JPH05342574A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 生産性の向上を図るとともに、ドロップアウ
トを抑え、良好な電磁変換特性を実現する。 【構成】 磁気記録媒体の磁性層を成膜する際に、蒸発
源８からの蒸気流の入射角θ₁ 〜θ₂ を規制するシャッ
ターやマスク１３を配設し、これらシャッターやマスク
１３にマグネットを取り付ける、或いは該シャッターや
マスクの構成材料としてマグネットを使用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁性層が真空蒸着法に
より成膜される金属磁性薄膜からなる、所謂金属磁性薄
膜型の磁気記録媒体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、ポリ
エステルやポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等か
らなる非磁性支持体上に酸化物磁性粉末や合金磁性粉末
等の粉末磁性材料を塩化ビニルー酢酸ビニル系共重合
体、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹
脂等の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗
布、乾燥することにより磁性層を形成した、所謂塗布型
の磁気記録媒体が広く使用されている。

【０００３】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりと共に、金属やＣｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合
金、Ｃｏ−Ｏ合金等からなる磁性材料を、メッキや真空
薄膜形成技術（真空蒸着法やスパッタリング法、イオン
プレーティング法等）によってポリエステルフィルムや
ポリアミド、ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に
直接被着した、所謂金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提
案され注目を集めている。

【０００４】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、抗
磁力や角形比等に優れ、且つ短波長での電磁変換特性に
優れるばかりでなく、磁性層の厚みをきわめて薄くでき
るために、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さい
こと、磁性層中に非磁性材料であるバインダー等を混入
する必要が無いために磁性材料の充填密度を高めること
ができること等、数々の利点を有している。

【０００５】更に、この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体
の電磁変換特性を向上させ、より大きな出力を得ること
が出来るようにするために、該磁気記録媒体の磁性層を
形成する手段として、非磁性支持体の表面に対して蒸発
せしめられた磁性材料を斜めに蒸着させる、所謂斜方蒸
着法が提案され実用化されている。

【０００６】このような斜方蒸着法により磁気テープを
製造する際には、上記非磁性支持体と蒸発源との間にシ
ャッターやマスクを配設し、これらシャッターやマスク
で上記非磁性支持体の表面のある領域を覆うことによ
り、上記蒸発源からの蒸気流の入射方向を規制してい
る。これにより、上記非磁性支持体の表面に対して所定
の入射角を有する成分のみが被着され、得られる膜の磁
気特性が良好となり、更に優れた電磁変換特性が得られ
る。

【０００７】この時、上記蒸発源から蒸発せしめられた
磁性材料のうち、上記非磁性支持体の表面に被着される
成分以外の余分な成分は、水冷された上記シャッターや
マスクの上記蒸発源と対向する面に付着し、蒸着終了後
に清掃破棄されるようになされている。

【０００８】ところが、このシャッターやマスクに付着
した磁性材料は、蒸着時間が長くなり、その付着量が多
くなってくると、自重で落下してしまう。このために、
装置内に粉塵が発生したり、一部が蒸発源内に落下し
て、冷却された状態にある該落下物と高温で液状になっ
ている磁性材料との接触によってスプラッシュが発生し
たりする。この結果、飛沫がベースフィルムに付着し、
ベースフィルムが熱負けしてしまう等の問題が発生す
る。

【０００９】そこで、従来、この種の磁気記録媒体の製
造工程では、蒸着時間を制限し、上記シャッターやマス
クに付着した磁性材料が落下するのを防いでいる。しか
しながら、蒸着時間を付着物が落下しない範囲内に設定
すると、生産性が犠牲にならざるを得ず、必ずしも満足
な方法とは言い難い。

【００１０】また、このような磁気記録媒体において
は、磁性層が通常２００ｎｍ程度と非常に薄いために、
ベースフィルム上の付着物の存在やベースフィルム形状
の変形等が磁性層の表面性に強く反映される。そして、
これらの原因によって表面状態が悪化していると、磁気
ヘッドに対する当り不良やドロップアウト等が生じてし
まう。

【００１１】このため、非磁性基板の製造工程や磁性層
等の成膜工程等においては、非磁性基板上への付着物の
発生や寝押し等による形状変形に対して細心の注意が払
われているが、蒸着プロセスにおける磁性材料の微小粉
塵等を完全に除去することは殆ど不可能であり、上述の
ような微小粉塵や熱負け等に起因するドロップアウトを
問題のないレベルまで抑えることは非常に困難である。
特に、ベースフィルムフィルムの熱負けは磁気記録層の
部分的な特性劣下を招き、出力特性に大きな悪影響を及
ぼす。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明はかか
る従来の実情に鑑みて提案されたものであり、成膜時に
おけるシャッターやマスクに付着した磁性材料の落下を
防止し、蒸着時間を十分に確保するとともに、ドロップ
アウトを抑えることが可能な磁気記録媒体の製造方法を
提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体の
製造方法は、上述の目的を達成するために提案されたも
のである。即ち、本発明は、非磁性支持体上に真空薄膜
形成技術により金属磁性薄膜を形成する磁気記録媒体の
製造方法において、磁性層の成膜に際し、非磁性支持体
の表面に対する蒸着源からの蒸気流の入射角を規制する
シャッター及び／又はマスクにマグネットを配設するこ
とを特徴とするものである。

【００１４】また、本発明は、非磁性支持体上に真空薄
膜形成技術により金属磁性薄膜を形成する磁気記録媒体
の製造方法において、磁性層の成膜に際し、非磁性支持
体の表面に対する蒸着源からの蒸気流の入射角を規制す
るシャッター及び／又はマスクがマグネットにより形成
されてなることを特徴とするものである。

【００１５】本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法
は、非磁性支持体上に磁性層として金属磁性薄膜が形成
されてなる、所謂金属磁性薄膜型の磁気記録媒体に適用
して好適である。この磁気記録媒体において、上記金属
磁性材料としてはこの種の磁気記録媒体において従来よ
り公知の材料が何れも使用可能である。例示すれば、Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの強磁性金属、Ｆｅ−Ｃｏ，Ｃｏ−
Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃ
ｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｍｎ−Ｂｉ，Ｍｎ−Ａｌ，Ｆｅ
−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ，
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性
合金があげられる。これらの単層膜であってもよいし多
層膜であってもよい。

【００１６】更に、非磁性支持体と金属磁性薄膜間、あ
るいは多層膜の場合には各層間の付着力向上、並びに抗
磁力の制御等の目的から、下地層又は中間層を設けても
よい。また、例えば磁性層表面近傍が耐蝕性改善等のた
めに酸化物となっていてもよい。また、上記金属磁性薄
膜上には、保護膜層が形成されていてもよい。この場
合、上記保護膜層を構成する材料としては、特に限定さ
れるものではなく、通常の金属磁性薄膜用保護膜材料で
あれば如何なるものであってもよい。例示すれば、カー
ボン、ＣｒＯ₂ ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＢＮ，Ｃｏ酸化物、Ｍｇ
Ｏ, ＳｉＯ₂ ，Ｓｉ ₃ Ｏ₄ ，ＳｉＮ_X ，ＳｉＣ，ＳｉＮ
_X −ＳｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂ ，ＴｉＯ₂ ，ＴｉＣ等が挙げら
れる。この保護膜層にあっては、単層膜であっても良
く、多層膜、或いは金属との複合膜であっても良い。

【００１７】本発明では、上記金属磁性薄膜を成膜する
手段として、真空下で強磁性材料を加熱蒸発させて非磁
性支持体上に沈着させる真空蒸着法や、磁性材料の蒸発
を放電中で行うイオンプレーティング法、アルゴンを主
成分とする雰囲気中でグロー放電を行って生じたアルゴ
ンイオンによりターゲット表面の原子をたたき出すスパ
ッタ法等、所謂ＰＶＤ技術が採用され、中でも真空蒸着
法が好適である。

【００１８】この真空蒸着法を採用するに際し、典型的
には、斜方蒸着が行われる。この斜方蒸着とは、走行す
る非磁性支持体に対して蒸発源から蒸発せしめられた磁
性材料の蒸気流を斜めに入射させて蒸着せしめる方法で
ある。このような斜方蒸着に際して、上記非磁性支持体
と蒸着源との間に、上記蒸気流の入射角を規制するため
のシャッターやマスクが配設される。

【００１９】本発明は、これらシャッターやマスクにマ
グネットが配設される、或いはそれ自身がマグネットか
ら形成されてなることを特徴としている。これにより、
蒸着の際に上記シャッターやマスクに付着する磁性材料
の剥がれ落ちがある程度抑えられ、蒸着時間の延長が可
能となるので、生産性の向上が図られる。また、装置内
での粉塵の発生や、所謂スプラッシュが防止され、ベー
スフィルム上の付着物やベースフィルムの形状変形等に
よる電磁変換特性の劣化を防止することができる。

【００２０】ここで、上記マグネットの最大エネルギー
積は、４．５×１０⁶ Ｇ・Ｏｅ以上であることが望まし
い。一般に、最大エネルギー積が高い程、そのマグネッ
トのポテンシャルは高いとされており、本発明では、バ
リウムフェライトの最大エネルギー積（４．５×１０⁶
Ｇ・Ｏｅ）程度が確保されれば、十分な効果が得られ
る。このマグネットの最大エネルギー積が４．５×１０
⁶ Ｇ・Ｏｅに満たない場合には、上記シャッターやマス
クに付着した磁性材料に対する磁気的吸引力を十分に得
ることができず、その自重による落下に伴う問題を防止
することができない。

【００２１】このマグネットの構成材料としては、従来
公知のマグネットが何れも使用可能であり、例えばＳｍ
−Ｃｏ，Ｓｍ−Ｐｒ−Ｃｏ，Ｓｍ−Ｍｎ−Ｃｏ等の希土
類−Ｃｏ合金、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ（ネオマックス）等の希
土類−Ｆｅ合金、Ｍｎ−Ａｌ、アルニコ（Ａｌ−Ｎｉ−
Ｃｏ−Ｃｕ）、Ｂａ−Ｆｅ−Ｏ等のフェライト等が挙げ
られる。また、上記マグネットとして、電磁石等も使用
可能である。

【００２２】以下に、主なマグネット材料の保磁力Ｈ_C
と最大エネルギー積（ＢＨ）_max を示す。

【００２３】

【表１】

【００２４】なお、本発明が適用される製造方法で製造
される磁気記録媒体としては、上述の構成を有するもの
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲での変更、例えば必要に応じてバックコート層を形
成したり、非磁性支持体上に下塗層を形成したり、潤滑
剤、防錆剤などの層を形成することは何等差し支えな
い。この場合、バックコート層に含まれる非磁性顔料、
樹脂結合剤あるいは潤滑剤、防錆剤層に含まれる材料と
しては従来公知のものがいずれも使用できる。

【００２５】

【作用】非磁性支持体上に金属磁性薄膜からなる磁性層
を形成するに際し、前記非磁性支持体と蒸着源との間
に、該蒸発源からの蒸気流の入射角を規制するためのシ
ャッターやマスクを配設し、これらシャッターやマスク
にマグネットを配設する、或いはそれ自身をマグネット
から構成することにより、蒸着の際に上記シャッターや
マスクに付着した磁性材料が前記シャッターやマスクの
表面に磁気的に吸着される。従って、上記シャッターや
マスクに付着した磁性材料の剥がれ落ちが起こり難い構
造となり、該磁性材料の自重により落下が生じるまでに
要する蒸着時間が延長される。

【００２６】また、上記シャッターやマスクから脱離し
た磁性材料による装置内での粉塵の発生や、所謂スプラ
ッシュが防止されることにより、上記粉塵のベースフィ
ルム上への付着やベースフィルムの熱負けによる形状変
形等が抑えられ、磁気ヘッドに対して良好な当たり特性
が得られる。

【００２７】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明がこの実施例に限定されるものではな
い。

【００２８】まず、本実施例において使用した蒸着装置
の構成について説明する。図１に示すように、この製造
装置においては、頭部と低部にそれぞれ設けられた排気
口１５から排気されて内部が真空状態となされた真空室
１内に、図中の反時計回り方向に定速回転する送りロー
ル３と、図中の時計回り方向に定速回転する巻取りロー
ル４とが設けられ、これら送りロール３から巻取りロー
ル４にテープ状の非磁性支持体２が順次走行するように
なされている。

【００２９】これら送りロール３から巻取りロール４側
に亘って上記非磁性支持体２が走行する中途部には、上
記各ロール３、４の径よりも大径となされた冷却キャン
５が設けられている。この冷却キャン５は、上記非磁性
支持体２を図中下方に引き出す様に設けられ、図中の時
計回り方向に定速回転する構成とされる。尚、上記送り
ロール３、巻取りロール４、及び、冷却キャン５は、そ
れぞれ非磁性支持体２の幅と略同じ長さからなる円筒状
をなすものであり、また上記冷却キャン５には、内部に
図示しない冷却装置が設けられ、上記非磁性支持体２の
温度上昇による変形等を抑制し得るようになされてい
る。

【００３０】従って、上記非磁性支持体２は、送りロー
ル３から順次送り出され、さらに上記冷却キャン５の周
面を通過し、巻取りロール４に巻取られていくようにな
されている。尚、上記送りロール３と上記冷却キャン５
との間及び該冷却キャン５と上記巻取りロール４との間
にはそれぞれガイドロール６、７が配設され、上記送り
ロール３から冷却キャン５及び該冷却キャン５から巻取
りロール４にわたって走行する非磁性支持体２に所定の
テンションをかけ、該非磁性支持体２が円滑に走行する
ようになされている。

【００３１】また、上記真空室１内には、上記冷却キャ
ン５の下方にルツボ８が設けられ、このルツボ８内にＣ
ｏ₈₀Ｎｉ₂₀（数字は重量％を表す。）なる組成を有する
金属磁性材料９が充填されている。このルツボ８は、上
記冷却キャン５の長手方向の幅と略同一の幅を有してな
る。

【００３２】一方、上記真空室１の側壁部には、上記ル
ツボ８内に充填された金属磁性材料９を加熱蒸発させる
ための電子銃１０が取り付けられる。この電子銃１０
は、当該電子銃１０より放出される電子線Ｘが上記ルツ
ボ８内の金属磁性材料９に照射されるような位置に配設
される。そして、この電子銃１０によって蒸発した金属
磁性材料９が上記冷却キャン５の周面を定速走行する非
磁性支持体２上に磁性層として被着形成されるようにな
っている。

【００３３】また、上記冷却キャン５と上記ルツボ８と
の間であって該冷却キャン５の近傍には、シャッター１
３及びマスク１６が配設されている。このうち、前記シ
ャッター１３は、上記真空室１内で移動可能な構成とさ
れ、一方上記マスク１６は、所定の位置に固定された構
成とされる。これらシャッター１３及びマスク１６は、
上記冷却キャン５の周面を定速走行する非磁性支持体２
の所定領域を覆う形で形成され、このシャッター１３に
より上記蒸発せしめられた金属磁性材料９が上記非磁性
支持体２に対して所定の角度範囲θ₁ 〜θ₂ （θ₁ は最
小入射角を表し、θ₂ は最大入射角を表す。）で斜めに
蒸着されるようになっている。

【００３４】これらシャッター１３とマスク１６は、図
２に示すように、該シャッター１３及びマスク１６の高
入射角側（上記非磁性支持体２の送り出し側）の端部が
上記真空室１の底面に対して鉛直方向で同一直線上に位
置するように配設される。これにより、上記シャッター
１３の端部によって上記蒸発せしめられた金属磁性材料
９の最小入射角θ₁ が規制され、必要な成分のみが該シ
ャッター１３から露出する非磁性支持体２の表面に被着
されるようになされる。従って、これ以外の成分（上記
最小入射角θ₁ よりも低入射角をなして飛散された金属
磁性材料９）は、主に上記シャッター１３の下面（上記
ルツボ８との対向面）に付着される。

【００３５】ここで、上記シャッター１３の内部には、
図３に示すように、壁面に沿って複数のマグネット１７
が配設される。これにより、上記シャッター１３の下面
に付着した金属磁性材料９が磁気的に吸着された構成と
され、該金属磁性材料９の脱落が防止される。なお、上
記マグネット１７の構成材料として、ここでは、Ｓｍ−
Ｃｏを使用した。

【００３６】このシャッター１３には、水冷用冷却水の
供給口１３ａと排出口１３ｂがそれぞれ設けられる。そ
して、上記供給口１３ａより導入された冷却水が上記シ
ャッター１３内を循環して該シャッター１３全体を冷却
し、上記排出口１３ｂより排出されることにより、上記
非磁性支持体２の温度上昇による変形等を抑制し得るよ
うになされている。

【００３７】なお、ここでは、上記シャッター１３とマ
スク１６の端部が上記真空室１の底面に対して鉛直方向
で揃うように配置された場合（これを実施例１とす
る。）について説明したが、例えば図４に示すように、
上記冷却キャン５のより近傍に配設されるマスク１６の
端部が、上記シャッター１３の端部よりも高入射角側に
ズレて配置された場合（これを実施例２とする。）に
は、上記マスク１６の端部によって上記蒸発せしめられ
た金属磁性材料９の最小入射角θ₁ が規制される。そし
て、上記最小入射角θ₁ よりも低入射角をなして飛散さ
れた金属磁性材料９は、該マスク１６の下面の一部と上
記シャッター１３の下面にそれぞれ付着される。従っ
て、この場合には、上述のようなマグネット１７を上記
シャッター１３の内部と同様に、該マスク１６の内部に
も配設することが望ましい。

【００３８】更に、このような蒸着に際し、上記真空室
１の側壁部を貫通して設けられる酸素ガス導入口１４を
介して非磁性支持体２の表面に酸素ガスが供給され、磁
気特性、耐久性及び耐候性の向上が図られている。

【００３９】以上のような構成を有する製造装置を用
い、表面にアクリルエステルを主成分とする水溶性ラテ
ックスによる下塗り膜（突起密度１０００万個／ｍ
ｍ² ）が塗布形成された１０μｍ厚、１５０ｍｍ幅のポ
リエチレンテレフタレートフィルムを非磁性支持体とし
て、酸素雰囲気中にて斜方蒸着を行い、上記非磁性支持
体上に膜厚２００ｎｍの金属磁性薄膜を磁性層として被
着形成した。

【００４０】なお、蒸着を行うに際し、上記真空室内の
真空度は、７×１０^-2Ｐａとし、この真空室内に上記ガ
ス導入口から酸素ガスを３．３×１０^-6ｍ³ ／秒の割合
で導入した。また、上記非磁性支持体の送り速度は０．
１７ｍ／秒とし、この非磁性支持体に対する蒸発せしめ
られた金属磁性材料の入射角は、４５〜９０°の範囲で
変化させた。

【００４１】そして、得られた磁気テープをウレタンバ
インダー中にカーボンを混合させたものによりバックコ
ート処理し、０．６μｍ厚のバックコート層を設け、更
にパーフルオロポリエーテルを用いてトップコート層を
形成した後、８ｍｍ幅に裁断してサンプルテープとし
た。

【００４２】このようにして作製されたサンプルテープ
について、電磁変換特性を調べるために、ドロップアウ
トを測定した。なお、この測定に際し、ソニー社製のＥ
Ｖ−Ｓ９００改造機（商品名）を用い、再生出力レベル
から１０ｄＢ１０μｓｅｃ以上の出力落ちをドロップア
ウトとして１０分間測定を行い、１分間当りのドロップ
アウト数を求めた。この結果を下記の表２に示す。

【００４３】

【表２】

【００４４】表２に示すように、シャッターやマスクの
内部にマグネットを配設することにより、これらシャッ
ターやマスクに付着した金属磁性材料が落下するまでに
要する時間が延長され、従って蒸着時間を長くすること
ができた。また、ドロップアウトが著しく低下したこと
から、上述のようなシャッターやマスクに付着した金属
磁性材料の脱離による粉塵の発生やスプラッシュの発生
が抑えられることにより、飛沫がベースフィルムに付着
したり、ベースフィルムが熱負けしたりすることが防止
され、得られた磁気テープの表面性が良好となり、結果
として磁気ヘッドに対する当たり特性が改善されたこと
が判った。

【００４５】なお、本実施例では、上記マグネットをシ
ャッターやマスクの内部に配設したが、この他上記シャ
ッターやマスクの構成材料としてマグネットを用いた構
成としても良い。この場合、上記シャッターやマスクに
付着した金属磁性材料を蒸着終了後に清掃破棄する際の
作業性等の点から、上記マグネットとして電磁石が使用
されることが望ましい。また、これらシャッターとマス
クの間、或いはマスクと冷却キャンの間等にマグネット
を配設し、上述の構成と組み合わせた構成としても良
い。

【００４６】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明では、磁気記録媒体の磁性層を形成する際に、蒸発源
からの蒸気流の入射角を規制するシャッターやマスクを
配設し、これらシャッターやマスクにマグネットを設置
する、或いはそれ自体をマグネットにより形成している
ので、該シャッターやマスクに付着する磁性材料の脱落
が防止される。従って、１回の蒸着工程当たりの蒸着時
間を延長することができ、結果として蒸着長さを長くす
ることが可能となるので、生産性が著しく向上する。

【００４７】また、本発明によれば、蒸着時における装
置内での粉塵の発生や、所謂スプラッシュが防止される
ので、上記粉塵のベースフィルム上への付着やベースフ
ィルムの熱負けによる形状変形等が抑えられる。このた
め、磁気ヘッドとの当たり不良やドロップアウトが著し
く低下し、良好な電磁変換特性が得られる。更に、本発
明では、シャッターやマスクにマグネットを設置するだ
けで上述のような効果が得られることから、既存の設備
にも容易に導入することが可能であり、有用性に優れて
いる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した磁気記録媒体の製造方法にお
いて使用される蒸着装置の構成の一例を示す模式図であ
る。

【図２】蒸気流の最小入射角付近における蒸着装置の構
成の一例を示す要部拡大図である。

【図３】内部にマグネットが配設されたシャッターの構
成を示す要部拡大断面図である。

【図４】蒸気流の最小入射角付近における蒸着装置の構
成の他の例を示す要部拡大図である。

【符号の説明】

１・・・真空室 ２・・・非磁性支持体 ５・・・冷却キャン ８・・・ルツボ ９・・・金属磁性材料 １０・・・電子銃 １３・・・シャッター １４・・・ガス導入口 １６・・・マスク

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性支持体上に真空薄膜形成技術によ
   り金属磁性薄膜を形成する磁気記録媒体の製造方法にお
   いて、 磁性層の成膜に際し、非磁性支持体の表面に対する蒸着
   源からの蒸気流の入射角を規制するシャッター及び／又
   はマスクにマグネットを配設することを特徴とする磁気
   記録媒体の製造方法。
2. 【請求項２】 非磁性支持体上に真空薄膜形成技術によ
   り金属磁性薄膜を形成する磁気記録媒体の製造方法にお
   いて、 磁性層の成膜に際し、非磁性支持体の表面に対する蒸着
   源からの蒸気流の入射角を規制するシャッター及び／又
   はマスクがマグネットにより形成されてなることを特徴
   とする磁気記録媒体の製造方法。
3. 【請求項３】 上記マグネットの最大エネルギー積が
   ４．５×１０⁶ Ｇ・Ｏｅ以上であることを特徴とする請
   求項１又は２記載の磁気記録媒体の製造方法。
4. 【請求項４】 上記マグネットが電磁石であることを特
   徴とする請求項１又は２記載の磁気記録媒体の製造方
   法。