JPS58102523A - 位置合わは用マ−カ - Google Patents
位置合わは用マ−カInfo
- Publication number
- JPS58102523A JPS58102523A JP56201823A JP20182381A JPS58102523A JP S58102523 A JPS58102523 A JP S58102523A JP 56201823 A JP56201823 A JP 56201823A JP 20182381 A JP20182381 A JP 20182381A JP S58102523 A JPS58102523 A JP S58102523A
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- JP
- Japan
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- marker
- silicon nitride
- nitride film
- electron beam
- patterned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、電子ビーム露光技術等で用いられる位置合わ
せ用マーカの改良Ｋｌｌする。
せ用マーカの改良Ｋｌｌする。
発明の技術的背景とその問題点
電子Ｃ−ム露光技術を用いて半導体つ、ハヤマスタ尋の
基板に微細ノ臂ターンを描画成いは転写する場合、基板
の位置合わせが必要となるが、この位置合わせ拉従来次
のようにして行われている。す壜わち、ＩＩＬ１図（ａ
）ｔｃ示す如くシリコンウェハ１の表両にエツチングで
形成しえ、例えば凸状の！−力２を電子ビーム３で走査
し、このときマーカ２から反射する反射電子を半導体検
出器４で検出してマーカ２の位置を求めるようにしてい
る。このとき、第１図（婦に示す如き反射電子信号の波
形は、後述するように入射電子３のシリコンク、ハ１内
での飛程とマーカ２の高さとに関係する。
基板に微細ノ臂ターンを描画成いは転写する場合、基板
の位置合わせが必要となるが、この位置合わせ拉従来次
のようにして行われている。す壜わち、ＩＩＬ１図（ａ
）ｔｃ示す如くシリコンウェハ１の表両にエツチングで
形成しえ、例えば凸状の！−力２を電子ビーム３で走査
し、このときマーカ２から反射する反射電子を半導体検
出器４で検出してマーカ２の位置を求めるようにしてい
る。このとき、第１図（婦に示す如き反射電子信号の波
形は、後述するように入射電子３のシリコンク、ハ１内
での飛程とマーカ２の高さとに関係する。
％／’ ｔ ｓ電子の飛程を８、實−力２の高さを４と
すると、馬２図に示す如くマーカ２０底部に位置する０
点と、マーカ２の上部で段差近傍に位置するＤ点でウェ
ハ１上およびマーカ２上にそれぞれ入射した電子ビーム
５．６は深さＲの位置から反射され表面に放出される。
すると、馬２図に示す如くマーカ２０底部に位置する０
点と、マーカ２の上部で段差近傍に位置するＤ点でウェ
ハ１上およびマーカ２上にそれぞれ入射した電子ビーム
５．６は深さＲの位置から反射され表面に放出される。
この場合、反射径路１を通る反射電子線反射位置から表
面に達するまでの距離が短かく、エネルギ損失が反射径
路８を通る電子に比して小さい、すなわち、位置Ｃで入
射した電子ビームの反射電子のエネルギーよりも位ｌｌ
Ｄで入射した電子ビームの反射電子のエネルギーの方が
大きくなる。この結果前記第１図（ｂ）に示した波形が
えられる。
面に達するまでの距離が短かく、エネルギ損失が反射径
路８を通る電子に比して小さい、すなわち、位置Ｃで入
射した電子ビームの反射電子のエネルギーよりも位ｌｌ
Ｄで入射した電子ビームの反射電子のエネルギーの方が
大きくなる。この結果前記第１図（ｂ）に示した波形が
えられる。
ところで、電子の飛程が深くなると、マーカの段差の影
響が少なくなシ位置ＣとＤでの反射電子のエネルイー差
が小さくなる。このため、信号波形が小さくなシ、マー
ク位置の検出精度が劣化する。また、電子ビーム露光で
は電子ビームの加速電圧を高電圧化する程、露光したノ
譬ターンの寸法精度が向上することが知られている。し
かしながら、電子ビームが高電圧化されると電子の飛程
が深くなシ、上述したマーり位置の検出精度が劣化する
と云う間燻点を招く。
響が少なくなシ位置ＣとＤでの反射電子のエネルイー差
が小さくなる。このため、信号波形が小さくなシ、マー
ク位置の検出精度が劣化する。また、電子ビーム露光で
は電子ビームの加速電圧を高電圧化する程、露光したノ
譬ターンの寸法精度が向上することが知られている。し
かしながら、電子ビームが高電圧化されると電子の飛程
が深くなシ、上述したマーり位置の検出精度が劣化する
と云う間燻点を招く。
発明の目的
本発明の目的は、高電圧化された電子ビームを用いても
位置検出精度の劣化を招くことなく、位置検出に用いる
のに好適な位置合わせマーカを提供することにある。
位置検出精度の劣化を招くことなく、位置検出に用いる
のに好適な位置合わせマーカを提供することにある。
発明の概要
本発明の骨子は固体の原子の質量が大きくなる種電子の
飛程が小さくなることを利用したものである。すなわち
、第３図（ａ）に示す如くつ。
飛程が小さくなることを利用したものである。すなわち
、第３図（ａ）に示す如くつ。
へ１１０表面に形成した凸状のマーカ本体１２の表面に
重金属含有膜１３を形成すると、マーカの高さは元の高
さに保りた１１で電子の進入深さが浅くなシ、反射電子
の波形の劣化が起らなくなる。このことは、マーカ本体
１２の形状が第３図（ｂ）に示す如き凸形状或いは同図
（ｅ） 、 （ｄ）に示す如き凹形状であっても、同様
に云えることである。なお、重金属含有膜１３はタンゲ
ス ゛□ラテンモリブデン、タンタル、金、白金な
どの金属でもよく、またそれらの重金属を含む合金中酸
化物等の化合物でもよい、ｔた、重金属含有膜１３が基
板１１と高温で反応する場合には、両物質と反応しない
物質層を両物質の間にもうければよい、さらに、重金属
含有膜が半導体製造工程の一部である熱処理、熱酸化、
薬品処理で反応する場合には、重金属含有層の表面を耐
熱性の高い又耐薬品性の、高い物質層で被覆すればよい
。或いは露光工程終了後、重金属含有膜を除去し、次の
露光工程の直前に再び重金属含有膜を形成するようにし
てもよい。
重金属含有膜１３を形成すると、マーカの高さは元の高
さに保りた１１で電子の進入深さが浅くなシ、反射電子
の波形の劣化が起らなくなる。このことは、マーカ本体
１２の形状が第３図（ｂ）に示す如き凸形状或いは同図
（ｅ） 、 （ｄ）に示す如き凹形状であっても、同様
に云えることである。なお、重金属含有膜１３はタンゲ
ス ゛□ラテンモリブデン、タンタル、金、白金な
どの金属でもよく、またそれらの重金属を含む合金中酸
化物等の化合物でもよい、ｔた、重金属含有膜１３が基
板１１と高温で反応する場合には、両物質と反応しない
物質層を両物質の間にもうければよい、さらに、重金属
含有膜が半導体製造工程の一部である熱処理、熱酸化、
薬品処理で反応する場合には、重金属含有層の表面を耐
熱性の高い又耐薬品性の、高い物質層で被覆すればよい
。或いは露光工程終了後、重金属含有膜を除去し、次の
露光工程の直前に再び重金属含有膜を形成するようにし
てもよい。
本発明はこのような点に着目し、基板上に形成された凸
状或いは凹状のマーカ本体を重金属含有膜で被覆するよ
うにしたものである。
状或いは凹状のマーカ本体を重金属含有膜で被覆するよ
うにしたものである。
発明の効果
本発明によれば、マーカに入射した電子の飛程を浅くす
ることができるので、高電圧化−された電子ビームを用
いても、その位置検出精度が劣化しない、このため、高
精度の位置合わせに極めて有効となる。ｔた、従来のマ
ーカに重金属含有膜を被着するのみの簡易な構造で実現
し得る等の利点がある。
ることができるので、高電圧化−された電子ビームを用
いても、その位置検出精度が劣化しない、このため、高
精度の位置合わせに極めて有効となる。ｔた、従来のマ
ーカに重金属含有膜を被着するのみの簡易な構造で実現
し得る等の利点がある。
発明の実施例
Ｗ＆４図は本発明の一実施例を示す断面図である。シリ
コンウェハ２１上に反応性イオンエツチング法を用いて
深さ１〔μｍ〕の凸部（マーカ本体）２２を形成する。
コンウェハ２１上に反応性イオンエツチング法を用いて
深さ１〔μｍ〕の凸部（マーカ本体）２２を形成する。
次に、気相成長法を用いて膜厚０．２〔μｍ〕のシリコ
ン窒化膜２３を形成し九のち、シリコン窒化膜２３を露
光技術と工。
ン窒化膜２３を形成し九のち、シリコン窒化膜２３を露
光技術と工。
チング技術を用いて／＃ターンニユンする０次に、スノ
臂ツタ蒸着法で膜厚０．２〔μｍ〕の白金２４を形成し
たのち、露光技術と工、チング技術を用いて白金Ｊｊｔ
−ノリーニングする０次に、気相成長、法を用いて膜厚
０．４〔μｍ〕のシリコン窒化膜２５ｔ−形成したのち
露光技術とエツチング技術を用いてシリコン窒化膜２５
をＡターニングする６以上のようにして形成した位置合
せ用マーカを用いて加速電圧５０ （Ｉｆｆ）の電子ビ
ームで！−り検出を行なったところ、従来のマーカにく
らべて非常に良好な信号波形を得ることができた。
臂ツタ蒸着法で膜厚０．２〔μｍ〕の白金２４を形成し
たのち、露光技術と工、チング技術を用いて白金Ｊｊｔ
−ノリーニングする０次に、気相成長、法を用いて膜厚
０．４〔μｍ〕のシリコン窒化膜２５ｔ−形成したのち
露光技術とエツチング技術を用いてシリコン窒化膜２５
をＡターニングする６以上のようにして形成した位置合
せ用マーカを用いて加速電圧５０ （Ｉｆｆ）の電子ビ
ームで！−り検出を行なったところ、従来のマーカにく
らべて非常に良好な信号波形を得ることができた。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で、檀々変形して実施す
ることができる。例えば、前記マーり本体は凸形状に限
らず凹形状でもよい、さらに、前記重金属含有膜は白金
膜に限らずタングステン、モリブデン、タンタル、金或
いはこれらを含む合金や酸化物の化合物でありてもよい
。
く、その要旨を逸脱しない範囲で、檀々変形して実施す
ることができる。例えば、前記マーり本体は凸形状に限
らず凹形状でもよい、さらに、前記重金属含有膜は白金
膜に限らずタングステン、モリブデン、タンタル、金或
いはこれらを含む合金や酸化物の化合物でありてもよい
。
第１図（ａ） 、 （ｂ） ａ電子ビーム露光における
位置合せ法を説明するための模式図、第２図は位置合せ
法の原理を説明するための模式図、第３図（ａ）〜（優
は本発明の詳細な説明する断面図、第４図は本発明の一
実施例を示す断面図である。 ２１・・・シリコンウェハ（基板）、２２・・・凸部（
マーカ本体）、ＸＳ−・・シリコン窒化膜、２４・・・
白金膜（重金属含有膜）、２６・−シリコン窒化膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦７− 第２図
位置合せ法を説明するための模式図、第２図は位置合せ
法の原理を説明するための模式図、第３図（ａ）〜（優
は本発明の詳細な説明する断面図、第４図は本発明の一
実施例を示す断面図である。 ２１・・・シリコンウェハ（基板）、２２・・・凸部（
マーカ本体）、ＸＳ−・・シリコン窒化膜、２４・・・
白金膜（重金属含有膜）、２６・−シリコン窒化膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦７− 第２図
Claims (3)
- （１） 電子ビームを照射されて位置合わせに供され
る位置合わせ用！−力において、基板上に形成された凸
状或いは凹状のマーカ本体と、このマーカ本体に被覆さ
れ大型金属含有膜とを真備してなること１＊徴とする位
置合わせ用ｆｆ −力。 - （２）前記重金属含有膜は、そｏ＊ｍを耐薬品性の大な
る保嚢膜で被覆されたものであることを特徴とする特許
請求の範ＩＨＩＬＩ項記載の位置合わせ用實−力。 - （３） 前記重金属含有膜は、鼓型金属含有膜および
前記マーク本体と反応しない被膜を介して前記前−り本
体に被着されたものであることを特徴とする特許請求の
範１１ｊｌＥ１項記載の位置会わせ用マーカ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201823A JPS58102523A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 位置合わは用マ−カ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201823A JPS58102523A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 位置合わは用マ−カ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102523A true JPS58102523A (ja) | 1983-06-18 |
Family
ID=16447485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56201823A Pending JPS58102523A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 位置合わは用マ−カ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102523A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074434A (ja) * | 1983-09-29 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62131515A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-13 | Matsushita Electronics Corp | 粒子ビ−ム露光用位置合せマ−ク |
| US4936930A (en) * | 1988-01-06 | 1990-06-26 | Siliconix Incorporated | Method for improved alignment for semiconductor devices with buried layers |
| JPH02241022A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 電子ビーム露光装置 |
| JPH07183360A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Nec Corp | 電子線露光装置の装置較正用基準マーク及び装置較正 方法 |
-
1981
- 1981-12-15 JP JP56201823A patent/JPS58102523A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074434A (ja) * | 1983-09-29 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0544175B2 (ja) * | 1983-09-29 | 1993-07-05 | Fujitsu Ltd | |
| JPS62131515A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-13 | Matsushita Electronics Corp | 粒子ビ−ム露光用位置合せマ−ク |
| US4936930A (en) * | 1988-01-06 | 1990-06-26 | Siliconix Incorporated | Method for improved alignment for semiconductor devices with buried layers |
| JPH02241022A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 電子ビーム露光装置 |
| JPH07183360A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Nec Corp | 電子線露光装置の装置較正用基準マーク及び装置較正 方法 |
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