JPH11128675A - 塩素または塩素化合物の除害方法および装置 - Google Patents
塩素または塩素化合物の除害方法および装置Info
- Publication number
- JPH11128675A JPH11128675A JP9302578A JP30257897A JPH11128675A JP H11128675 A JPH11128675 A JP H11128675A JP 9302578 A JP9302578 A JP 9302578A JP 30257897 A JP30257897 A JP 30257897A JP H11128675 A JPH11128675 A JP H11128675A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chlorine
- hydrogen
- reaction
- exhaust gas
- hydrogen chloride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 塩素または塩素化合物のリーク濃度が
小さく、かつ吸着容量の大きな吸着剤の使用が可能にな
り、より経済的に塩素または塩素化合物の除害を実施す
る。 【解決手段】 塩素または塩素化合物を含む排ガスと
水素と反応させる。
小さく、かつ吸着容量の大きな吸着剤の使用が可能にな
り、より経済的に塩素または塩素化合物の除害を実施す
る。 【解決手段】 塩素または塩素化合物を含む排ガスと
水素と反応させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、塩素または塩素化
合物の除害方法および装置に関する。
合物の除害方法および装置に関する。
【０００２】
【従来技術】現在、半導体製造等を中心にＣＶＤ装置が
普及し、成膜、エッチング、クリーニング等のプロセス
で種々のガスが使用されている。一方、地球環境に悪影
響をもたらすフロンやＣＯ２などに対して規制が行われ
ていることは周知であり、ＣＶＤ装置で使用されるガス
の中にも毒性、オゾン破壊効果、地球温暖化効果等の観
点から排出防止の徹底が望まれているものがある。
普及し、成膜、エッチング、クリーニング等のプロセス
で種々のガスが使用されている。一方、地球環境に悪影
響をもたらすフロンやＣＯ２などに対して規制が行われ
ていることは周知であり、ＣＶＤ装置で使用されるガス
の中にも毒性、オゾン破壊効果、地球温暖化効果等の観
点から排出防止の徹底が望まれているものがある。
【０００３】塩素ガス（以下Ｃｌ２と記す場合がある）
は、近年、半導体製造においてエッチングガスとして使
用されており、また、ＡｓＣｌ３、ＰＣｌ３、ＰＣｌ５
のようなドーピングガスや、ＢＣｌ３のようなエッチン
グガス、さらにＣｌＦ３のようなクリーニングガスを使
用した場合も分解生成物として排ガス中に含まれる。Ｃ
ｌ２は毒性があり、かつ腐食性であることから、排ガス
中に残存するＣｌ２を除去することが望まれている。
は、近年、半導体製造においてエッチングガスとして使
用されており、また、ＡｓＣｌ３、ＰＣｌ３、ＰＣｌ５
のようなドーピングガスや、ＢＣｌ３のようなエッチン
グガス、さらにＣｌＦ３のようなクリーニングガスを使
用した場合も分解生成物として排ガス中に含まれる。Ｃ
ｌ２は毒性があり、かつ腐食性であることから、排ガス
中に残存するＣｌ２を除去することが望まれている。
【０００４】排ガス中のＣｌ２を除去する方法として
は、アルカリ性の洗浄液で吸収する方法や、活性炭やゼ
オライト等の吸着剤で吸着除去する方法が公知である。
しかし、前者の方法はスクラバーの保守に人手を要し、
かつ排水処理が必要であるという問題がある。また、後
者の方法は吸着容量が小さく、吸着剤の交換頻度が高
い。
は、アルカリ性の洗浄液で吸収する方法や、活性炭やゼ
オライト等の吸着剤で吸着除去する方法が公知である。
しかし、前者の方法はスクラバーの保守に人手を要し、
かつ排水処理が必要であるという問題がある。また、後
者の方法は吸着容量が小さく、吸着剤の交換頻度が高
い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、Ｃｌ２を効
率的に処理する方法を提供することを目的としたもので
ある。
率的に処理する方法を提供することを目的としたもので
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、Ｃｌ２の
還元生成物であるＨＣｌがアルカリ金属またはアルカリ
土類金属の酸化物や水酸化物等の吸着剤により容易に吸
着され、かつ吸着容量も大きいことに着目し、本発明を
完成したものである。
還元生成物であるＨＣｌがアルカリ金属またはアルカリ
土類金属の酸化物や水酸化物等の吸着剤により容易に吸
着され、かつ吸着容量も大きいことに着目し、本発明を
完成したものである。
【０００７】すなわち、本発明は塩素または塩素化合物
を含む排ガスと水素と反応させることを特徴とする塩素
または塩素化合物の除害方法である。また、本発明は塩
素または塩素化合物を含む排ガスを所定の反応温度に昇
温するための予熱器、該排ガスと水素との反応を行わせ
るための触媒を充填した反応器、および塩素または塩素
化合物と水素との反応で生成した塩化水素を吸着除去す
るための吸着剤を充填した塩化水素処理筒からなる塩素
または塩素化合物の除害装置に関する。
を含む排ガスと水素と反応させることを特徴とする塩素
または塩素化合物の除害方法である。また、本発明は塩
素または塩素化合物を含む排ガスを所定の反応温度に昇
温するための予熱器、該排ガスと水素との反応を行わせ
るための触媒を充填した反応器、および塩素または塩素
化合物と水素との反応で生成した塩化水素を吸着除去す
るための吸着剤を充填した塩化水素処理筒からなる塩素
または塩素化合物の除害装置に関する。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を更に詳細に説明す
る。本発明の除害方法は超ＬＳＩエッチング装置からの
排ガス、ＣＶＤクリーニングガスの排ガスなど、塩素ま
たは塩素化合物を含む排ガスの除害に適用される。塩素
または塩素化合物を含む排ガスは水素と反応し、除害さ
れる。
る。本発明の除害方法は超ＬＳＩエッチング装置からの
排ガス、ＣＶＤクリーニングガスの排ガスなど、塩素ま
たは塩素化合物を含む排ガスの除害に適用される。塩素
または塩素化合物を含む排ガスは水素と反応し、除害さ
れる。
【０００９】本発明における塩素化合物としては、Ａｓ
Ｃｌ３、ＰＣｌ３、ＰＣｌ５、ＢＣｌ３、ＣｌＦ、Ｃｌ
Ｆ３、ＣｌＦ５等が挙げられるが、水素化生成物が吸着
除去の容易なハロゲン化水素のみであるＣｌＦ、ＣｌＦ
３、ＣｌＦ５は特に本発明を用いる効果が大きい。
Ｃｌ３、ＰＣｌ３、ＰＣｌ５、ＢＣｌ３、ＣｌＦ、Ｃｌ
Ｆ３、ＣｌＦ５等が挙げられるが、水素化生成物が吸着
除去の容易なハロゲン化水素のみであるＣｌＦ、ＣｌＦ
３、ＣｌＦ５は特に本発明を用いる効果が大きい。
【００１０】本発明においては、まず、塩素または塩素
化合物を含むガスを水素と反応させ、還元分解する。反
応は例えば次のように進行する。 Ｃｌ２＋Ｈ２→２ＨＣｌ ＣｌＦ＋Ｈ２→ＨＣｌ＋ＨＦ ＣｌＦ３＋２Ｈ２→ＨＣｌ＋３ＨＦ ＣｌＦ５＋３Ｈ２→ＨＣｌ＋５ＨＦ
化合物を含むガスを水素と反応させ、還元分解する。反
応は例えば次のように進行する。 Ｃｌ２＋Ｈ２→２ＨＣｌ ＣｌＦ＋Ｈ２→ＨＣｌ＋ＨＦ ＣｌＦ３＋２Ｈ２→ＨＣｌ＋３ＨＦ ＣｌＦ５＋３Ｈ２→ＨＣｌ＋５ＨＦ
【００１１】反応は無触媒で行うこともできるが、触媒
を用いた方が反応温度が低くなり、有利である。本発明
で用いられる触媒の例としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ
よりなる群から選ばれる活性成分を含有するものが挙げ
られる。中でも、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔが活性が高
く、特に望ましい。これらの成分はそれだけで触媒とし
て用いることもできるが、アルミナ、シリカ、シリカ・
アルミナ、ゼオライト、チタニア等の担体に担持するこ
とが望ましい。担体を用いる場合、活性成分の含有量は
０．０１〜７０重量％、好ましくは０．１〜５０重量％
である。含有量０．０１重量％未満では触媒活性が低過
ぎ、７０重量％を越えると活性成分の分散が悪くなり、
やはり触媒活性が低下する。活性成分の含有量の最適値
は金属の種類によって異なり、例えば活性成分がＮｉの
場合は１０〜５０重量％、活性成分がＲｕ、Ｐｄ、Ｐｔ
の場合は０．１〜５重量％である。
を用いた方が反応温度が低くなり、有利である。本発明
で用いられる触媒の例としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ
よりなる群から選ばれる活性成分を含有するものが挙げ
られる。中でも、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔが活性が高
く、特に望ましい。これらの成分はそれだけで触媒とし
て用いることもできるが、アルミナ、シリカ、シリカ・
アルミナ、ゼオライト、チタニア等の担体に担持するこ
とが望ましい。担体を用いる場合、活性成分の含有量は
０．０１〜７０重量％、好ましくは０．１〜５０重量％
である。含有量０．０１重量％未満では触媒活性が低過
ぎ、７０重量％を越えると活性成分の分散が悪くなり、
やはり触媒活性が低下する。活性成分の含有量の最適値
は金属の種類によって異なり、例えば活性成分がＮｉの
場合は１０〜５０重量％、活性成分がＲｕ、Ｐｄ、Ｐｔ
の場合は０．１〜５重量％である。
【００１２】触媒の形状は球状、タブレット状、リング
状、破砕品（不定型）等、任意の形状を用いることがで
きる。水素と塩素または塩素化合物との反応温度は、無
触媒の場合は４００〜１０００℃、好ましくは５００〜
７００℃である。触媒を使用する場合は通常室温から６
００℃の範囲で適宜選択される。なかでも１００〜４５
０℃、好ましくは１５０〜３００℃で反応させるのが良
い。反応温度が低すぎると工業的に許容される速度で反
応を進めることができず、反応温度が高すぎると装置の
耐熱性、耐食性に問題が生じ、設備費が高くなるので好
ましくない。
状、破砕品（不定型）等、任意の形状を用いることがで
きる。水素と塩素または塩素化合物との反応温度は、無
触媒の場合は４００〜１０００℃、好ましくは５００〜
７００℃である。触媒を使用する場合は通常室温から６
００℃の範囲で適宜選択される。なかでも１００〜４５
０℃、好ましくは１５０〜３００℃で反応させるのが良
い。反応温度が低すぎると工業的に許容される速度で反
応を進めることができず、反応温度が高すぎると装置の
耐熱性、耐食性に問題が生じ、設備費が高くなるので好
ましくない。
【００１３】水素と塩素または塩素化合物との比はＨ／
Ｃｌ原子比で１〜１０、好ましくは１．１〜３である。
原子比が１未満では塩素または塩素化合物を還元するた
めの水素量が不足し、また原子比が１０を越えても塩素
または塩素化合物の還元反応の促進効果はなく、未反応
水素が下流に流れ出すので好ましくない。
Ｃｌ原子比で１〜１０、好ましくは１．１〜３である。
原子比が１未満では塩素または塩素化合物を還元するた
めの水素量が不足し、また原子比が１０を越えても塩素
または塩素化合物の還元反応の促進効果はなく、未反応
水素が下流に流れ出すので好ましくない。
【００１４】ここで、上記原子比は１〜１０分間の間の
平均値が１〜１０であれば良く、その間にＨ／Ｃｌ原子
比が１より低い時期があっても差し支えない。本発明を
限定するものではないが、触媒には水素保持効果があ
り、短時間であれば気相に水素が無くても還元反応が進
むものと考えられる。
平均値が１〜１０であれば良く、その間にＨ／Ｃｌ原子
比が１より低い時期があっても差し支えない。本発明を
限定するものではないが、触媒には水素保持効果があ
り、短時間であれば気相に水素が無くても還元反応が進
むものと考えられる。
【００１５】水素と塩素または塩素化合物との反応は大
きな発熱反応であるため、安全性の確保は特に重要であ
る。これには水素と塩素または塩素化合物が爆発性混合
気体を形成しないようガス組成を制御することも勿論で
あるが、反応に伴う発熱による反応器の温度上昇が適切
な範囲に抑えられることが重要である。このため、Ｃｌ
２の場合は水素と混合されるに先立って不活性ガスによ
って２容量％（以後、単に％で表示）以下、好ましくは
１．５％以下、さらに好ましくは１％以下に希釈され
る。希釈用の不活性ガスとしては通常窒素が用いられ
る。
きな発熱反応であるため、安全性の確保は特に重要であ
る。これには水素と塩素または塩素化合物が爆発性混合
気体を形成しないようガス組成を制御することも勿論で
あるが、反応に伴う発熱による反応器の温度上昇が適切
な範囲に抑えられることが重要である。このため、Ｃｌ
２の場合は水素と混合されるに先立って不活性ガスによ
って２容量％（以後、単に％で表示）以下、好ましくは
１．５％以下、さらに好ましくは１％以下に希釈され
る。希釈用の不活性ガスとしては通常窒素が用いられ
る。
【００１６】反応の空間速度は１００〜１００，０００
ｈｒ−１、好ましくは５００〜５０，０００ｈｒ−１で
ある。水素と塩素または塩素化合物との反応により、塩
化水素が生成する。この塩化水素を除去するための吸着
剤として、アルカリ土類酸化物・水酸化物やソーダライ
ムのような塩基性酸化物・水酸化物、アルミナ、酸化亜
鉛等が使用される。本発明の方法でＣｌ２をＨＣｌに変
換して吸着除去することにより、Ｃｌ２を直接吸着除去
するのに比べてリークが小さく、かつ吸着容量が大きく
なる。その結果として塩素または塩素化合物除害プロセ
スのランニングコストが低減される。塩化水素の吸着温
度は前段の還元温度との関連で、室温から３００℃の範
囲で適宜選択される。
ｈｒ−１、好ましくは５００〜５０，０００ｈｒ−１で
ある。水素と塩素または塩素化合物との反応により、塩
化水素が生成する。この塩化水素を除去するための吸着
剤として、アルカリ土類酸化物・水酸化物やソーダライ
ムのような塩基性酸化物・水酸化物、アルミナ、酸化亜
鉛等が使用される。本発明の方法でＣｌ２をＨＣｌに変
換して吸着除去することにより、Ｃｌ２を直接吸着除去
するのに比べてリークが小さく、かつ吸着容量が大きく
なる。その結果として塩素または塩素化合物除害プロセ
スのランニングコストが低減される。塩化水素の吸着温
度は前段の還元温度との関連で、室温から３００℃の範
囲で適宜選択される。
【００１７】本発明による塩素または塩素化合物の除害
装置の例を図１に示す。ＣＶＤ装置等から排出される塩
素または塩素化合物含有排ガス１は本発明の除害装置７
に入り、予熱器２で水素との反応に必要な温度まで加熱
される。還元剤である水素３は流量調節器４で所定の流
量に調節された後、予熱器２を出た排ガスと混合され
る。水素と排ガスの混合は予熱器の前で行っても良い。
水素と混合された排ガスは反応器５で分解され、塩化水
素を生成する。続いて排ガスは塩化水素処理筒６に入
り、処理筒内に充填された吸着剤により塩化水素が除去
される。塩化水素処理筒６を出た排ガスはそのまま大気
放出されるか、必要に応じてさらに別の除害設備に送ら
れる。
装置の例を図１に示す。ＣＶＤ装置等から排出される塩
素または塩素化合物含有排ガス１は本発明の除害装置７
に入り、予熱器２で水素との反応に必要な温度まで加熱
される。還元剤である水素３は流量調節器４で所定の流
量に調節された後、予熱器２を出た排ガスと混合され
る。水素と排ガスの混合は予熱器の前で行っても良い。
水素と混合された排ガスは反応器５で分解され、塩化水
素を生成する。続いて排ガスは塩化水素処理筒６に入
り、処理筒内に充填された吸着剤により塩化水素が除去
される。塩化水素処理筒６を出た排ガスはそのまま大気
放出されるか、必要に応じてさらに別の除害設備に送ら
れる。
【００１８】
【実施例】以下、実施例により本発明の方法をさらに具
体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。 実施例１ ニッケル３０重量％をアルミナに担持した直径６．４ｍ
ｍ、高さ６．４ｍｍの打錠成型触媒を粒径１〜２ｍｍに
粉砕し、４０ｍｌを内径２０ｍｍの流通式反応器に充填
した。また、粒径１〜２ｍｍの活性アルミナ２００ｍｌ
を内径２０ｍｍの流通式反応器に充填し、前記触媒を充
填した反応器の下流側に接続した。Ｃｌ２１％、水素５
％、残部窒素からなるガスを１３００ｍｌ／ｍｉｎの流
量で反応器に供給し、２５０℃で反応させた。反応開始
から１０分後および２時間後に活性アルミナ充填反応器
（吸着装置）出口の排ガスを水酸化ナトリウムと亜硫酸
ナトリウムの混合水溶液に１０分間バブリングさせ、吸
着装置を通過したＣｌ２とＨＣｌを吸収した。塩素イオ
ンの分析結果から、出口ガス中の塩素濃度（Ｃｌ２換
算）はいずれも０．５ｐｐｍ以下であった。
体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。 実施例１ ニッケル３０重量％をアルミナに担持した直径６．４ｍ
ｍ、高さ６．４ｍｍの打錠成型触媒を粒径１〜２ｍｍに
粉砕し、４０ｍｌを内径２０ｍｍの流通式反応器に充填
した。また、粒径１〜２ｍｍの活性アルミナ２００ｍｌ
を内径２０ｍｍの流通式反応器に充填し、前記触媒を充
填した反応器の下流側に接続した。Ｃｌ２１％、水素５
％、残部窒素からなるガスを１３００ｍｌ／ｍｉｎの流
量で反応器に供給し、２５０℃で反応させた。反応開始
から１０分後および２時間後に活性アルミナ充填反応器
（吸着装置）出口の排ガスを水酸化ナトリウムと亜硫酸
ナトリウムの混合水溶液に１０分間バブリングさせ、吸
着装置を通過したＣｌ２とＨＣｌを吸収した。塩素イオ
ンの分析結果から、出口ガス中の塩素濃度（Ｃｌ２換
算）はいずれも０．５ｐｐｍ以下であった。
【００１９】比較例１ 実施例１で使用したのと同じ活性アルミナ２００ｍｌを
内径２０ｍｍの流通式反応器に充填した。ここにＣｌ２
１％、残部窒素からなるガスを１３００ｍｌ／ｍｉｎの
流量で供給し、Ｃｌ２の吸着実験を行った。吸着開始か
ら１０分後および２時間後に実施例１と同様にして吸着
装置出口排ガス中の塩素濃度を測定した。塩素濃度（Ｃ
ｌ２換算）は１０分後が４０ｐｐｍ、２時間後が７０ｐ
ｐｍであった。活性アルミナを使用した場合、Ｃｌ２を
そのまま吸着するとリーク量が大きいことがわかった。
内径２０ｍｍの流通式反応器に充填した。ここにＣｌ２
１％、残部窒素からなるガスを１３００ｍｌ／ｍｉｎの
流量で供給し、Ｃｌ２の吸着実験を行った。吸着開始か
ら１０分後および２時間後に実施例１と同様にして吸着
装置出口排ガス中の塩素濃度を測定した。塩素濃度（Ｃ
ｌ２換算）は１０分後が４０ｐｐｍ、２時間後が７０ｐ
ｐｍであった。活性アルミナを使用した場合、Ｃｌ２を
そのまま吸着するとリーク量が大きいことがわかった。
【００２０】比較例２ 活性アルミナをモレキュラーシーブ５Ａに代えた他は比
較例１と同様に試験を行った。出口排ガス中の塩素濃度
（Ｃｌ２換算）は１０分後は０．５ｐｐｍ以下であった
が、２時間後は２０００ｐｐｍ であった。Ｃｌ２吸着
剤であるモレキュラーシーブ５Ａは初期にはリークもな
くＣｌ２を吸着するが、吸着容量が小さいことがわか
る。
較例１と同様に試験を行った。出口排ガス中の塩素濃度
（Ｃｌ２換算）は１０分後は０．５ｐｐｍ以下であった
が、２時間後は２０００ｐｐｍ であった。Ｃｌ２吸着
剤であるモレキュラーシーブ５Ａは初期にはリークもな
くＣｌ２を吸着するが、吸着容量が小さいことがわか
る。
【００２１】
【発明の効果】本発明の除害方法により、塩素または塩
素化合物のリーク濃度が小さく、かつ吸着容量の大きな
吸着剤の使用が可能になり、より経済的に塩素または塩
素化合物の除害を実施することができる。
素化合物のリーク濃度が小さく、かつ吸着容量の大きな
吸着剤の使用が可能になり、より経済的に塩素または塩
素化合物の除害を実施することができる。
【図１】 本発明の除害装置の一例を示す構成図
１．塩素または塩素化合物含有排ガス ２．予熱器 ３．水素 ４．流量制御器 ５．反応器 ６．塩化水素処理筒 ７．除害装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 和知 浩子 山口県下関市彦島迫町七丁目１番１号 三 井化学株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 塩素または塩素化合物を含む排ガスと
水素と反応させることを特徴とする塩素または塩素化合
物の除害方法。 - 【請求項２】 塩素または塩素化合物を含む排ガスを
水素と反応させるに際し、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕよりな
る群から選ばれる成分を含有する触媒の存在下で行う請
求項１記載の塩素または塩素化合物の除害方法。 - 【請求項３】 塩素または塩素化合物を含む排ガスと
水素との反応で生成する塩化水素を吸着剤を用いて吸着
除去する請求項１記載の塩素または塩素化合物の除害方
法。 - 【請求項４】 塩素または塩素化合物を含む排ガスを
所定の反応温度に昇温するための予熱器、該排ガスと水
素との反応を行わせるための触媒を充填した反応器、お
よび塩素または塩素化合物と水素との反応で生成した塩
化水素を吸着除去するための吸着剤を充填した塩化水素
処理筒からなる塩素または塩素化合物の除害装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9302578A JPH11128675A (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | 塩素または塩素化合物の除害方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9302578A JPH11128675A (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | 塩素または塩素化合物の除害方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11128675A true JPH11128675A (ja) | 1999-05-18 |
Family
ID=17910675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9302578A Pending JPH11128675A (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | 塩素または塩素化合物の除害方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11128675A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003010635A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-14 | Sanwa Chemical Kk | ハロゲン単体とハロゲン化物との除去方法 |
| JP2010537947A (ja) * | 2007-09-04 | 2010-12-09 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 四フッ化ケイ素及び塩化水素を含有するガス流の処理方法 |
| WO2022138850A1 (ja) * | 2020-12-25 | 2022-06-30 | 昭和電工株式会社 | 塩素ガス分解用触媒、排出ガス処理装置および塩素ガスの分解方法 |
-
1997
- 1997-11-05 JP JP9302578A patent/JPH11128675A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003010635A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-14 | Sanwa Chemical Kk | ハロゲン単体とハロゲン化物との除去方法 |
| JP2010537947A (ja) * | 2007-09-04 | 2010-12-09 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 四フッ化ケイ素及び塩化水素を含有するガス流の処理方法 |
| WO2022138850A1 (ja) * | 2020-12-25 | 2022-06-30 | 昭和電工株式会社 | 塩素ガス分解用触媒、排出ガス処理装置および塩素ガスの分解方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW586961B (en) | Process for the removal of nitrogen oxides from gas streams | |
| US6602480B1 (en) | Method for treating waste gas containing fluorochemical | |
| JP2005528209A (ja) | 二酸化塩素を用いる廃ガスストリーム中のｎｏｘを減少させる方法 | |
| WO2001076725A1 (fr) | Procede de traitement de gaz d'echappement contenant un compose fluore | |
| JPH03106419A (ja) | フロン含有ガスの処理方法及びフロン分解用触媒 | |
| JP5017071B2 (ja) | 排ガス処理装置 | |
| JPH11128675A (ja) | 塩素または塩素化合物の除害方法および装置 | |
| KR20140067308A (ko) | 암모니아 및 과산화수소 가스 제거제 및 장치 | |
| JPH02273511A (ja) | 窒素または炭素のハロゲン化物の無毒化方法 | |
| JPH10216479A (ja) | 三弗化窒素ガスの除害方法 | |
| CN111151231B (zh) | 一种脱硝氯化铁吸附剂再生的方法 | |
| JPH0716583B2 (ja) | フッ化塩素を含む排ガスの乾式処理方法 | |
| JPH1119472A (ja) | 三弗化窒素の除害方法および除害装置 | |
| JPH1190180A (ja) | 三弗化窒素の除害方法 | |
| JPS61133127A (ja) | ガス状酸性ハロゲン化合物の除去方法 | |
| JP3260825B2 (ja) | 有害ガスの浄化方法 | |
| WO2024135452A1 (ja) | 排ガス処理方法及び排ガス処理装置 | |
| WO2024135453A1 (ja) | 排ガス処理方法及び排ガス処理装置 | |
| JPH1147555A (ja) | 三弗化窒素の除害方法および除害用触媒 | |
| JP3838977B2 (ja) | 排ガス処理剤及びその製造方法並びに排ガス処理方法 | |
| JPH10249164A (ja) | Ｎｆ３の除害装置 | |
| JPH0857255A (ja) | フロン分解システム | |
| JPH1066985A (ja) | 窒素化合物含有排水の処理方法 | |
| JPH1119471A (ja) | 三弗化窒素の除害方法および装置 | |
| JP3650588B2 (ja) | パーフルオロコンパウンドのリサイクル利用方法 |