いて洗浄
し、乾燥させた。そして、得られた柱状体に電磁石を接
触させると、外周から切り出された形状不良品柱状体4
等には強磁性体材料2(鉄粉入りエポキシ樹脂)が付着
しているため、磁石に吸着され除去することができた。
同様の効果は鉄粉入りエポキシ樹脂を塗布する代わり
に、鉄箔を接着材を用いて積層体外周に貼り付けたとき
にも得られた。また、半導体基板1cをアルミニウムを
用いて合金化し相互に接着し積層した場合にも、同様に
して選別することができた。 〔参考例2〕 図2及び図4(従来例と共通箇所のみ参照)に基づいて
説明する。参考例1で用いたものと同じ積層体1の積層
体上面1aの外周部8に、幅tが3mmのドーナツ状底
面を有する板厚0.05mmの鉄箔からなる強磁性体材
料2を図示しないエポキシ樹脂で図2(b)に示すよう
に接着固定した。幅tの寸法は柱状体の辺の大きさによ
り1〜3mmの範囲で決めることが望ましい。このもの
を参考例1と同様に切断後洗浄乾燥し、得られた柱状体
に電磁石を接触させると、参考例1と同じ効果が得られ
た。特に柱状体10のように、半導体基板1cの直径の
バラツキにより不良品柱状体4等になるかならないかの
限界位置にあるものは、不良品の場合不良品として正確
に選別され、選別精度が向上した。なお強磁性体材料2
に鉄粉入りエポキシ樹脂を用いても、同様な効果がある
ことも確認している。 〔実施例1〕 図3に基づいて説明する。この場合は参考例1又は参考
例2と異なり、良品柱状体3を磁力で選別する方法であ
る。図3に示すように良品限界線5の内周部9に相当す
る積層体上面1a部分に、図示しないピッチにより、板
厚0.05mmの鉄箔からなる円形の強磁性体材料2を
接着固定した。その後参考例1と同様に切断し良品柱状
体3を磁力で選別することができた。この場合は良否の
限界線上にある柱状体10が仮に不良品柱状体4等であ
って良品柱状体3と判定されても、次工程の整流体特性
試験で不良品と判定され、作業上の支障が無いことを確
認している。ただし、内周部9内の良品柱状体3には強
磁性体材料2が付着しているため、ヒドロフラン等の溶
剤でピッチを再度剥離、洗浄乾燥する工程を追加した。
なお強磁性体材料2に鉄粉入りエポキシ樹脂を用いて
も、同様な効果があることも確認している。
【0008】
【発明の効果】この発明によれば、高圧半導体整流素子
の製造のための半導体基板を積層した積層体の内周部を
強磁性材料により被覆しておくことにより、その積層体
を切断して製作した柱状体のうち、良品柱状体に強磁性
材料が付着しているため、磁力によって簡単にかつ確実
に選別することができる。この結果、作業者の目視によ
る選別が不要となり、選別費用と選別手番が大幅に低減
することができたばかりでなく、整流体の選別精度が向
上した。
の製造のための半導体基板を積層した積層体の内周部を
強磁性材料により被覆しておくことにより、その積層体
を切断して製作した柱状体のうち、良品柱状体に強磁性
材料が付着しているため、磁力によって簡単にかつ確実
に選別することができる。この結果、作業者の目視によ
る選別が不要となり、選別費用と選別手番が大幅に低減
することができたばかりでなく、整流体の選別精度が向
上した。
【図1】この発明の参考例1を示す構成図であり、
(a)は平面図、(b)はA−A線断面図
(a)は平面図、(b)はA−A線断面図
【図2】この発明の参考例2を示す構成図であり、
(a)は平面図、(b)はA−A線断面図
(a)は平面図、(b)はA−A線断面図
【図3】この発明の実施例1を示す構成図であり、
(a)は平面図、(b)はA−A線断面図
(a)は平面図、(b)はA−A線断面図
【図4】従来例を示す構成図であり、(a)は平面図、
(b)はA−A線断面図で積層構成を示す説明図
(b)はA−A線断面図で積層構成を示す説明図
1 積層体 1a 積層体上面 1b 積層体下面 1c 半導体基板 1d はんだ 2 強磁性材料 3 良品柱状体 4 不良品柱状体 5 良品限界線 6a 平面前後切断線部分線 6b 平面左右切断線部分線 6c 上下切断線 7 外周側面 8 外周部 9 内周部 10 柱状体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/329 H01L 21/301 H01L 21/66
Claims (3)
- 【請求項1】PN接合を形成した半導体基板の複数枚を
一体に積層し、その積層体の上下面いずれか一方の内周
部を強磁性材料によって被覆したのち、積層方向に平行
で互いに垂直な面で切断して柱状体に分割し、次いでそ
の柱状体から強磁性材料の付着した柱状体を良品として
磁力を用いて選別する工程を含むことを特徴とする高圧
半導体整流素子の製造方法。 - 【請求項2】請求項1記載のものにおいて、強磁性材料
による被覆を強磁性材料の箔の被着により行うことを特
徴とする高圧半導体整流素子の製造方法。 - 【請求項3】請求項1または請求項2記載のものにおい
て、強磁性材料による被覆を強磁性材料粉末を含む液状
樹脂の塗布及び硬化により行うことを特徴とする高圧半
導体整流素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18427293A JP3333888B2 (ja) | 1992-11-09 | 1993-07-27 | 高圧半導体整流素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4-297499 | 1992-11-09 | ||
JP29749992 | 1992-11-09 | ||
JP18427293A JP3333888B2 (ja) | 1992-11-09 | 1993-07-27 | 高圧半導体整流素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06196725A JPH06196725A (ja) | 1994-07-15 |
JP3333888B2 true JP3333888B2 (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=26502399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18427293A Expired - Fee Related JP3333888B2 (ja) | 1992-11-09 | 1993-07-27 | 高圧半導体整流素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3333888B2 (ja) |
-
1993
- 1993-07-27 JP JP18427293A patent/JP3333888B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06196725A (ja) | 1994-07-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |