JPH1190180A - 三弗化窒素の除害方法 - Google Patents
三弗化窒素の除害方法Info
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- JPH1190180A JPH1190180A JP9258967A JP25896797A JPH1190180A JP H1190180 A JPH1190180 A JP H1190180A JP 9258967 A JP9258967 A JP 9258967A JP 25896797 A JP25896797 A JP 25896797A JP H1190180 A JPH1190180 A JP H1190180A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＮＦ３を安全かつ効率的に除害する。
【解決手段】 触媒の存在下に三弗化窒素を含む排ガ
スと水素とを反応させて三弗化窒素を除害する方法にお
いて、三弗化窒素を含む排ガスを触媒層に間欠的に供給
する。
スと水素とを反応させて三弗化窒素を除害する方法にお
いて、三弗化窒素を含む排ガスを触媒層に間欠的に供給
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、三弗化窒素ガス
（以下、ＮＦ３と称す）の除害方法に関する。
（以下、ＮＦ３と称す）の除害方法に関する。
【０００２】
【従来技術】現在、地球環境に悪影響をもたらすフロン
やＣＯ２などに対して規制が行われていることは周知で
あり、ＮＦ３も自然界ではなかなか分解しない物質であ
る。ＮＦ３ガスは、近年、半導体製造に於いてクリーニ
ングガスとして多量に使用されている。しかし、毒性が
あり、地球温暖化効果が大きいことから、排ガス中に残
存するＮＦ３を除去することが望まれている。
やＣＯ２などに対して規制が行われていることは周知で
あり、ＮＦ３も自然界ではなかなか分解しない物質であ
る。ＮＦ３ガスは、近年、半導体製造に於いてクリーニ
ングガスとして多量に使用されている。しかし、毒性が
あり、地球温暖化効果が大きいことから、排ガス中に残
存するＮＦ３を除去することが望まれている。
【０００３】上記問題を解決する方法に、高温下で活性
炭を充填したカラムにＮＦ３を含む排ガスを通気する方
法（特開昭６２−２３７９２９号公報）が知られてい
る。しかしながら、この方法では、地球温暖化の原因の
一つとも言われるＣＦ４を放出する結果となる。
炭を充填したカラムにＮＦ３を含む排ガスを通気する方
法（特開昭６２−２３７９２９号公報）が知られてい
る。しかしながら、この方法では、地球温暖化の原因の
一つとも言われるＣＦ４を放出する結果となる。
【０００４】また、金属酸化物と反応させて除害する方
法（特開平３−１８１３１６号公報）も知られている
が、これも約５００℃の高温下で反応を行うことに加
え、ＮＯ ｘを生成するという問題がある。さらに、金属
酸化物は反応によって金属弗化物となりＮＦ３除害能力
を失うので、定期的な金属弗化物の取り出しと金属酸化
物の充填が必要となり、ランニングコストが高くなると
いう欠点がある。
法（特開平３−１８１３１６号公報）も知られている
が、これも約５００℃の高温下で反応を行うことに加
え、ＮＯ ｘを生成するという問題がある。さらに、金属
酸化物は反応によって金属弗化物となりＮＦ３除害能力
を失うので、定期的な金属弗化物の取り出しと金属酸化
物の充填が必要となり、ランニングコストが高くなると
いう欠点がある。
【０００５】さらに、高温下でガス状の弗化物を生成す
るような金属を充填したカラムにＮＦ３を通気する方法
（特開昭６１−２０４０２５号公報）も知られている
が、これによって生成されるガス状の弗化物の２次処理
設備において金属酸化物微粒子が生成し、その処理が必
要になるという欠点がある。
るような金属を充填したカラムにＮＦ３を通気する方法
（特開昭６１−２０４０２５号公報）も知られている
が、これによって生成されるガス状の弗化物の２次処理
設備において金属酸化物微粒子が生成し、その処理が必
要になるという欠点がある。
【０００６】以上の除害方法では除害装置に充填した除
害剤の交換または補充が必要で、そのためにランニング
コストが高くなるという共通の欠点がある。これに対
し、ＮＦ３を触媒の存在下還元性ガスと反応させて除害
する方法が知られており、触媒交換の頻度は前記除害剤
の交換頻度に比べてはるかに低いという利点がある。
害剤の交換または補充が必要で、そのためにランニング
コストが高くなるという共通の欠点がある。これに対
し、ＮＦ３を触媒の存在下還元性ガスと反応させて除害
する方法が知られており、触媒交換の頻度は前記除害剤
の交換頻度に比べてはるかに低いという利点がある。
【０００７】特開平２−３０３５２４号公報には、還元
性ガスとして水素を用いる方法が開示されている。還元
触媒としては元素周期表第ＶＩＩＩ族元素およびＣｕ、
Ｃｒ、Ｚｎからなる群より選ばれた１種以上を含む金属
が挙げられている。しかしながら、本発明者らの知見に
よれば、開示された技術では工業的に実施するためには
除害性能が不充分である。
性ガスとして水素を用いる方法が開示されている。還元
触媒としては元素周期表第ＶＩＩＩ族元素およびＣｕ、
Ｃｒ、Ｚｎからなる群より選ばれた１種以上を含む金属
が挙げられている。しかしながら、本発明者らの知見に
よれば、開示された技術では工業的に実施するためには
除害性能が不充分である。
【０００８】また、特開平８−１３１７７４号公報に
は、還元性ガスとして炭化水素を用いる方法が開示され
ているが、ＮＦ３と炭化水素との反応でＣＦ４が生成す
る恐れがあり、地球温暖化防止の観点からは望ましくな
い。特開平３−６５２１９号公報には塩化水素を用いる
方法が開示されているが、腐食性かつ毒性ガスである塩
化水素を使用することは望ましくない。
は、還元性ガスとして炭化水素を用いる方法が開示され
ているが、ＮＦ３と炭化水素との反応でＣＦ４が生成す
る恐れがあり、地球温暖化防止の観点からは望ましくな
い。特開平３−６５２１９号公報には塩化水素を用いる
方法が開示されているが、腐食性かつ毒性ガスである塩
化水素を使用することは望ましくない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＮＦ３を安
全、かつ効率的に処理する方法を提供することを目的と
したものである。
全、かつ効率的に処理する方法を提供することを目的と
したものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来技術
の欠点を改良し工業的実施の可能な方法について鋭意検
討した結果、ＮＦ３を触媒層に間欠的に供給する方法に
到達し、本発明を完成したものである。
の欠点を改良し工業的実施の可能な方法について鋭意検
討した結果、ＮＦ３を触媒層に間欠的に供給する方法に
到達し、本発明を完成したものである。
【００１１】すなわち、本発明は触媒の存在下に三弗化
窒素を含む排ガスと水素とを反応させて三弗化窒素を除
害する方法において、三弗化窒素を含む排ガスを触媒層
に間欠的に供給することを特徴とする三弗化窒素の除害
方法である。
窒素を含む排ガスと水素とを反応させて三弗化窒素を除
害する方法において、三弗化窒素を含む排ガスを触媒層
に間欠的に供給することを特徴とする三弗化窒素の除害
方法である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を更に詳細に説明す
る。本発明の除害方法は超ＬＳＩエッチング装置からの
排ガス、ＣＶＤクリーニングガスの排ガス、ＮＦ３容器
からの漏洩ガスなど、ＮＦ３を含むガスの除害に適用さ
れる。ＮＦ３を含むガスは水素と反応し、除害される。
る。本発明の除害方法は超ＬＳＩエッチング装置からの
排ガス、ＣＶＤクリーニングガスの排ガス、ＮＦ３容器
からの漏洩ガスなど、ＮＦ３を含むガスの除害に適用さ
れる。ＮＦ３を含むガスは水素と反応し、除害される。
【００１３】本発明で用いられる触媒の例としては、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａ
ｇ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕよりなる群から選ばれる成分を含
有するものが挙げられる。中でも、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａ
ｕよりなる群から選ばれる第１成分およびアルカリ金属
弗化物およびアルカリ土類金属弗化物のうち少なくとも
１種以上よりなる第２成分を含有するものは触媒活性、
触媒寿命共に優れ、好ましい触媒である。
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａ
ｇ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕよりなる群から選ばれる成分を含
有するものが挙げられる。中でも、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａ
ｕよりなる群から選ばれる第１成分およびアルカリ金属
弗化物およびアルカリ土類金属弗化物のうち少なくとも
１種以上よりなる第２成分を含有するものは触媒活性、
触媒寿命共に優れ、好ましい触媒である。
【００１４】上記触媒において、第１成分の中では、Ｎ
ｉ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔが活性が高く、特に望ましい。第
１成分の含有量は０．０１〜７０重量％、好ましくは
０．１〜５０重量％である。含有量０．０１重量％未満
では触媒活性が低過ぎ、７０重量％を越えると活性成分
の分散が悪くなり、やはり触媒活性が低下するので好ま
しくない。第１成分の含有量の最適値は金属の種類によ
って異なり、例えば第１成分がＮｉの場合は１０〜５０
重量％、第１成分がＲｕ、Ｐｄ、Ｐｔの場合は０．１〜
５重量％である。
ｉ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔが活性が高く、特に望ましい。第
１成分の含有量は０．０１〜７０重量％、好ましくは
０．１〜５０重量％である。含有量０．０１重量％未満
では触媒活性が低過ぎ、７０重量％を越えると活性成分
の分散が悪くなり、やはり触媒活性が低下するので好ま
しくない。第１成分の含有量の最適値は金属の種類によ
って異なり、例えば第１成分がＮｉの場合は１０〜５０
重量％、第１成分がＲｕ、Ｐｄ、Ｐｔの場合は０．１〜
５重量％である。
【００１５】第２成分はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、
Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒまたはＢａの弗化物である。触媒の形
状は球状、タブレット状、リング状、破砕品（不定型）
等、任意の形状を用いることができる。
Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒまたはＢａの弗化物である。触媒の形
状は球状、タブレット状、リング状、破砕品（不定型）
等、任意の形状を用いることができる。
【００１６】水素とＮＦ３との反応温度は、通常室温か
ら６００℃の範囲で適宜選択される。なかでも１００〜
４５０℃、好ましくは１５０〜３００℃で反応させるの
が良い。反応温度が低すぎると工業的に許容される速度
で反応を進めることができず、反応温度が６００℃を越
えると装置の耐熱性、耐食性に問題が生じ、設備費が高
くなるので好ましくない。
ら６００℃の範囲で適宜選択される。なかでも１００〜
４５０℃、好ましくは１５０〜３００℃で反応させるの
が良い。反応温度が低すぎると工業的に許容される速度
で反応を進めることができず、反応温度が６００℃を越
えると装置の耐熱性、耐食性に問題が生じ、設備費が高
くなるので好ましくない。
【００１７】本発明はＮＦ３を含む排ガスを触媒層に間
欠的に供給することを特徴とする。本発明においてはＮ
Ｆ３を含む排ガスを所定時間ｔ１の間供給し、次いでＮ
Ｆ ３を含まないガスを所定時間ｔ２の間供給する。この
サイクルを繰り返しながらＮＦ３の除害を行うことによ
り、高いＮＦ３転化率を得ることができる。前記ｔ １の
値は１００秒以下であることが望ましく、これ以上長く
なるとＮＦ３を含む排ガスを供給している時間の最後の
方でＮＦ３転化率が低下してくる。ｔ１の下限は反応成
績の点からは特に制限はないが、実装置であまり頻繁に
ＮＦ３を含むガスと含まないガスを切り替えることは現
実的ではない。また、前記ｔ２の値は１０秒以上、望ま
しくは３０秒以上である。ｔ２の値が１０秒を切るとＮ
Ｆ３転化率の低下が認められる。ｔ２の上限は反応成績
の点からは特に制限はないが、ｔ２の値が大きくなるこ
とはＮＦ３除害装置の稼働率低下を意味するので、装置
の稼働率から決まってくる。
欠的に供給することを特徴とする。本発明においてはＮ
Ｆ３を含む排ガスを所定時間ｔ１の間供給し、次いでＮ
Ｆ ３を含まないガスを所定時間ｔ２の間供給する。この
サイクルを繰り返しながらＮＦ３の除害を行うことによ
り、高いＮＦ３転化率を得ることができる。前記ｔ １の
値は１００秒以下であることが望ましく、これ以上長く
なるとＮＦ３を含む排ガスを供給している時間の最後の
方でＮＦ３転化率が低下してくる。ｔ１の下限は反応成
績の点からは特に制限はないが、実装置であまり頻繁に
ＮＦ３を含むガスと含まないガスを切り替えることは現
実的ではない。また、前記ｔ２の値は１０秒以上、望ま
しくは３０秒以上である。ｔ２の値が１０秒を切るとＮ
Ｆ３転化率の低下が認められる。ｔ２の上限は反応成績
の点からは特に制限はないが、ｔ２の値が大きくなるこ
とはＮＦ３除害装置の稼働率低下を意味するので、装置
の稼働率から決まってくる。
【００１８】触媒層にＮＦ３を含まないガスを流してい
る間は水素は連続して流しても良く、一時停止しても良
いが、ＮＦ３を含む排ガスの供給を停止してから少なく
とも１０秒以上は流しておくことが望ましい。触媒層に
ＮＦ３を含むガスを流している間は、水素の供給を停止
してはならない。
る間は水素は連続して流しても良く、一時停止しても良
いが、ＮＦ３を含む排ガスの供給を停止してから少なく
とも１０秒以上は流しておくことが望ましい。触媒層に
ＮＦ３を含むガスを流している間は、水素の供給を停止
してはならない。
【００１９】以上から、本発明におけるガス供給サイク
ルは例えば次の通りである。ＮＦ３を含む排ガスと水素
とを触媒層に１０〜１００秒間供給する。次いでＮＦ３
を含む排ガスの供給を１０〜１０００秒の間停止する。
この間、水素は連続して供給しても良く、また、ＮＦ３
を含む排ガスの供給を停止してから１０秒以上経過した
後、任意の時刻に停止しても良い。
ルは例えば次の通りである。ＮＦ３を含む排ガスと水素
とを触媒層に１０〜１００秒間供給する。次いでＮＦ３
を含む排ガスの供給を１０〜１０００秒の間停止する。
この間、水素は連続して供給しても良く、また、ＮＦ３
を含む排ガスの供給を停止してから１０秒以上経過した
後、任意の時刻に停止しても良い。
【００２０】ＮＦ３を含む排ガスを触媒層に間欠的に供
給する方法は次の通りである。ＣＶＤ装置においては例
えばＳｉＨ４等のガスを原料として基板上に膜を析出さ
せる成膜工程と、ＮＦ３等のガスを用いたクリーニング
工程が交互に行われる。ＣＶＤ装置１台の排出ＮＦ３の
処理を本発明の装置１台で行う場合には、クリーニング
工程の排ガスだけを本発明の装置に供給することによっ
てＮＦ３の間欠的な供給が達成される。
給する方法は次の通りである。ＣＶＤ装置においては例
えばＳｉＨ４等のガスを原料として基板上に膜を析出さ
せる成膜工程と、ＮＦ３等のガスを用いたクリーニング
工程が交互に行われる。ＣＶＤ装置１台の排出ＮＦ３の
処理を本発明の装置１台で行う場合には、クリーニング
工程の排ガスだけを本発明の装置に供給することによっ
てＮＦ３の間欠的な供給が達成される。
【００２１】複数のＣＶＤ装置の排出ＮＦ３を本発明の
装置１台で処理する場合には、各ＣＶＤ装置の切替タイ
ミングによっては集合排ガス中にＮＦ３が常に存在する
ことがあり得る。このような場合には、ＮＦ３と水素を
反応させるための反応器を２基以上設け、所定の時間毎
に排ガスラインを切り替えることにより、ＮＦ３の間欠
的な供給が達成される。
装置１台で処理する場合には、各ＣＶＤ装置の切替タイ
ミングによっては集合排ガス中にＮＦ３が常に存在する
ことがあり得る。このような場合には、ＮＦ３と水素を
反応させるための反応器を２基以上設け、所定の時間毎
に排ガスラインを切り替えることにより、ＮＦ３の間欠
的な供給が達成される。
【００２２】水素とＮＦ３との反応における安全性の確
保は特に重要である。これには水素とＮＦ３が爆発性混
合気体を形成しないようガス組成を制御することも勿論
であるが、反応に伴う発熱による反応器の温度上昇が適
切な範囲に抑えられることが重要である。このため、Ｎ
Ｆ３は水素と混合されるに先立って不活性ガスによって
２容量％（以後、単に％で表示）以下、好ましくは１．
５％以下、さらに好ましくは１％以下に希釈される。希
釈用の不活性ガスとしては通常窒素が用いられる。
保は特に重要である。これには水素とＮＦ３が爆発性混
合気体を形成しないようガス組成を制御することも勿論
であるが、反応に伴う発熱による反応器の温度上昇が適
切な範囲に抑えられることが重要である。このため、Ｎ
Ｆ３は水素と混合されるに先立って不活性ガスによって
２容量％（以後、単に％で表示）以下、好ましくは１．
５％以下、さらに好ましくは１％以下に希釈される。希
釈用の不活性ガスとしては通常窒素が用いられる。
【００２３】触媒層にＮＦ３を含む排ガスが供給されて
いる間、ＮＦ３に対する添加水素のモル比は１．５〜１
０、好ましくは１．５〜５である。モル比が１．５未満
ではＮＦ３転化率が低くなり、モル比が１０を越えても
ＮＦ３転化率は上昇せず、可燃性ガスである水素が多量
に残留して好ましくない。また、水素濃度が５％以下で
あれば、仮にＮＦ３との反応が起こらず、水素がＮＦ３
除害設備内で消費されずにそのまま大気中に放出されて
も爆発の恐れがないため、水素濃度５％以下であること
が好ましい。仮にＮＦ３濃度１．５％、水素濃度５％と
すると水素のＮＦ３に対するモル比は３．３となり、前
記の好ましいモル比の範囲に含まれる。
いる間、ＮＦ３に対する添加水素のモル比は１．５〜１
０、好ましくは１．５〜５である。モル比が１．５未満
ではＮＦ３転化率が低くなり、モル比が１０を越えても
ＮＦ３転化率は上昇せず、可燃性ガスである水素が多量
に残留して好ましくない。また、水素濃度が５％以下で
あれば、仮にＮＦ３との反応が起こらず、水素がＮＦ３
除害設備内で消費されずにそのまま大気中に放出されて
も爆発の恐れがないため、水素濃度５％以下であること
が好ましい。仮にＮＦ３濃度１．５％、水素濃度５％と
すると水素のＮＦ３に対するモル比は３．３となり、前
記の好ましいモル比の範囲に含まれる。
【００２４】反応の空間速度は１００〜１００，０００
ｈｒ−１、好ましくは５００〜５０，０００ｈｒ−１で
ある。ＮＦ３と水素との反応により、弗化水素等の弗素
化合物が生成する。この弗素化合物を除去するための吸
着剤として、アルカリ土類酸化物やソーダライムのよう
な塩基性酸化物、弗化ナトリウム、モレキュラーシー
ブ、活性アルミナ等が使用される。これらの吸着剤は安
価であり、結果としてＮＦ３除害プロセスのランニング
コストが低減される。また、弗化水素等の弗素化合物を
スクラバーで処理する方法も用いることができる。
ｈｒ−１、好ましくは５００〜５０，０００ｈｒ−１で
ある。ＮＦ３と水素との反応により、弗化水素等の弗素
化合物が生成する。この弗素化合物を除去するための吸
着剤として、アルカリ土類酸化物やソーダライムのよう
な塩基性酸化物、弗化ナトリウム、モレキュラーシー
ブ、活性アルミナ等が使用される。これらの吸着剤は安
価であり、結果としてＮＦ３除害プロセスのランニング
コストが低減される。また、弗化水素等の弗素化合物を
スクラバーで処理する方法も用いることができる。
【００２５】
【実施例】以下、実施例により本発明の方法をさらに具
体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。また、重量％はｗｔ％、容量％は単に
％で表す。 実施例１ ニッケル粉末３０ｗｔ％と弗化カルシウム粉末７０ｗｔ
％をビニール袋の中で均一に混合し、少量の水を加えて
自動乳鉢でペースト状の混合物を調製した。この混合物
を１２０℃、１ｈ乾燥した後、粒径０．５ｍｍ以下に粉
砕し、打錠成型で直径５ｍｍ、高さ５ｍｍのタブレット
を製造した。このようにして得られたＮｉ（３０ｗｔ
％）／ＣａＦ２触媒を粒径１〜２ｍｍに粉砕し、４０ｍ
ｌを内径２０ｍｍの流通式反応器に充填した。また、粒
径１〜２ｍｍのソーダライム５００ｍｌを内径２０ｍｍ
の流通式反応器に充填し、前記触媒を充填した反応器の
下流側に接続した。
体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。また、重量％はｗｔ％、容量％は単に
％で表す。 実施例１ ニッケル粉末３０ｗｔ％と弗化カルシウム粉末７０ｗｔ
％をビニール袋の中で均一に混合し、少量の水を加えて
自動乳鉢でペースト状の混合物を調製した。この混合物
を１２０℃、１ｈ乾燥した後、粒径０．５ｍｍ以下に粉
砕し、打錠成型で直径５ｍｍ、高さ５ｍｍのタブレット
を製造した。このようにして得られたＮｉ（３０ｗｔ
％）／ＣａＦ２触媒を粒径１〜２ｍｍに粉砕し、４０ｍ
ｌを内径２０ｍｍの流通式反応器に充填した。また、粒
径１〜２ｍｍのソーダライム５００ｍｌを内径２０ｍｍ
の流通式反応器に充填し、前記触媒を充填した反応器の
下流側に接続した。
【００２６】以下のサイクルでガスを供給し、ＮＦ３除
害試験を行った。ＮＦ３１％、水素５％、残部窒素から
なるガスを空間速度（ＳＶ）５０００ｈｒ−１で３０秒
間反応器に供給し、２５０℃で反応させた。３０秒経過
後にＮＦ３の供給を停止し、さらに１０秒後に水素の供
給を停止して窒素だけを流した。ＮＦ３の供給を停止し
てから６０秒後にＮＦ３と水素の供給を再開した。従っ
て、１サイクルのうちＮＦ３供給時間３０秒、停止時間
６０秒である。また、１サイクルのうち、水素供給時間
４０秒、水素停止時間５０秒である。
害試験を行った。ＮＦ３１％、水素５％、残部窒素から
なるガスを空間速度（ＳＶ）５０００ｈｒ−１で３０秒
間反応器に供給し、２５０℃で反応させた。３０秒経過
後にＮＦ３の供給を停止し、さらに１０秒後に水素の供
給を停止して窒素だけを流した。ＮＦ３の供給を停止し
てから６０秒後にＮＦ３と水素の供給を再開した。従っ
て、１サイクルのうちＮＦ３供給時間３０秒、停止時間
６０秒である。また、１サイクルのうち、水素供給時間
４０秒、水素停止時間５０秒である。
【００２７】反応開始から１〜１．５時間後にソーダラ
イム充填反応器（吸着装置）出口の排ガスをガスクロマ
トグラフで分析し、ＮＦ３転化率を求めた。分析は各サ
イクルでＮＦ３の供給を開始してから１０秒後と２０秒
後にそれぞれ３回ずつ行い、測定値を平均した。ＮＦ３
の供給を開始してから１０秒後のＮＦ３転化率は７８
％、２０秒後の転化率は７９％で、実質的に同じ値であ
った。
イム充填反応器（吸着装置）出口の排ガスをガスクロマ
トグラフで分析し、ＮＦ３転化率を求めた。分析は各サ
イクルでＮＦ３の供給を開始してから１０秒後と２０秒
後にそれぞれ３回ずつ行い、測定値を平均した。ＮＦ３
の供給を開始してから１０秒後のＮＦ３転化率は７８
％、２０秒後の転化率は７９％で、実質的に同じ値であ
った。
【００２８】実施例２ ニッケル粉末３０ｗｔ％と弗化ナトリウム粉末７０ｗｔ
％をビニール袋の中で均一に混合し、そのまま打錠成型
して直径５ｍｍ、高さ５ｍｍのタブレットを製造した。
次いで得られたタブレットを１〜２ｍｍに粉砕し、触媒
とした。このようにして得られたＮｉ（３０ｗｔ％）／
ＮａＦ触媒４０ｍｌを用いて、実施例１と同様に反応を
行った。反応開始から１〜１．５時間後に実施例１と同
様にしてＮＦ３転化率を求めた。ＮＦ３の供給を開始し
てから１０秒後のＮＦ３転化率は７６％、２０秒後の転
化率は７５％であった。
％をビニール袋の中で均一に混合し、そのまま打錠成型
して直径５ｍｍ、高さ５ｍｍのタブレットを製造した。
次いで得られたタブレットを１〜２ｍｍに粉砕し、触媒
とした。このようにして得られたＮｉ（３０ｗｔ％）／
ＮａＦ触媒４０ｍｌを用いて、実施例１と同様に反応を
行った。反応開始から１〜１．５時間後に実施例１と同
様にしてＮＦ３転化率を求めた。ＮＦ３の供給を開始し
てから１０秒後のＮＦ３転化率は７６％、２０秒後の転
化率は７５％であった。
【００２９】実施例３ 弗化カルシウム成形体を粒径１〜２ｍｍに粉砕した。塩
化パラジウムＰｄＣｌ ２１．６７ｇを１Ｎ−ＫＣｌ水溶
液１００ｍｌに溶解し、そこに前記弗化カルシウム粉砕
品１００ｇを投入した。室温で１ｈ静置後水素化ホウ素
ナトリウム０．３ｇを添加してパラジウムを還元した。
還元終了後、溶液を濾過で除き、１２０℃で１ｈ乾燥
し、次いで４００℃で１ｈ焼成してＰｄ（１ｗｔ％）／
ＣａＦ２触媒を製造した。この触媒４０ｍｌを内径２０
ｍｍの流通式反応器に充填した。また、粒径１〜２ｍｍ
のソーダライム５００ｍｌを内径２０ｍｍの流通式反応
器に充填し、前記触媒を充填した反応器の下流側に接続
した。
化パラジウムＰｄＣｌ ２１．６７ｇを１Ｎ−ＫＣｌ水溶
液１００ｍｌに溶解し、そこに前記弗化カルシウム粉砕
品１００ｇを投入した。室温で１ｈ静置後水素化ホウ素
ナトリウム０．３ｇを添加してパラジウムを還元した。
還元終了後、溶液を濾過で除き、１２０℃で１ｈ乾燥
し、次いで４００℃で１ｈ焼成してＰｄ（１ｗｔ％）／
ＣａＦ２触媒を製造した。この触媒４０ｍｌを内径２０
ｍｍの流通式反応器に充填した。また、粒径１〜２ｍｍ
のソーダライム５００ｍｌを内径２０ｍｍの流通式反応
器に充填し、前記触媒を充填した反応器の下流側に接続
した。
【００３０】以下のサイクルでガスを供給し、ＮＦ３除
害試験を行った。ＮＦ３１％、水素５％、残部窒素から
なるガスを空間速度（ＳＶ）５０００ｈｒ−１で３０秒
間反応器に供給し、２２０℃で反応させた。３０秒経過
後にＮＦ３の供給を停止し、さらに１５秒後に水素の供
給を停止した。ＮＦ３の供給を停止してから１２０秒後
にＮＦ３と水素の供給を再開した。従って、１サイクル
のうちＮＦ３供給時間３０秒、停止時間１２０秒であ
る。また、１サイクルのうち、水素供給時間４５秒、水
素停止時間１０５秒である。反応開始から１〜１．５時
間後に実施例１と同様にＮＦ３転化率を求めた。ＮＦ３
の供給を開始してから１０秒後のＮＦ３転化率は８１
％、２０秒後の転化率は８０％であった。
害試験を行った。ＮＦ３１％、水素５％、残部窒素から
なるガスを空間速度（ＳＶ）５０００ｈｒ−１で３０秒
間反応器に供給し、２２０℃で反応させた。３０秒経過
後にＮＦ３の供給を停止し、さらに１５秒後に水素の供
給を停止した。ＮＦ３の供給を停止してから１２０秒後
にＮＦ３と水素の供給を再開した。従って、１サイクル
のうちＮＦ３供給時間３０秒、停止時間１２０秒であ
る。また、１サイクルのうち、水素供給時間４５秒、水
素停止時間１０５秒である。反応開始から１〜１．５時
間後に実施例１と同様にＮＦ３転化率を求めた。ＮＦ３
の供給を開始してから１０秒後のＮＦ３転化率は８１
％、２０秒後の転化率は８０％であった。
【００３１】比較例１ 実施例１と同じＮｉ（３０ｗｔ％）／ＣａＦ２触媒を用
い、ＮＦ３の供給を連続的に行った例を示す。この触媒
とソーダライムを実施例１と同様に流通式反応器に充填
し、ＮＦ３１％、水素５％、残部窒素からなるガスを空
間速度（ＳＶ）５０００ｈｒ−１で連続的に反応器に供
給し、２５０℃で反応させた。反応開始から１〜１．５
時間後の転化率を測定したところ、７２％であった。
い、ＮＦ３の供給を連続的に行った例を示す。この触媒
とソーダライムを実施例１と同様に流通式反応器に充填
し、ＮＦ３１％、水素５％、残部窒素からなるガスを空
間速度（ＳＶ）５０００ｈｒ−１で連続的に反応器に供
給し、２５０℃で反応させた。反応開始から１〜１．５
時間後の転化率を測定したところ、７２％であった。
【００３２】比較例２ 実施例２と同じＮｉ（３０ｗｔ％）／ＮａＦ触媒を用
い、ＮＦ３の供給を連続的に行った例を示す。この触媒
とソーダライムを実施例１と同様に流通式反応器に充填
し、ＮＦ３１％、水素５％、残部窒素からなるガスを空
間速度（ＳＶ）５０００ｈｒ−１で連続的に反応器に供
給し、２５０℃で反応させた。反応開始から１〜１．５
時間後の転化率を測定したところ、７０％であった。
い、ＮＦ３の供給を連続的に行った例を示す。この触媒
とソーダライムを実施例１と同様に流通式反応器に充填
し、ＮＦ３１％、水素５％、残部窒素からなるガスを空
間速度（ＳＶ）５０００ｈｒ−１で連続的に反応器に供
給し、２５０℃で反応させた。反応開始から１〜１．５
時間後の転化率を測定したところ、７０％であった。
【００３３】比較例３ 実施例３と同じＰｄ（１ｗｔ％）／ＣａＦ２触媒を用
い、ＮＦ３の供給を連続的に行った例を示す。この触媒
とソーダライムを実施例１と同様に流通式反応器に充填
し、ＮＦ３１％、水素５％、残部窒素からなるガスを空
間速度（ＳＶ）５０００ｈｒ−１で連続的に反応器に供
給し、２２０℃で反応させた。反応開始から１〜１．５
時間後の転化率を測定したところ、７４％であった。
い、ＮＦ３の供給を連続的に行った例を示す。この触媒
とソーダライムを実施例１と同様に流通式反応器に充填
し、ＮＦ３１％、水素５％、残部窒素からなるガスを空
間速度（ＳＶ）５０００ｈｒ−１で連続的に反応器に供
給し、２２０℃で反応させた。反応開始から１〜１．５
時間後の転化率を測定したところ、７４％であった。
【００３４】
【発明の効果】本発明のＮＦ３除害方法により、ＮＦ３
の除害反応における転化率が向上し、より経済的にＮＦ
３の除害を実施することができる。
の除害反応における転化率が向上し、より経済的にＮＦ
３の除害を実施することができる。
フロントページの続き (72)発明者 和知 浩子 山口県下関市彦島迫町七丁目１番１号 三 井東圧化学株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 触媒の存在下に三弗化窒素を含む排ガ
スと水素とを反応させて三弗化窒素を除害する方法にお
いて、三弗化窒素を含む排ガスを触媒層に間欠的に供給
することを特徴とする三弗化窒素の除害方法。 - 【請求項２】 触媒がＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕよりな
る群から選ばれる成分を含有する請求項１記載の三弗化
窒素の除害方法。 - 【請求項３】 触媒がＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕよりな
る群から選ばれる第１成分およびアルカリ金属弗化物お
よびアルカリ土類金属弗化物のうち少なくとも１種以上
よりなる第２成分を含有する請求項１記載の三弗化窒素
の除害方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9258967A JPH1190180A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 三弗化窒素の除害方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9258967A JPH1190180A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 三弗化窒素の除害方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1190180A true JPH1190180A (ja) | 1999-04-06 |
Family
ID=17327513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9258967A Pending JPH1190180A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 三弗化窒素の除害方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1190180A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6921519B2 (en) | 2001-01-24 | 2005-07-26 | Ineos Fluor Holdings Limited | Decomposition of fluorine containing compounds |
-
1997
- 1997-09-24 JP JP9258967A patent/JPH1190180A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6921519B2 (en) | 2001-01-24 | 2005-07-26 | Ineos Fluor Holdings Limited | Decomposition of fluorine containing compounds |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060418 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060808 |