JP2557566B2 - 露光用マスクの製造方法 - Google Patents
露光用マスクの製造方法Info
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- JP2557566B2 JP2557566B2 JP40313890A JP40313890A JP2557566B2 JP 2557566 B2 JP2557566 B2 JP 2557566B2 JP 40313890 A JP40313890 A JP 40313890A JP 40313890 A JP40313890 A JP 40313890A JP 2557566 B2 JP2557566 B2 JP 2557566B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacturing
- shielding film
- exposure mask
- pattern
- tungsten
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体装置の
製造時に使用するＸ線露光用マスク等の露光用マスクの
製造方法に関する。
製造時に使用するＸ線露光用マスク等の露光用マスクの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８ないし図１３は従来のＸ線露光用マ
スクの製造方法を示す説明するための断面図である。
スクの製造方法を示す説明するための断面図である。
【０００３】先ず図８に示すように、厚さ０．５〜２．
０ｍｍ程度のＳｉウエハ１の両面に減圧ＣＶＤ法等によ
ってＳｉＮ又はＢＮなどの膜２，３を厚さ２μｍ程度に
形成する。
０ｍｍ程度のＳｉウエハ１の両面に減圧ＣＶＤ法等によ
ってＳｉＮ又はＢＮなどの膜２，３を厚さ２μｍ程度に
形成する。
【０００４】次いで図９に示すように、下面の膜３の中
心部分をエッチングによって除去し、Ｘ線露光の露光エ
リア４を形成する。その後、ＫＯＨの水溶液を用いＳｉ
ウエハ１にエッチングを施す。この場合、図１０に示す
ように下面に残存する膜３がマスクとなってＳｉウエハ
１の中心部分が除去され環状フレーム５が整形される一
方、Ｓｉウエハ１の上面の膜２は除去されず残る。
心部分をエッチングによって除去し、Ｘ線露光の露光エ
リア４を形成する。その後、ＫＯＨの水溶液を用いＳｉ
ウエハ１にエッチングを施す。この場合、図１０に示す
ように下面に残存する膜３がマスクとなってＳｉウエハ
１の中心部分が除去され環状フレーム５が整形される一
方、Ｓｉウエハ１の上面の膜２は除去されず残る。
【０００５】次に、スパッタ法、蒸着法等によりＸ線吸
収体膜であるタングステン６を図１１に示すように膜２
上に形成する。そして、タングステン６上にレジストを
形成し、露光エリア４に対応する領域にＥＢ（電子線）
を選択的に照射し現像して図１２に示すように所定のレ
ジストパターン７を形成する。次に、レジストパターン
７をマスクとしてタングステン６にプラズマエッチング
を施し、図１３に示すようにタングステン６の露光エリ
ア４に対応する領域をパターニングし、Ｘ線吸収体のパ
ターン８を形成する。このようにしてＸ線露光用マスク
を形成する。
収体膜であるタングステン６を図１１に示すように膜２
上に形成する。そして、タングステン６上にレジストを
形成し、露光エリア４に対応する領域にＥＢ（電子線）
を選択的に照射し現像して図１２に示すように所定のレ
ジストパターン７を形成する。次に、レジストパターン
７をマスクとしてタングステン６にプラズマエッチング
を施し、図１３に示すようにタングステン６の露光エリ
ア４に対応する領域をパターニングし、Ｘ線吸収体のパ
ターン８を形成する。このようにしてＸ線露光用マスク
を形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線露光用マス
クの製造方法は以上のような工程で行われ、ＥＢ露光に
よりレジストパターン７を形成している。レジストパタ
ーン７に接しているタングステン６は接地されていない
ので、ＥＢ照射時にレジストパターン７がチャージアッ
プされ、これが原因でレジストパターン７の位置ずれあ
るいは変形が生じ、このレジストパターン７をマスクと
してタングステン６にエッチングを施すと、所定寸法の
パターン８が得られないという問題点があった。
クの製造方法は以上のような工程で行われ、ＥＢ露光に
よりレジストパターン７を形成している。レジストパタ
ーン７に接しているタングステン６は接地されていない
ので、ＥＢ照射時にレジストパターン７がチャージアッ
プされ、これが原因でレジストパターン７の位置ずれあ
るいは変形が生じ、このレジストパターン７をマスクと
してタングステン６にエッチングを施すと、所定寸法の
パターン８が得られないという問題点があった。
【０００７】また、プラズマエッチングによりＸ線吸収
体のパターン８を形成している。パターン８に接してい
る膜２は熱伝導率は良いが、膜２に接している環状フレ
ーム５を構成しているＳｉは熱伝導率が悪いので、プラ
ズマエッチング時にパターン８の温度が上昇し、パター
ン８に熱ひずみが生じパターン８に位置ずれが生じると
いう問題点があった。
体のパターン８を形成している。パターン８に接してい
る膜２は熱伝導率は良いが、膜２に接している環状フレ
ーム５を構成しているＳｉは熱伝導率が悪いので、プラ
ズマエッチング時にパターン８の温度が上昇し、パター
ン８に熱ひずみが生じパターン８に位置ずれが生じると
いう問題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、遮蔽膜を所定寸法に精度良く形
成することができる露光用マスクの形成方法を得ること
を目的とする。
ためになされたもので、遮蔽膜を所定寸法に精度良く形
成することができる露光用マスクの形成方法を得ること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
【００１０】
【００１１】請求項１に記載の発明は、露光用の照射線
を透過する基板上に前記照射線を遮蔽する遮蔽膜を形成
した後、前記遮蔽膜を所定のパターンにパターニングす
る露光用マスクの製造方法に適用される。
を透過する基板上に前記照射線を遮蔽する遮蔽膜を形成
した後、前記遮蔽膜を所定のパターンにパターニングす
る露光用マスクの製造方法に適用される。
【００１２】そして、前記遮蔽膜を熱伝導性の優れたも
のとし、前記遮蔽膜で前記基板の全体を覆い、前記基板
の裏面の前記遮蔽膜を冷却手段に接触させつつ、上部の
前記遮蔽膜をエッチングして前記所定のパターンにパタ
ーニングすることを特徴としている。
のとし、前記遮蔽膜で前記基板の全体を覆い、前記基板
の裏面の前記遮蔽膜を冷却手段に接触させつつ、上部の
前記遮蔽膜をエッチングして前記所定のパターンにパタ
ーニングすることを特徴としている。
【００１３】
【００１４】本発明の露光用マスクの製造方法において
は、遮蔽膜を熱伝導性の優れたものとし、遮蔽膜で基板
を覆い、基板の裏面の遮蔽膜を介して冷却しつつ、遮蔽
膜を所定のパターンにパターニングするようにしたの
で、遮蔽膜のパターニング時に遮蔽膜の温度が上昇しな
い。
は、遮蔽膜を熱伝導性の優れたものとし、遮蔽膜で基板
を覆い、基板の裏面の遮蔽膜を介して冷却しつつ、遮蔽
膜を所定のパターンにパターニングするようにしたの
で、遮蔽膜のパターニング時に遮蔽膜の温度が上昇しな
い。
【００１５】
【実施例】図１ないし図７はこの発明に係わる露光用マ
スクの製造方法を説明するための断面図である。図１な
いし図３は、Ｘ線の透過基板として働く膜２上にタング
ステン６を形成するまでの工程を示す断面工程図であ
り、その工程は図１０ないし図１３に示した従来の製造
方法と同様である。つまり、Ｓｉウエハ１の両面に膜
２，３を形成し（図１）、その後、膜３の中心部分をエ
ッチング除去し、露光エリア４を形成する（図２）。次
に、膜３をマスクとしてＳｉウエハ１にエッチングを施
す（図３）。
スクの製造方法を説明するための断面図である。図１な
いし図３は、Ｘ線の透過基板として働く膜２上にタング
ステン６を形成するまでの工程を示す断面工程図であ
り、その工程は図１０ないし図１３に示した従来の製造
方法と同様である。つまり、Ｓｉウエハ１の両面に膜
２，３を形成し（図１）、その後、膜３の中心部分をエ
ッチング除去し、露光エリア４を形成する（図２）。次
に、膜３をマスクとしてＳｉウエハ１にエッチングを施
す（図３）。
【００１６】次に、ＣＶＤ法を用いて図４に示すように
マスク全体を包むようにＸ線吸収体膜（遮蔽膜）である
タングステン６を推積させる。なお、タングステン６は
熱伝導性および導電性に優れる。次に、タングステン６
上にＥＢレジストを塗布し、ＥＢを選択的にＥＢレジス
トに照射し現像してＥＢレジストにパターニングを施
し、図５に示すようにレジストパターン７を形成する。
ＥＢを照射する場合、タングステン６にＧＮＤ電位を与
えておく。タングステン６は前述のように導電性に優れ
ているので、ＥＢ照射時にレジストパターン７に蓄積さ
れた電荷はタングステン６を介してＧＮＤに放電され
る。そのためレジストパターン７がチャージアップされ
ることがなく、レジストパターン７の位置ずれあるいは
変形は生じない。
マスク全体を包むようにＸ線吸収体膜（遮蔽膜）である
タングステン６を推積させる。なお、タングステン６は
熱伝導性および導電性に優れる。次に、タングステン６
上にＥＢレジストを塗布し、ＥＢを選択的にＥＢレジス
トに照射し現像してＥＢレジストにパターニングを施
し、図５に示すようにレジストパターン７を形成する。
ＥＢを照射する場合、タングステン６にＧＮＤ電位を与
えておく。タングステン６は前述のように導電性に優れ
ているので、ＥＢ照射時にレジストパターン７に蓄積さ
れた電荷はタングステン６を介してＧＮＤに放電され
る。そのためレジストパターン７がチャージアップされ
ることがなく、レジストパターン７の位置ずれあるいは
変形は生じない。
【００１７】次に、レジストパターン７をマスクとして
上部タングステン６にドライエッチングによりパターニ
ングを施す。ドライエッチング時、図６に示すように液
体窒素１０で冷却された下部電極９にタングステン６を
接触させ、上部タングステン６にパターニングを施す。
タングステン６は前述のように熱伝導性に優れているの
で、タングステン６のドライエッチングによるパターニ
ング時、最終的に得られるＸ線吸収体のパターン８の熱
は、Ｘ線透過基板である膜２→側・裏面のタングステン
６→下部電極９の順に逃げていく。そのため、パターン
８の温度が上昇することがなく、パターン８に熱ひずみ
が生じずパターン８の位置ずれが生じることがなくな
る。そして、パターン８をレジストで覆い、他の部分の
タングステン６をエッチング除去し、その後、パターン
８を覆ったレジストを除去すると図７に示すようなＸ線
露光用マスクが得られる。
上部タングステン６にドライエッチングによりパターニ
ングを施す。ドライエッチング時、図６に示すように液
体窒素１０で冷却された下部電極９にタングステン６を
接触させ、上部タングステン６にパターニングを施す。
タングステン６は前述のように熱伝導性に優れているの
で、タングステン６のドライエッチングによるパターニ
ング時、最終的に得られるＸ線吸収体のパターン８の熱
は、Ｘ線透過基板である膜２→側・裏面のタングステン
６→下部電極９の順に逃げていく。そのため、パターン
８の温度が上昇することがなく、パターン８に熱ひずみ
が生じずパターン８の位置ずれが生じることがなくな
る。そして、パターン８をレジストで覆い、他の部分の
タングステン６をエッチング除去し、その後、パターン
８を覆ったレジストを除去すると図７に示すようなＸ線
露光用マスクが得られる。
【００１８】なお、上記実施例ではＸ線露光用マスクに
ついて説明したが、その他の露光用マスクにもこの発明
は適用できる。
ついて説明したが、その他の露光用マスクにもこの発明
は適用できる。
【００１９】また、上記実施例では熱伝導性および導電
性に優れた膜としてタングステンを用いたが、これに限
定されない。
性に優れた膜としてタングステンを用いたが、これに限
定されない。
【００２０】さらに、上記実施例では熱伝導性および導
電性ともに優れるタングステン６を用いてレジストパタ
ーン形成時の放電及び遮蔽膜パターニング時の冷却の両
方を実施した場合について説明したが、どちらか一方の
特性に優れる材料を用いて放電，冷却の一方のみを実施
してもよい。この場合、両方を実施した場合に比し、パ
ターン８の位置の精度は落ちるが、従来の製造方法を用
いる場合よりは、パターン８の位置ずれの度合は少なく
なる。
電性ともに優れるタングステン６を用いてレジストパタ
ーン形成時の放電及び遮蔽膜パターニング時の冷却の両
方を実施した場合について説明したが、どちらか一方の
特性に優れる材料を用いて放電，冷却の一方のみを実施
してもよい。この場合、両方を実施した場合に比し、パ
ターン８の位置の精度は落ちるが、従来の製造方法を用
いる場合よりは、パターン８の位置ずれの度合は少なく
なる。
【００２１】
【００２２】請求項１記載の露出用マスクの製造方法に
よれば、遮蔽膜を熱伝導性の優れたものとし、遮蔽膜で
基板を覆い、基板の裏面の遮蔽膜を介して冷却しつつ、
遮蔽膜を所定のパターンにパターニングするようにした
ので、遮蔽膜のパターニング時に遮蔽膜の温度が上昇し
ない。その結果、遮蔽膜に熱ひずみが生じることがな
く、遮蔽膜を精度良く所定の寸法にパターニングするこ
とができるという効果がある。
よれば、遮蔽膜を熱伝導性の優れたものとし、遮蔽膜で
基板を覆い、基板の裏面の遮蔽膜を介して冷却しつつ、
遮蔽膜を所定のパターンにパターニングするようにした
ので、遮蔽膜のパターニング時に遮蔽膜の温度が上昇し
ない。その結果、遮蔽膜に熱ひずみが生じることがな
く、遮蔽膜を精度良く所定の寸法にパターニングするこ
とができるという効果がある。
【図１】この発明に係わる露光用マスクの製造方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図２】この発明に係わる露光用マスクの製造方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図３】この発明に係わる露光用マスクの製造方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図４】この発明に係わる露光用マスクの製造方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図５】この発明に係わる露光用マスクの製造方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図６】この発明に係わる露光用マスクの製造方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図７】この発明に係わる露光用マスクの製造方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図８】従来のＸ線露光用マスクの製造方法を説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
【図９】従来のＸ線露光用マスクの製造方法を説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
【図１０】従来のＸ線露光用マスクの製造方法を説明す
るための断面図である。
るための断面図である。
【図１１】従来のＸ線露光用マスクの製造方法を説明す
るための断面図である。
るための断面図である。
【図１２】従来のＸ線露光用マスクの製造方法を説明す
るための断面図である。
るための断面図である。
【図１３】従来のＸ線露光用マスクの製造方法を説明す
るための断面図である。
るための断面図である。
１ Ｓｉウエハ ６ タングステン ７ レジストパターン ８ パターン １０ 液体窒素
Claims (1)
- 【請求項１】 露光用の照射線を透過する基板上に前記
照射線を遮蔽する遮蔽膜を形成した後、前記遮蔽膜を所
定のパターンにパターニングする露光用マスクの製造方
法において、 前記遮蔽膜を熱伝導性の優れたものとし、前記遮蔽膜で
前記基板の全体を覆い、前記基板の裏面の前記遮蔽膜を
冷却手段に接触させつつ、上部の前記遮蔽膜をエッチン
グして前記所定のパターンにパターニングすることを特
徴とする露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40313890A JP2557566B2 (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40313890A JP2557566B2 (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 露光用マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04216550A JPH04216550A (ja) | 1992-08-06 |
| JP2557566B2 true JP2557566B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=18512897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40313890A Expired - Lifetime JP2557566B2 (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2557566B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57155539A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-25 | Hitachi Ltd | Mask |
| JPH01142636A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-05 | Hoya Corp | 露光方法並びにこの露光方法に使用するフォトマスクブランク及びフォトマスクブランクの保持具 |
| JPH021851A (ja) * | 1988-06-09 | 1990-01-08 | Nec Corp | 電子線露光用マスクブランク |
| JPH0246724A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-16 | Fujitsu Ltd | 金属薄膜加工方法 |
| JPH02151015A (ja) * | 1988-12-01 | 1990-06-11 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスクの製造方法 |
-
1990
- 1990-12-18 JP JP40313890A patent/JP2557566B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04216550A (ja) | 1992-08-06 |
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