JPH1187380A - 半導体装置の製造方法と製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＴＡＰＥ−ＢＧＡタイプ半導体装置の製造方
法と製造装置に関し、製造工数の削減と製造装置の低価
格化の実現でて生産性向上を図る。 【構成】 回路基板５２の片面に実装された半導体チッ
プ２１を該片面に位置させたランナを通して樹脂封止し
た後、上記回路基板５２を樹脂封止領域の周辺で切断す
る半導体装置の製造方法において、樹脂封止前の上記回
路基板５２の上記ランナと対応する領域に金属膜５２ａ
を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は可撓基板からなる底
面がバンプ・グリッドアレイに形成されてなるパッケー
ジタイプの半導体装置（以下ＴＡＰＥ−ＢＧＡタイプ半
導体装置とする）の製造方法と製造装置に係わり、特に
製造工数の削減と製造装置の低価格化とを実現して生産
性の向上を図った半導体装置の製造方法と製造装置に関
する。

【０００２】近年の半導体装置分野においては、高密度
実装用のパーケージとしてポリイミドテープの如き可撓
性を有する回路基板（以下可撓回路基板とする）上に半
導体チップを実装した状態で該可撓回路基板が底面とな
るように樹脂パッケージさせてなるＴＡＰＥ−ＢＧＡタ
イプの半導体装置（以下半導体装置とする）が実用化さ
れるようになってきているが、可撓回路基板上の成形樹
脂のランナ部除去工数削減と半導体製造装置としての射
出成形金型の低価格化とが強く望まれている。

【０００３】

【従来の技術】図１２は半導体装置の製造工程を概略的
に説明する図であり、図１３は図１２における基板完成
体を製造方法と共に説明する図、図１４は図１２におけ
る射出成形金型を説明する図（その１）、図１５は図１
２における射出成形金型を説明する図（その２）、図１
６は半導体装置集合体を説明する図、図１７は図１２に
おける基板完成体での問題点を説明する図である。

【０００４】なお、図ではいずれも一回の樹脂射出成形
工程で４個の半導体装置を形成する場合を例として説明
する。図１２で本発明で対象とする半導体装置の基本的
な製造工程を順を追って説明する。

【０００５】半導体装置１は、（１２−１）で示す如
く、半導体チップ１１が例えばポリイミド樹脂からなる
可撓回路基板１２に実装された基板完成体１３を主要部
材とし、該基板完成体１３の各半導体チップ対応領域を
樹脂封止してパッケージ形成するものである。

【０００６】すなわち上記基板完成体１３を、矢印Ａ₁
の如く表裏反転させた状態で、（１２−２）で示す射出
成形金型１５における下型１５１の所定位置に位置決め
して載置した後、固定された上記上型１５２と密着する
まで該下型１５１を上昇させる。

【０００７】なお該下型１５１の上記半導体チップ１１
と対応するそれぞれの領域には、上記ＴＡＰＥ−ＢＧＡ
タイプ半導体装置のパッケージを形成するためのキャビ
ティ１５１ａが、上記可撓回路基板１２をその貫通孔１
２ａで貫通して上記上型１５２のホッパ１５２ａに繋が
るランナ１５１ｂを介して形成されている。

【０００８】そこで、上記ホッパ１５２ａからの樹脂投
入による通常の射出成形技術で上記キャビティ１５１ａ
に充填樹脂１４を注入した後上記下型１５１を降下さ
せ、更に該下型側に位置する基板完成体１３を該下型１
５１から取り出して矢印Ａ₂ のように再び上下反転させ
ることで、可撓回路基板１２の片面にランナ部１５ａで
繋がった４個の半導体装置半完成体１′が形成されてな
る半導体装置集合体１″を（１２−３）で示すように得
ることができる。

【０００９】次いで上記半導体装置集合体１″における
各半導体装置半完成体１′をその周辺で切断して（１２
−４）に示す如く個々の半導体装置半完成体１′とし、
更に該各半導体装置半完成体１′における各電極と対応
するように上記可撓回路基板１２に形成されている電極
孔１２ｂに例えばはんだ球を配置して加熱する等の手段
を経ることで、可撓回路基板面から突出するはんだバン
プ１ａを備えたＴＡＰＥ−ＢＧＡタイプ半導体装置１を
（１２−５）で示すように構成するようにしている。

【００１０】以下図１３乃至図１５で、従来の半導体装
置における製造工程と製造装置を詳細に説明する。従来
の基板完成体を説明する図１３で、（１３−１）は構成
を示しまた（１３−２）は完成時の状態を示したもので
ある。

【００１１】すなわち図の（１３−１）で従来の基板完
成体２３は、半導体チップ２１と該半導体チップ２１を
実装するポリイミド樹脂からなる可撓回路基板２２とか
らなるものである。

【００１２】そしてこの場合の半導体チップ２１は、そ
の片面の周辺に沿って図示されない内部回路に繋がる複
数の電極２１ａが形成されてなるものである。また平面
視角形の可撓回路基板２２の片面には、ほぼ中心対称の
方形位置４箇所に上記半導体チップ２１を搭載するステ
ージ２２ａがパターン形成されていると共に、該各ステ
ージ周辺外側近傍で上記電極２１ａのそれぞれと対応す
る位置には所定長さで外側に延びるアウタリード２２ｂ
がパターン形成されているものである。

【００１３】そして、該可撓回路基板２２の各アウタリ
ード外側端部近傍には該領域を抽出した拡大図（ａ）に
示す如く該基板のみを貫通する電極孔２２ｃが形成され
ていると共に、上記ステージ２２ａと該各アウタリード
２２ｂの表面には例えば金(Au)の如く導電性に優れた金
属からなるめっき層が形成されている。

【００１４】なお該可撓回路基板２２の中心位置近傍に
は成形樹脂を通過させる貫通孔２２ｄが形成され、その
四隅近傍には後述する射出成形金型に対する位置決め孔
２２ｅが形成されている。

【００１５】そこで上記半導体チップ２１を、その電極
形成面が表面になるように上記ステージ２２ａに接着剤
等で固定し、該半導体チップ２１の各電極２１ａとそれ
に対応するアウタリード２２ｂの内側端部近傍とを通常
のワイヤボンディング接続技術で接続することで、各半
導体チップ２１が実装された所要の基板完成体２３を
（１３−２）で示すように構成することができる。

【００１６】なお各半導体チップ２１の実装域周辺を取
り囲む破線Ｃは、後述する射出成形金型におけるキャビ
ティ３５１ｃの大きさ換言すれば前記半導体装置１の外
形サイズと対応する領域を示している。

【００１７】また、従来の射出成形金型を説明する図１
４で射出成形金型３は、ホッパ３１に繋がる固定型３２
と、該固定型３２の下面３２１ａに密着し得る上面３５
１ａを備えて該固定型３２の下側に配置され図示されな
い機構部に係合して該固定型３２に対して上下動し得る
可動型３５とで構成されているものである。

【００１８】そして上記固定型３２と該可動型３５と
は、可動型３５の上記上面３５１ａから突出する複数
（図では４個）のガイドポール３５１ｂと固定型の該ガ
イドポール対応位置に設けたガイド孔３２１ｂとの嵌合
で、上記下面３２１ａと上面３５１ａとが密着しまたは
開離するように構成されている。

【００１９】ここで射出成形金型としての構成を理解し
易くするため、先に図１５でその詳細を説明する。すな
わち図１５で、（１５−１）は図１４における射出成形
金型３を樹脂ランナ部と上記基板完成体中心線とを通る
矢印ａ〜ａ′で切断して示した図であり、また（１５−
２）は可動型３５の上記上面３５１ａ、すなわちパーテ
ィング面を斜視した図である。

【００２０】そして固定型３２を構成する固定型筐体３
２１には、上記ホッパ３１の樹脂射出孔３１ａから上記
下面３２１ａに到る樹脂流路３２１ｃが形成されている
と共に、図１３で説明した基板完成体２３の可撓回路基
板２２が沈ませ得る大きさの凹部３２１ｄが形成され、
更に該凹部３２１ｄには上記基板完成体２３における位
置決め孔２２ｅと対応するそれぞれの位置に該位置決め
孔とほぼ等しい大きさの凹穴が図示されない状態で形成
されている。

【００２１】また可動型３５を構成する可動型筐体３５
１の上述した上面３５１ａには、上記凹部３２１ｄに位
置する基板完成体２３の各位置決め孔２２ｅと対応する
それぞれの位置に該位置決め孔２２ｅと嵌合する径の突
起３５１ｊが設けられ、該突起３５１ｊで位置決めされ
た上記基板完成体２３の各半導体チップ２１と対応する
それぞれの位置には該半導体チップ２１をアウタリード
２２ｂの領域までを含めてパッケージ化させるためのキ
ャビティ３５１ｃがゲート３５１ｄと共に形成されてい
る。

【００２２】なおこの場合のキャビティ３５１ｃは、成
形後の金型からの取り出し容易化を図るため、例えば断
面形状が逆梯形台状をなすように抜きテーパを備えて形
成されている。

【００２３】そして、前記樹脂流路３２１ｃと対応する
位置から上記ゲート３５１ｄまでの間には樹脂流路とな
るランナ３５１ｅが設けられ、また上記樹脂流路３２１
ｃと対応する位置には成形品押し出し用のカル３５１ｆ
が設けられている。

【００２４】従って上記固定型３２に可動型３５を密着
させたときに、上述した半導体チップ２１がアウタリー
ド２２ｂの領域までを含めて樹脂パッケージされる空隙
が相互間を繋ぐランナ部と共に形成されるようになって
いる。

【００２５】そこで、固定型３２に可動型３５を当接さ
せた状態すなわち下面３２１ａと上面３５１ａとを密着
させた図の状態で、ホッパ３１から溶融状態にある樹脂
を射出させることで、樹脂流路３２１ｃとランナ３５１
ｅ，ゲート３５１ｄを経た成形樹脂を上記キャビティ３
５１ｃ内に充填させることができる。

【００２６】一方、可動型３５に内設されて上下方向に
往復動し得るエジェクタ３６は、図示されない駆動機構
に繋がるエジェクタロッド３６ａと、該エジェクタロッ
ド３６ａと一体化して上記下面３５１ａと平行を保った
まま該下面に接近または開離する方向に移動し得る駆動
板３７と、該駆動板３７に立てて固定した複数のエジェ
クトピン３８とからなるものである。

【００２７】そして該駆動板３７は、可動型筐体３５１
の底壁３５１ｇの内面側に突出して形成されているガイ
ドポール３５１ｈと駆動板３７のガイド孔３７ａとの嵌
合で位置決めされた状態のまま往復動し得るようになっ
ている。

【００２８】なおこの場合のエジェクトピン３８の長さ
は、該エジェクタ３６を樹脂注入前の初期位置に位置せ
しめた図示の状態で、例えば上記キャビティ３５１ｃの
領域に配置されている第１のエジェクトピン３８_-1はそ
の先端がキャビティ３５１ｃの底面３５１ｃ′と同一面
をなすように設定され、また上記カル３５１ｆに対応し
て位置する第２のエジェクトピン２８_-2はその先端が該
カル３５１ｆの下面と同一面をなすように設定されてい
る。

【００２９】従って図１４の如く可動型３５と固定型３
２とが開離した状態で、図１３で説明した前記基板完成
体２３をその位置決め孔２２ｅと上記可動型３５の突起
３５１ｊとの嵌合で位置決めして該可動型３５上に載置
した後、該可動型３５を上昇させて固定型３２に密着さ
せる。

【００３０】次いで、上述したようにホッパ３１から溶
融樹脂を注入するとランナ３５１ｅとゲート３５１ｄを
介して上記キャビティ３５１ｃに該溶融樹脂を充填させ
ることができる。

【００３１】ここで該可動型２５を矢印Ｄ方向すなわち
下方に降下させると、図１６の（１６−１）で示す如く
上記ランナ３５１ｅに対応するランナ部で連結された４
個の半導体装置半完成体１′が可撓回路基板２２上に形
成された半導体装置集合体１″が上記カル３５１ｆでの
可動型３５に対する噛み合いによって該可動型３５と共
に降下する。

【００３２】この状態で、図示されない駆動機構に繋が
る上記エジェクタ３６を矢印Ｅの如く固定型側に上昇さ
せると、第１のエジェクトピン３８_-1が成形品領域を突
き出すと同時に第２のエジェクトピン２８_-2がカル３５
１ｆを突き出すこととなる。

【００３３】従って、結果的に固定型３２の樹脂流路３
２１ｃに対応する流路ランナ部１５ａ′と該固定型３２
のランナ３５１ｅに対応するランナ部１５ａ″とが一体
化された半導体装置集合体１″を図１２の（１２−３）
ひいては図１６の（１６−１）で示す状態で下型３５か
ら取り出すことができる。

【００３４】次いで、該半導体装置集合体１″の半導体
装置形成面側を図示されない治具で固定した状態で、上
記流路ランナ部１５ａ′の先端域を図１２の矢印Ｂのよ
うに押し上げて該流路ランナ部１５ａ′と上記ランナ部
１５ａ″とを共に該ランナ部１５ａ″のゲート域での折
損によって可撓回路基板２２から除去することで、平板
状の半導体装置集合体１″を（１６−２）に示すように
得ることができる。

【００３５】その後、各半導体装置半完成体１′をそれ
ぞれの周辺で切断することで、個々に分離された所要の
半導体装置半完成体１′を図１２の（１２−４）ひいて
は図１６の（１６−３）で示す状態にすることができ
る。

【００３６】従って、以後図１２の（１２−５）で説明
した工程を経ることで、所要の半導体装置を容易に得る
ことができる。かかる構成になる従来の半導体装置の製
造方法では、一度に複数の成形品が形成できるメリット
がある。

【００３７】一方、上記射出成形金型３で半導体装置と
しての樹脂成形技術を繰り返し行うと金型のキャビティ
面に例えば微細な異物が付着する等のことから該キャビ
ティ領域に汚れが発生し、半導体装置としての品質低下
を来すこととなる。

【００３８】従って上記射出成形金型を所定時間毎にク
リーニングする必要があるが、この場合には上述した成
形樹脂の代わりに例えば“ニカレット樹脂（日本カーバ
イト株式会社製）”の如きメラミン樹脂を使用する成形
工程の繰り返しでキャビティ面に付着した異物を該メラ
ミン樹脂成形品に吸着させることで、所要のクリーニン
グを行うようにしている。

【００３９】

【発明が解決しようとする課題】図１２における基板完
成体を使用したときの問題点を説明する図１７で、（１
７−１）は図１６の（１６−１）で示した状態を示し、
（１７−２）と（１７−３）はランナ部除去工程途中の
状態をそれぞれ示したものである。

【００４０】すなわち図の（１７−１）で、半導体装置
集合体１″は上述したように可撓回路基板２２の片面に
ランナ部１５ａ″で繋がった４個の半導体装置半完成体
１′が形成されてなるものである。

【００４１】そこで、上述した流路ランナ部１５ａ′で
の押し上げで該流路ランナ部１５ａ′を上記ランナ部１
５ａ″と共に除去するが、該ランナ部１５ａ″の領域は
可撓回路基板２２と密着した状態にある。

【００４２】従って、該ランナ部１５ａ″が可撓回路基
板２２に対して剥離し難い場合があることから該ランナ
部１５ａ″がそのゲート域で切除されず、（１７−２）
や（１７−３）で示すように該ランナ部１５ａ″が可撓
回路基板上に残留したりゲート域での切除が不完全にな
って、結果的に爾後の各半導体装置半完成体周辺での切
断による個々の半導体装置半完成体分離工程に支障をき
たすことがあると言う問題（第１の問題点）があった。

【００４３】また上述した射出成形金型３では、エジェ
クタ３６が第１のエジェクトピン３８_-1と第２のエジェ
クトピン３８_-2とを備えているため金型としての構成が
複雑になって顧客の低価格化要請に対応しきれないこと
があると言う問題（第２の問題点）があった。

【００４４】更に上述した射出成形金型のクリーニング
手段では、クリーニング用樹脂による複数回の樹脂成形
工程を必要とするため、半導体装置成形用樹脂とクリー
ニング用成形樹脂の交換やクリーニング用成形回数の増
に多くの時間がかかって生産性の向上を期待することが
できないと言う問題点（第３の問題点）があった。

【００４５】

【課題を解決するための手段】上記課題は、回路基板の
片面に実装された半導体チップを該片面に位置させたラ
ンナを通して樹脂封止した後、上記回路基板を樹脂封止
領域の周辺で切断する半導体装置の製造方法であって、
樹脂封止前の上記回路基板の上記ランナと対応する領域
を金属膜で覆う半導体装置の製造方法によって解決され
る。

【００４６】また、ホッパに繋がる固定型と、キャビテ
ィを備えて該固定型に対して垂直方向に移動する可動型
とからなり、該可動型は、上記キャビティの周壁を形成
する孔と該キャビティの底面を形成したまま該底面に沿
って往復動し得るスライドコアとを備え、該スライドコ
アの往復動が上記可動型の固定型に対する上記移動によ
ってなされる半導体装置の製造装置によって解決され
る。

【００４７】更に、上記キャビティのクリーニングを、
不活性ガスによるスパッタリングで行う半導体装置の製
造方法によって解決される。成形樹脂の可撓回路基板面
に対する密着力は該可撓回路基板面を金属面に変えるこ
とによって低くすることができる。

【００４８】そこで本願発明では、上述した第１の問題
点への対応策として、上記可撓回路基板２２の上記ラン
ナ部１５ａ″と対応する領域のみに金属膜を設けて可撓
回路基板を構成するようにしている。

【００４９】このことは、図１６で説明した流路ランナ
部１５ａ′を押し上げたときに該流路ランナ部１５ａ′
に繋がるランナ部１５ａ″が可撓回路基板面から容易に
剥離し得ることから該ランナ部１５ａ″がゲート域で容
易に折損できて除去し得ることを示している。

【００５０】従って、図１７の（１７−２）や（１７−
３）で示したランナ部１５ａ″の可撓回路基板面への残
留が抑制できて、爾後の各半導体装置半完成体の分離工
程の確実化と効率化を実現することができる。

【００５１】また、射出成形金型のエジェクタに設ける
エジェクトピンを少なくすると金型としての構成が簡略
化できると共に、樹脂成形後にキャビティ底面を移動さ
せると該成形品をキャビティから浮き上がらせることが
できる。

【００５２】そこで本願発明では、上述した第２の問題
点への対応策として、射出成形金型のエジェクタに設け
るエジェクトピンをカルに対応する第２のエジェクトピ
ンのみにすると共に、可動型の上下動作に対応してキャ
ビティ底面を移動させるように射出成形金型を構成する
ようにしている。

【００５３】このことは、樹脂成形後の可動型の降下で
成型品がキャビティから浮き上げられると同時に成型品
がそのカル領域でのエジェクトのみで容易且つ確実に取
り出せることを示している。

【００５４】従って、射出成形金型としての低価格化を
実現することができる。更に、射出成形金型としてのク
リーニングにスパッタリング技術を利用すると、クリー
ニング工数を削減することができる。

【００５５】そこで本願発明では、上述した第３の問題
点への対応策として、所定時間毎に行う射出成形金型の
クリーニング工程をアルゴンガスの活性化によるスパッ
タリング技術で行うようにしている。

【００５６】このことは従来行っていた複数回の樹脂成
形工程からなるクリーニングが一回のスパッタリング工
程で得られることを示している。従って、クリーニング
時間の削減による生産性向上を実現することができる。

【００５７】

【発明の実施の形態】図１は本発明になる基板完成体を
説明する図であり、図２は図１の基板完成体における可
撓回路基板を説明する図、図３は図１の基板完成体の製
造方法を説明する図、図４は図１の基板完成体を使用し
た半導体装置集合体での作用を効果と共に説明する図、
図５は本発明になる射出成形金型を概略的に説明する
図、図６は図５の射出成形金型の構成を説明する図、図
７は図６におけるスライドコアを説明する図、図８は図
５の射出成形金型による半導体装置集合体の成形品取り
出し状態を工程的に説明する図、図９は図７におけるス
ライドコアの応用例を説明する図、図１０は図９のスラ
イドコアによる作用を効果と共に説明する図、図１１は
半導体装置の他の製造方法として射出成形金型のクリー
ニング方法を説明する図である。

【００５８】なお図１乃至図１０ではいずれも図８で説
明した半導体装置集合体や図９，図１０で説明した射出
成形金型に本発明を適用させる場合を例としているの
で、図８乃至図１０と同じ対象部材や部位には同一の記
号を付すと共に重複する説明についてはそれを省略す
る。

【００５９】図１で本発明になる基板完成体５３は、図
８で説明した半導体チップ２１と該半導体チップ２１を
実装するポリイミド樹脂からなる可撓回路基板５２とか
らなるものである。

【００６０】そしてこの場合の可撓回路基板５２は、図
２で示す如く、図８で説明した可撓回路基板２２に、そ
の貫通孔２２ｄの周辺と図７で説明した各破線Ｃ領域の
該貫通孔側コーナ（図示Ｃ_P 点）との間が繋がるような
金属パターン５２ａを追加して形成したものである。

【００６１】なおこの場合の金属パターン５２ａは、上
記可撓回路基板２２におけるステージ２２ａやアウタリ
ード２２ｂと同工程で同時に形成することができる。そ
こで図３で示す如く、前記半導体チップ２１をその電極
形成面が表面になるように上記ステージ２２ａに接着剤
等で固定し、該半導体チップ２１の各電極２１ａとそれ
に対応するアウタリード２２ｂの内側端部近傍とを通常
のワイヤボンディング接続技術で接続することで、図８
同様に各半導体チップ２１が実装された所要の基板完成
体５３を図１で示すように構成することができる。

【００６２】かかる基板完成体５３を図９の射出成形金
型３で樹脂成形して半導体装置集合体５″を構成する
と、該射出成形金型３の各ランナ３５１ｅと対応するラ
ンナ部１５ａ″が上記金属パターン５２ａ上に位置する
と共に該ランナ部１５ａ″に繋がる流路ランナ部１５
ａ′が上記可撓回路基板５２の貫通孔２２ｄを貫通して
形成され、図４の（４−１）に示す状態となる。

【００６３】そしてこの場合のランナ部１５ａ″は可撓
回路基板上の上記金属パターン５２ａから剥離し易い状
態にある。そこで、図１２で説明したように流路ランナ
部１５ａ′の先端域を図１２同様に矢印Ｂの如く押し上
げると、該流路ランナ部１５ａ′に繋がる上記ランナ部
１５ａ″が（４−２）に示す如く金属パターン５２ａか
ら容易に剥離するので該ランナ部１５ａ″の変位応力が
ゲート域に集中して折れ易くなり、結果的に流路ランナ
部１５ａ′とランナ部１５ａ″とを（４−３）で示すよ
うに容易且つ確実に切除することができる。

【００６４】従って、ランナ部１５ａ″の図１２で説明
した如き基板完成体側への残留をなくすことができる。
図５で本発明になる射出成形金型６は、図１０で説明し
たホッパ３１に繋がる固定型６１と、図１０同様に図示
されない機構部に係合して該固定型６１の下面３２１ａ
に密着し得る上面３５１ａを備えて該固定型６１に対し
て往復動し得る可動型６２とからなるものである。

【００６５】そしてこの場合の固定型６１は、図１０で
説明した固定型３２の下面３２１ａに先端が該固定型の
外側に向くように傾けて該下面から突出させたアンギュ
ラピン６１１を追加して設けたものであり、その他の構
成は上記固定型３２と同等である。

【００６６】また可動型６２には、上記固定型６１に対
する上下動に追従してその上面３５１ａと平行を保って
上記アンギュラピン６１１の傾き方向に往復動し得るス
ライドコア６２２が装着されてなるものである。

【００６７】ここで射出成形金型としての構成を理解し
易くするため、先に図６と図７でその詳細を説明する。
すなわち図６で、（６−１）は図１０の（１０−１）と
同様に断面視した図であり、（６−２）は（６−１）に
おけるキャビティ領域とアンギュラピン領域が理解し得
るように一部断面視した側面図である。

【００６８】図６で射出成形金型６は、上述したように
固定型６１と可動型６２とからなるものである。そして
この場合の固定型６１には、上記アンギュラピン６１１
が設けられており、該アンギュラピン６１１の先端は固
定型６２に移動可能に装着された上記スライドコア６２
２をほぼ貫通する長さに形成されている。

【００６９】一方可動型６２は、図１０で説明した可動
型３５におけるキャビティ形成域の各キャビティ底面と
対応する領域に、（６−２）に示す上記アンギュラピン
６１１に対応する径の貫通孔６２２ａを備えたスライド
コア６２２が該アンギュラピン６１１の傾き方向に移動
可能に追加して装着されているものである。

【００７０】そしてこの場合の可動型６２では、上記可
動型３５の可動型筐体３５１における各キャビティ３５
１ｃが、可動型筐体６２１の各キャビティ対応位置に設
けた該キャビティ３５１ｃと等しいキャビティ周壁６２
１ａと上記スライドコア６２２の上面６２２ｃ′とで形
成されるようになっている。

【００７１】更に該可動型６２では、上記可動型３５に
おけるエジェクタ３６をその各キャビティ３５１ｃの領
域に配置した前記第１のエジェクトロッド３８_-1を削除
して前記第２のエジェクトロッド３８_-2のみにしたエジ
ェクタ６３に変えたものである。

【００７２】そして上記スライドコア６２２は、該スラ
イドコアを抽出して示した図７の斜視図（７−１）に示
す如く、平面視がコ字形でその連結域６２２ｂには前記
アンギュラピン６１１に対応する上記貫通孔６２２ａが
形成されていると共に、該連結域６２２ｂに繋がる両脚
部６２２ｃは該連結域６２２ｂよりも低い凹の段差面に
なっている。

【００７３】そして上記連結域６２２ｂの幅方向両側面
には該側面から突出するあり６２２ｄが上記脚部先端ま
で形成されており、該スライドコア６２２をそのあり６
２２ｄの上記可動形６２の可動型筐体６２１に設けたあ
り溝６２１ｂへの嵌入で該可動形６２に装着したとき
に、上記連結域６２２ｂの上面６２２ｂ′は該可動形６
２の前記上面３５１ａと一致しまた上記脚部６２２ｃの
上面６２２ｃ′が該可動形６２の可動型筐体６２１にお
ける上記キャビティ周壁６２１ａの底面をなして前記キ
ャビティ３５１ｃと同じキャビティが形成されるように
なっている。

【００７４】なお上記各脚部６２２ｃの上面６２２ｃ′
における破線域Ｃ′は、該可動形６２を固定形６１に密
着させたときの上記キャビティ底面と対応する位置を示
している。

【００７５】そこで該スライドコア６２２をそのあり６
２２ｄの上記あり溝６２ａへの嵌合で該可動形６２に装
着し、該可動型６２の上下動で固定型６１の上記アンギ
ュラピン６１１を該スライドコア６２２の貫通孔６２２
ａに挿入させた後、該可動形６２を上昇せしめて固定型
６１に密着させることで、所要の射出成形金型６を図６
で示すように構成することができる。

【００７６】半導体装置集合体の成形品取り出し状態を
工程的に説明する図８で、（８−１）は半導体装置集合
体の樹脂成形時の状態を示し、（８−２）は可動型を効
果させたときの状態を、また（８−３）はエジェクタを
動作させたときの状態をそれぞれ示している。

【００７７】すなわち図の（８−１）で、射出成形金型
６の可動型６２における上記キャビティ周壁６２１ａと
スライドコア６２２の脚部上面６２２ｃ′とで形成され
るキャビティ対応域には樹脂が充填された状態にあり、
該キャビティによって半導体装置半完成体１′が構成さ
れている。

【００７８】そこで、図示されない機構部との係合で可
動型６２を固定型６１に対して矢印Ｄのように降下させ
ると、前記アンギュラピン６１１に嵌合するスライドコ
ア６２２が可動型６２に対して該アンギュラピン６１１
の傾き方向すなわち矢印Ｅ₁方向に移動するが、このこ
とは図（８−２）に示す如く、上記キャビティ領域の底
面を形成する該スライドコア６２２の脚部上面６２２
ｃ′も同時に移動することを意味する。

【００７９】従って、該キャビティ内の半導体装置半完
成体１′の上記上面６２２ｃ′と接する面換言すれば半
導体装置半完成体１′の頂面が上記上面６２２ｃ′と摺
動することから、該半導体装置半完成体１′の頂面は上
記脚部上面６２２ｃ′から剥がれることとなる。

【００８０】次いで、該射出成形金型６のエジェクタ６
３の動作で図１０で説明した第２のエジェクトロッド３
８_-2を上昇させて所要の半導体装置集合体１″を該可動
型６２から取り出すことができるが、このときの各半導
体装置半完成体１′の頂面領域が上記したようにスライ
ドコア６２２の脚部上面６２２ｃ′から剥がされている
ことと可動型６２のキャビティ周壁６２１ａが少なくと
も抜きテーパを備えた逆梯形台状になっていることか
ら、結果的に半導体装置半完成体１′としての可動型６
２からの剥離力を小さくすることができる。

【００８１】従って、射出成形金型としての構成の簡略
化とエジェクタ６３としての動作力の軽減化を図った上
で、図（８−３）に示すように半導体装置半完成体１′
ひいては半導体装置集合体１″としての可動型６２から
の取り出しの容易化を実現することができる。

【００８２】なお、該可動型６２を固定型方向に移動
（図では上昇）させると、固定型側のアンギュラピン６
１１と可動型に装着されたスライドコア６２２の貫通孔
６２２ａとの摺動で該スライドコア６２２が矢印Ｅ₂ 方
向に移動して（８−１）に示す状態に戻る。

【００８３】スライドコアとしての応用例を示した図９
で、（９−１）は全体斜視図でありまた（９−２）は矢
印ｄ〜ｄ′で切断した断面図である。図９でこの場合の
スライドコア６２５は、上記スライドコア６２２の図７
で説明した各破線域Ｃ′それぞれの内側に、球状凹部６
２５ａを追加して形成したものである。

【００８４】かかるスライドコア６２５を備えた射出成
形金型を図６の（６−２）同様に一部断面視して示した
図１０で、（１０−１）は樹脂成形時の状態を示しまた
（１０−２）は可動型を降下させたときの状態を示した
ものである。

【００８５】すなわち図の（１０−１）で射出成形金型
７は、上述した固定型６１と可動型７１とからなるもの
である。そしてこの場合の可動型７１は、図５で説明し
た可動型６２における可動型筐体６２１に上記スライド
コア６２５を装着したものであり、その他の構成は上記
可動型６２と同等である。

【００８６】そこで、基板完成体５３を該射出成形金型
７に装着した状態で充填樹脂を注入と、上記スライドコ
ア６２５の球状凹部６２５ａの領域にも樹脂が充填され
て図（１０−１）の状態になる。

【００８７】次いで上記可動型７１を降下させると、該
可動型７１の降下に追従して上記スライドコア６２５が
移動するが、このとき該スライドコア６２５の球状凹部
６２５ａに充填された樹脂が該球状凹部６２５ａからず
れることから、半導体装置半完成体１′が強制的にキャ
ビティ領域から浮き上がって図示状態となる。

【００８８】従って、爾後のエジェクタ３６の押し上げ
動作によって半導体装置半完成体１′ひいては半導体装
置集合体１″としての可動型７１からの取り出しを実現
することができる。

【００８９】かかるスライドコア６２５を備えた射出成
形金型７では、キャビティとしての抜きテーパが小さい
半導体装置でも確実な可動型からの取り出しが実現でき
るメリットがある。

【００９０】なお上記球状凹部６２５ａの代わりに、図
７で説明した各破線域Ｃ′のそれぞれの領域に、可動型
７１の降下に追従して前記上面６２２ｃ′が徐々に上昇
する斜面を設けても、該球状凹部６２５ａと同等の効果
を得ることができる。

【００９１】本発明になる半導体装置の他の製造方法と
して射出成形金型のクリーニング方法を説明する図１１
で、（１１−１）は射出成形金型のクリーニング領域を
説明する図であり、また（１１−２）はクリーニング方
法を装置と共に説明する図である。

【００９２】なお図では図５の射出成形金型６をクリー
ニングする場合について説明する。図の（１１−１）で
射出成形金型６は前述したようにホッパ３１に繋がる固
定型６１と図示されない機構部に係合して固定型６１に
対して上下動する可動型６２とからなる。

【００９３】この内固定型６１は、上記ホッパ２１に繋
がる固定部６１_-1と、該固定部６１ _-1にねじ止め等の手
段で固定される上型６１_-2とから構成されている。なお
該上型６１_-2は、樹脂成形する半導体装置の種類によっ
て適宜交換し得るようになっている。

【００９４】また可動型６２は、図示されない機構部に
繋がる基台部６２_-1と、該基台部６２_-1にねじ止め等の
手段で固定される下型６２_-2とから構成されている。な
お該下型６２_-2は、上記上型に対応して適宜交換し得る
ようになっている。

【００９５】一方クリーニング装置８は、図の（１１−
２）に示す如く、下部電極台８１と上部電極板８２とが
対面して位置するように密閉チャンバ８３の内部に装着
されてなるものである。

【００９６】そこで先ず、上記固定型６１の固定部６１
_-1から取り外された上記上型６１_-2と上記可動型６２の
基台部６２_-1から取り外された上記下型６２_-2とを、上
記密閉チャンバ８３内の下部電極台８１上に載置する。

【００９７】次いで、ＲＦ（高周波）電力が所定値にな
るように下部電極台８１と上部電極板８２の間に電位を
付与すると同時に、密閉チャンバ内の圧力を所定値まで
減圧する。

【００９８】この状態で、密閉チャンバ８３に設けたガ
ス注入孔８３ａから所定量の不活性ガスとしてのアルゴ
ンガスを注入すると、活性化されたガスイオンの上記上
型６１_-2の表面と下型６２_-2の表面への衝突で該上型と
下型の各表面に付着した微細な異物が除去される。

【００９９】従って、該密閉チャンバ８３のガス注入孔
対面方向に設けた排気孔８３ｂから上記注入ガスを排気
することで、上記上型と下型をクリーニングすることが
できる。

【０１００】例えば、ＲＦ電力を４５０Ｗ 密閉チャンバ内圧力を６０ Torr アルゴンガスの流量を１４ sccm とすると、５分程度の時間で上述した上型と下型がクリ
ーニングできることを実験的に確認している。

【０１０１】従って、複数回のメラミン樹脂成形でクリ
ーニングする従来のクリーニング方法よりも短時間でク
リーニングし得ることから、クリーニング工数削減によ
る生産性向上を実現することができる。

【０１０２】

【発明の効果】上述の如く本発明により、半導体装置と
しての製造工数の削減と半導体製造装置としての射出成
形金型の低価格化とを実現して生産性の向上を図った半
導体装置の製造方法と製造装置を提供することができ
る。

【０１０３】なお本発明の説明では、一度に４個の半導
体装置をパッケージ成形する場合を例としているが、４
個に限定されるものでなく一度に如何なる数の半導体装
置をパッケージ成形する場合にも、本発明を適用するこ
とで同等の効果を得ることができる。

【０１０４】また本発明では射出成形金型が縦型である
場合を例としているが、横型の射出成形金型でも同等の
効果が得られることは明らかである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明になる基板完成体を説明する図であ
る。

【図２】 図１の基板完成体における可撓回路基板を説
明する図である。

【図３】 図１の基板完成体の製造方法を説明する図で
ある。

【図４】 図１の基板完成体を使用した半導体装置集合
体での作用を効果と共に説明する図である。

【図５】 本発明になる射出成形金型を概略的に説明す
る図である。

【図６】 図５の射出成形金型の構成を説明する図であ
る。

【図７】 図６におけるスライドコアを説明する図であ
る。

【図８】 図５の射出成形金型による半導体装置集合体
の成形品取り出し状態を工程的に説明する図である。

【図９】 図７におけるスライドコアの応用例を説明す
る図である。

【図１０】 図９のスライドコアによる作用を効果と共
に説明する図である。

【図１１】 半導体装置の他の製造方法として射出成形
金型のクリーニング方法を説明する図である。

【図１２】 半導体装置の製造工程を概略的に説明する
図である。

【図１３】 図１２における基板完成体を製造方法と共
に説明する図である。

【図１４】 図１２における射出成形金型を説明する図
（その１）である。

【図１５】 図１２における射出成形金型を説明する図
（その２）である。

【図１６】 半導体装置集合体を説明する図である。

【図１７】 図１２における基板完成体での問題点を説
明する図である。

【符号の説明】

１′，５′ 半導体装置半完成体 ５″ 半導体装置集合体 ６，７ 射出成形金型 ８ クリーニング装置 １５ａ′ 流路ランナ部 １５ａ″ ランナ部 ２１ 半導体チップ ２１ａ 電極 ２２ａ ステージ ２２ｂ アウタリード ２２ｄ 貫通孔 ３１ ホッパ ３８_-2 第２のエジェクトピン ５２ 可撓回路基板 ５２ａ 金属パターン ５３ 基板完成体 ６１ 固定型 ６１_-1 固定部 ６１_-2 上型 ６２ 可動型 ６２_-1 基台部 ６２_-2 下型 ６３ エジェクタ ７１ 可動型 ８１ 下部電極台 ８２ 上部電極板 ８３ 密閉チャンバ ８３ａ ガス注入孔 ８３ｂ ガス排出孔 ３２１ａ 下面 ３２１ｂ ガイド孔 ３５１ａ 上面 ３５１ｂ ガイドポール ６１１ アンギュラピン ６２１ 可動型筐体 ６２１ａ 周壁 ６２１ｂ あり溝 ６２２ スライドコア ６２２ａ 貫通孔 ６２２ｂ 連結域 ６２２ｃ 脚部 ６２２ｃ′ 上面 ６２２ｄ あり ６２５ スライドコア ６２５ａ 球状凹部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 回路基板の片面に実装された半導体チッ
   プを該片面に位置させたランナを通して樹脂封止した
   後、上記回路基板を樹脂封止領域の周辺で切断する半導
   体装置の製造方法であって、 樹脂封止前の上記回路基板の上記ランナと対応する領域
   を金属膜で覆うことを特徴とする半導体装置の製造方
   法。
2. 【請求項２】 ホッパに繋がる固定型と、キャビティを
   備えて該固定型に対して垂直方向に移動する可動型とか
   らなり、 該可動型は、上記キャビティの周壁を形成する孔と該キ
   ャビティの底面を形成したまま該底面に沿って往復動し
   得るスライドコアとを備え、 該スライドコアの往復動が、上記可動型の固定型に対す
   る上記移動によってなされることを特徴とする半導体装
   置の製造装置。
3. 【請求項３】 前記スライドコアの往復動が、 固定型に設けたアンギュラピンと、該アンギュラピンに
   対応するように上記スライドコアに設けられた孔、とに
   よってなされることを特徴とする請求項２記載の半導体
   装置の製造装置。
4. 【請求項４】 前記スライドコアが、 樹脂封止時のキャビティ底面と対応する領域に、樹脂封
   止直後の該スライドコアの移動で該キャビティでの樹脂
   封止品を押し上げる手段を有していることを特徴とする
   請求項２記載の半導体装置の製造装置。
5. 【請求項５】 前記の樹脂封止品を押し上げる手段が、 球状凹部であることを特徴とする請求項４記載半導体装
   置の製造装置。
6. 【請求項６】 請求項２記載のキャビティのクリーニン
   グを、不活性ガスによるスパッタリングで行うことを特
   徴とする半導体装置の製造方法。