JPH1197390A - コンタクトプラグ形成方法及びその装置 - Google Patents

コンタクトプラグ形成方法及びその装置

Info

Publication number
JPH1197390A
JPH1197390A JP25459397A JP25459397A JPH1197390A JP H1197390 A JPH1197390 A JP H1197390A JP 25459397 A JP25459397 A JP 25459397A JP 25459397 A JP25459397 A JP 25459397A JP H1197390 A JPH1197390 A JP H1197390A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
contact plug
gas
forming
housing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP25459397A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3129251B2 (ja
Inventor
Koichi Ooto
光市 大音
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP09254593A priority Critical patent/JP3129251B2/ja
Publication of JPH1197390A publication Critical patent/JPH1197390A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3129251B2 publication Critical patent/JP3129251B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 膜表面にクラックが入ったり、膜が剥がれた
りすることなく、コンタクトサイズの大きいコンタクト
プラグを窒化チタンで形成する。 【解決手段】 開示されるコンタクトプラグ形成方法
は、同一の筐体内において、コンタクトホール23が形
成された層間絶縁膜22がその表面に形成されたシリコ
ン基板21を所定の温度に加熱すると共に、層間絶縁膜
22の表面にTiN膜25を形成することにより、コン
タクトホール23に窒化チタンを埋め込んでコンタクト
プラグ26を形成した後、シリコン基板21の温度を保
持したまま、コンタクトプラグ26以外のTiNをエッ
チングにより除去し、その後、シリコン基板21をアニ
ール処理する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、コンタクトプラ
グ形成方法及びその装置に係り、詳しくは、化学蒸着
(CVD; Chemical Vapor Deposition)法を用いて、
LSI等の半導体装置におけるコンタクトプラグを形成
するコンタクトプラグ形成方法及びその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】LSI等の半導体装置は、近年、高集積
化が進められ、これに伴って素子の微細化が行われてき
ており、コンタクトプラグのサイズ(コンタクトサイ
ズ)も縮小化が進んでいる。一方、層間絶縁膜の膜厚
は、シリコン(Si)基板上に形成される容量部の構造
の複雑化やCMP(Chemical and Mechanical Polishin
g)法等による層間絶縁膜の平坦化により逆に厚くなる
傾向にある。このため、コンタクトサイズ(横寸法)と
コンタクトホールの深さ(縦寸法)の比を表すアスペク
ト比(aspect ratio)は、例えば、メモリ容量が4Mbit
のDRAMの場合は2程度しかないが、メモリ容量が2
56MbitのDRAMの場合には4以上にもなってしま
う。このようにアスペクト比が増大すると、それに対応
して、良好な段差被覆性(ステップカバレッジ)でコン
タクトホールを埋め込んでコンタクトプラグを形成する
技術が必要になってくる。
【0003】この要求に応える方法として、ステップカ
バレッジの優れたCVD法によりタングステン(W)膜
をシリコン基板全面に形成し、コンタクトプラグを形成
する方法が広く使用されている。また、この方法に代わ
るものとして、W膜よりも比抵抗の低いアルミニウム
(Al)膜や銅(Cu)膜をCVD法により形成し、コ
ンタクトプラグを形成する方法も、近年検討されてい
る。このように、W膜、Al膜やCu膜をCVD法によ
りシリコン基板全面に形成し、コンタクトプラグを形成
する場合、通常、層間絶縁膜であるシリコン酸化(Si
2)膜との密着性を改善したり、コンタクトプラグを
形成するためにCVD法で用いる原料ガスとシリコン基
板との反応によって生じる相互拡散に基づく接合破壊を
防止するために、下地として障壁金属(バリヤメタル)
膜を形成する必要がある。
【0004】以下、図3を参照して、従来におけるコン
タクトプラグ形成方法について、説明する。まず、シリ
コン基板上1に層間絶縁膜2を形成した後、レジスト塗
布、露光、ドライエッチング及びレジスト剥離の工程を
経てコンタクトホール3を形成する。次に、コンタクト
抵抗を低減するために、チタン(Ti)シリサイド膜4
をコンタクトホール3内にCVD法により形成した後、
W膜形成の原料ガスである六フッ化タングステン(WF
6)とシリコン基板1との反応によって生じる接合破壊
防止のために、バリヤメタル膜として窒化チタン(Ti
N)膜5を形成する。このTiN膜5の形成方法として
は、従来では、スパッタ法が広く用いられてきたが、ア
スペクト比が増大するに伴いステップカバレッジの良好
でないスパッタ法では対応できなくなったため、近年C
VD法を用いることが検討されている。次に、CVD法
により、W膜をシリコン基板1全面に形成し、コンタク
トホール3を埋め込んでコンタクトプラグ7を形成した
後、コンタクトプラグ7以外のW膜をエッチングにより
除去(エッチバック)する。そして、スパッタ法によ
り、Ti膜8、TiN膜9、AlCu膜10及びTiN
膜11を順次形成した後、ホトリゾグラフィ技術とエッ
チング技術により配線パターンを形成する。
【0005】ところで、コンタクトサイズが縮小化され
ても、バリヤメタル膜として必要なTiN膜5の膜厚は
変わらないため、図4に示すように、コンタクトプラグ
7の体積に占めるW膜6の割合はコンタクトサイズの縮
小化と共に低くなっていく傾向にある。図4において
は、層間絶縁膜2の膜厚は2.0μmであり、曲線a〜
dは、バリヤメタル膜としてのTiN膜5の膜厚がそれ
ぞれ50nm、100nm、300nm及び500nmの場合で
ある。例えば、TiN膜5の膜厚が100nm(曲線b)
の場合、コンタクトサイズが0.2μm以下のコンタク
トプラグ7では、TiN膜5によりコンタクトホール3
が完全に埋め込まれてしまう。また、TiN膜5の膜厚
が50nm(曲線a)の場合、コンタクトサイズが0.2
μmのコンタクトプラグ7では、コンタクトプラグ7の
7割以上はTiN膜が占め、コンタクトサイズが0.1
μmのコンタクトプラグ7では、TiN膜5によりコン
タクトホール3が完全に埋め込まれてしまう。このよう
な問題は、選択CVD法を用いてコンタクトプラグ7を
形成する技術を除くと、W、Al、あるいはCuといっ
た膜材料によらずに発生する。
【0006】そこで、コンタクトサイズの縮小化に進む
に従って、例えば、K. Ohto, K.Urabe, T. Taguwa, S.
Chikaki, T. Kikkawa, International Electron Device
s Meeting Technical Digest 1996, IEEE, pp. 361-364
に開示されているように、従来バリヤメタル膜として用
いてきたTiN膜によってコンタクトプラグを形成する
方法が近年検討されている。CVD法を用いた代表的な
TiN膜の形成方法としては、原料ガスとして四塩化チ
タン(TiCl4)及びアンモニア(NH3)を用いた減
圧(LP)CVD(Low Pressure CVD)法が広く検
討されている。この方法を用いて形成したTiN膜は、
アスペクト比が5のコンタクトプラグでも100%近い
ステップカバレッジを得ることができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したT
iN膜によってコンタクトプラグを形成する従来の方法
においては、形成したTiN膜の膜内の残留塩素(C
l)の除去と比抵抗の低減のために、膜形成時の温度を
600゜C以上にする必要があると共に、膜ストレス
(引っ張り応力)が約2×1010dyne/cm2と高い。それ
にもかかわらず、TiN膜形成後、シリコン基板を一旦
冷却してCVD装置から取り出し、エッチング装置その
他の装置でエッチバック等の後処理をしている。
【0008】このため、コンタクトサイズの大きいコン
タクトプラグを形成するために膜厚が厚いTiN膜を形
成した場合、エッチバック等の後処理をするためにシリ
コン基板を冷却すると、その際の熱収縮により、図5
(a)に示すように、TiN膜5の表面にクラックが入
ったり、TiN膜5が剥がれたりしてしまう。特に、T
iN膜5の表面にクラックが入った場合、TiN膜5を
エッチバックすると、図5(b)に示すように、クラッ
クの模様が層間絶縁膜2に転写されてしまう。これによ
り、層間絶縁膜2にもクラックが入ってしまう虞があっ
た。従って、コンタクトサイズの大きいコンタクトプラ
グを形成できないという欠点があった。
【0009】この発明は、上述の事情に鑑みてなされた
もので、TiN膜によってコンタクトプラグを形成する
場合、膜表面にクラックが入ったり、膜が剥がれたりせ
ず、コンタクトサイズの大きいコンタクトプラグを形成
できるコンタクトプラグ形成方法及びその装置を提供す
ることを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1記載の発明は、半導体装置の製造方法にお
けるコンタクトプラグ形成方法に係り、所定の位置にコ
ンタクトホールが形成された絶縁膜がその表面に形成さ
れたシリコン基板を所定の温度に加熱すると共に、上記
絶縁膜の表面に窒化チタン膜を形成することにより、上
記コンタクトホールに窒化チタンを埋め込む第1の工程
と、上記所定の温度を保持したまま、上記コンタクトホ
ールに埋め込まれた窒化チタン以外の不要な窒化チタン
をエッチングにより除去する第2の工程と、上記第2の
工程を経たシリコン基板をアニール処理する第3の工程
とからなり、上記第1乃至第3の工程は、同一の筐体内
で行うことを特徴としている。
【0011】請求項2記載の発明は、請求項1記載のコ
ンタクトプラグ形成方法に係り、上記第1の工程の前
に、上記シリコン基板の上記コンタクトホールに対応す
る表面にチタンシリサイド膜を形成する第4の工程を経
ることを特徴としている。
【0012】請求項3記載の発明は、請求項1又は2記
載のコンタクトプラグ形成方法に係り、上記第1の工程
では、原料ガスとして四塩化チタン及びアンモニアを用
いて化学蒸着法により上記窒化チタン膜を形成し、上記
第2の工程では、エッチングガスとして塩素又はフッ素
を構成要素とするガスを用いてプラズマエッチングによ
り上記不要な窒化チタンを除去することを特徴としてい
る。
【0013】請求項4記載の発明は、請求項3記載のコ
ンタクトプラグ形成方法に係り、上記第1及び第2の工
程では、上記原料ガス又は上記エッチングガスと共に、
希ガスも用いることを特徴としている。
【0014】請求項5記載の発明は、請求項3又は41
記載のコンタクトプラグ形成方法に係り、上記エッチン
グガスは、塩素、三塩化ホウ素、六フッ化イオウ、六フ
ッ化エタン、三フッ化窒素、及び四フッ化メタンのいず
れか1つ、又はこれらの任意の2以上の混合からなるこ
とを特徴としている。
【0015】また、請求項6記載の発明は、半導体装置
の製造に用いられるコンタクトプラグ形成装置に係り、
筐体内に設けられ、所定の位置にコンタクトホールが形
成された絶縁膜がその表面に形成されたシリコン基板が
載置され、上記シリコン基板を所定の温度に加熱・保持
したり、アニール処理するサセプタと、上記筐体内部の
圧力を減圧する減圧手段と、上記筐体内に上記サセプタ
に対向して設けられ、四塩化チタン及びアンモニアから
なる原料ガスや塩素又はフッ素を構成要素とするガスか
らなるエッチングガスを上記筐体内部にシャワー状に噴
出するシャワーヘッドと、上記サセプタと上記シャワー
ヘッドとの間に高周波電力を印加し、上記エッチングガ
スのプラズマを発生させるプラズマ発生源とを備えてな
ることを特徴としている。
【0016】請求項7記載の発明は、請求項6記載のコ
ンタクトプラグ形成装置に係り、上記シャワーヘッド
は、上記原料ガス又は上記エッチングガスと共に、希ガ
スも上記筐体内部にシャワー状に噴出することを特徴と
している。
【0017】請求項8記載の発明は、請求項6又は7記
載のコンタクトプラグ形成方法に係り、上記エッチング
ガスは、塩素、三塩化ホウ素、六フッ化イオウ、六フッ
化エタン、三フッ化窒素、及び四フッ化メタンのいずれ
か1つ、又はこれらの任意の2以上の混合からなること
を特徴としている。
【0018】
【作用】この発明の構成によれば、同一筐体内で窒化チ
タン膜の形成、窒化チタン膜のエッチバック及びアニー
ル処理が連続して行われるので、膜表面にクラックが入
ったり、膜が剥がれたりせず、コンタクトサイズの大き
いコンタクトプラグを窒化チタン膜により形成すること
ができる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。説明は、実施例を用い
て具体的に行う。図1は、この発明の一実施例であるコ
ンタクトプラグ形成方法を示す工程図である。以下、順
を追ってその製造工程を説明する。まず、シリコン基板
上21に膜厚1.0μmの層間絶縁膜22を形成した
後、レジストを塗布し、露光によりコンタクトホールの
レジストパターンを形成する。次に、ドライエッチング
によりシリコン基板21の拡散層領域上にコンタクトホ
ール23を形成した後、レジストを剥離する(図1
(a)参照)。次に、コンタクト抵抗を低減するため
に、Tiシリサイド膜24をコンタクトホール23内に
CVD法により形成する(図1(b)参照)。
【0020】次に、図2に示すコンタクトプラグ形成装
置を用いてコンタクトプラグを形成する。図2に示すコ
ンタクトプラグ形成装置は、平行平板型のプラズマ発生
源41を有するCVD装置によって構成されている。ま
ず、コンタクトプラグ形成装置の筐体42内部に設置さ
れたサセプタ43上に、図1(a)に示す工程を経たシ
リコン基板をターゲット44として載置した後、真空ポ
ンプ等の減圧手段(図示略)により筐体42内部の圧力
を20Torrまで減圧すると共に、サセプタ43内部に設
けられたヒータ45でサセプタ43を加熱することによ
り、間接的にターゲット44を650゜Cに加熱する。
【0021】この状態で、原料ガスとして、40sccm
(standard cubic centimeter per minute)のTiCl
4及び60sccmのNH3を、希ガスとして、3000sccm
のN2を、それぞれ質量流量制御器(マスフローコント
ローラ、MFC; Mass Flow Controller)46a及び
MFC46bにより質量流量制御した後、シャワーヘッ
ド47により筐体42内部にシャワー状に噴出すること
により、ターゲット44全面に膜厚300nmのTiN膜
25を形成し、コンタクトホール23を埋め込んでコン
タクトプラグ26を形成する。
【0022】次に、この筐体42内部でターゲット44
の温度を650゜Cに保持したまま、筐体42内部の圧
力を5Torrまで減圧した後、エッチングガスとして10
0sccmのCl2を、希ガスとして100sccmのHeを、
それぞれMFC46c及びMFC46bにより質量流量
制御し、シャワーヘッド47により筐体42内部にシャ
ワー状に噴出する。そして、ガス圧力が安定したところ
で、プラズマ発生源41に電源を投入し、サセプタ43
とシャワーヘッド47との間に高周波電力を印加し、筐
体42内にプラズマを発生させ、高周波(RF)パワー
を500Wにまで上昇させることにより、コンタクトプ
ラグ26以外のTiN膜25をエッチバックする。
【0023】次に、筐体42内部の圧力を20Torrまで
減圧した後、3000sccmのNH3をMFC46bによ
り質量流量制御し、シャワーヘッド47により筐体42
内部にシャワー状に噴出すると共に、サセプタ43内部
に設けられたヒータ45でサセプタ43の温度を調節す
ることにより、ターゲット44をアニール処理してコン
タクトプラグ26中の塩素(Cl)を脱離させる。その
後、ターゲット44をコンタクトプラグ形成装置の筐体
42から取り出す(図1(b)参照)。次に、図1
(c)に示すように、スパッタ法により、Ti膜27、
TiN膜28、AlCu膜29及びTiN膜30を順次
形成した後、ホトリゾグラフィ技術とエッチング技術に
より配線パターンを形成する。
【0024】このように、この例の構成によれば、Ti
N膜25を形成してコンタクトプラグ26を形成した筐
体42内で同一の温度で層間絶縁膜22上の余分なTi
N膜25をエッチバックしているので、従来のようにT
iN膜25のクラックや膜剥がれが生じない。従って、
厚い膜厚のTiN膜25を形成できるため、コンタクト
サイズの大きいコンタクトプラグ26をTiNで形成で
きる。また、上記エッチバック後に筐体42内でアニー
ル処理をしているので、コンタクトプラグ26内のCl
が脱離しやすくなると共に、層間絶縁膜22の表面に吸
着したエッチングガスの残留物や筐体42内に残留する
エッチングガス及び副生成物が除去され、アニール処理
後に形成する金属膜からなる配線パターンと残留物との
反応を防止することができる。これにより、TiNで形
成したコンタクトプラグ26の比抵抗を低く抑えること
ができる。
【0025】さらに、上記エッチバックの際にサセプタ
43上に存在する余剰のTiN膜が除去され、筐体42
内がクリーニングされるので、筐体42内の周期的なク
リーニングが不要となると共に、筐体42内の雰囲気が
常に、一定に保たれる。これにより、ターゲット44の
特性のばらつきを抑制できると共に、スループットが向
上する。
【0026】以上、この発明の実施例を図面を参照して
詳述してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られる
ものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計
の変更等があってもこの発明に含まれる。例えば、上述
の実施例においては、エッチングガスとしてCl2を用
いた例を示したが、これに限定されず、代わりに、三塩
化ホウ素(BCl3)等のCl系のガスや、六フッ化イ
オウ(SF6)、六フッ化エタン(C26)及び酸素
(O2)、あるいは三フッ化窒素(NF3)、四フッ化メ
タン(CF4)等のフッ素(F)系のガス、又はこれら
の混合ガスを用いてももちろん良い。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の構成に
よれば、同一筐体内で窒化チタン膜の形成、窒化チタン
膜のエッチバック及びアニール処理を連続して行うこと
により、コンタクトプラグが形成されるので、膜表面に
クラックが入ったり、膜が剥がれたりすることなく、コ
ンタクトサイズの大きいコンタクトプラグを形成できる
と共に、コンタクトプラグの比抵抗を低く抑えることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例であるコンタクトプラグ形
成方法を示す工程図である。
【図2】この発明の一実施例であるコンタクトプラグ形
成装置の構成を示す概略図である。
【図3】従来のコンタクトプラグ形成方法により製造さ
れた半導体装置の構成例を示す断面図である。
【図4】従来のコンタクトプラグ形成方法の不都合点を
説明するための図である。
【図5】従来のコンタクトプラグ形成方法の不都合点を
説明するための図である。
【符号の説明】
1,21 シリコン基板 2,22 層間絶縁膜 3,23 コンタクトホール 4,24 Tiシリサイド膜 5,9,11,25,28,30 TiN膜 6 W膜 7,26 コンタクトプラグ 8,27 Ti膜 10,29 AlCu膜 41 プラズマ発生源 42 筐体 43 サセプタ 44 ターゲット 45 ヒータ 46a〜46c MFC 47 シャワーヘッド

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体装置の製造方法において、 所定の位置にコンタクトホールが形成された絶縁膜がそ
    の表面に形成されたシリコン基板を所定の温度に加熱す
    ると共に、前記絶縁膜の表面に窒化チタン膜を形成する
    ことにより、前記コンタクトホールに窒化チタンを埋め
    込む第1の工程と、 前記所定の温度を保持したまま、前記コンタクトホール
    に埋め込まれた窒化チタン以外の不要な窒化チタンをエ
    ッチングにより除去する第2の工程と、 前記第2の工程を経たシリコン基板をアニール処理する
    第3の工程とからなり、前記第1乃至第3の工程は、同
    一の筐体内で行うことを特徴とするコンタクトプラグ形
    成方法。
  2. 【請求項2】 前記第1の工程の前に、前記シリコン基
    板の前記コンタクトホールに対応する表面にチタンシリ
    サイド膜を形成する第4の工程を経ることを特徴とする
    請求項1記載のコンタクトプラグ形成方法。
  3. 【請求項3】 前記第1の工程では、原料ガスとして四
    塩化チタン及びアンモニアを用いて化学蒸着法により前
    記窒化チタン膜を形成し、前記第2の工程では、エッチ
    ングガスとして塩素又はフッ素を構成要素とするガスを
    用いてプラズマエッチングにより前記不要な窒化チタン
    を除去することを特徴とする請求項1又は2記載のコン
    タクトプラグ形成方法。
  4. 【請求項4】 前記第1及び第2の工程では、前記原料
    ガス又は前記エッチングガスと共に、希ガスも用いるこ
    とを特徴とする請求項3記載のコンタクトプラグ形成方
    法。
  5. 【請求項5】 前記エッチングガスは、塩素、三塩化ホ
    ウ素、六フッ化イオウ、六フッ化エタン、三フッ化窒
    素、及び四フッ化メタンのいずれか1つ、又はこれらの
    任意の2以上の混合からなることを特徴とする請求項3
    又は4記載のコンタクトプラグ形成方法。
  6. 【請求項6】 半導体装置の製造に用いられるコンタク
    トプラグ形成装置であって、 筐体内に設けられ、所定の位置にコンタクトホールが形
    成された絶縁膜がその表面に形成されたシリコン基板が
    載置され、前記シリコン基板を所定の温度に加熱・保持
    したり、アニール処理するサセプタと、 前記筐体内部の圧力を減圧する減圧手段と、 前記筐体内に前記サセプタに対向して設けられ、四塩化
    チタン及びアンモニアからなる原料ガスや塩素又はフッ
    素を構成要素とするガスからなるエッチングガスを前記
    筐体内部にシャワー状に噴出するシャワーヘッドと、 前記サセプタと前記シャワーヘッドとの間に高周波電力
    を印加し、前記エッチングガスのプラズマを発生させる
    プラズマ発生源とを備えてなることを特徴とするコンタ
    クトプラグ形成装置。
  7. 【請求項7】 前記シャワーヘッドは、前記原料ガス又
    は前記エッチングガスと共に、希ガスも前記筐体内部に
    シャワー状に噴出することを特徴とする請求項6記載の
    コンタクトプラグ形成装置。
  8. 【請求項8】 前記エッチングガスは、塩素、三塩化ホ
    ウ素、六フッ化イオウ、六フッ化エタン、三フッ化窒
    素、四フッ化メタンのいずれか1つ、又はこれらの任意
    の2以上の混合からなることを特徴とする請求項6又は
    7記載のコンタクトプラグ形成装置。
JP09254593A 1997-09-19 1997-09-19 コンタクトプラグ形成方法 Expired - Fee Related JP3129251B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09254593A JP3129251B2 (ja) 1997-09-19 1997-09-19 コンタクトプラグ形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09254593A JP3129251B2 (ja) 1997-09-19 1997-09-19 コンタクトプラグ形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1197390A true JPH1197390A (ja) 1999-04-09
JP3129251B2 JP3129251B2 (ja) 2001-01-29

Family

ID=17267204

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP09254593A Expired - Fee Related JP3129251B2 (ja) 1997-09-19 1997-09-19 コンタクトプラグ形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3129251B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000065649A1 (en) * 1999-04-27 2000-11-02 Tokyo Electron Limited CVD TiN PLUG FORMATION FROM TITANIUM HALIDE PRECURSORS
JP2002363759A (ja) * 2001-06-12 2002-12-18 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び微量ガスの導入時期検出方法
JP4763894B2 (ja) * 1999-04-27 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 ハロゲン化タンタル前駆物質からのcvd窒化タンタルプラグの形成

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000065649A1 (en) * 1999-04-27 2000-11-02 Tokyo Electron Limited CVD TiN PLUG FORMATION FROM TITANIUM HALIDE PRECURSORS
JP4763894B2 (ja) * 1999-04-27 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 ハロゲン化タンタル前駆物質からのcvd窒化タンタルプラグの形成
JP2002363759A (ja) * 2001-06-12 2002-12-18 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び微量ガスの導入時期検出方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3129251B2 (ja) 2001-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI352387B (en) Etch methods to form anisotropic features for high
KR101340674B1 (ko) 갭필 애플리케이션을 위한 저저항의 텅스텐 필름 증착 방법
US9653327B2 (en) Methods of removing a material layer from a substrate using water vapor treatment
TWI621181B (zh) 用於原位金屬硬遮罩形狀控制之脈衝介電蝕刻程序以致能無空隙金屬化
US7238393B2 (en) Method of forming silicon carbide films
JP2000164716A (ja) 半導体装置及びその製造方法
TW201702417A (zh) 經由原子層沉積(ald)循環之選擇性沉積金屬矽化物的方法
US20040147115A1 (en) Two-step formation of etch stop layer
JP5232455B2 (ja) デュアルダマシン用途における下面反射防止コーティング層の2ステップエッチング
JPH1074835A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2007511099A (ja) フォトレジストストリッピングの間のバリヤー物質損失の最小化
JP2003264178A (ja) エッチング方法
TW200421543A (en) Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
JP3129251B2 (ja) コンタクトプラグ形成方法
JP3601988B2 (ja) 絶縁膜の形成方法
JP4034197B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6596629B2 (en) Method for forming wire in semiconductor device
US6784107B1 (en) Method for planarizing a copper interconnect structure
US10937659B2 (en) Method of anisotropically etching adjacent lines with multi-color selectivity
JP2003297817A (ja) 半導体装置の製造方法、半導体装置、そのためのプラズマcvd装置
KR100603703B1 (ko) 포토 레지스트 제거방법 및 이를 이용한 반도체 소자의금속배선 형성방법
KR100827521B1 (ko) 반도체 소자의 캐패시터 및 그의 제조 방법
KR100607756B1 (ko) 반도체 소자의 텅스텐 콘택 전극 제조 방법
JP3254207B2 (ja) 絶縁膜の作製方法
TWI505360B (zh) 用於氟碳化物膜之金屬碳化物阻障層的形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071117

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081117

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081117

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 9

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091117

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees