JPH1197347A - 投影露光装置、及び該装置を用いたパターン転写方法 - Google Patents

投影露光装置、及び該装置を用いたパターン転写方法

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JPH1197347A
JPH1197347A JP10197275A JP19727598A JPH1197347A JP H1197347 A JPH1197347 A JP H1197347A JP 10197275 A JP10197275 A JP 10197275A JP 19727598 A JP19727598 A JP 19727598A JP H1197347 A JPH1197347 A JP H1197347A
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lens group
lens
projection
optical system
exposure apparatus
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Ai Merukaado Romeo
アイ メルカード ロメオ
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Nikon Corp
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】一層高い解像度および高水準の収差補正を維持
するか、広い面積の露光視野での高水準の収差補正へ到
達すること 【解決手段】 投影原版上のパターンを基板へ転写する
ための投影露光装置は、投影原版を保持する第１の保持
部材と；基板を保持する第２の保持部材と；投影原版上
のパターンを照明するための照明光学系と；投影原版上
のパターンを基板へ投影するための投影光学系と；を備
える。投影光学系は、前記投影原版側から順に、正屈折
力を有する第１レンズ群と；負屈折力を有する第２レン
ズ群と；正屈折力を有する第３レンズ群と；負屈折力を
有する第４レンズ群と；正屈折力を有する第５レンズ群
と；を備える。第５レンズ群は少なくとも１面の非球面
レンズ面を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、マスクないしレチ
クル上に形成したパターンを半導体ウエハないしガラス
プレート上に転写するための投影露光装置に関する。ま
た、本発明は、該投影露光装置を用いたパターン転写方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造では、大規模集積
回路（ＬＳＩ）がレチクルやマスク等の投影原版からパ
ターンを転写される例のように、投影光学系を用いて集
積回路（ＩＣ）のパターンをウエハや半導体基板などの
基板へ転写し、その上に半導体デバイスを形成させてい
る。
【０００３】レチクルとチップまたは半導体チップとし
ても知られている合成半導体チップとの相対的な大きさ
に差があるため、この投影光学系は縮小投影光学系でな
ければならない。最近の集積回路は一層集積化が進み、
ますます機能が回路に集積されて単一チップに包含され
ようとしている。けれども同時に大変な努力を払ってチ
ップ寸法の増大を許さないようにして、製造する半導体
デバイスの性能や速度を維持、改良することに努めてい
る。チップの寸法を変えないか縮小させるため、縮小投
影光学系は一層広い露光面積と一層高い解像度とを持つ
必要がある。
【０００４】さまざまな微小電子工学的デバイス中の回
路装置の密度を一層高めなければならないため、より微
細な解像度のパターンをさらに高い生産速度で製造する
さまざまな高解像リソグラフィ技術に関心が高まってい
る。リソグラフィレンズ系の解像度は、露光波長と投影
レンズ系の開口数の性能に基づく。この解像度または最
小解像可能パターン寸法は、波長に直接比例し開口数に
逆比例し、（解像度の値が低ければ低いほど解像度がそ
れだけ高いことを表わす）次式の通りに表される： 解像度＝ｋλ／ＮＡ ここにｋは比例定数、λは露光波長、ＮＡは開口数であ
る。一層高い解像度の光学系に達する方法はレチクルを
一層短い波長の照明光で照射するか、さもなければ高い
開口数を有する投影レンズ系を用いることである。原理
的には波長がますます短くなることと投影レンズ系の開
口数がますます高くなることとの双方またはいずれか一
方であれば解像度はより高くなる。より短い波長の照明
光源を調査した結果、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマ
レ−ザと波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレ−ザとを含
む幾種類かのエキシマレ−ザが、半導体光リソグラフィ
の照明光源として使えることが分った。これらエキシマ
レ−ザは重水素放電管やキセノン水銀ア−クランプのよ
うに半導体製造工業に使われてきた伝統的な照明光源に
代るものである。キセノン水銀ランプは波長４３６ｎｍ
のｇ線と波長３６５ｎｍのＩ線とを供給する。これらふ
たつの紫外線の輝線は半導体ウエハ製造で使われる照明
光線の主柱であった。
【０００５】エキシマレ−ザを照明光源として用いる利
点のひとつは、エキシマレ−ザが数多くの波長で数ワッ
トもの平均出力を発生できることである。エキシマレ−
ザ光源は高輝度であるため超高速露光に用いられ、そう
でなければ著しく低い開口数を投影レンズ系に用いても
なお妥当な露光時間が得られる。開口数が比較的低けれ
ば、開口数の逆数とともにその二乗の形で増加する比較
的深い被写界深度が生じる。被写界深度が比較的深いこ
との利点のひとつは、ウエハのひずみに比較的大きな許
容範囲と、一層良好なリソグラフィパターンをもたらす
焦点合わせが得られる点である。
【０００６】エキシマレ−ザに用いるエキシマガスは単
一の種類のガスでよく、いずれの場合も出力は単一エキ
シマガスの特性である波長の出力である。用いるエキシ
マガスの選び方は、半導体製造工程で用いられているフ
ォトレジストの特性など幾つかの因子に左右される。た
とえばＫｒＦエキシマレ−ザガスは２４８ｎｍで照明出
力を発生するが、この波長はジアゾケトンで感光性を与
えたノボラック樹脂のようなフォトレジストを露光する
のに適している。
【０００７】エキシマレ−ザは単一波長で充分出力があ
るため、エキシマレ−ザの利用に伴う別の重要な利点
は、光学部品が単一波長について設計できるので収差の
補正が簡単になることである。単一波長を決まったレン
ズ系装置に使えるのであるから、その色収差なぞ極端に
小さくなるのにきまっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】集積回路（ＩＣ）が一
層精緻になったので、その回路パターンを半導体ウエハ
ないし他の（硝子板などのような）受光可能な基板に転
写するのに用いる投影光学系は、ますます高水準の性能
に達することが必要になっている。これらのより高水準
の性能とは、一層高い解像度および高水準の収差補正を
維持することか、さもなければ広い面積の露光視野での
高水準の収差補正へ到達することを含んでいる。
【０００９】これらの高水準の性能を分光分布内の水晶
紫外領域で得るために開口数と露光視野とを増すこと
は、レンズ径を一層大きくし、当該投影レンズ系のレン
ズ素子を製造、製作するのに必要な材料の容積を増すこ
とにつながるため、投影光学レンズ系は極めて高価にな
った。代表的な開口数０．５〜０．５４を有する先行技
術の投影レンズ系の価格が高いのは、部分的には要求さ
れる回折限界性能の水準に到達するのに必要な幾つかの
レンズ素子とレンズ寸法とに帰着する。費用の高いの
は、これらレンズ素子が非常に高価な材料からできてい
るのが原因だった。電磁波の分光分布のうち水晶紫外領
域で有効に光線を投影するため、レンズ素子に例えば石
英のような高価な材料を用いる必要があった。
【００１０】エキシマレ−ザ照明によって供給される一
層短い波長を用いるのに伴う重要な問題のひとつは、エ
キシマレ−ザ照明の波長領域で用いられる適当な光学材
料の入手が限られていることである。在来の光学材料が
適していない主な理由は、在来の大部分の光学材料の透
過率が余りに限られていてこれら短波長では使えない点
である。ふつう石英と呼ぶ紫外線級の溶融シリカ（Ｓｉ
Ｏ2）と、屈折率が極めて高い均一性を有する紫外線級
の蛍石（ＣａＦ2 ）とが、短波長系で使えると一般に看
做されている数少ない光学材料である。
【００１１】したがってレンズ素子がより少なく、レン
ズ径がより小さく、小型またはレチクル対ウエハの共役
点間距離が短く、かつ必要な高水準の性能が維持もしく
は向上できる投影レンズ系の需要が存在する。そこで、
本発明の目的は、在来の投影光学系に随伴する前述の問
題とその他の問題を、現存する光学レンズ系に比べてよ
り少ないレンズ素子、より小さいレンズ径およびより短
い共役点間距離を有し、同じ水準の性能を維持した投影
レンズ系を用いた投影露光装置の提供にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明にかかる投影露光装置は、投影原版上のパタ
ーンを基板へ転写するための投影露光装置であって、前
記投影原版を保持する第１の保持部材と；前記基板を保
持する第２の保持部材と；前記投影原版上のパターンを
照明するための照明光学系と；前記投影原版上のパター
ンを前記基板へ投影するための投影光学系と；を備え
る。ここで、前記投影光学系は、前記投影原版側から順
に、正屈折力を有する第１レンズ群と；負屈折力を有す
る第２レンズ群と；正屈折力を有する第３レンズ群と；
負屈折力を有する第４レンズ群と；正屈折力を有する第
５レンズ群と；を備え、前記第５レンズ群は少なくとも
１面の非球面レンズ面を含む。
【００１３】本発明の投影露光装置は、上述の構成に基
づいて、以下の条件式（１）〜（３）のうち少なくとも
１つの条件式を満足するものである。 （１） ０．５０＜ＴG5／ＬG5＜０．８５ （２） ０．５＜ＴG1-G5／ＬG1-G5＜０．６４， （３） ０．５０＜ＴG1-G5／Ｌ＜０．７０ 但し、 ＴG5：前記第５レンズ群中の各レンズ素子の軸上厚の総
和、 ＬG5：前記第５レンズ群中の最も投影原版側に位置する
レンズ面から前記第５レンズ群中の最も基板側に位置す
るレンズ面までの光軸上の距離（第５レンズ群の全
厚）、 ＴG1-G5：前記第１乃至第５レンズ群中の各レンズ素子
の軸上厚の総和、 ＬG1-G5：前記第１レンズ群中の最も投影原版側に位置
するレンズ面から前記第５レンズ群中の最も基板側に位
置するレンズ面までの光軸上の距離（投影光学系の軸上
厚）、 Ｌ ：前記投影光学系の物像間距離（物体面（投影原
版）から、像面（基板）までの距離）、 である。
【００１４】一層望ましいのは、この投影レンズ系が条
件式：０．５０＜ＴG5／ＬG5＜０．８５の代りに、条件
式：０．５９＜ＴG5／ＬG5＜０．７８を満足することで
ある。また、開口絞りは第４レンズ群と第５レンズ群と
の間に設置されることが望ましい。
【００１５】また、レチクル上の軸上点から出発する光
線の軌跡は、第５レンズ群内で光軸から最遠点に在るこ
とが好ましい。このとき、第５レンズ群は条件式（４）
を満足することが好ましい。 （４） ０．２１＜ｈasp／ｈmax＜１ ただし、ｈmaxは、光軸と、レチクル上の軸上位置から
出発する周辺光線の軌跡との間の最大距離であり、ｈas
pは、この軌跡が第５レンズ群内の非球面レンズ面を通
過する高さである。
【００１６】本発明の別の観点によれば、投影光学系
は、第１レンズ群を含む第１主レンズ群、第２、第３お
よび第４レンズ群と第５レンズ群中の第１レンズ素子と
を含む第２主レンズ群、および第５レンズ群中の第１レ
ンズ素子を除く第５レンズ群の全レンズ素子を含む第３
主レンズ群とを含んでいる。このとき、 第２主レンズ
群を射出する周辺光線の高さｒoと第２主レンズ群に入
射する周辺光線の高さｒiとの比ｒo／ｒiは、以下の条
件式（５）を満足することが好ましい。 （５） ｒo／ｒi≦４．３４ また、第３主レンズ群の焦点距離ｆIIIと第１主レンズ
群の焦点距離ｆIとの比ｆIII／ｆIは、以下の条件式
（６）を満足することが好ましい。 （６） ０．９３≦ｆIII／ｆI≦１．１ を満足する。
【００１７】これらやその他の本発明の長所は、簡単な
説明で補足してある図面と併せて考察すれば、以下の望
ましい実施形の詳細な説明を読み進まれるにつれて一層
明らかになるであろう。この図面は本発明の現行の望ま
しい実施形の単なる図示であって、この発明は例示され
た実施形になんら限定されないことは明らかである。本
発明は本明細書に添付された特許請求の範囲によって最
も正確に定義してある。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下の詳細な説明は本発明の現存
する望ましい実施例のそれである。この詳細な説明は簡
単に前述した図面を利用して行われるけれども、この発
明が図示した実施例に限定されないことを理解された
い。この詳細な説明で同一の参照番号は同一の素子を指
す。
【００１９】ここで諸図面を参照すれば、本発明の幾つ
かの実施例がここで説明されることになる。光学技術に
おける標準作業によれば図面中に示してあるような光学
レンズ系の図面は、物体に直面する光学レンズ系の第１
素子ないし第１面から物体を超える図の左側の全空間と
して定義された物空間と、同じく像に直面する光学レン
ズ系の最終素子ないし最終面から像を超える図中の右側
の全空間として定義された像空間とを有する。
【００２０】図１を参照すれば、本発明と合致する投影
露光装置の第１の実施例が示してある。一般には図１に
示した投影露光装置は、照明系（ＩＳ）１００、物体面
またはレチクル面１０３に存在するレチクル１０２、投
影レンズ系１０４、および像面またはウエハ面１０５に
存在しウエハステ−ジ１０８上に取り付けられたウエハ
１０６を含む。
【００２１】半導体製造技術の通常の当業者によって理
解できるとおり、上記の構成要素は、この図面にもこれ
からあとのどの図面にも描示されていない安定した安全
な構造で取り付けられている。取り付けるための構造は
半導体製造技術では公知であってとくに今後論じること
はない。照明系１００は、２４８．４ｎｍ（ナノメ−タ
−）の波長λで照明光を放出するＫｒＦエキシマレ−ザ
や、１９３ｎｍの波長λで照明光を放出するＡｒＦエキ
シマレ−ザのような照明光源を含む。以下の詳細な説明
は、２４８．４ｎｍの波長で照明光を放出するＫｒＦエ
キシマレ−ザを用いる露光装置の議論に限定することと
する。例えば１５７ｎｍの波長λで照明光を放出するＦ
2エキシマレーザなどの他のエキシマレ−ザも当業者に
は公知であり、投影レンズ系を最小限修正することによ
って、ＫｒＦエキシマレ−ザの代りに用いることができ
る。照明系はたとえば、米国特許第 4,619,508号、第
4,851,978号、第 4,939,630号、第 5,237,367号、第 5,
307,207号および第 5,392,094号に見られる。これらの
特許は纏めて参考文献として本出願に含めてある。
【００２２】エキシマレ−ザ光源を用いる露光装置の実
例はたとえば、米国特許第 4,952,945号中に見られる。
この特許は纏めて参考文献として本出願に含めてある。
エキシマレ−ザの出力を用いてレチクルのパターンを半
導体ウエハに転写する投影露光装置は、米国特許第 4,4
58,994号から知られる。この特許も纏めて参考文献とし
て本出願に含めてある。
【００２３】図１を再び参照すれば、物体側から相前後
して並ぶ順序に見た投影レンズ系１０４は、正の屈折力
を有する第１のレンズ群Ｇ１と、負の屈折力を有する第
２のレンズ群Ｇ２と、正の屈折力を有する第３のレンズ
群Ｇ３と、負の屈折力を有する第４のレンズ群Ｇ４と、
正の屈折力を有する第５のレンズ群とを含む。開口絞り
２０は第４のレンズ群Ｇ４と第５のレンズ群Ｇ５との間
に設置してある。“レンズ群”なる用語は単一レンズ素
子を含む群も含むことを注意されたい。
【００２４】第５レンズ群Ｇ５は、２個の非球面レンズ
面３５および３９を有する。図１とそれに続く図面中の
各レンズ面は、レンズ系の物体側から像側へ順次番号付
けされていることに注意されたい。図１を参照すれば、
レチクル上の軸外点Ａが、点Ａから出発する光線を表わ
す軌跡Ａ1およびＡ２を伴って示してある。点Ａを出発
して開口絞り２９によって画定された瞳を通過する光線
の軌跡は、ウエハ面上の点Ａ’に点像を形成することに
なる。瞳内の光軸上の中心点Ｃを通過する光線Ａ1 は、
主要な光線つまり主光線と呼ばれる。両側がテレセント
リックな投影光学系の場合、主光線は物体面側と像面側
との空間内で光軸ＡＸと平行である。レチクル上の軸上
物点Ａ0 からの主光線は瞳ないし開口絞りをちょうど通
過する光線は周辺光線と呼ばれる。像面Ａ0'で周辺光線
と光軸との間の角度θの正弦はこのような投影光学系の
ウエハ側の開口数ＮＡw に相当し、したがってこの光学
系の開口数はＮＡ＝Ｎsinθで表わされ、ここにＮは像
空間の媒質の屈折率であって空気であれば１に等しい。
この種の投影光学系の開口数は一般にはウエハ側の値で
表わされる。
【００２５】以下、図１に示される投影光学系を例にと
って条件式の説明をする。なお、条件式に関する説明
は、図４、図７、図１０、図１３、および図１６に示さ
れる別の投影光学系と共通である。図１の投影レンズ系
において、第５レンズ群Ｇ５は （１） ０．５０＜ＴG5／ＬG5＜０．８５ を満足している。
【００２６】ここにＴG5は、第５レンズ群Ｇ５内の各レ
ンズ素子の軸上厚の総和であり、ＬG5は、第５レンズ群
の最初のレンズ面から第５レンズ群の最終レンズ面まで
の光軸に沿った全軸上距離である。上記条件式（１）が
下限以下であれば、開口数０．６０およびウエハ面で１
８．７×１８．７ｍｍの露光視野寸法または２６．４５
ｍｍの直径を有する露光視野を伴う光学収差を適切に補
正することは困難である。上記の条件式（１）が上限以
上であれば、この投影レンズ系は嵩ばり過ぎ、必要以上
に高価なレンズ素子を含むことになるため高価にもな
る。一層望ましいのは、投影レンズ系が条件式 （１）：０．５０＜ＴG5／ＬG5＜０．８５の代りに、条
件式（１Ａ）：０．５９＜ＴG5／ＬG5＜０．７８を満足
することである。光学投影露光系技術の通常の当業者な
らば理解し得るように、システムの寸法とシステムの光
学性能との間には相関関係が在る。
【００２７】図１の投影レンズ系１０４は、 （２） ０．５＜ＴG1-G5／ＬG1-G5＜０．６４ を満足している。ここにＴG1-G5は、第１レンズ群Ｇ１
から第５レンズ群Ｇ５までの中の各レンズ素子の軸上厚
の総和であり、ＬG1-G5 は、第１レンズ群Ｇ１内の最初
のレンズ面から第５レンズ群Ｇ５内の最終レンズ面まで
の光軸に沿った全軸上距離である。
【００２８】この投影レンズ系が上記条件式（２）の下
限以下であれば、その光学収差は補正するのが困難であ
り、この投影レンズ系が上記条件式（２）の上限以上で
あれば、この投影レンズ系は極めて嵩ばるし極めて高価
にもなるはずである。投影レンズ系１０４は （３） ０．５０＜ＴG1-G5 ／Ｌ＜０．７０ も満足している。
【００２９】ここにＴG1-G5 は、第１レンズ群Ｇ１から
第５レンズ群Ｇ５までの中の各レンズ素子の軸上厚の総
和であり、Ｌは、レチクル（物体面）からウエハ（像
面）までの光軸に沿った軸上距離である。図１に示した
投影レンズ系１０４は光線の軌跡１１６（図４では２１
６、図７では３１６、図１０では４１６、図１３では５
１６、図１６では６１６）を有し、この軌跡は１１８
（図４では２１８、図７では３１８、図１０では４１
８、図１３では５１８、図１６では６１８）で教示され
るレチクル上の軸上点を出発して、この投影レンズ系の
光軸１２０（図４では２２０、図７では３２０、図１０
では４２０、図１３では５２０、図２０では６２０）か
らの軌跡の最遠点に達するが、そのとき軌跡は第５レン
ズ素子Ｇ５内に在る。この最遠点はレンズ面３１上に在
る点１２２（図４ではレンズ面２８上の点２２２、図７
ではレンズ面２９上の点３２２、図１０ではレンズ面２
８上の点４２２、図１３ではレンズ面３２上の点５２
２、図１７ではレンズ面３１上の点６２２）で教示して
ある。
【００３０】投影レンズ系１０４は （４） ０．２１＜ｈasp／ｈmax≦１ を満足している。ここにｈmax は、光軸１２０とレチク
ル１０２上の軸上位置１１８から出発する周辺光線の軌
跡１１６との間の最大距離である。ｈaspは、この軌跡
が第５レンズ群内の非球面レンズ面を通過する高さであ
る。最大距離ｈmaxは１２３で教示してある（図４では
２２３、図７では３２３、図１０では４２３、図１３で
は５２３、図２０では６２３）。数値ｈaspは、軌跡１
１６が第５レンズ群内の非球面レンズ面３９を通過する
光軸からの距離である。数値ｈaspは１２５で教示して
ある（図４では２２５、図７では３２５、図１０では４
２５、図１３では５２５、図２０では６２５）。
【００３１】上記条件式（４）：０．２１＜ｈasp／ｈm
a≦１の値は第５レンズ群内の非球面レンズ面の最適位
置を決定する。この非球面レンズ面が上記条件式で定義
された位置に無ければ、光学収差の補正は本質的に一層
困難になろう。投影レンズ系１０４はまた、第１レンズ
群Ｇ１を含む第１主レンズ群ＧI、第２レンズ群Ｇ２、
第３レンズ群Ｇ３および第４レンズ群Ｇ４と第５レンズ
群Ｇ５中の第１レンズ素子とを含む第２主レンズ群ＧI
I、および第５レンズ群内の第１レンズ素子を除く第５
レンズ群の全レンズ素子を含む第３主レンズ群ＧIII と
を含んでいる。
【００３２】１２７（図４では２２７、図７では３２
７、図１０では４２７、図１３では５２７、図２０では
６２７）で教示してあり第２主レンズ群ＧIIを射出する
周辺光線の高さｒo と、１２９（図４では２２９、図７
では３２９、図１０では４２９、図１３では５２９、図
２０では６２９）で教示してあり第２主レンズ群ＧIIに
入射する周辺光線の高さｒiとの比は、 （５） ｒo／ｒi≦４．３４ を満足する。比ｒo／ｒiが限界を超えれば、第３主レン
ズ群の直径またはグル−プ内のレンズ素子は拡大して一
層大きい拡張光束を収容しなければならない。このこと
は費用を増やすとともに光学収差の補正を一層困難にす
るはずである。
【００３３】また、第３主レンズ群ＧIIIの焦点距離ｆI
IIと、第１主レンズ群ＧIの焦点距離ｆI との比は、 （６） ０．９３≦ｆIII／ｆI≦１．１ を満足する。比ｆIII／ｆIが上記の上限と下限との外側
に在れば、第１主レンズ群と第３主レンズ群とのどちら
かの軸上長さが増大して、今度は投影レンズ系の全長の
増大を惹起することになろう。
【００３４】図２は第１の実施例の投影レンズ系の軸上
球面収差、非点収差・像面湾曲曲線およびディスト−シ
ョンを示す。なお、非点収差・像面湾曲曲線において
は、破線はメリジオナル像面、実線はサジタル像面を表
す。図３は、波長２４８．４ｎｍでのさまざまな相対視
野高に対する第１の実施例の投影レンズ系の諸光線収差
を示す。
【００３５】表１は下に上記第１の実施例の仕様の数値
を示してある。左端列内の数値は物体（レチクル）側か
ら像（ウエハ）側までの光学表面の順序を教示し、ｒは
レンズ面の曲率半径（ｍｍ）であり（正の半径は曲率中
心が右側ないし像側向きにあることを教示し、負の半径
は曲率中心が左側ないしレチクル側向きであることを教
示する）、ｄはつぎのレンズ面までの軸上距離（ｍｍ）
であり、非球面定数は非球面の表面形状を定義する以下
のような方程式：
【００３６】
【数１】z=[(1/R)h2]/[1+[1-(1+k)/(1/R)2h2]1/2]+Ａ1h
4+Ａ２h6+Ａ３h8+Ａ４h10 内の定数であり、ここにｚはｚ軸と平行な面のサグであ
り、ｚ軸は光軸であり、ｈ2＝ｘ2＋ｙ2であり、ｘ軸と
ｙ軸とはｚ軸および光軸と直交する方向にあり、Ｒは近
軸曲率半径であり、非球面係数はＡ１、Ａ２、Ａ３およ
びＡ４であり、ｋは円すい定数である。
【００３７】表１内の全レンズ素子に用いる光学材料は
溶融シリカ（ＳｉＯ2）である。レンズ素子は全て２４
８．４ｎｍの波長で屈折率１．５０８３７９を有する。
通常の当業者であれば理解できる通り、この屈折率はレ
ンズ素子を製造するシリカの等級に左右され、またレン
ズ材料の製造業者の能力にも左右されて、僅かながら変
動する可能性がある。
【００３８】
【表１】 物体面〜第１光学面＝100mm 最終光学面〜像面＝14.5mm ｆG1＝160.011mm ｆG2＝-61.248mm ｆG3＝127.684mm ｆG4＝-147.460mm ｆG5＝133.293mm Ｆ＝726.89mm Ｌ＝1000mm ＴG5＝187.075mm ＬG5＝277.144mm ＴG1-G5＝537.642mm ＬG1-G5＝885.0mm ＴG1-G5／Ｌ＝0.5376 ＴG5／ＬG5＝0.675 ＴG1-G5／ＬG1-G5＝0.6075 ｈasp／ｈmax＝0.211 波長２４８．４ｍｍでの全硝子素子の屈折率＝1.508379 ＮＡ＝0.60露光視野寸法＝18.7 X 18.7 mm または直径26.45 mmの露光視野 ｒi＝23.56 mm ｒo＝92.7 mm ｒi／ｒo＝3.935 ｆIII＝157.3 mm ｆI＝160.011 mm ｆIII／ｆI＝0.983 面番号 曲率半径（ｍｍ） 軸上距離（ｍｍ） 1 ∞ 12.500000 2 275.72350 11.259232 3 884.46683 22.057588 4 -298.82220 0.500000 5 387.03159 22.911789 6 -525.73388 0.500000 7 263.75815 29.355164 8 -320.49696 0.500000 9 192.21338 34.362235 10 93.42915 22.114026 11 -253.40304 12.500000 12 114.31808 23.743688 13 -117.75970 12.500000 14 366.01025 54.935541 15 ∞ 37.536384 16 -158.67617 0.500000 17 429.33088 33.933808 18 -367.97582 0.500000 19 207.00263 32.519968 20 ∞ 0.500000 21 129.90781 43.643055 22 91.35068 32.846197 23 -260.87373 12.500000 24 142.2791 29.387391 25* -113.6008 12.500000 *非球面定数： ｋ＝-0.453906 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝0.521714 X 10-12 Ａ３＝0.128283 X 10-16 Ａ４＝-.484200 X 10-21 26 530.5990 24.515711 27 1935.66547 31.747563 28 -173.17583 16.500000 29（開口絞り）∞ 38.986590 30 421.00067 36.649347 31 -327.26147 18.608238 32 235.06004 32.331992 33 ∞ 0.587552 34 132.55016 43.010191 35* 619.58547 11.961767 *非球面定数： ｋ＝14.248763 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝-.168187 X 10-11 Ａ３＝0.158318 X 10-16 Ａ４＝-.829740 X 10-21 36 -835.98582 18.268121 37 490.79983 54.097869 38 69.29137 38.064994 39* 143.88553 4.814053 *非球面定数： ｋ＝5.450839 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝-.281775 X 10-10 Ａ３＝-.120797 X 10-13 Ａ４＝-.257094 X 10-17 40 -2878.82771 18.750127 41 ∞ 15.000000 像 ∞ 0.000000 表１において、ｆG1は第１レンズ群Ｇ１の焦点距離であ
り、ｆG2は第２レンズ群Ｇ２の焦点距離であり、ｆG3は
第３レンズ群Ｇ３の焦点距離であり、ｆG4は第４レンズ
群Ｇ４の焦点距離であり、ｆG5は第５レンズ群Ｇ５の焦
点距離である。Ｆは投影レンズ系全体の焦点距離であ
り、Ｌは投影レンズ系の全長（レチクル面からウエハ面
まで）である。ＴG1-G5は、第１レンズ群Ｇ１から第５
レンズ群Ｇ５までの中の各レンズ素子の軸上厚の総和で
ある。ＴG5は、第５レンズ群Ｇ５内の各レンズ素子の軸
上厚の総和である。ＬG1-G5 は、第１レンズ群Ｇ１内の
最初のレンズ面から第５レンズ群Ｇ５内の最終レンズ面
までの光軸に沿った軸上の全長である。ＬG5は、第５レ
ンズ群の最初のレンズ面から第５レンズ群の最終レンズ
面までの光軸に沿った軸上の全長である。ｆIは第１主
レンズ群の焦点距離であり、ｆIIIは第３主レンズ群の
焦点距離である。ｒiは第２主レンズ群に入射する周辺
光線の高さであり、ｒoは第２主レンズ群を射出する周
辺光線の高さである。図４を参照すれば、本発明に合致
する投影レンズ系の第２の実施例が示してある。物体側
から相前後して並ぶ順序に見たこの投影レンズ系２００
は、正の屈折力を有する第１のレンズ群Ｇ１と、負の屈
折力を有する第２のレンズ群Ｇ２と、正の屈折力を有す
る第３のレンズ群Ｇ３と、負の屈折力を有する第４のレ
ンズ群Ｇ４と、正の屈折力を有する第５のレンズ群とを
含む。開口絞り２７は第４のレンズ群Ｇ４と第５のレン
ズ群Ｇ５との間に設置してある。第５レンズ群Ｇ５は、
２個の非球面レンズ面３２および３５を有する。
【００３９】図４に示した投影レンズ系２００は光線の
軌跡２１６を有し、この軌跡は２１８で教示されるレチ
クル上の軸上点を出発して、この投影レンズ系の光軸２
２０からの最遠点に達し、そのとき軌跡は第５レンズ素
子Ｇ５内に在る。この最遠点はレンズ面２８上に在る点
２２２で教示してある。投影レンズ系２００はまた、第
１レンズ群Ｇ１を含む第１主レンズ群ＧI、第２レンズ
群Ｇ２、第３レンズ群Ｇ３および第４レンズ群Ｇ４と第
５レンズ群Ｇ５中の第１レンズ素子とを含む第２主レン
ズ群ＧII、および第５レンズ群内の第１レンズ素子を除
く第５レンズ群の全レンズ素子を含む第３主レンズ群Ｇ
IIIとを含んでいる。
【００４０】図５は、第１の実施例の投影レンズ系の軸
上球面収差、非点収差・像面湾曲曲線およびディスト−
ションを示す。なお、非点収差・像面湾曲曲線において
は、破線はメリジオナル像面、実線はサジタル像面を表
す。図６は、波長２４８．４ｎｍでのさまざまな相対視
野高に対する第１の実施例の投影レンズ系の諸光線収差
を示す。
【００４１】表２下に上記第２の実施例の仕様の数値を
示してある。パラメ−タは表１について先に説明したの
と同一である。表２内の全レンズ素子に用いる光学材料
は溶融シリカ（ＳｉＯ2）である。レンズ素子は全て２
４８．４ｎｍの波長で屈折率１．５０８３７９を有す
る。通常の当業者であれば理解できるとうり、この屈折
率はレンズ素子を製造するシリカの等級に左右され、ま
たレンズ材料の製造業者の能力にも左右されて、僅かな
がら変動する可能性がある。
【００４２】
【表２】 物体面〜第１光学面＝100.000mm 最終光学面〜像面＝14.5mm ｆG1＝155.705mm ｆG2＝-54.633mm ｆG3＝113.190mm ｆG4＝-196.250mm ｆG5＝138.806mm Ｆ＝835.698mm Ｌ＝978mm ＴG5＝168.016mm ＬG5＝277.007mm ＴG1-G5＝536.836mm ＬG1-G5＝856.465mm ＴG1-G5／Ｌ＝0.5489 ＴG5／ＬG5＝0.60654 ＴG1-G5／ＬG1-G5＝0.6268 ｈasp／ｈmax＝0.403 波長２４８．４ｍｍでの全硝子素子の屈折率＝1.508379 ＮＡ＝0.60露光視野寸法＝18.7 X 18.7 mm または直径26.45 mmの露光視野 ｒi＝20.763 mm ｒo＝89.6 mm ｒo／ｒi＝4.315 ｆIII＝152.875 mm ｆI＝155.705 mm ｆIII／ｆI＝0.982 面番号 曲率半径（ｍｍ） 軸上距離（ｍｍ） 1 ∞ 33.948263 2 -334.35529 1.078791 3 371.01033 21.177078 4 -590.19655 0.500000 5 249.20108 23.691747 6 -580.93893 0.500000 7 212.90881 38.012588 8 90.63568 19.820913 9 -223.85301 12.500000 10 103.70537 23.260400 11 -101.61325 12.500000 12 432.01891 38.781754 13 -362.46092 26.770591 14 -133.94643 0.519919 15 ∞ 32.479806 16 -178.44584 0.500000 17* 191.54849 38.998626 *非球面定数： ｋ＝-3.385884 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝-.166654 X 10-11 Ａ３＝0.148325 X 10-15 Ａ４＝-.348675 X 10-20 18 -382.82415 3.093245 19 150.30578 42.539416 20* 73.36600 36.991882 *非球面定数： ｋ＝-0.520717 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝-.710503 X 10-11 Ａ３＝-.560191 X 10-15 Ａ４＝0.324131 X 10-19 21 -200.42610 12.500000 22 173.80717 30.169201 23* -106.68301 45.000000 *非球面定数： ｋ＝-.617002 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝-.137383 X 10-11 Ａ３＝-.541984 X 10-16 Ａ４＝-.420549 X 10-20 24 -178.61121 0.758889 25 1082.82136 28.701498 26 -253.21379 15.000000 27（開口絞り）∞ 39.663403 28 283.43403 30.880092 29 -1831.68207 43.802890 30 221.87446 29.452265 31 1111.11119 3.794810 32* 199.98231 27.115077 *非球面定数： ｋ＝-1.523628 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝0.384310 X 10-12 Ａ３＝-.155055 X 10-16 Ａ４＝-.406815 X 10-21 33 933.09671 47.435350 34 91.69502 43.957072 35* 220.21678 13.957390 *非球面定数： ｋ＝5.379822 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝-.528964 X 10-11 Ａ３＝-.488130 X 10-15 Ａ４＝-.106529 X 10-18 36 ∞ 36.611774 37 ∞ 21.535202 像 ∞ 0.000000 ここでパラメ−タの定義は全て表１について先に説明し
たのと同一である。
【００４３】図７を参照すれば、本発明に合致する投影
レンズ系の第３の実施例が示してある。物体側から相前
後して並ぶ順序に見たこの投影レンズ系３００は、どれ
もが正の屈折力を有する第１のレンズ群Ｇ１と、どれも
が負の屈折力を有する第２のレンズ群Ｇ２と、どれもが
正の屈折力を有する第３のレンズ群Ｇ３と、どれもが負
の屈折力を有する第４のレンズ群Ｇ４と、どれもが正の
屈折力を有する第５のレンズ群とを含む。開口絞り２７
は第４のレンズ群Ｇ４と第５のレンズ群Ｇ５との間に設
置してある。第５レンズ群Ｇ５は、３個の非球面レンズ
面２８、３２および３７を有する。
【００４４】図７に示した投影レンズ系３００は光線の
軌跡３１６を有し、この軌跡は３１８で教示されるレチ
クル１０２上の軸上点を出発して、この投影レンズ系の
光軸３２０からの最遠点に達し、そのとき軌跡は第５レ
ンズ素子Ｇ５内に在る。この最遠点はレンズ面２９上に
在る点３２２で教示してある。投影レンズ系３００はま
た、第１レンズ群Ｇ１を含む第１主レンズ群ＧI、第２
レンズ群Ｇ２、第３レンズ群Ｇ３および第４レンズ素子
群Ｇ４と第５レンズ群Ｇ５中の第１レンズ素子とを含む
第２主レンズ群ＧII、および第５レンズ群内の第１レン
ズ素子を除く第５レンズ群の全レンズ素子を含む第３主
レンズ群ＧIIIとを含んでいる。
【００４５】図８は、第１の実施例の投影レンズ系の軸
上球面収差、非点収差・像面湾曲曲線およびディスト−
ションを示す。なお、非点収差・像面湾曲曲線において
は、破線はメリジオナル像面、実線はサジタル像面を表
す。図９は、波長２４８．４ｎｍでのさまざまな相対視
野高に対する第１の実施例の投影レンズ系の諸光線収差
を示す。
【００４６】表３下に上記第３の実施例の仕様の数値を
示してある。パラメ−タは表１について先に説明したの
と同一である。表３内の全レンズ素子に用いる光学材料
は溶融シリカ（ＳｉＯ2）である。レンズ素子は全て２
４８．４ｎｍの波長で屈折率１．５０８３７９を有す
る。通常の当業者であれば理解できるとうり、この屈折
率はレンズ素子を製造するシリカの等級に左右され、ま
たレンズ材料の製造業者の能力にも左右されて、僅かな
がら変動する可能性がある。
【００４７】
【表３】 物体面〜第１光学面＝100mm 最終光学面〜像面＝30.4mm ｆG1＝160.127mm ｆG2＝-55.230mm ｆG3＝120.119mm ｆG4＝-135.290mm ｆG5＝133.020mm Ｆ＝721.61mm Ｌ＝947.921mm ＴG5＝160.277mm ＬG5＝266.871mm ＴG1-G5＝507.442mm ＬG1-G5＝817.521mm ＴG1-G5／Ｌ＝0.5353 ＴG5／ＬG5＝0.6006 ＴG1-G5／ＬG1-G5＝0.6207 ｈasp／ｈmax＝0.212 波長２４８．４ｍｍでの全硝子素子の屈折率＝1.508379 ＮＡ＝0.60露光視野寸法＝18.7 X 18.7 mm または直径26.45 mmの露光視野 ｒi＝19.6 mm ｒo＝85.1 mm ｒo／ｒi＝4.318 ｆII＝150 mm ｆI＝160.127 mm ｆIII／ｆI＝0.937 面番号 曲率半径（ｍｍ） 軸上距離（ｍｍ） 1 2265.27179 21.640451 2 -339.80466 0.500000 3 482.60945 19.815943 4 -513.43237 0.500000 5 297.28511 22.277346 6 -500.64842 0.507230 7 244.67756 39.706568 8 90.13996 20.734206 9 -198.94142 12.500000 10 116.94032 22.785188 11 -104.15360 12.500000 12 558.88708 43.481726 13 -1360.69681 35.127935 14* -144.23023 0.592023 *非球面定数： ｋ＝-0.155228 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝-.204903 X 10-12 Ａ３＝-.741494 X 10-17 Ａ４＝-.448612 X 10-21 15 1469.14372 34.145254 16 -224.07257 0.500000 17 236.25249 38.140534 18 -528.60765 0.500000 19 129.22733 41.310932 20 113.82504 20.736917 21 ∞ 12.500000 22 138.86663 25.753978 23* -149.32527 12.500000 *非球面定数： ｋ＝1.226042 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝0.296594 X 10-11 Ａ３＝0.759924 X 10-15 Ａ４＝0.183884 X 10-19 24 196.66021 26.226328 25 -122.32449 45.000000 26 -120.23892 25.666094 27（開口絞り）∞ 15.001710 28* 264.48744 40.776135 *非球面定数： ｋ＝-4.147803 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝0.366830 X 10-13 Ａ３＝0.672170 X 10-17 Ａ４＝-.147266 X 10-21 29 -287.14987 37.805393 30 226.79195 30.868306 31 ∞ 0.505442 32* 191.67845 31.132091 *非球面定数： ｋ＝1.242956 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝-.414278 X 10-12 Ａ３＝-.194050 X 10-16 Ａ４＝-.116377 X 10-20 33 1624.73913 9.938007 34 -501.74689 12.500000 35 ∞ 58.345592 36 68.20216 45.000000 37* 13688589 30.400162 *非球面定数： ｋ＝6.463783 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝-.400826 X 10-10 Ａ３＝-.162903 X 10-13 Ａ４＝-.761430 X 10-17 像 ∞ 0.000000 ここでパラメ−タの定義は全て表１について先に説明し
たのと同一である。
【００４８】図１０を参照すれば、本発明に合致する投
影レンズ系の第４の実施例が示してある。物体側から相
前後して並ぶ順序に見たこの投影レンズ系４００は、ど
れもが正の屈折力を有する第１のレンズ群Ｇ１と、どれ
もが負の屈折力を有する第２のレンズ群Ｇ２と、どれも
が正の屈折力を有する第３のレンズ群Ｇ３と、どれもが
負の屈折力を有する第４のレンズ群Ｇ４と、どれもが正
の屈折力を有する第５のレンズ群とを含む。開口絞り２
７は第４のレンズ群Ｇ４と第５のレンズ群Ｇ５との間に
設置してある。第５レンズ群Ｇ５は、２個の非球面レン
ズ面３２および３５を有する。
【００４９】図１０に示した投影レンズ系４００は光線
の軌跡４１６を有し、この軌跡は４１８で教示されるレ
チクル１０２上の軸上点を出発して、この投影レンズ系
の光軸４２０からの最遠点に達し、そのとき軌跡は第５
レンズ素子Ｇ５内に在る。この最遠点はレンズ面２８上
に在る点４２２で教示してある。投影レンズ系４００は
また、第１レンズ群Ｇ１を含む第１主レンズ群ＧI、第
２レンズ群Ｇ２、第３レンズ群Ｇ３および第４レンズ素
子グル−プＧ４と第５レンズ群Ｇ５中の第１レンズ素子
とを含む第２主レンズ群ＧII、および第５レンズ群内の
第１レンズ素子を除く第５レンズ群の全レンズ素子を含
む第３主レンズ群ＧIIIとを含んでいる。
【００５０】図１１は、第１の実施例の投影レンズ系の
軸上球面収差、非点収差・像面湾曲曲線およびディスト
−ションを示す。なお、非点収差・像面湾曲曲線におい
ては、破線はメリジオナル像面、実線はサジタル像面を
表す。図１２は、波長２４８．４ｎｍでのさまざまな相
対視野高に対する第１の実施例の投影レンズ系の諸光線
収差を示す。
【００５１】表４下に上記第４の実施例の仕様の数値を
示してある。パラメ−タは表１について先に説明したの
と同一である。表４内の全レンズ素子に用いる光学材料
は溶融シリカ（ＳｉＯ2）である。レンズ素子は全て２
４８．４ｎｍの波長で屈折率１．５０８３７９を有す
る。通常の当業者であれば理解できるとうり、この屈折
率はレンズ素子を製造するシリカの等級に左右され、ま
たレンズ材料の製造業者の能力にも左右されて、僅かな
がら変動する可能性がある。
【００５２】
【表４】 物体面〜第１光学面＝100mm 最終光学面〜像面＝45.7mm ｆG1＝148.942mm ｆG2＝-52.116mm ｆG3＝108.179mm ｆG4＝-208.112mm ｆG5＝138.142mm Ｆ＝752.47mm Ｌ＝957mm ＴG5＝148.120mm ＬG5＝254.647mm ＴG1-G5＝515.185mm ＬG1-G5＝811.341mm ＴG1-G5／Ｌ＝0.538 ＴG5／ＬG5＝0.582 ＴG1-G5／ＬG1-G5＝0.635 ｈasp／ｈmax＝0.322 波長２４８．４ｍｍでの全硝子素子の屈折率＝1.508379 ＮＡ＝0.60露光視野寸法＝18.7 X 18.7 mm または直径26.45 mmの露光視野 ｒi＝20.447 mm ｒo＝85.95 mm ｒi／ｒo＝4.208 ｆIII＝146.585 mm ｆI＝148.942 mm ｆIII／ｆI＝0.984 面番号 曲率半径（ｍｍ） 軸上距離（ｍｍ） 1 ∞ 31.064832 2 -319.19804 0.500000 3 372.77743 21.522479 4 -527.12987 0.533269 5 257.97242 25.026431 6 -458.07687 0.500000 7 192.89255 29.600874 8 94.04524 20.189604 9 -203.47606 12.500000 10 101.26386 25.350411 11 -88.69592 12.500000 12 477.36249 38.837673 13 -388.59866 29.772526 14 -128.56968 0.500000 15 ∞ 34.828818 16 -169.79089 0.500000 17* 164.20812 37.451141 *非球面定数： ｋ＝-2.661869 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝-.255048 X 10-11 Ａ３＝0.147406 X 10-15 Ａ４＝-.118805 X 10-20 18 -580.70477 0.534351 19 154.44848 43.662169 20* 65.57057 38.696552 *非球面定数： ｋ＝-.549080 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝-.115666 X 10-10 Ａ３＝-.124625 X 10-14 Ａ４＝-.355418 X 10-19 21 -202.76784 12.500000 22 177.36456 29.169335 23* -113.08003 44.958063 *非球面定数： ｋ＝-.224114 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝-.100718 X 10-11 Ａ３＝-.571948 X 10-16 Ａ４＝-.799517 X 10-20 24 -174.96085 1.384213 25 ∞ 31.688913 26 -190.86857 15.033183 27（開口絞り）∞ 17.888360 28 323.24389 42.918832 29 -944.48687 62.962549 30 198.47214 29.623820 31 1011.70055 1.355644 32* 176.37025 31.055074 *非球面定数： ｋ＝-.265654 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝0.233923 X 10-12 Ａ３＝-.821880 X 10-17 Ａ４＝-.783936 X 10-21 33 581.83982 42.219436 34 85.86514 44.511162 35* 177.65131 45.659429 *非球面定数： ｋ＝5.748911 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝-.964512 X 10-11 Ａ３＝-.144424 X 10-14 Ａ４＝-.830129 X 10-18 像 ∞ ここでパラメ−タの定義は全て表１について先に説明し
たのと同一である。
【００５３】図１３を参照すれば、本発明に合致する投
影レンズ系の第５の実施例が示してある。物体側から相
前後して並ぶ順序に見たこの投影レンズ系５００は、ど
れもが正の屈折力を有する第１のレンズ群Ｇ１と、どれ
もが負の屈折力を有する第２のレンズ群Ｇ２と、どれも
が正の屈折力を有する第３のレンズ群Ｇ３と、どれもが
負の屈折力を有する第４のレンズ群Ｇ４と、どれもが正
の屈折力を有する第５のレンズ群とを含む。開口絞り２
９は第４のレンズ群Ｇ４と第５のレンズ群Ｇ５との間に
設置してある。第５レンズ群Ｇ５は、１個の非球面レン
ズ面３５を有する。
【００５４】図１３に示した投影レンズ系５００は光線
の軌跡５１６を有し、この軌跡は５１８で教示されるレ
チクル上の軸上点を出発して、この投影レンズ系の光軸
５２０からの最遠点に達し、そのとき軌跡は第５レンズ
素子Ｇ５内に在る。この最遠点はレンズ面３２上に在る
点５２２で教示してある。投影レンズ系５００はまた、
第１レンズ群Ｇ１を含む第１主レンズ群ＧI、第２レン
ズ群Ｇ２、第３レンズ群Ｇ３および第４レンズ素子グル
−プＧ４と第５レンズ群Ｇ５中の第１レンズ素子とを含
む第２主レンズ群ＧII、および第５レンズ群内の第１レ
ンズ素子を除く第５レンズ群の全レンズ素子を含む第３
主レンズ群ＧIIIとを含んでいる。
【００５５】図１４は、第１の実施例の投影レンズ系の
軸上球面収差、非点収差・像面湾曲曲線およびディスト
−ションを示す。なお、非点収差・像面湾曲曲線におい
ては、破線はメリジオナル像面、実線はサジタル像面を
表す。図１５は、波長２４８．４ｎｍでのさまざまな相
対視野高に対する第１の実施例の投影レンズ系の諸光線
収差を示す。
【００５６】表５下に上記第５の実施例の仕様の数値を
示してある。パラメ−タは表１について先に説明したの
と同一である。表５内の全レンズ素子に用いる光学材料
は溶融シリカ（ＳｉＯ2）である。レンズ素子は全て２
４８．４ｎｍの波長で屈折率１．５０８３７９を有す
る。通常の当業者であれば理解できるとうり、この屈折
率はレンズ素子を製造するシリカの等級に左右され、ま
たレンズ材料の製造業者の能力にも左右されて、僅かな
がら変動する可能性がある。
【００５７】
【表５】 物体面第１光学面＝100mm 最終光学面〜像面＝15mm ｆG1＝156.135mm ｆG2＝-60.020mm ｆG3＝128.482mm ｆG4＝-137.222mm ｆG5＝126.607mm Ｆ＝724.860mm Ｌ＝1000mm ＴG5＝200.861mm ＬG5＝273.331mm ＴG1-G5＝543.312mm ＬG1-G5＝885.000mm ＴG1-G5／Ｌ＝0.543 ＴG5／ＬG5＝0.735 ＴG1-G5／ＬG1-G5＝0.614 ｈasp／ｈmax＝0.787 波長２４８．４ｍｍでの全硝子素子の屈折率＝1.508379 ＮＡ＝0.60露光視野寸法＝18.7 X 18.7 mm または直径26.45 mmの露光視野 ｒi＝23.862 mm ｒo＝95.853 mm ｒi／ｒo＝4.204 ｆIII＝155.75 mm ｆI＝156.135 mm ｆIII／ｆI＝0.998 面番号 曲率半径（ｍｍ） 軸上距離（ｍｍ） 1 ∞ 12.500000 2 242.45543 11.901451 3 523.34812 25.803003 4 -260.42208 0.571650 5 751.47064 18.161301 6 -691.38443 0.567617 7 214.08891 33.402776 8 -294.00765 7.707797 9 225.55406 29.656696 10 101.98730 20.846916 11 -240.00452 12.500000 12 125.76214 23.095969 13 -112.80432 12.500000 14 325.00930 56.353855 15 ∞ 37.842296 16 -153.10472 0.534776 17 320.52016 34.344395 18 -449.19096 0.500000 19 214.97055 27.921348 20 1750.64986 0.500000 21 127.11401 41.248269 22 92.86094 33.145657 23 -223.01006 12.500000 24 149.08126 26.927815 25* -131.01590 17.779720 *非球面定数： ｋ＝0.126500 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝0.653855 X 10-12 Ａ３＝-.425098 X 10-17 Ａ４＝-.760847 X 10-20 26 949.33234 17.386703 27 ∞ 26.291296 28 -212.82720 15.021418 29（開口絞り）∞ 54.155436 30 1183.61305 35.578138 31 -250.76790 0.585444 32 286.36467 37.260794 33 -749.99677 0.502610 34 134.09081 43.525058 35* 636.06254 12.086100 *非球面定数： ｋ＝8.855726 Ａ１＝0.000000 Ａ２＝-.700941 X 10-12 Ａ３＝-.128246 X 10-16 Ａ４＝-.119516 X 10-21 36 -804.77784 26.858931 37 1458.66326 54.507205 38 79.04295 36.170213 39 173.82937 4.789257 40 -704.11819 21.467883 41 ∞ 15.000086 像 ∞ 0.000000 ここでパラメ−タの定義は全て表１について先に説明し
たのと同一である。図１６を参照すれば、本発明に合致
する投影レンズ系の第６の実施例が示してある。物体側
から相前後して並ぶ順序に見たこの投影レンズ系６００
は、どれもが正の屈折力を有する第１のレンズ群Ｇ１
と、どれもが負の屈折力を有する第２のレンズ群Ｇ２
と、どれもが正の屈折力を有する第３のレンズ群Ｇ３
と、どれもが負の屈折力を有する第４のレンズ群Ｇ４
と、どれもが正の屈折力を有する第５のレンズ群とを含
む。開口絞り２９は第４のレンズ群Ｇ４と第５のレンズ
群Ｇ５との間に設置してある。第５レンズ群Ｇ５は、１
個の非球面レンズ面３０を有する。
【００５８】図１６に示した投影レンズ系６００は光線
の軌跡６１６を有し、この軌跡は６１８で教示されるレ
チクル上の軸上点を出発して、この投影レンズ系の光軸
６２０からの最遠点に達し、そのとき軌跡は第５レンズ
素子Ｇ５内に在る。この最遠点はレンズ面３１上に在る
点６２２で教示してある。投影レンズ系６００はまた、
第１レンズ群Ｇ１を含む第１主レンズ群ＧI、第２レン
ズ群Ｇ２、第３レンズ群Ｇ３および第４レンズ群Ｇ４と
第５レンズ群Ｇ５中の第１レンズ素子とを含む第２主レ
ンズ群ＧII、および第５レンズ群内の第１レンズ素子を
除く第５レンズ群の全レンズ素子を含む第３主レンズ群
ＧIIIとを含んでいる。
【００５９】図１７は、第１の実施例の投影レンズ系の
軸上球面収差、非点収差・像面湾曲曲線およびディスト
−ションを示す。なお、非点収差・像面湾曲曲線におい
ては、破線はメリジオナル像面、実線はサジタル像面を
表す。図１８は、波長２４８．４ｎｍでのさまざまな相
対視野高に対する第１の実施例の投影レンズ系の諸光線
収差を示す。
【００６０】表６下に上記第６の実施例の仕様の数値を
示してある。パラメ−タは表１について先に説明したの
と同一である。表６内の全レンズ素子に用いる光学材料
は溶融シリカ（ＳｉＯ2）である。レンズ素子は全て２
４８．４ｎｍの波長で屈折率１．５０８３７９を有す
る。通常の当業者であれば理解できるとうり、この屈折
率はレンズ素子を製造するシリカの等級に左右され、ま
たレンズ材料の製造業者の能力にも左右されて、僅かな
がら変動する可能性がある。
【００６１】
【表６】 物体面〜第１光学面＝100mm 最終光学面〜像面＝15mm ｆG1＝149.215mm ｆG2＝-58.595mm ｆG3＝126.070mm ｆG4＝-123.848mm ｆG5＝126.988mm Ｆ＝734.160mm Ｌ＝1000mm ＴG5＝190.757mm ＬG5＝274.256mm ＴG1-G5＝533.065mm ＬG1-G5＝855.000mm ＴG1-G5／Ｌ＝0.533 ＴG5／ＬG5＝0.696 ＴG1-G5／ＬG1-G5＝0.602 ｈasp／ｈmax＝0.955 波長２４８．４ｍｍでの全硝子素子の屈折率＝1.508379 ＮＡ＝0.6 露光視野寸法＝18.7 X 18.7 mm または直径26.45 mmの露光視野 ｒi＝23.875 mm ｒo＝96.8 mm ｒi／ｒo＝4.054 ｆIII＝160.4 mm ｆI＝149.215 mm ｆIII／ｆI＝1.075 面番号 曲率半径（ｍｍ） 軸上距離（ｍｍ） 1 ∞ 12.500000 2 255.47664 13.744932 3 579.54107 24.120539 4 -296.97293 0.500000 5 360.30213 23.921751 6 -518.01320 0.500000 7 235.20616 30.575786 8 -337.02120 0.528888 9 196.15240 26.071860 10 96.11026 23.742112 11 -211.74969 12.500000 12 116.25733 24.318888 13 -117.53209 12.500000 14 358.01887 50.364862 15 ∞ 35.833599 16 -159.69404 0.500000 17 283.91436 37.327486 18 -420.55889 0.500000 19 285.13866 29.027762 20 -1063.25179 0.500000 21 144.16855 41.101311 22 103.83866 37.283660 23 -179.98749 12.500000 24 200.31244 28.121268 25 -134.92586 16.515898 26 ∞ 19.038971 27 -165.44424 27.812632 28 -131.30012 15.000000 29（開口絞り）∞ 53.792433 30* 500.80585 38.098540 *非球面定数 ： ｋ＝0.000000 Ａ１＝-.181127 X 10-7 Ａ２＝0.108199 X 10-12 Ａ３＝-.298983 X 10-17 Ａ４＝-.174140 X 10-22 31 -273.98140 0.500000 32 190.01133 44.447155 33 ∞ 9.384077 34 144.32353 39.178462 35 464.62668 13.230201 36 ∞ 19.014945 37 776.69431 55.495151 38 74.82933 34.114139 39 162.06080 4.889893 40 -442.98277 15.903481 41 ∞ 15.000109 像 ∞ 0.000000 ここでパラメ−タの定義は全て表１について先に説明し
たのと同一である。
【００６２】なお、上記各表内の全レンズ素子に用いる
光学材料は溶融シリカ（ＳｉＯ2）であるが、この溶融
シリカで構成されるレンズ素子のうちの少なくとも１つ
を（蛍石（ＣａＦ2）などの紫外線を透過させる材料で
構成しても良い。投影光学系技術の当業者には容易に理
解されるとおり、本発明の思想と範囲を外れることなく
置換、修正および追加を幾種類も上記設計に加えること
が可能であろう。この種の置換、修正および追加は、特
許請求の範囲によって最善を尽くして定義された本発明
の分野内に含まれるのである。
【００６３】
【発明の効果】上述の通り本発明によれば、現存する光
学レンズ系に比べてより少ないレンズ素子、より小さい
レンズ径およびより短い共役点間距離を有し、同じ水準
の性能を維持した投影レンズ系を用いて、一層高い解像
度および高水準の収差補正を維持することか、さもなけ
れば広い面積の露光視野での高水準の収差補正へ到達す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例による投影レンズ系の模
式図を示す。
【図２】図１に示した投影レンズ系の軸上球面収差、非
点収差およびディスト−ションを示す。
【図３】波長２４８．４ｎｍでのさまざまな相対視野高
全てに対する図１に示した投影レンズ系の諸光線収差を
示す。
【図４】本発明の第２の実施例による投影レンズ系の模
式図を示す。
【図５】図４に示した投影レンズ系の軸上球面収差、非
点収差およびディスト−ションを示す。
【図６】波長２４８．４ｎｍでのさまざまな相対視野高
全てに対する図４に示した投影レンズ系の諸光線収差を
示す。
【図７】本発明の第３の実施例による投影レンズ系の模
式図を示す。
【図８】図７に示した投影レンズ系の軸上球面収差、非
点収差およびディスト−ションを示す。
【図９】波長２４８．４ｎｍでのさまざまな相対視野高
全てに対する図７に示した投影レンズ系の諸光線収差を
示す。
【図１０】本発明の第４の実施例による投影レンズ系の
模式図を示す。
【図１１】図１０に示した投影レンズ系の軸上球面収
差、非点収差およびディスト−ションを示す。
【図１２】波長２４８．４ｎｍでのさまざまな相対視野
高全てに対する図１０に示した投影レンズ系の諸光線収
差を示す。
【図１３】本発明の第５の実施例による投影レンズ系の
模式図を示す。
【図１４】図１３に示した投影レンズ系の軸上球面収
差、非点収差およびディスト−ションを示す。
【図１５】波長２４８．４ｎｍでのさまざまな相対視野
高全てに対する図１３に示した投影レンズ系の諸光線収
差を示す。
【図１６】本発明の第６の実施例による投影レンズ系の
模式図を示す。
【図１７】図１６に示した投影レンズ系の軸上球面収
差、非点収差およびディスト−ションを示す。
【図１８】波長２４８．４ｎｍでのさまざまな相対視野
高全てに対する図１６に示した投影レンズ系の諸光線収
差を示す。
【符号の説明】
Ｇ１：第１レンズ群、 Ｇ２：第２レンズ群、 Ｇ３：第３レンズ群、 Ｇ４：第４レンズ群、 Ｇ５：第５レンズ群、 ＧI：第１主レンズ群、 ＧII：第２主レンズ群、 ＧIII：第３主レンズ群、

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】投影原版上のパターンを基板へ転写するた
    めの投影露光装置において、 前記投影原版を保持する第１の保持部材と；前記基板を
    保持する第２の保持部材と；前記投影原版上のパターン
    を照明するための照明光学系と；前記投影原版上のパタ
    ーンを前記基板へ投影するための投影光学系と；を備
    え、 前記投影光学系は、前記投影原版側から順に、 正屈折力を有する第１レンズ群と；負屈折力を有する第
    ２レンズ群と；正屈折力を有する第３レンズ群と；負屈
    折力を有する第４レンズ群と；正屈折力を有する第５レ
    ンズ群と；を備え、 前記第５レンズ群は少なくとも１面の非球面レンズ面を
    含み、 以下の条件を満足することを特徴とする投影露光装置。 ０．５＜ＴG5／ＬG5＜０．８５ 但し、 ＴG5：前記第５レンズ群中の各レンズ素子の軸上厚の総
    和、 ＬG5：前記第５レンズ群中の最も投影原版側に位置する
    レンズ面から前記第５レンズ群中の最も基板側に位置す
    るレンズ面までの光軸上の距離、 である。
  2. 【請求項２】前記第４レンズ群と前記第５レンズ群との
    間には開口絞りが配置され、 以下の条件を満足することを特徴とする請求項１記載の
    投影露光装置。 ０．５＜ＴG1-G5／ＬG1-G5＜０．６４ 但し、 ＴG1-G5：前記第１乃至第５レンズ群中の各レンズ素子
    の軸上厚の総和、 ＬG1-G5：前記第１レンズ群中の最も投影原版側に位置
    するレンズ面から前記第５レンズ群中の最も基板側に位
    置するレンズ面までの光軸上の距離、 である。
  3. 【請求項３】以下の条件を満足することを特徴とする請
    求項２記載の投影露光装置。 ０．５＜ＴG1-G5／Ｌ＜０．６４ 但し、 ＴG1-G5：前記第１乃至第５レンズ群中の各レンズ素子
    の軸上厚の総和、 Ｌ ：前記投影光学系の物像間距離、 である。
  4. 【請求項４】前記第４レンズ群と前記第５レンズ群との
    間には開口絞りが配置され、以下の条件を満足すること
    を特徴とする請求項１記載の投影露光装置。 ０．５＜ＴG1-G5／Ｌ＜０．６４ 但し、 ＴG1-G5：前記第１乃至第５レンズ群中の各レンズ素子
    の軸上厚の総和、 Ｌ ：前記投影光学系の物像間距離、 である。
  5. 【請求項５】投影原版上のパターンを基板へ転写するた
    めの投影露光装置において、 前記投影原版を保持する第１の保持部材と；前記基板を
    保持する第２の保持部材と；前記投影原版上のパターン
    を照明するための照明光学系と；前記投影原版上のパタ
    ーンを前記基板へ投影するための投影光学系と；を備
    え、 前記投影光学系は、前記投影原版側から順に、 正屈折力を有する第１レンズ群と；負屈折力を有する第
    ２レンズ群と；正屈折力を有する第３レンズ群と；負屈
    折力を有する第４レンズ群と；正屈折力を有する第５レ
    ンズ群と；を備え、 前記第５レンズ群は少なくとも１面の非球面レンズ面を
    含み、 以下の条件を満足することを特徴とする投影露光装置。 ０．５＜ＴG1-G5／ＬG1-G5＜０．６４ 但し、 ＴG1-G5：前記第１乃至第５レンズ群中の各レンズ素子
    の軸上厚の総和、 ＬG1-G5：前記第１レンズ群中の最も投影原版側に位置
    するレンズ面から前記第 ５レンズ群中の最も基板側に位置するレンズ面までの光
    軸上の距離、 である。
  6. 【請求項６】以下の条件を満足することを特徴とする請
    求項５記載の投影露光装置。 ０．５＜ＴG1-G5／Ｌ＜０．６４ 但し、 ＴG1-G5：前記第１乃至第５レンズ群中の各レンズ素子
    の軸上厚の総和、 Ｌ ：前記投影光学系の物像間距離、 である。
  7. 【請求項７】投影原版上のパターンを基板へ転写するた
    めの投影露光装置において、 前記投影原版を保持する第１の保持部材と；前記基板を
    保持する第２の保持部材と；前記投影原版上のパターン
    を照明するための照明光学系と；前記投影原版上のパタ
    ーンを前記基板へ投影するための投影光学系と；を備
    え、 前記投影光学系は、前記投影原版側から順に、 正屈折力を有する第１レンズ群と；負屈折力を有する第
    ２レンズ群と；正屈折力を有する第３レンズ群と；負屈
    折力を有する第４レンズ群と；正屈折力を有する第５レ
    ンズ群と；を備え、 前記第５レンズ群は少なくとも１面の非球面レンズ面を
    含み、 以下の条件を満足することを特徴とする投影露光装置。 ０．５＜ＴG1-G5／Ｌ＜０．６４ 但し、 ＴG1-G5：前記第１乃至第５レンズ群中の各レンズ素子
    の軸上厚の総和、 Ｌ ：前記投影光学系の物像間距離、 である。
  8. 【請求項８】前記投影原版上の光軸上の一点からの光線
    を前記投影光学系へ入射させた際に前記第５レンズ群中
    において前記光軸から最も離れ、 開口絞りは前記第４レンズ群と前記第５レンズ群との間
    に配置されることを特徴とする請求項１，５または７記
    載の投影露光装置。
  9. 【請求項９】前記投影光学系の像側開口数は０．６以上
    であることを特徴とする請求項１，５または８記載の投
    影露光装置。
  10. 【請求項１０】前記照明光学系はエキシマレーザ光源を
    含み、 開口絞りは前記第４レンズ群と前記第５レンズ群との間
    に配置されることを特徴とする請求項１，５または７記
    載の投影露光装置。
  11. 【請求項１１】前記投影原版上の光軸上の一点からの光
    線を前記投影光学系へ入射させた際に前記第５レンズ群
    中において前記光軸から最も離れることを特徴とする請
    求項２，３，４または６記載の投影露光装置。
  12. 【請求項１２】以下の条件を満足することを特徴とする
    請求項１１記載の投影露光装置。 ０．２１＜ｈasp／ｈmax＜１ 但し、 ｈasp：前記投影原版上の光軸上の一点からの最周縁光
    線が前記第５レンズ群中の前記非球面に到達した点と光
    軸との距離、 ｈmax：前記投影原版上の光軸上の一点からの最周縁光
    線と光軸との距離のうちの最大値、 である。
  13. 【請求項１３】前記投影光学系の露光領域の直径は前記
    基板上で２４．６５ｍｍ以上であることを特徴とする請
    求項９記載の投影露光装置。
  14. 【請求項１４】前記投影光学系は全体として、 前記第１レンズ群を含んでいる第１主レンズ群と；前記
    第２レンズ群、前記第３レンズ群、前記第４レンズ群、
    及び前記第５レンズ群中の最も投影原版側に位置するレ
    ンズを含んでいる第２主レンズ群と；前記第５レンズ群
    中の前記最も投影原版側に位置するレンズを除いた前記
    第５レンズ群を含んでいる第３主レンズ群と；を含み、 以下の条件を満足することを特徴とする請求項２または
    ４記載の投影露光装置。 ｒo／ｒi ≦４．３４ 但し、 ｒo：前記第２主レンズ群から射出される軸上最周縁光
    線の高さ、 ｒi：前記第２主レンズ群へ入射する軸上最周縁光線の
    高さ、 である。
  15. 【請求項１５】以下の条件を満足することを特徴とする
    請求項１４記載の投影露光装置。 ０．９３≦ｆIII／ｆI ≦１．１ 但し、 ｆIII：前記第３主レンズ群の焦点距離、 ｆI ：前記第１主レンズ群の焦点距離、 である。
  16. 【請求項１６】請求項１乃至１５の何れか一項記載の投
    影露光装置を用いてレチクル上のパターンをウエハ上へ
    転写する方法であって、 前記投影原版としての前記レチクルを照明すること；及
    び前記投影光学系を通して前記基板としての前記ウエハ
    上へ前記パターンを転写すること；を含むことを特徴と
    するパターン転写方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000070407A1 (de) * 1999-05-14 2000-11-23 Carl Zeiss Projektionsobjektiv für die mikrolithographie
US6459534B1 (en) 1999-06-14 2002-10-01 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system and projection exposure apparatus with the same, and device manufacturing method
US6867922B1 (en) 1999-06-14 2005-03-15 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system and projection exposure apparatus using the same
JP2018529999A (ja) * 2015-09-24 2018-10-11 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 物体マッピング及び／又は瞳マッピングのための光学系
WO2019062941A1 (zh) * 2017-09-29 2019-04-04 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种投影物镜

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3925576B2 (ja) * 1997-07-24 2007-06-06 株式会社ニコン 投影光学系、該光学系を備えた露光装置、及び該装置を用いたデバイスの製造方法
JPH1195095A (ja) 1997-09-22 1999-04-09 Nikon Corp 投影光学系
JPH11214293A (ja) * 1998-01-22 1999-08-06 Nikon Corp 投影光学系及び該光学系を備えた露光装置並びにデバイス製造方法
US6700645B1 (en) * 1998-01-22 2004-03-02 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus and method
US6898216B1 (en) 1999-06-30 2005-05-24 Lambda Physik Ag Reduction of laser speckle in photolithography by controlled disruption of spatial coherence of laser beam
US6600550B1 (en) * 1999-06-03 2003-07-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, a photolithography method, and a device manufactured by the same
EP1139138A4 (en) 1999-09-29 2006-03-08 Nikon Corp PROJECTION EXPOSURE PROCESS, DEVICE AND OPTICAL PROJECTION SYSTEM
WO2001023933A1 (fr) 1999-09-29 2001-04-05 Nikon Corporation Systeme optique de projection
EP1094350A3 (en) * 1999-10-21 2001-08-16 Carl Zeiss Optical projection lens system
US6590715B2 (en) * 1999-12-21 2003-07-08 Carl-Zeiss-Stiftung Optical projection system
TW448307B (en) * 1999-12-21 2001-08-01 Zeiss Stiftung Optical projection system
DE50012452D1 (de) * 1999-12-29 2006-05-11 Zeiss Carl Smt Ag Projektionsobjektiv mit benachbart angeordneten asphärischen linsenoberflächen
WO2002052303A2 (de) 2000-12-22 2002-07-04 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv
DE10064685A1 (de) * 2000-12-22 2002-07-04 Zeiss Carl Lithographieobjektiv mit einer ersten Linsengruppe, bestehend ausschließlich aus Linsen positiver Brechkraft
US6762124B2 (en) 2001-02-14 2004-07-13 Avery Dennison Corporation Method for patterning a multilayered conductor/substrate structure
JP2002244034A (ja) 2001-02-21 2002-08-28 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
JP2002323652A (ja) 2001-02-23 2002-11-08 Nikon Corp 投影光学系，該投影光学系を備えた投影露光装置および投影露光方法
DE10221386A1 (de) * 2002-05-14 2003-11-27 Zeiss Carl Smt Ag Projektionsbelichtungssystem
US8208198B2 (en) 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US20080151365A1 (en) 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
KR20160085375A (ko) 2004-05-17 2016-07-15 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
CN111929806B (zh) * 2019-08-15 2021-12-14 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种光刻投影物镜及光刻机

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08179204A (ja) * 1994-11-10 1996-07-12 Nikon Corp 投影光学系及び投影露光装置
US5808814A (en) * 1996-07-18 1998-09-15 Nikon Corporation Short wavelength projection optical system

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000070407A1 (de) * 1999-05-14 2000-11-23 Carl Zeiss Projektionsobjektiv für die mikrolithographie
US6459534B1 (en) 1999-06-14 2002-10-01 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system and projection exposure apparatus with the same, and device manufacturing method
US6867922B1 (en) 1999-06-14 2005-03-15 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system and projection exposure apparatus using the same
KR100507558B1 (ko) * 1999-06-14 2005-08-17 캐논 가부시끼가이샤 투영광학시스템 및 이를 이용한 투영노광장치
KR100511360B1 (ko) * 1999-06-14 2005-08-31 캐논 가부시끼가이샤 투영광학계 및 그것을 사용한 투영노광장치, 및디바이스제조방법
JP2018529999A (ja) * 2015-09-24 2018-10-11 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 物体マッピング及び／又は瞳マッピングのための光学系
US10656411B2 (en) 2015-09-24 2020-05-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system for field mapping and/or pupil mapping
WO2019062941A1 (zh) * 2017-09-29 2019-04-04 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种投影物镜
JP2020535482A (ja) * 2017-09-29 2020-12-03 シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント（グループ）カンパニー リミティド 投影対物レンズ
US10983442B2 (en) 2017-09-29 2021-04-20 Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co., Ltd. Projection objective

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