JPH118341A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH118341A JPH118341A JP16149897A JP16149897A JPH118341A JP H118341 A JPH118341 A JP H118341A JP 16149897 A JP16149897 A JP 16149897A JP 16149897 A JP16149897 A JP 16149897A JP H118341 A JPH118341 A JP H118341A
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- plating layer
- layer
- lead frame
- semiconductor device
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
- C23C28/021—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material including at least one metal alloy layer
-
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の課題は、ワイヤーボンディング性お
よび半田付け性に優れ、さらに耐食性および封止樹脂と
の密着性に優れた半導体装置用リードフレームを提供す
ることにある。 【解決手段】 本発明の半導体装置用リードフレーム
は、インナーリード及びアウターリードに形成したメッ
キ層の最表層を、Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュメッキ層と
している。また、インナーリード及びアウターリード
に、直接または下地メッキ層を介して形成したＰｄメッ
キ層またはＰｄ合金メッキ層の上層に、Ａｕ−Ａｇ合金
フラッシュメッキ層を形成している。
よび半田付け性に優れ、さらに耐食性および封止樹脂と
の密着性に優れた半導体装置用リードフレームを提供す
ることにある。 【解決手段】 本発明の半導体装置用リードフレーム
は、インナーリード及びアウターリードに形成したメッ
キ層の最表層を、Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュメッキ層と
している。また、インナーリード及びアウターリード
に、直接または下地メッキ層を介して形成したＰｄメッ
キ層またはＰｄ合金メッキ層の上層に、Ａｕ−Ａｇ合金
フラッシュメッキ層を形成している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置用リー
ドフレームに関し、詳しくはリードフレーム素材に形成
されるメッキ層の構成に関するものである。
ドフレームに関し、詳しくはリードフレーム素材に形成
されるメッキ層の構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置用リードフレームにおいて
は、半導体チップとインナーリードとを接続するワイヤ
ーに対する良好なボンディング性や、アウターリードと
外部機器とを接続する際における良好な半田付け性を具
備させるべく、リードフレーム素材の表面に、Ａｕメッ
キ層やＡｇメッキ層、あるいはＰｄメッキ層等が形成さ
れている。
は、半導体チップとインナーリードとを接続するワイヤ
ーに対する良好なボンディング性や、アウターリードと
外部機器とを接続する際における良好な半田付け性を具
備させるべく、リードフレーム素材の表面に、Ａｕメッ
キ層やＡｇメッキ層、あるいはＰｄメッキ層等が形成さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、Ａｕメッキ
及びＡｇメッキは、良好なワイヤーボンディング性や半
田付け性を付与する作用効果があるもの、製造コストの
上昇を招いてしまう不都合があり、またＡｇメッキはマ
イグレーション発生の誘因となり、特に多ピンのリード
フレームにおいては大きな問題となる。一方、Ｐｄメッ
キは、良好なワイヤーボンディング性がえられるもの
の、半田付け性、詳しくは半田の濡れ性における難点が
指摘されている。上記Ｐｄメッキにおける不都合を解消
する技術として、特開平 4-115558(特願平 2-234833)に
は、素材の全面に形成したＰｄメッキ層の上に、Ａｇメ
ッキ層またはＡｕメッキ層を 0.1μm 以下の厚さで形成
した半導体装置用リードフレームが提案されている。こ
の半導体装置用リードフレームでは、上述したＰｄメッ
キに関わる不都合を解消する効果が認められるものの、
封止樹脂との密着性が必ずしも十分であるとは言えず、
さらに耐食性に関しても問題を残しており、半導体装置
を腐食環境下で使用した場合、例えば路面凍結防止剤の
撒かれた路面を走行する自動車や湿気のある工場等で使
用される半導体装置のリードフレームに腐食が生じる問
題が懸念される。本発明は上記実状に鑑み、耐食性が格
段に優れ腐食環境下で長期に亘って使用されても錆が発
生せず、また封止樹脂との密着性に優れ、ワイヤーボン
ディング性および半田付け性も良好な半導体装置用リー
ドフレームの提供を目的とするものである。
及びＡｇメッキは、良好なワイヤーボンディング性や半
田付け性を付与する作用効果があるもの、製造コストの
上昇を招いてしまう不都合があり、またＡｇメッキはマ
イグレーション発生の誘因となり、特に多ピンのリード
フレームにおいては大きな問題となる。一方、Ｐｄメッ
キは、良好なワイヤーボンディング性がえられるもの
の、半田付け性、詳しくは半田の濡れ性における難点が
指摘されている。上記Ｐｄメッキにおける不都合を解消
する技術として、特開平 4-115558(特願平 2-234833)に
は、素材の全面に形成したＰｄメッキ層の上に、Ａｇメ
ッキ層またはＡｕメッキ層を 0.1μm 以下の厚さで形成
した半導体装置用リードフレームが提案されている。こ
の半導体装置用リードフレームでは、上述したＰｄメッ
キに関わる不都合を解消する効果が認められるものの、
封止樹脂との密着性が必ずしも十分であるとは言えず、
さらに耐食性に関しても問題を残しており、半導体装置
を腐食環境下で使用した場合、例えば路面凍結防止剤の
撒かれた路面を走行する自動車や湿気のある工場等で使
用される半導体装置のリードフレームに腐食が生じる問
題が懸念される。本発明は上記実状に鑑み、耐食性が格
段に優れ腐食環境下で長期に亘って使用されても錆が発
生せず、また封止樹脂との密着性に優れ、ワイヤーボン
ディング性および半田付け性も良好な半導体装置用リー
ドフレームの提供を目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するべ
く、本発明に関わる半導体装置用リードフレームは、イ
ンナーリード及びアウターリードに形成したメッキ層の
最表層を、Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュメッキ層としてい
る。
く、本発明に関わる半導体装置用リードフレームは、イ
ンナーリード及びアウターリードに形成したメッキ層の
最表層を、Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュメッキ層としてい
る。
【０００５】また、本発明に関わる半導体装置用リード
フレームにおいては、インナーリード及びアウターリー
ドに、直接または下地メッキ層を介して形成したＰｄメ
ッキ層またはＰｄ合金メッキ層の上層に、Ａｕ−Ａｇ合
金フラッシュメッキ層を形成している。
フレームにおいては、インナーリード及びアウターリー
ドに、直接または下地メッキ層を介して形成したＰｄメ
ッキ層またはＰｄ合金メッキ層の上層に、Ａｕ−Ａｇ合
金フラッシュメッキ層を形成している。
【０００６】このように、ＡｕあるいはＡｇの単一メッ
キではなく、Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュメッキを最表層
に施したことにより、耐食性が著しく優れたものとな
る。
キではなく、Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュメッキを最表層
に施したことにより、耐食性が著しく優れたものとな
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１（ａ）〜（ｃ）に示す如く、
本発明の一実施例に関わる半導体装置用リードフレーム
は、チップ搭載用のパッドとインナーリード及びアウタ
ーリードとを備えた、鋼薄板等から成るリードフレーム
素材の表面、詳しくは上記リードフレーム素材における
少なくともインナーリード及びアウターリードの表面
に、複数のメッキ層を形成することによって構成されて
いる。
本発明の一実施例に関わる半導体装置用リードフレーム
は、チップ搭載用のパッドとインナーリード及びアウタ
ーリードとを備えた、鋼薄板等から成るリードフレーム
素材の表面、詳しくは上記リードフレーム素材における
少なくともインナーリード及びアウターリードの表面
に、複数のメッキ層を形成することによって構成されて
いる。
【０００８】図１（ａ）に示す半導体装置用リードフレ
ーム１は、リードフレーム素材１Ａの表面に、下地メッ
キ層としてＮｉメッキ層（またはＮｉ合金メッキ層）１
ａを形成するとともに、上記Ｎｉメッキ層１ａの表面に
Ｐｄメッキ層（またはＰｄ合金メッキ層）１ｂを形成
し、さらに上記Ｐｄメッキ層１ｂの表面に、複数のメッ
キ層における最表層としてのＡｕ−Ａｇ合金フラッシュ
メッキ層１ｃを形成している。
ーム１は、リードフレーム素材１Ａの表面に、下地メッ
キ層としてＮｉメッキ層（またはＮｉ合金メッキ層）１
ａを形成するとともに、上記Ｎｉメッキ層１ａの表面に
Ｐｄメッキ層（またはＰｄ合金メッキ層）１ｂを形成
し、さらに上記Ｐｄメッキ層１ｂの表面に、複数のメッ
キ層における最表層としてのＡｕ−Ａｇ合金フラッシュ
メッキ層１ｃを形成している。
【０００９】図１（ｂ）に示す半導体装置用リードフレ
ーム２は、リードフレーム素材２Ａの表面に、下地メッ
キ層を介することなく直接にＰｄメッキ層（またはＰｄ
合金メッキ層）２ａを形成するとともに、上記Ｐｄメッ
キ層２ａの表面に、複数のメッキ層における最表層とし
てのＡｕ−Ａｇ合金フラッシュメッキ層２ｂを形成して
いる。
ーム２は、リードフレーム素材２Ａの表面に、下地メッ
キ層を介することなく直接にＰｄメッキ層（またはＰｄ
合金メッキ層）２ａを形成するとともに、上記Ｐｄメッ
キ層２ａの表面に、複数のメッキ層における最表層とし
てのＡｕ−Ａｇ合金フラッシュメッキ層２ｂを形成して
いる。
【００１０】図１（ｃ）に示す半導体装置用リードフレ
ーム３は、リードフレーム素材３Ａの表面に、下地メッ
キ層としてＮｉメッキ層（またはＮｉ合金メッキ層）３
ａを形成するとともに、上記Ｎｉメッキ層３ａの表面
に、複数のメッキ層における最表層としてのＡｕ−Ａｇ
合金フラッシュメッキ層３ｂを形成している。
ーム３は、リードフレーム素材３Ａの表面に、下地メッ
キ層としてＮｉメッキ層（またはＮｉ合金メッキ層）３
ａを形成するとともに、上記Ｎｉメッキ層３ａの表面
に、複数のメッキ層における最表層としてのＡｕ−Ａｇ
合金フラッシュメッキ層３ｂを形成している。
【００１１】前記Ｎｉメッキ、ＰｄメッキおよびＡｕ−
Ａｇ合金フラッシュメッキは、電気メッキ法、化学メッ
キ法等により為される。また、Ａｕ−Ａｇの合金メッキ
は、Ａｕメッキ液中にＡｇを添加したメッキ液を用いる
等により為される。
Ａｇ合金フラッシュメッキは、電気メッキ法、化学メッ
キ法等により為される。また、Ａｕ−Ａｇの合金メッキ
は、Ａｕメッキ液中にＡｇを添加したメッキ液を用いる
等により為される。
【００１２】ここで、図１（ａ）〜（ｃ）に示した半導
体装置用リードフレーム１、２，３における最表層のＡ
ｕ−Ａｇ合金フラッシュメッキ層１ｃ、２ｂ、３ｂは、
厚くなるとメッキコストが高くなり、またその耐食性等
の作用効果も飽和するので、いずれも 0.3μm 以下の厚
さに形成されている。
体装置用リードフレーム１、２，３における最表層のＡ
ｕ−Ａｇ合金フラッシュメッキ層１ｃ、２ｂ、３ｂは、
厚くなるとメッキコストが高くなり、またその耐食性等
の作用効果も飽和するので、いずれも 0.3μm 以下の厚
さに形成されている。
【００１３】 表１は、図２の如き形状に製作したリードフレーム素材
（鋼薄板）ＴのパッドＴp 、インナーリードＴi 、アウ
ターリードＴo に、表２に示す如き態様で複数層のメッ
キ層を形成した数種の試験材に対して、それぞれ耐食
性、半田濡れ性、ボンディングしたワイヤーのプル（引
っ張り）強さに関する試験を実施した結果である。
（鋼薄板）ＴのパッドＴp 、インナーリードＴi 、アウ
ターリードＴo に、表２に示す如き態様で複数層のメッ
キ層を形成した数種の試験材に対して、それぞれ耐食
性、半田濡れ性、ボンディングしたワイヤーのプル（引
っ張り）強さに関する試験を実施した結果である。
【００１４】 なお、本発明品（本発明に関わる本半導体装置用リード
フレーム）に対応する試験材１は、リードフレーム素材
Ｔに対して下層からＮｉメッキ、Ｐｄメッキ、Ａｕ−Ａ
ｇ合金フラッシュメッキを施しており、試験材２では下
層からＰｄメッキ、Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュメッキを
施しており、試験材３では下層からＮｉメッキ、Ａｕ−
Ａｇ合金フラッシュメッキを施している。
フレーム）に対応する試験材１は、リードフレーム素材
Ｔに対して下層からＮｉメッキ、Ｐｄメッキ、Ａｕ−Ａ
ｇ合金フラッシュメッキを施しており、試験材２では下
層からＰｄメッキ、Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュメッキを
施しており、試験材３では下層からＮｉメッキ、Ａｕ−
Ａｇ合金フラッシュメッキを施している。
【００１５】また、比較品（従来の半導体装置用リード
フレーム）に対応する試験材１は、リードフレーム素材
Ｔに対して下層からＮｉメッキ、Ｐｄメッキ、Ａｕメッ
キを施しており、試験材２は下層からＮｉメッキ、Ｐｄ
メッキ、Ａｇメッキを施しており、試験材３は下層から
Ｎｉメッキ、Ｐｄメッキを施している。
フレーム）に対応する試験材１は、リードフレーム素材
Ｔに対して下層からＮｉメッキ、Ｐｄメッキ、Ａｕメッ
キを施しており、試験材２は下層からＮｉメッキ、Ｐｄ
メッキ、Ａｇメッキを施しており、試験材３は下層から
Ｎｉメッキ、Ｐｄメッキを施している。
【００１６】表１における塩水噴霧試験の結果から明ら
かなように、本発明品に対応する試験材１〜３において
は、比較品の試験材１〜３に比べて錆の発生が全くな
く、厳しい腐食環境下に十分に耐える優れた耐食性を有
している。
かなように、本発明品に対応する試験材１〜３において
は、比較品の試験材１〜３に比べて錆の発生が全くな
く、厳しい腐食環境下に十分に耐える優れた耐食性を有
している。
【００１７】また、本発明品に対応する試験材１〜３に
おいては、表１における半田濡れ性試験の結果から明ら
かなように、比較品の試験材１〜３に比べて、半田濡れ
性が安定している。
おいては、表１における半田濡れ性試験の結果から明ら
かなように、比較品の試験材１〜３に比べて、半田濡れ
性が安定している。
【００１８】さらに、本発明品に対応する試験材１〜３
においては、比較品の試験材１〜３に比べて、ワイヤー
プル強さが倍近い値を示していることから明らかなよう
に、優れたワイヤーボンディング性が得られる。
においては、比較品の試験材１〜３に比べて、ワイヤー
プル強さが倍近い値を示していることから明らかなよう
に、優れたワイヤーボンディング性が得られる。
【００１９】また、前記試験には示していないが、本発
明によるリードフレームは、封止樹脂との密着性が優れ
ている。
明によるリードフレームは、封止樹脂との密着性が優れ
ている。
【００２０】上述の如く、本発明品に対応する試験材１
〜３が、優れた耐食性やワイヤーボンディング性等を奏
する理由としては、リードフレームにＮｉメッキやＰｄ
メッキを行なっていると言っても、ミクロ的に観るとこ
れらメッキ層中には空孔が存在していて、大気と完全に
遮断されない箇所があり、この上層にＡｕ−Ａｇ合金フ
ラッシュメッキを施すことにより、下層のメッキ層にお
ける空孔にも上記Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュメッキが入
り込み、リードフレーム素材が完全に大気と遮断される
ことに起因するためと考えられる。
〜３が、優れた耐食性やワイヤーボンディング性等を奏
する理由としては、リードフレームにＮｉメッキやＰｄ
メッキを行なっていると言っても、ミクロ的に観るとこ
れらメッキ層中には空孔が存在していて、大気と完全に
遮断されない箇所があり、この上層にＡｕ−Ａｇ合金フ
ラッシュメッキを施すことにより、下層のメッキ層にお
ける空孔にも上記Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュメッキが入
り込み、リードフレーム素材が完全に大気と遮断される
ことに起因するためと考えられる。
【００２１】
【発明の効果】以上、詳述した如く、本発明に関わる半
導体装置用リードフレームでは、インナーリード及びア
ウターリードに形成したメッキ層の最表層を、Ａｕ−Ａ
ｇ合金フラッシュメッキ層としたことにより、耐食性が
格段に優れるとともに、良好なワイヤーボンディング
性、半田付け性、および封止樹脂との密着性を得ること
ができる。
導体装置用リードフレームでは、インナーリード及びア
ウターリードに形成したメッキ層の最表層を、Ａｕ−Ａ
ｇ合金フラッシュメッキ層としたことにより、耐食性が
格段に優れるとともに、良好なワイヤーボンディング
性、半田付け性、および封止樹脂との密着性を得ること
ができる。
【００２２】また、本発明に関わる半導体装置用リード
フレームでは、インナーリード及びアウターリードに、
直接あるいは下地メッキ層を介して形成したＰｄメッキ
層あるいはＰｄ合金メッキ層の上層に、Ａｕ−Ａｇ合金
フラッシュメッキ層を形成したことにより、良好なワイ
ヤーボンディング性および半田付け性が得られるととも
に、優れた耐食性および封止樹脂との密着性をも得るこ
とができる等の効果がある。
フレームでは、インナーリード及びアウターリードに、
直接あるいは下地メッキ層を介して形成したＰｄメッキ
層あるいはＰｄ合金メッキ層の上層に、Ａｕ−Ａｇ合金
フラッシュメッキ層を形成したことにより、良好なワイ
ヤーボンディング性および半田付け性が得られるととも
に、優れた耐食性および封止樹脂との密着性をも得るこ
とができる等の効果がある。
【図１】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ本発明に
関わる半導体装置用リードフレームを示す概念的な要部
断面図。
関わる半導体装置用リードフレームを示す概念的な要部
断面図。
【図２】試験材としてのリードフレーム素材を示す全体
平面図。
平面図。
１、２、３…半導体装置用リードフレーム、 １Ａ、２Ａ、３Ａ…リードフレーム素材、 １ａ、３ａ…Ｎｉメッキ層（またはＮｉ合金メッキ
層）、 １ｂ、２ａ…Ｐｄメッキ層（またはＰｄ合金メッキ
層）、 １ｃ、２ｂ、３ｂ…Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュメッキ
層、 Ｔ…試験材としてのリードフレーム素材、 Ｔｉ…インナーリード、 Ｔｏ…アウターリード。
層）、 １ｂ、２ａ…Ｐｄメッキ層（またはＰｄ合金メッキ
層）、 １ｃ、２ｂ、３ｂ…Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュメッキ
層、 Ｔ…試験材としてのリードフレーム素材、 Ｔｉ…インナーリード、 Ｔｏ…アウターリード。
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくともインナーリード及びアウタ
ーリードに、メッキ層を複数層形成して成る半導体装置
用リードフレームにおいて、 前記インナーリード及びアウターリードに形成したメッ
キ層の最表層を、Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュメッキ層と
したことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】 前記Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュメッキ
層の厚さを、 0.3μm以下としたことを特徴とする請求
項１記載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項３】 少なくともインナーリード及びアウタ
ーリードに、メッキ層を複数層形成して成る半導体装置
用リードフレームにおいて、 前記インナーリード及びアウターリードに、直接または
下地メッキ層を介してＰｄメッキ層またはＰｄ合金メッ
キ層を形成するとともに、前記Ｐｄメッキ層またはＰｄ
合金メッキ層の上層に、Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュメッ
キ層を形成して成ることを特徴とする半導体装置用リー
ドフレーム。 - 【請求項４】 前記下地メッキ層を、Ｎｉメッキ層ま
たはＮｉ合金メッキ層としたことを特徴とする請求項３
記載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項５】 前記Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュメッキ
層の厚さを、 0.3μm以下としたことを特徴とする請求
項３または請求項４記載の半導体装置用リードフレー
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16149897A JPH118341A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16149897A JPH118341A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118341A true JPH118341A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=15736220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16149897A Pending JPH118341A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH118341A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2002025702A2 (en) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Kim Stephen M | Semiconductor product with a silver and gold alloy |
| WO2004049415A1 (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | 半導体用合金材料、該合金材料を用いた半導体チップ及びその製造方法 |
| KR100503038B1 (ko) * | 2002-11-01 | 2005-07-22 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 팩키지용 리드 프레임 |
| KR100673951B1 (ko) | 2004-06-23 | 2007-01-24 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 팩키지용 리드 프레임 |
| CN1305132C (zh) * | 1999-10-01 | 2007-03-14 | 三星航空产业株式会社 | 引线框架及其电镀方法 |
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