JPH1180938A

JPH1180938A - 薄膜形成方法および薄膜形成装置ならびに蒸発源ルツボ

Info

Publication number: JPH1180938A
Application number: JP23858397A
Authority: JP
Inventors: Kazunobu Chiba; 一信千葉
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-09-03
Filing date: 1997-09-03
Publication date: 1999-03-26

Abstract

(57)【要約】【課題】真空蒸着工程においてスプラッシュを抑制す
るとともに、スプラッシュに起因する薄膜の品質の劣化
を防止する薄膜形成方法および薄膜形成装置ならびに蒸
発源ルツボを提供することを課題とする。【解決手段】少なくとも不純物酸化物を含有する蒸発
源ルツボ１０を用いて、蒸発源ルツボ１０内にある磁性
材料等の薄膜形成材料９を真空中で溶解蒸発し、支持体
３ａに薄膜を形成する工程／手段を有する磁気テープま
たは磁気ディスク等の薄膜の薄膜形成方法／形成装置に
おいて、蒸発源ルツボ１０に含有する不純物酸化物の含
有率が０．５重量％以下である。不純物酸化物は、少な
くともＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃およびＣａＯのうちのいず
れか１種であり、ＳｉＯ₂およびＡｌ₂Ｏ₃の含有率は
いずれもＣａＯ以下である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜形成方法および
薄膜形成装置ならびに蒸発源ルツボに関し、さらに詳し
くは、蒸発源ルツボ内にある薄膜形成材料を真空中で溶
解蒸発させ、これを支持体に被着させる薄膜の形成に特
徴を有する薄膜形成方法および薄膜形成装置ならびに蒸
発源ルツボに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録媒体としては、非磁性の
支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末などの
粉末磁性材料を用いた塗布型磁気記録媒体に代わり、高
密度磁気記録への要求の高まりとともに、Ｃｏ−Ｎｉ合
金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｏ等の金属磁性材料を、メ
ッキや、真空蒸着、スパッタリングおよびイオンプレー
ティング等の真空成膜手段によりポリエステル、ポリア
ミドおよびポリイミドフィルムなどの非磁性の支持体上
に直接被着した、いわゆる金属薄膜型磁気記録媒体が注
目されている。この金属薄膜型磁気記録媒体は、抗磁力
や角形比に優れ、短波長領域での電磁変換特性に優れる
ばかりでなく、磁性層の厚みを薄くできるため、記録減
磁や、再生時の厚み損失が著しく小さいこと、磁性層中
に非磁性材料のバインダが不要であるため磁性材料の充
填密度を高めることができることなど様々な利点を有し
ている。

【０００３】更に、この磁気記録媒体の電磁変換特性を
向上させ、より大きな出力を得るために、磁性層を斜め
に蒸着する斜方蒸着が提案され、実用化されている。こ
の斜方蒸着により磁性層が形成される磁気記録媒体は、
蒸着時に、蒸発源をシャッターやマスクで覆って、斜め
入射の蒸着成分のみを用いることで優れた磁気特性およ
び電磁変換特性を実現している。この斜方蒸着では、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｆｅなどの磁性金属を溶解して蒸着するが、
連続して長時間成膜を行ったり、大きい成膜速度を確保
するなどの生産性の向上を図るため、電子銃を用いた電
子ビーム蒸着を行うのが一般的である。この電子ビーム
蒸着ではセラミックス製の蒸発源ルツボの中に磁性金属
等を収納し、この磁性金属などに電子ビームを照射して
溶解する。そして、例えば特公平５−１９７６６号公報
記載のように、このセラミックス製の蒸発源ルツボの耐
久性の向上を図るために、これに使用するマグネシア材
の純度を向上する検討などが報告されている。ところ
で、蒸着時には、一般的にスプラッシュと呼ばれる現象
が見られる。これは、蒸発源ルツボに含有される酸化物
等の微少不純物が蒸発源ルツボ内で溶解した磁性材料に
混入し、飛び出す現象である。この高温状態の微小不純
物が勢いよく飛び出すと成膜中の薄膜や成膜直後の薄膜
を突き破り、非磁性の支持体にピンホールを明ける場合
がある。このピンホールが磁気記録媒体にあると、ドロ
ップアウト等の記録再生信号の欠落現象を引き起こす要
因となり、短波長記録化に対応した電磁変換特性の向上
を図る上で解決しなければならない問題の一つであっ
た。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる問題
点に鑑み、真空蒸着工程においてスプラッシュを抑制す
るとともに、スプラッシュに起因する薄膜の品質の劣化
を防止する薄膜形成方法および薄膜形成装置ならびに蒸
発源ルツボを提供することを課題とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の薄膜形成方法は、少なくとも不純物酸化物
を含有する蒸発源ルツボを用いて、蒸発源ルツボ内にあ
る磁性金属、磁性合金あるいは磁性化合物等の薄膜形成
材料を減圧雰囲気中で溶解蒸発させ、溶解蒸発した薄膜
形成材料を支持体に被着し薄膜を形成する工程を有する
磁気テープまたは磁気ディスク等の薄膜形成方法におい
て、蒸発源ルツボに含有する不純物酸化物の含有率が
０．５重量％以下であることを特徴とする。ここで、減
圧雰囲気とは、真空および真空中に反応性ガスおよび不
活性ガス等を導入した状態の雰囲気のいずれか一方を示
す。

【０００６】本発明の薄膜形成装置は、少なくとも不純
物酸化物を含有する蒸発源ルツボと、蒸発源ルツボ内に
ある磁性金属、磁性合金あるいは磁性化合物等の薄膜形
成材料を減圧雰囲気中で溶解蒸発させる加熱手段と、溶
解蒸発させた薄膜形成材料を支持体に被着させて薄膜を
形成する手段とを有する磁気テープまたは磁気ディスク
等の薄膜形成装置において、蒸発源ルツボに含有する不
純物酸化物の含有率が０．５重量％以下であることを特
徴とする。

【０００７】本発明の薄膜形成方法および薄膜形成装置
において、蒸発源ルツボに含有する不純物酸化物は、少
なくともＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃およびＣａＯのうちのい
ずれか１種であり、ＳｉＯ₂およびＡｌ₂Ｏ₃の含有率
は、いずれもＣａＯの含有率以下であることが望まし
い。これは、蒸発源ルツボの主原料であるＭｇＯの融点
約２８００℃に比べて、不純物酸化物であるＳｉＯ₂お
よびＡｌ₂Ｏ₃は融点が、それぞれ約１７００℃、約２
０５０℃と比較的低く、一方、不純物酸化物であるＣａ
Ｏの融点は約２６００℃でＭｇＯに近いので、ＳｉＯ₂
およびＡｌ₂Ｏ₃の含有率をＣａＯの含有率に比べて抑
制することが効果的であるためである。薄膜を形成する
工程／手段は電子ビーム蒸着法／装置、誘導加熱蒸着法
／装置およびイオンプレーティング法／装置のうちの何
れか１種を用いると効果的である。

【０００８】本発明の蒸発源ルツボは、蒸発源ルツボに
含有する不純物酸化物の含有率が０．５重量％以下であ
ることを特徴とする。蒸発源ルツボに含有する不純物酸
化物は、少なくともＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃およびＣａＯ
のうちのいずれか１種であり、ＳｉＯ₂およびＡｌ₂Ｏ
₃の含有率は、いずれもＣａＯの含有率以下であること
が望ましい。蒸発源ルツボにはＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃お
よびＣａＯなどの不純物酸化物の含有が不可避である
が、これをなるべく０重量％とするのが望ましい。

【０００９】上述した手段によれば、蒸発源ルツボに含
有する不純物酸化物であるＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃および
ＣａＯ等が低減し、これらが蒸発源ルツボ内で溶融した
薄膜形成材料中に溶けだして混入する量を極小とするこ
とができる。従って、これらが蒸発源ルツボの表面に浮
遊し、そこに電子銃からの電子ビームが照射されること
によるスプラッシュが防止され、薄膜に付着したり、キ
ズやピンホールを発生させることが防止され、高品位な
薄膜を形成することができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の薄膜形成方法および薄膜
形成装置ならびに蒸発源ルツボは、非磁性材料よりなる
支持体上に磁性層として金属磁性薄膜を形成した金属薄
膜型の磁気テープ（いわゆる蒸着テープ）または磁気デ
ィスクなどの磁気記録媒体の薄膜形成方法および薄膜形
成装置ならびに蒸発源ルツボに適用できる。本発明を磁
気記録媒体に適用した事例について説明する。磁気記録
媒体は、一般的に非磁性の支持体上に金属磁性薄膜など
の磁性層が形成されている。磁性層は、単層、多層の何
れでも良く、支持体と磁性層間、あるいは多層膜の場合
には、必要に応じて、各層間の付着力向上並びに抗磁力
の制御のため、下塗層または中間層を設けたものでも良
い。また、磁性層表面近傍が耐食性改善のため酸化物と
なっているものでも良く、磁性層上に保護膜層およびト
ップコート層を設けたものでも良く、あるいは支持体の
磁性層が形成された面の反対面にバックコート層を設け
たものでも良い。金属磁性薄膜を有する磁性層に供され
る薄膜形成材料の一例を挙げれば、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃ
ｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｆｅ合金等の強磁性合金材料があ
る。金属磁性薄膜形成の手段は、真空中で磁性材料を電
子ビーム等で加熱蒸発させ、支持体上に蒸着させる電子
ビーム蒸着法や誘導加熱蒸着法等の真空蒸着法、および
プラズマ放電中で薄膜形成材料を蒸発させるイオンプレ
ーティング法等のＰＶＤ（ＰｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏ
ｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いることができる。

【００１１】保護膜層の材料としては、通常の金属磁性
薄膜用保護膜として一般に使用されるものであればいか
なるものであっても良い。例えば、カーボン、Ｃｒ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＢＮ、Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ、Ｓｉ
Ｏ₂、Ｓｉ₃Ｏ₄、ＳｉＮ_x、ＳｉＣ、ＳｉＮ_x−ＳｉＯ
₂、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＴｉＣのうち少なくとも１種
を含む単層膜および多層膜のいずれか一方が挙げられ
る。蒸発源ルツボの主材料は、高融点セラミックスを主
原料としたもので、マグネシア、ジルコニア、ＢＮ等が
挙げられる。トップコート層あるいはバックコート層に
含まれる非磁性顔料、樹脂結合剤、潤滑剤および防錆剤
としては従来公知の材料がいずれも使用できる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の薄膜形成方法および薄膜形成
装置ならびに蒸発源ルツボについて、磁気記録媒体の薄
膜に適用した一例であり、薄膜形成装置の一例である真
空蒸着装置の概略断面図である図１及び磁気記録媒体の
概略断面図である図２を参照して説明する。なお、本発
明は以下に示した実施例に限定されるものではない。

【００１３】先ず、磁気記録媒体の概略構成について、
図２を参照して説明する。磁気記録媒体３は、非磁性の
支持体３ａ上に、必要に応じて、下塗層３ｂが形成さ
れ、下塗層３ｂ上に金属磁性薄膜などの磁性層３ｃが形
成され、また必要に応じて保護膜層３ｄおよびトップコ
ート層３ｅが形成されている。そして、支持体３ａの磁
性層３ｃが形成された面の反対面には、必要に応じて、
バックコート層３ｆが形成されている。

【００１４】真空蒸着装置１の上壁、下壁に真空槽２を
真空にする排気口４が設けられている。サプライロール
５には、非磁性の支持体３ａの原反ロールがセットされ
ており、支持体３ａはガイド６ａを経由して一定の回転
数で回転する冷却キャン７の外周側面に大角度に巻き付
けられ、ガイド６ｂを経由してテイクアップロール８に
巻き取られる。冷却キャン７には、図示を省略するが支
持体３ａの温度上昇による変形等を抑止するために冷却
装置が設けられている。冷却キャン７の下部には、例え
ばＣｏ９５Ｎｉ５重量％で構成された合金の磁性材料で
ある薄膜形成材料９を充填した蒸発源ルツボ１０が配設
されており、この蒸発源ルツボ１０に充填されている薄
膜形成材料９の幅は冷却キャン７の回転軸方向の幅とほ
ぼ同一に展開されている。この蒸発源ルツボ１０には、
図示を省略する材料供給機構から例えば材料供給ペレッ
トが供給されている。材料供給ペレットの形状は、例え
ば直径が１０ｍｍで長さが１０ｍｍの円筒状をしてい
る。

【００１５】真空槽２内の側壁には蒸発源ルツボ１０に
充填されている薄膜形成材料９に入射角度が、例えば４
５度〜９０度となるように電子銃１１が配設されてお
り、電子線の照射により薄膜形成材料９を蒸発させ、こ
の蒸気が冷却キャン７の外周側面に巻き付いている支持
体３ａの表面に蒸着する。冷却キャン７と蒸発源ルツボ
１０との間の冷却キャン７近傍にはシャッタ１２が、冷
却キャン７の外周側面を一定の速度で回転する支持体３
ａの所定領域を覆うように設けられている。このシャッ
タ１２により、蒸発した薄膜形成材料９の蒸気が支持体
３ａの表面に、所定の角度範囲で斜めに蒸着するように
構成されている。また、バルブ１３を介した配管からは
支持体３ａの表面に、例えば２８０ｃｃ／分の割合で酸
素ガスが供給され、磁気特性、耐久性及び耐候性の向上
が図られる。なお、符号１４は真空槽２内を蒸着室と支
持体３ａの供給と巻き取りを行う部屋とに分断する隔壁
である。

【００１６】上記のような構成の薄膜形成装置を用い
て、支持体３ａに下塗層３ｂを形成した後、酸素雰囲気
中でＣｏを斜方蒸着して磁性層３ｃを形成した後、磁性
層３ｃ上にカーボン等で構成された保護膜層３ｄを形成
し、さらにその上にトップコート層３ｅおよび支持体３
ａの磁性層３ｃが形成された面の反対面にバックコート
層３ｆを施す。次に、所定のテープ幅に裁断して、カセ
ットに１８０分長組み込んで比較例１〜４および実施例
１〜８の磁気テープのサンプルを作成した。これらのサ
ンプルの詳細な材質および作成条件は［表１］に示し
た。

【００１７】

【表１】

【００１８】上記のサンプルを作成する場合、実施例と
比較例における蒸着工程では、蒸発源ルツボ１０の不純
物酸化物の含有率を変えたものを用いて作製した。実施
例１〜４は、蒸発源ルツボ１０中の不純物酸化物のＳｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃およびＣａＯの含有率がそれぞれ０．
５重量％以下であり、実施例５〜８は、蒸発源ルツボ１
０中の不純物酸化物のＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃およびＣａ
Ｏの含有率がそれぞれ０．５重量％以下で、かつ、Ｓｉ
Ｏ₂およびＡｌ₂Ｏ₃の含有率はいずれもＣａＯ以下で
ある。比較例１〜４は、蒸発源ルツボ１０中のいずれか
の不純物酸化物の含有率が０．５重量％以上であり、比
較例１、３および４は、ＳｉＯ₂あるいはＡｌ₂Ｏ₃の
含有率がＣａＯ以下である。また、比較例および実施例
のサンプルを作成するために使用した蒸発源ルツボ１０
の耐久性（繰り返し使用回数）を比較するために［表
１］に示した蒸着条件で、全長２０００ｍの支持体３ａ
を繰り返し何回蒸着できるか検討を行った。

【００１９】次に、比較例１〜４および実施例１〜８で
使用した磁性材料の合金の不純物含有率を［表２］に示
す。合金組成の測定は島津製作所製ＩＣＰ発光分光式測
定器及び、燃焼赤外線吸収法等を用いて行った。なお、
Ｃｏの成分は他の微量な不純物成分を差し引いた値であ
る。

【００２０】

【表２】

【００２１】さらに比較例１〜４および実施例１〜８で
使用した蒸発源ルツボ１０の組成表を［表３］に示し
た。［表３］における、その他はＦｅ₂Ｏ₃、Ｎａ₂Ｏ
およびＫ₂Ｏ等である。

【００２２】

【表３】

【００２３】実施例１〜４および比較例１〜８で完成さ
せた８ｍｍ幅の磁気テープを下記項目で評価した。その
結果を［表４］で示す。

【００２４】ドロップアウト数の測定サンプルの８ｍｍ幅の磁気テープにソニー社製の８ｍｍ
ビデオテープレコーダであるＥＶ−Ｓ９００を用いて、
再生出力レベルから−１０ｄＢ５０μｓｅｃ以下の出力
低下をドロップアウトとして、カセットの巻き始めから
３０分長送ったところから、１２０分間測定を行い、３
０分間あたりのドロップアウト数を測定した。さらに、
これらのドロップアウトになったと推定される部分のピ
ンホールの表面観察を行い、全ドロップアウト数に対す
るスプラッシュに起因するピンホール数の割合を測定し
た。

【００２５】磁気特性の劣化ガス腐食試験器を用いてＳＯ₂ガス０．６ｐｐｍを含む
３５℃９０％ＲＨ雰囲気中で２４時間放置後の劣化量Δ
Φｓ＝１００×（Φｓ−Φｓ’）／Φｓの値で評価し
た。なお、Φｓは初期値であり、Φｓ’は２４時間放置
後の値である。

【００２６】

【表４】

【００２７】比較例１〜４では蒸発源ルツボ１０中に含
まれる不純物酸化物等の含有率が０．５重量％程度と実
施例１〜８と比べて大であるが、これに起因すると考え
られるスプラッシュも磁気テープのドロップアウト数か
ら推定できる。スプラッシュ以外のドロップアウトの原
因は、支持体３ａ中のフィラーの凝集物や磁気テープ表
面に付着したゴミやその寝押しとなった突起等である。

【００２８】実施例１〜８の磁気テープのドロップアウ
ト数が比較例１〜４に比べて小であるが、これは蒸着時
のスプラッシュによるピンホール数が小である効果が現
れているためであり、全ドロップアウト数中のスプラッ
シュに起因するピンホール数の割合が小であるためと推
定される。また、実施例５〜８は、実施例１〜４に比べ
て、比較的ドロップアウト数が小である。これは、蒸発
源ルツボ１０中のＳｉＯ₂およびＡｌ₂Ｏ₃の含有率が
ＣａＯの含有率に対して小であるためと推定できる。さ
らに、磁気特性の劣化については、比較例、実施例とも
に大きく差がないことから、本発明のように蒸発源ルツ
ボ１０中のＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃およびＣａＯ等の不純
物含有率を変化させても悪影響はない。また、蒸発源ル
ツボ１０の寿命について、蒸発源ルツボ１０の繰り返し
使用可能回数という観点で検討してみても、繰り返し使
用回数が比較例、実施例で差がないことから問題はない
と推察される。

【００２９】上記した事例の実施例は、磁気記録媒体３
として磁気テープに適用した例であるが、磁気ディスク
にも適用することができる。また、薄膜形成工程で、電
子ビーム蒸着法の他に誘導加熱蒸着法あるいはイオンプ
レーティング法等を用いることも可能である。

【００３０】

【発明の効果】本発明の薄膜形成方法および薄膜形成装
置ならびに蒸発源ルツボによれば、薄膜形成工程におい
てスプラッシュを抑制し、これに起因する薄膜の劣化を
低減し、高品質な薄膜の形成が可能な薄膜形成方法およ
び薄膜形成装置ならびに蒸発源ルツボを提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜形成装置の一例である真空蒸着
装置の概略構成断面図を示す。

【図２】磁気記録媒体の概略構成断面図を示す。

【符号の説明】

１…真空蒸着装置、２…真空槽、３…磁気記録媒体、３
ａ…支持体、３ｂ…下塗層、３ｃ…磁性層、３ｄ…保護
膜層、３ｅ…トップコート層、３ｆ…バックコート層、
４…排気口、５…サプライロール、６ａ，６ｂ…ガイ
ド、７…冷却キャン、８…テイクアップロール、９…薄
膜形成材料、１０…蒸発源ルツボ、１１…電子銃、１２
…シャッタ、１３…バルブ、１４…隔壁

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも不純物酸化物を含有する蒸発
源ルツボを用いて、前記蒸発源ルツボ内にある薄膜形成
材料を減圧雰囲気中で溶解蒸発させ、前記溶解蒸発した
前記薄膜形成材料を支持体に被着して薄膜を形成する工
程を有する薄膜形成方法において、前記不純物酸化物の含有率が０．５重量％以下であるこ
とを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項２】前記不純物酸化物は、少なくともＳｉＯ
₂、Ａｌ₂Ｏ₃およびＣａＯのうちのいずれか１種であ
るとともに、ＳｉＯ₂およびＡｌ₂Ｏ₃の含有率が、いずれもＣａＯ
の含有率以下であることを特徴とする請求項１に記載の
薄膜形成方法。
【請求項３】前記薄膜形成材料は少なくとも磁性金
属、磁性合金および磁性化合物のうちのいずれか１種で
あることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成方法。
【請求項４】前記薄膜を形成する工程は磁気テープお
よび磁気ディスクのうちのいずれか１種の薄膜を形成す
る工程であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形
成方法。
【請求項５】前記薄膜を形成する工程は電子ビーム蒸
着法、誘導加熱蒸着法およびイオンプレーティング法の
うちの何れか１種を用いることを特徴とする請求項１に
記載の薄膜形成方法。
【請求項６】少なくとも不純物酸化物を含有する蒸発
源ルツボと、前記蒸発源ルツボ内にある薄膜形成材料と、減圧雰囲気中で前記薄膜形成材料を溶解蒸発させる加熱
手段と、前記溶解蒸発させた前記薄膜形成材料を支持体に被着さ
せて薄膜を形成する手段とを有する薄膜形成装置におい
て、前記不純物酸化物の含有率が０．５重量％以下であるこ
とを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項７】前記不純物酸化物は、少なくともＳｉＯ
₂、Ａｌ₂Ｏ₃およびＣａＯのうちのいずれか１種であ
るとともに、ＳｉＯ₂およびＡｌ₂Ｏ₃の含有率は、いずれもＣａＯ
の含有率以下であることを特徴とする請求項６に記載の
薄膜形成装置。
【請求項８】前記薄膜形成材料は少なくとも磁性金
属、磁性合金および磁性化合物のうちのいずれか１種で
あることを特徴とする請求項６に記載の薄膜形成装置。
【請求項９】前記薄膜を形成する手段は磁気テープお
よび磁気ディスクのうちのいずれか１種の薄膜を形成す
る手段であることを特徴とする請求項６に記載の薄膜形
成装置。
【請求項１０】前記薄膜を形成する手段が、電子ビー
ム蒸着装置、誘導加熱蒸着装置およびイオンプレーティ
ング装置のうちの何れか１種であることを特徴とする請
求項６に記載の薄膜形成装置。
【請求項１１】少なくとも不純物酸化物を含有する蒸
発源ルツボにおいて、前記不純物酸化物の含有率が０．５重量％以下であるこ
とを特徴とする蒸発源ルツボ。
【請求項１２】前記不純物酸化物は、少なくともＳｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃およびＣａＯのうちのいずれか１種で
あるとともに、ＳｉＯ₂およびＡｌ₂Ｏ₃の含有率が、いずれもＣａＯ
の含有率以下であることを特徴とする請求項１１に記載
の蒸発源ルツボ。