JPH1186341A

JPH1186341A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH1186341A
Application number: JP9261113A
Authority: JP
Inventors: Hajime Yuzurihara; 肇譲原
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1997-09-10
Filing date: 1997-09-10
Publication date: 1999-03-30

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】高線速、高繰り返しオーバーライト回数を可
能にするための保護層、記録層材料を有する相変化型光
記録媒体とその作製法で、保護層材料及び反射放熱層の
熱物性を改良するために熱伝導率を高くし、熱膨張係数
を低減し、熱応力を抑制又は緩和する材料、構成を特定
なものに選定して高線速、ＤＯＷ回数が向上でき、記録
層は、記録材料のＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅの各原子組成
比を特定なものにすること以外に、必要に応じて第５の
元素Ａｕを添加し、相変化型光記録媒体の記録層材料の
特性を満足させる高密度なリライタブル光記録媒体。【解決手段】基板と基板上に第１の保護層、記録層、
第２の保護層、反射放熱層、有機保護層の順に積層され
た光記録媒体において、第１、第２の保護層がＺｎＳ・
ＳｉＯｘの層と高融点、高熱伝導率、低線膨張率をもつ
高機械特性材料であるＳｉＣ、ＭｇＯのいずれかの層と
の交互積層からなる光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＤＶＤ（登録商
標）−ＲＡＭ、画像ファイル用メモリーに使用できる光
メモリー、相変化型メモリーに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザビーム照射により情報の記
録・再生および消去可能な光記録媒体には、熱を利用し
て磁化の反転を行ない記録消去する光磁気記録方式に用
いるものと、結晶と非晶質の可逆的相変化を利用した記
録消去可能な相変化光記録方式に用いるものとがある。
後者は単一ビームによるオーバーライトが前者に比べて
しやすく、しかもＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒとの互換性の
点で有利である。このような背景により相変化光記録媒
体も今や実用化されており、なおも大容量化に向けて研
究開発が進んでいる。

【０００３】相変化記録媒体の記録層に用いられる材料
はカルコゲン系のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｂｉ、Ｓｂ−Ｓｅ
−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｔｅ−Ａｕがこれまでに発表されてお
り、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅは実用レベルに達している。

【０００４】しかし、この材料にしても記録感度、消去
感度の向上とオーバーライト時の消し残りによる消去比
の低下等、特性の向上が望まれる。そこで、オーバーラ
イト時の消去比を一段と向上させることができた材料と
して、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系がある。（特開平４−
７８０３１号公報、特願開８−１１０３８３２号明細
書）。この系において消去比が向上したのは、消去時に
微結晶ＡｇＳｂＴｅ₂とアモルファスＩｎ−Ｓｂの二相
状態になっていることによる。

【０００５】また、記録媒体に要求される繰り返し回数
の向上は上記記録材料だけでは達成できず、この上下の
保護層、さらに放熱層を積層することで向上が図れられ
ていおり、これまで保護層材料としてＺｎＳ・ＳｉＯ₂
（特公平７−１１４０３１号公報）をはじめ、金属酸化
物、金属硫化物、金属窒化物の単体もしくは混合物が提
案されている。さらに、反射放熱層の放熱をよくするこ
とで、オーバーライト繰り返し回数は飛躍的に向上する
が、メディア特性を総合的にみた場合、繰り返しのみ向
上しても他の特性が劣るといった問題がある。

【０００６】今日、相変化型光記録媒体は、ＤＶＤ−Ｒ
ＯＭから大容量リライタブルＤＶＤの開発が期待、要求
され、コンピュータのデータ用メモリから一般家庭で使
用するビデオディスクに使用用途が拡大しており、大容
量で高速記録再生、さらなる繰り返し回数の向上、長期
保存性と高い仕様が求められている。これらをすべて満
足する媒体はなく、したがってそのような記録媒体の出
現が望まれる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明
は、上記現状に鑑み今後期待が大きい、大容量かつ繰り
返し特性が良好な書き換え可能な相変化型光記録媒体を
提供すること、特に、高線速、高繰り返しオーバーライ
ト回数を可能にするための保護層、記録層材料を有する
相変化型光記録媒体とその作製法を提供することを目的
とするものであり、保護層材料及び反射放熱層の熱物性
を改良するために熱伝導率を高くし、熱膨張係数を低減
させ、熱応力を抑制するか、あるいは熱応力を緩和させ
る材料、構成を特定なものに選定することにより、高線
速、ＤＯＷ回数が向上でき、さらに、所望により記録層
については、記録材料のＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅの各原
子組成比を特定なものにすること以外に、必要に応じて
第５の元素Ａｕを添加することにより相変化型光記録媒
体の記録層材料の上記特性を満足するようにすることに
より、高密度なリライタブルＤＶＤ用光記録媒体を提供
することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題は、本発明の
（１）「基板と基板上に第１の保護層、記録層、第２の
保護層、反射放熱層、有機保護層の順に積層された光記
録媒体において、第１、第２の保護層がＺｎＳ・ＳｉＯ
ｘの層と高融点、高熱伝導率、低線膨張率をもつ高機械
特性材料であるＳｉＣ、ＭｇＯのいずれか一つの層との
交互積層からなることを特徴とする光記録媒体」、
（２）「前記第１、第２の保護層の各層の膜厚比が、Ｚ
ｎＳ・ＳｉＯｘ層：高機械特性層＝１：１〜３：１であ
ることを特徴とする前記第（１）項に記載の光記録媒
体」、（３）「前記第２の誘電体保護層が、誘電体層に
Ｃｕ、Ｃｒ、Ｓｉ微粒子を分散させたものであることを
特徴とする前記第（１）項に記載の光記録媒体」（４）
「前記微粒子の粒子サイズが３ｎｍ以上１０ｎｍ未満で
あることを特徴とする前記第（３）項に記載の光記録媒
体」、（５）「前記微粒子が、誘電体層と金属層を交互
積層し、初期化時及び記録時の熱により金属を凝集さ
せ、微粒子化させた金属微粒子であることを特徴とする
前記第（３）項又は（４）項のいずれかに記載の光記録
媒体」及び（６）「前記記録層がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔ
ｅ、Ａｕからなり、該Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ａｕそ
れぞれの組成比ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ（原子％）が、１＜
ａ＜５、７≦ｂ≦２０、３５≦ｃ＜７０、２０≦ｄ≦３
５、１≦ｅ＜５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、である
ことを特徴とする前記第（１）項に記載の光記録媒体」
により達成され、また、（７）「記録再生時の線速が
２．４ｍ／ｓｅｃ〜１０ｍ／ｓｅｃであることを特徴と
する、前記第（１）項乃至（６）項のうちのいずれかに
記載の光記録媒体を用いる光記録方法」により達成され
る。

【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。相変化型
記録媒体はすでに商品化され、パーソナルコンピュータ
の外部メモリに使われており、そして今日、ＤＶＤ−Ｒ
ＯＭメディア、プレーヤーが市場に出ようとしている。
さらにこの後、大容量でリライタブルＤＶＤメディアの
製品化に向けて開発が行なわれているが、リライタブル
ＤＶＤメディアは、ＲＯＭとの互換性をはじめ、大容量
（４．７ＧＢ）、高速（高線速）記録再生、繰り返しオ
ーバーライト回数が高いこと等の高い仕様を要求されて
いる。基板の溝信号特性、ドライブにおける短波長でし
かも高パワー、高ＮＡ仕様といったメディア以外の課題
はもちろんあるが、本発明により先に説明したように、
高線速、高繰り返しオーバーライト回数を可能にするた
め保護層、記録層材料とその作製が提供される。

【００１０】高線速（現ＣＤの４倍から５倍あるいはそ
れ以上）に対応させるために最適な記録、消去パワーを
増加させること、および、記録マーク形状においてマー
ク端の前後がぼやけ、ジッターが悪くなる等の問題は、
記録時のパルスストラテジー等の調整によりある程度は
改善できるが限界がある。そのため本発明においては、
記録層材料の結晶化速度の向上、融点の低下、保存性の
向上（これについては結晶化速度が高過ぎると悪くなる
傾向にある。）、熱吸収率の向上等、記録層材料の特性
を改善するものである。即ち、本発明は、Ａｇ、Ｉｎ、
Ｓｂ、Ｔｅからなる記録材料に関し、必要ならば各原子
組成比を変えること以外に、第５の元素を添加すること
で上記特性を満足できるようにする。すでに、上記４元
系材料に窒素添加し保存性を向上させた例（特開平４−
７８０３１号公報）がある。

【００１１】一方、繰り返しダイレクトオーバーライト
（以下の文ではＤＯＷと記述）回数は、相変化型光記録
媒体の場合は光磁気記録媒体に比べ少ない。その理由と
して、高速で多数回の溶融、冷却を繰り返すために体積
変化に伴う物質流動、さらには短時間における急激で大
きな温度差による変化を繰り返すために、記録層だけで
なくその上下に存在する保護層、さらには反射放熱層ま
でに影響が及び、膜全体が局所的な膜厚変動を生じた
り、局所的にボイドが生じることで回数が制限されるこ
とが挙げられる。したがって本発明により、その場合、
記録層のみならず、保護層材料及び反射放熱層の熱物性
が改良される。熱伝導率を高くし、熱膨張係数を低減さ
せ、熱応力を抑制するか、あるいは熱応力を緩和させる
材料、構成が採用される。

【００１２】そのため、本発明においては、保護層材料
と記録層材料とについて検討され、さらに、組成、構
造、作製方法についても詳細な検討がなされた。以下、
本発明の内容をさらに詳細に説明する。基板上に第１の
保護層、記録層、第２の保護層、反射放熱層、有機保護
層の順に積層した光記録媒体において、線速３．５ｍ／
ｓｅｃ〜９．８ｍ／ｓｅｃの高線速で、しかもＤＯＷ回
数が１０万回を満たす相変化型光記録媒体を可能にする
ために、記録層材料であるＡｇａＩｎｂＳｂｃＴｅｄ
（ここでａ、ｂ、ｃ、ｄは原子組成比（％）を表わす）
に第５の元素を添加し、かつ第１、第２の保護層を低熱
膨張係数、高熱伝導率の材料を屈折率２付近で２Ｗ／ｍ
・Ｋ以上の材料と交互積層するか、微粒子状にして分散
させた構造にする。これによって、記録層で融点降下、
保存性向上、比熱低下、結晶化速度を損ねず、高線速、
高繰り返しＤＯＷ回数を向上できる。さらに、繰り返し
ＤＯＷ回数を飛躍的に増加させるために、保護層を熱変
形しにくい材料、構造とし、これら記録層と保護層を組
み合わせることで上記本発明の目的を達成できる。

【００１３】まず保護層について説明する。第１、第２
の保護層としては、これまでＺｎＳ・ＳｉＯｘをはじ
め、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＳｉＮ、ＴａＯｘ等、透
明かつ高融点で耐環境性、熱伝導率に優れた金属酸化
物、金属硫化物、金属窒化物あるいはこれらの混合物が
提案されている。このうち特に、ＺｎＳ：ＳｉＯｘ＝８
０：２０〜２０：８０の割合の混合物が優れており、繰
り返し、高温高湿化でも劣化しにくい。しかしながら、
本発明においては、今後さらに高い繰り返しＤＯＷ回数
が要求され、１０万回以上が必要になろうとしている現
実を考慮した。すなわち、保護層、反射放熱層の膜厚を
変えることである程度改善できるが、パワーマージン等
他の特性まで考えると限界がある。

【００１４】そこで本発明においては、ＺｎＳ・ＳｉＯ
ｘとさらに熱伝導率が高く、低熱膨張率、高融点材料と
してＭｇＯ、ＳｉＣ、ＢｅＯを用いる。ＭｇＯ、Ｓｉ
Ｃ、ＢｅＯなどは特に高融点（２０００℃以上）、高熱
伝導率（３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上）で比熱も小さいので、Ｚ
ｎＳ・ＳｉＯｘとＭｇＯ、ＳｉＣ、ＢｅＯのうち、いず
れか一つの材料を交互に積層することにより、ＤＯＷ回
数を重ねるごとに起こる熱変形が起こりにくく、記録層
との剥離もなくなる。

【００１５】交互積層方法はスパッタリングで作製する
場合、ターゲットを２つ使用し、同時に放電によりスパ
ッタを行なう。基板は自公転し、各ターゲット上を通過
するごとに交互に積層できる。ただし、膜厚によって
は、基板とターゲット間のシャッターを各ターゲットご
とに交互に開閉しながら積層する。ＺｎＳ・ＳｉＯｘの
ＺｎＳとＳｉＯｘのモル比は、８５：１５で、ｘが約２
付近のターゲットを用いる。一方、例えばＭｇＯをもう
一つのターゲットとして選んだ場合、各層の膜厚比が
（ＺｎＳ・ＳｉＯｘ）：（ＭｇＯ）＝１：１〜２：１に
する。特に、この交互積層膜は第２の保護層のみか、あ
るいは第１、第２の両保護層に用いる。この交互積層の
周期は２周期以上がよい。膜厚が３０ｎｍで２周期の場
合、各厚さが７．５ｎｍ／７．５ｎｍ〜１０ｎｍ／５ｎ
ｍになる。ＢｅＯ、ＳｉＣの場合も同様である。ただ
し、ＳｉＣの場合は膜はＳｉＣとＳｉの混合となってい
る。

【００１６】本発明において、保護層の機械特性を高め
るもう一つの方法は、保護の熱物性では限界であり、変
形が避けられない場合に応力を吸収し緩和させることで
ある。その方法としては、保護層に上記で用いたＺｎＳ
・ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘ、ＭｇＯ、ＡｌＯ、ＴａＯ等の酸
化物系、硫化物系、または窒化物系の材料に対して、高
融点で、これらの材料と固溶しない金属の微粒子を分散
させた金属微粒子分散誘電体層を作製する。特に、これ
に適した金属としてＣｒ、Ｃｕ、半導体ではＳｉがよ
い。これらの元素をある大きさの微粒子として分散させ
るには、次に示す用法で行なう。スパッタリングにより
膜を作製する場合、保護層材と微粒子材の各ターゲット
を電極に取り付ける。基板は自公転させながら、２つの
ターゲットを同時にスパッタさせる。このとき微粒子材
の膜厚は、基板とターゲットの間に設けられたシャッタ
ーを作動させ、誘電体膜間に約２〜５ｎｍの微粒子材の
薄膜をつける。こうして、記録層上下に保護層を設け、
さらに反射放熱層としてＡｌ、ＡｕあるいはＡｌ−Ｔ
ｉ、Ａｌ−Ｃｒ等の金属、合金膜を基板上に順次積層
し、最後に有機保護膜をつけ、媒体とする。

【００１７】次に媒体を大口径レーザーにより初期化す
る。初期化により記録層を非晶質相から結晶相に相変化
せるわけであるが、このとき記録層周辺の温度は結晶化
温度またはそれ以上に上げる必要があるが、約６２０Ｋ
〜６７０Ｋ近くまで上昇する。この場合、先に積層した
金属または半導体超薄膜が、この熱により凝集し微粒子
を形成する。このとき、微粒子の径は温度が高く、高温
アニール時間が長いほど大きくなる傾向にある。膜が高
温になるのは初期化工程以外に記録過程がある。このと
きさらに温度が融点まであがり、約８５０Ｋ近くにな
る。

【００１８】しかしながら、高温状態になるのは瞬時
（数１０ｎｓｅｃオーダ）なのでより大きくなることは
ない。したがって、微粒子の粒径は高々膜厚の２〜３倍
程度である。この微粒子化させる材料はＣｕ、Ｃｒ、Ｓ
ｉ等が好ましく、これらはデバイ温度が高く比熱が小さ
い。熱による応力を微粒子により緩和させるには歪みエ
ネルギーを吸収する能力が高いほどよい。線速がより速
くなると記録・消去パワーを高くしていく必要がある
が、保護層は熱伝導が高すぎると繰り返し回数が増加し
てもパワーマージンが狭くなるなど、蓄熱は必要であ
る。したがって、応力緩和を図れる構造にすることが必
要となる。一方、反射放熱層はより高い放熱性を要求さ
れる。また、これら酸化物、炭化物あるいは微粒子構造
の保護膜材料において、第１、第２の保護層両方に必ず
用いる必要はなく、主に第２の保護層に用いる。

【００１９】本発明において、高線速、高ＤＯＷ回数を
達成させるためには上記保護層だけではなく、記録材料
においてもさらなる特性の改善が望まれる。高線速の場
合、特に結晶化速度が速い方がよく、それには原子半径
が大きい元素で、しかもガラス転移点（Ｔｇ）と融点
（Ｔｍ）の比、Ｔｇ／Ｔｍが小さい方がよい。しかし、
記録データの保存性を考えると結晶化速度が速すぎると
悪くなる。本発明に用いるＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅの４
元素からなる記録材料においては、Ａｇ、Ｓｂ量が多い
と結晶化速度が速い。しかし、Ｓｂ量が多いと劣化が速
い。したがって、第５の元素を添加することにより他の
特性を犠牲にせず保存、結晶化速度を高くし、しかも繰
り返し特性を悪くする物資流動による局所的体積変化を
抑制させるため、比熱が小さく、粘性が高く、融点が低
いという要求を満たすためにはＡｕが適している。Ａｕ
は、Ａｇ、Ｓｂに比べ結晶化速度が速く、しかも保存性
がよい。特にＡｕを、Ｓｂ量を減らし、その減らした量
だけ添加するのが好ましい。さらに、Ａｕは粘性が他の
４つの元素より高く、Ａｇ、Ｓｂよりデバイ温度が低い
ため、融点を降下できる。

【００２０】本発明においては以上のことから、Ａｇａ
ＩｎｂＳｂｃＴｅｄ系記録材料（ここでａ、ｂ、ｃ、ｄ
はそれぞれ原子の組成比（％）を表わす）において、各
原子比が、１＜ａ＜５、７≦ｂ≦２０、３５≦ｃ＜７
０、２０≦ｄ≦３５、なる組成に対し、１≦Ａｕ＜５、
を添加させ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、となる関係
を満たす５元系材料とする。線速においては、ＤＶＤ−
ＲＯＭにおける線速３．５ｍ／ｓｅｃからより速い線速
に対応するため、基板上に上記保護層と記録層及び反射
放熱層、有機保護層からなる光記録媒体において、使用
可能な線速は２．４ｍ／ｓｅｃ〜１０ｍ／ｓｅｃであ
る。

【００２１】

【実施例】以下、本発明を実施例を用いてさらに具体的
に説明する。実施例１〜６厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍのＰＣ基
板上に以下の条件で保護層、記録層を作製した。ここで
は、まず第１の保護層はすべてＺｎＳ・ＳｉＯ₂とし
た。ＺｎＳ・ＳｉＯｘは、Ａｒガスを導入し、圧力５ｍ
ｍＨｇ・ｔｏｒｒ、ＲＦパワー１ｋＷで厚さ１６０ｎｍ
に作製した。次に記録層としてＡｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ
＝３．６：１０．５：５９：２６．９の原子比のターゲ
ットを用い、背圧９×１０^-7ｍ・ｔｏｒｒとし、Ａｒ導
入ガス圧を３ｍｍＨｇ・ｔｏｒｒとした。ＲＦパワー３
００Ｗで厚さ１８ｎｍにした。次に第２の保護層とし
て、ＺｎＳ・ＳｉＯｘとＭｇＯあるいはＺｎＳ・ＳｉＯ
ｘとＳｉＣの積層膜を作製する。ＺｎＳ・ＳｉＯｘは第
１の保護層と同様、ＺｎＳ：ＳｉＯｘ＝８５：１５の比
とし、ＭｇＯあるいはＳｉＣの各々について、各膜厚比
と周期数を表１のようになるようスパッタした。最後
に、Ａｌ−Ｔｉ合金膜をＤＣパワー１ｋＷ、Ａｒガス圧
１ｍｍＨｇ・ｔｏｒｒで１３０ｎｍの厚さにし、紫外線
硬化膜を３μｍの厚さにつけ媒体とした。その後、ホッ
トメルト接着剤で媒体を貼り合わせ１．２μｍ厚とし
た。初期化した後、この媒体の評価条件は、λ＝６３５
ｎｍ、ＮＡ０．６の光源、記録パワーを７ｍＷ〜１５ｍ
Ｗ、消去パワーを３．５ｍＷ〜７．５ｍＷ、ボトムパワ
ーを１ｍＷのＰＷＭ方法によりオーバーライトした。記
録変調方法は、ＥＦＭ、ＲＬＬ（２、１０）で行ない、
マーク長０．６μｍとした。記録パワーその他の条件が
最適となる条件において、ＤＯＷ回数をウィンドウ幅で
割ったジッター値が１４％以下をＤＯＷ回数とした。そ
の結果、最もよいもので９万回を達成することができ
た。

【００２２】実施例７〜１２厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍのＰＣ基
板上に以下の条件で作製した。ここでは、まず第１の保
護層はすべてＺｎＳ・ＳｉＯ₂とした。ＺｎＳ・ＳｉＯ
ｘは、Ａｒガスを導入し、圧力５ｍｍＨｇ・ｔｏｒｒ、
ＲＦパワー１ｋＷで厚さ１６０ｎｍに作製した。次に記
録層としてＡｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝３．６：１０．
５：５９：２６．９の原子比のターゲットを用い、背圧
９ｘ１０^-7ｍ・ｔｏｒｒとし、Ａｒ導入ガス圧を３ｍ・
ｔｏｒｒとした。ＲＦパワー３００Ｗで厚さ１８ｎｍに
した。次に第２の保護層として、ＺｎＳ・ＳｉＯｘとＣ
ｕ、ＣｒあるいはＳｉ微粒子分散を作製する。ＺｎＳ・
ＳｉＯｘは第１の保護層と同様、ＺｎＳ：ＳｉＯｘ＝８
５：１５の比とし、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｓｉの各々について、
ＺｎＳ：ＳｉＯｘで挟むように、ＺｎＳ・ＳｉＯｘ／Ｃ
ｕの順に積層し、各膜厚を表１のようになるようスパッ
タした。Ｃｒ、Ｓｉの場合も同様に行なった。最後に、
Ａｌ−Ｔｉ合金膜をＤＣパワー１ｋＷ、Ａｒガス圧１ｍ
ｍＨｇ・ｔｏｒｒで１３０ｎｍの厚さにし、紫外線硬化
膜を３μｍの厚さにつけ媒体とした。

【００２３】その後、ホットメルト接着剤で媒体を貼り
合わせ１．２μｍ厚とした。次に９５０ｍＷ、線速３．
５ｍ／ｓｅｃ、送り速度３０μｍ／ｒの条件で初期化を
行なった。さらに必要に応じて初期化回数を増加した。
この時、表２のような粒径の微粒子が分散していた。こ
の媒体の評価条件は、λ＝６３５ｎｍ、ＮＡ０．６の光
源、記録パワーを７ｍＷ〜１５ｍＷ、消去パワーを３．
５ｍＷ〜７．５ｍＷ、ボトムパワーを１ｍＷのＰＷＭ方
法によりオーバーライトした。記録変調方法は、ＥＦ
Ｍ、ＲＬＬ（２、１０）で行ない、マーク長０．６μｍ
とした。記録パワーその他の条件が最適となる条件にお
いてＤＯＷ回数を評価し、ウィンドウ幅で割ったジッタ
ー値が１４％以下となる値での回数を繰り返し回数とし
た。その結果、最もよいもので１０万回を越えることが
できた。

【００２４】実施例１３〜１８厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍのＰＣ基
板上に、以下の条件で作製した。ここでは、まず第１の
保護層はすべてＺｎＳ・ＳｉＯ₂とした。ＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏｘは、Ａｒガスを導入し、圧力５ｍｍＨｇ・ｔｏｒ
ｒ、ＲＦパワー１ｋＷで厚さ１６０ｎｍに作製した。次
に記録層としてＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、ＴｅにＡｕを添加し
たターゲットを用い、背圧９×１０^-7ｔｏｒｒとし、Ａ
ｒ導入ガス圧を３ｍｍＨｇ・ｔｏｒｒとした。ＲＦパワ
ー３００Ｗで厚さ１８ｎｍにした。ここで、Ａｕの組成
を表３のような原子比にした。次に第２の保護層とし
て、ＺｎＳ・ＳｉＯｘあるいは実施例２のＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏｘ／ＭｇＯ、ＺｎＳ・ＳｉＯｘ／ＳｉＣを２３ｎｍつ
けた。最後に、Ａｌ−Ｔｉ合金膜をＤＣパワー１ｋＷ、
Ａｒガス圧１ｍｍＨｇ・ｔｏｒｒで１３０ｎｍの厚さに
し、紫外線硬化膜を３μｍの厚さにつけ媒体とした。

【００２５】その後、ホットメルト接着剤で媒体を貼り
合わせ１．２μｍ厚とした。初期化した後、この媒体の
評価条件は、λ＝６３５ｎｍ、ＮＡ０．６の光源、記録
パワーを７ｍＷ〜１５ｍＷ、消去パワーを３．５ｍＷ〜
７．５ｍＷ、ボトムパワーを１ｍＷのＰＷＭ方法により
オーバーライトした。記録変調方法は、ＥＦＭ、ＲＬＬ
（２、１０）で行ない、マーク長０．６μｍとした。記
録パワーその他の条件が最適となる条件においてＤＯＷ
回数を評価し、ウィンドウ幅で割ったジッター値が１４
％以下をＤＯＷ回数とした。線速は７ｍ／ｓｅｃであっ
た。その結果、ＤＯＷ回数が１０万回を越え、しかも保
存が８０℃、８５％ＲＨにおいて、２０００時間を越え
る。比較例のように、これまで窒素を入れることにより
保存を改善したが、今回Ａｕを添加することにより、保
存および繰り返しともに改善できた。

【００２６】

【表１】

【００２７】

【表２】

【００２８】

【表３】

【００２９】

【発明の効果】以上、詳細かつ具体的な説明から明らか
なように、本発明により、保護層材料及び反射放熱層の
熱物性を改良するために熱伝導率を高くし、熱膨張係数
を低減させ、熱応力を抑制するか、あるいは熱応力を緩
和させる材料、構成を上記のように選定することによ
り、高線速、ＤＯＷ回数が向上でき、さらに、記録層に
ついては、記録材料のＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅの各原子
組成比を上記のようにすること以外に、必要に応じて第
５の元素Ａｕを添加することにより相変化型光記録媒体
の記録層材料の上記特性を満足するようにすることによ
り、高密度なリライタブルＤＶＤ用光記録媒体が提供さ
れるという極めて優れた効果が発揮される。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と基板上に第１の保護層、記録層、
第２の保護層、反射放熱層、有機保護層の順に積層され
た光記録媒体において、第１、第２の保護層がＺｎＳ・
ＳｉＯｘの層と高融点、高熱伝導率、低線膨張率をもつ
高機械特性材料であるＳｉＣ、ＭｇＯのいずれか一つの
層との交互積層からなることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】前記第１、第２の保護層の各層の膜厚比
が、ＺｎＳ・ＳｉＯｘ層：高機械特性層＝１：１〜３：
１であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒
体。
【請求項３】前記第２の誘電体保護層が、誘電体層に
Ｃｕ、Ｃｒ、Ｓｉ微粒子を分散させたものであることを
特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項４】前記微粒子の粒子サイズが３ｎｍ以上１
０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項３に記載の光
記録媒体。
【請求項５】前記微粒子が、誘電体層と金属層を交互
積層し、初期化時及び記録時の熱により金属を凝集さ
せ、微粒子化させた金属微粒子であることを特徴とする
請求項３又は請求項４のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項６】前記記録層がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、
Ａｕからなり、該Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ａｕそれぞ
れの組成比ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ（原子％）が、１＜ａ＜
５、７≦ｂ≦２０、３５≦ｃ＜７０、２０≦ｄ≦３５、
１≦ｅ＜５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、であること
を特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項７】記録再生時の線速が２．４ｍ／ｓｅｃ〜
１０ｍ／ｓｅｃであることを特徴とする、請求項１乃至
請求項６のうちのいずれかに記載の光記録媒体を用いる
光記録方法。