JPH1179893A - 酸化物超電導薄膜の製造方法および製造装置 - Google Patents
酸化物超電導薄膜の製造方法および製造装置Info
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Abstract
も均一に高品質な酸化物超電導薄膜を基板両面に形成す
ることを可能とする、酸化物超電導薄膜の製造方法およ
び製造装置を提供する。 【解決手段】 薄膜成長法により単結晶基板上に酸化物
超電導薄膜を形成する方法および装置であって、単結晶
基板3を熱源21からの光を用いて加熱する際、熱源2
1から放出された光のうち、単結晶基板3に吸収されず
に透過した光を、マスク1を用いて反射し、かつ、マス
ク1に吸収された光のエネルギを輻射させることによ
り、再度単結晶基板3の加熱に寄与させることを特徴と
する。
Description
の製造方法および製造装置に関するものであり、特に、
結晶性が高く、超電導特性に優れた大面積の酸化物超電
導薄膜を製造する方法および装置に関するものである。
物超電導薄膜を形成する際には、単結晶基板を通常60
0℃以上の高温に加熱する必要がある。従来、たとえ
ば、MgO、LaAlO3 、SrTiO3 、Al
2 O3 、YAlO3 、NdGaO3 、LaSrGaO4
等に代表される単結晶基板を加熱する際には、ニクロム
線、ハロゲンランプヒータ等の熱源を用いて、まず金属
製の基板ステージを加熱し、その上に直接接触するよう
に基板を配置して、基板を熱伝導により加熱していた。
良い薄膜を形成するため、数十Åの表面粗さまで鏡面研
磨が施されている。したがって、上述の加熱方法では、
金属製の基板ステージの加熱による僅かな歪みにより、
基板が基板ステージに接触しない部分ができてしまうた
め、基板全体を均一に加熱することが非常に困難であっ
た。
単結晶基板と基板ステージとの間に銀ペーストを塗り、
より均一な熱接触を行なうことも試みられている。
銀ペーストを用いる手法では、数mm角程度の小片基板
であれば良好な加熱が行なえるものの、1インチ径以上
の大面積単結晶基板では、基板と基板ステージとの熱膨
張係数の違いから銀ペーストが剥がれてしまい、基板を
均一に加熱することが非常に困難であった。
酸化物超電導薄膜を形成することが望まれているが、上
述した基板ステージに直接接触させる加熱方法では、一
方の面に膜形成した後他方の面に膜形成を行なう際に、
先に形成した膜が基板ステージの構成物質や銀ペースト
などと反応してしまうため、特性が著しく劣化してしま
うという問題点があった。
1インチ径以上の大面積単結晶基板においても、均一に
高品質な酸化物超電導薄膜を基板両面に形成することを
可能とする、酸化物超電導薄膜の製造方法および製造装
置を提供することにある。
電導薄膜の製造方法は、薄膜成長法により単結晶基板上
に酸化物超電導薄膜を形成する方法であって、単結晶基
板を熱源からの光を用いて加熱する際、熱源から放出さ
れた光のうち、単結晶基板に吸収されずに透過した光
を、マスクを用いて反射し、かつ、マスクに吸収された
光エネルギを輻射させることにより、再度単結晶基板の
加熱に寄与させることを特徴とする。
と異なり熱を伝える空気などの媒体がないため、熱源か
らの光による輻射加熱、または熱源への直接の接触によ
る伝導加熱しか行なうことができない。ここで、Mg
O、LaAlO3 、SrTiO 3 、Al2 O3 、YAl
O3 、NdGaO3 、LaSrGaO4 等に代表される
単結晶基板は、半透明であるため光を透過してしまい、
通常、輻射による加熱では十分な加熱を行なうことがで
きない。
た基板ステージに直接接触させることにより、熱伝導に
よる加熱を行なっていた。しかしながら、この手法で
は、1インチ径以上の大型単結晶基板の場合、熱歪みに
より基板ステージでの接触が不十分となってしまうた
め、基板全面を加熱することが非常に困難であった。
らの光を用いて加熱する際、熱源から放出された光のう
ち、単結晶基板に吸収されずに透過した光を、マスクを
用いて反射し、かつ、マスクに吸収させる。マスクによ
り反射された光は、基板の再加熱に寄与する。一方、マ
スクに吸収された光は、マスクの温度を上昇させ、その
結果、マスクから熱の輻射が発生し、最終的に基板の再
加熱に寄与する。
させないため、大型の単結晶基板においても、均一かつ
十分な加熱が可能となる。したがって、MgO、LaA
lO 3 、SrTiO3 、Al2 O3 、YAlO3 、Nd
GaO3 、LaSrGaO4等に代表される半透明の大
型単結晶基板を用いた場合においても、高品質な酸化物
超電導薄膜を形成することができる。
製造装置は、上述の方法を実施するための装置であっ
て、具体的には、薄膜法により単結晶基板上に酸化物超
電導薄膜を形成する装置であって、単結晶基板を加熱す
るための熱源を有する基板加熱手段と、熱源から放出さ
れた光のうち、単結晶基板に吸収されずに透過した光
を、反射し、かつ、吸収して光エネルギを輻射すること
により再度単結晶基板の加熱に寄与させるためのマスク
とを備えている。
結晶基板が装着され、さらにその上に基板全面を覆うマ
スクが配置される。
された単結晶基板とマスクとの距離は、50mm以下で
あることが好ましい。50mm以下とすることにより、
本願発明の効果が顕著に発揮される。
熱源としては、ニッケル、クロムおよび鉄を主成分とす
るニクロム線の他、SiC、ハロゲンランプ等を用いる
ことができる。
ては、たとえば、レーザアブレーション法を用いること
ができる。
は、ハステロイ、インコネル、ステンレス等の耐熱性合
金の他、モリブデン、SiC等からなるものが用いられ
る。
ては、MgO、LaAlO3 、SrTiO3 、Al2 O
3 、YAlO3 、NdGaO3 、LaSrGaO4 等の
誘電体材料からなるものが用いられる。
薄膜としては、Rx BaY CuZ O W (X=0.1〜
1.5、Y=1.5〜2.5、Z=2.5〜3.5、W
=6.5〜7.5)の組成を有し、RはY、Gd、E
u、Nd、Ho、Yb、Tb、Sm、Pr、Dy、L
u、Er、Tm等からなるものが挙げられる。
実施の形態の一例を説明する。
の製造装置の一例を示す斜視図である。
に示す単結晶基板3を加熱するための基板加熱ヒータ2
と、図1(B)に示すマスク1とが、図1(C)に示す
ように組合されて構成される。
形であるとし、それに合わせて基板加熱ヒータ2も円形
とするが、単結晶基板3、および基板加熱ヒータ2は、
必ずしも円形である必要はなく、これらの形状に本願発
明の効果は何ら制限されるものではない。
を示す断面図である。図2を参照して、この装置におい
て、基板3は、ニクロム線、SiC線、ハロゲンランプ
等の熱源21を内蔵する基板加熱ヒータ2上に装着され
る。熱源21と基板3との間には、たとえば、石英ガラ
ス等の光を透過し、かつ、耐熱性のある材料が配置され
てもよい。マスク1は、装着する基板加熱ヒータ2の形
状に合わせてここでは円形とする。マスク1の材質は、
光の透過を防ぐものであれば何ら限定されないが、ハス
テロイ、インコネル、ステンレス等の耐熱性のある合金
や、モリブデン、SiC等が望ましい。マスク1は、基
板加熱ヒータ2およびその上に装着された基板3の全体
を覆い隠すように配置される。
基板2に吸収されて直接加熱に寄与し、大部分は透過さ
れてマスク1に到達する。なお、光が基板に吸収される
か、もしくは基板を透過するかは、基板3の材質、光の
波長等に依存する。
マスク1に反射され再度基板3の方向に放射され、残り
はマスク1に吸収されてマスク1の加熱に寄与する。な
お、光が反射されるか、もしくは吸収されるかは、マス
クの材質、光の波長等に依存する。
再度透過されるため、基板の加熱には直接寄与しない。
しかしながら、基板周囲の雰囲気ガスを加熱するため、
雰囲気ガスからの熱伝導により、基板3が加熱される。
なお、通常酸化物超電導薄膜を形成する際は、真空チャ
ンバ内に酸化力のあるガスを導入するため、完全な真空
状態にはならず、基板周囲には雰囲気ガスが存在してい
る。
領域の波長を基板3方向に放射し、これが基板3の加熱
に主として寄与することになる。
積の光透過性のある単結晶基板に対しても、均一かつ高
温に加熱することが可能になる。
よる酸化物超電導薄膜の製造装置を用いて、レーザアブ
レーション法により酸化物超電導薄膜を製造する状態を
示す斜視図である。図3を参照して、ステージ6上に載
置された酸化物超電導体の焼結体からなるターゲット4
に、エキシマレーザ7を照射し、ターゲットの構成物質
を蒸発させ、蒸着粒子5を基板3上に堆積させる。
対して平行に配置される。また、基板3は、蒸着中、膜
厚が均一になるように回転軸23により回転される。
基板3に到達できるように、窓11が設けられている。
テージ6は、回転軸63により回転される。
装置を用いて、以下のように実際に酸化物超電導薄膜の
成膜を行なった。
た。基板材料はLaAlO3 で、基板サイズは3インチ
径、0.5mm厚のものを用いた。成膜方法は、焼結体
ターゲットにレーザを照射し、ターゲット構成物質を蒸
発させて蒸着粒子を基板上に堆積させるレーザアブレー
ション法を用いた。レーザとしては、波長248nmの
KrFエキシマレーザを採用した。ターゲットとして
は、酸化物超電導物質であるY1 Ba2 Cu3 O7-y 焼
結体を用いた。
て平行に配置し、蒸着中、膜厚が均一になるように回転
運動を行なった。
mのものを用いた。また、マスクの一部には、蒸着粒子
が基板に到達できるように窓が設けられていた。
た。まず、成膜前に基板を加熱し、加熱後の基板の温度
分布を測定した。その結果を、図4に示す。図4から明
らかなように、加熱後の基板温度は、750±5℃であ
り均一性があった。なお、熱電対による測定のため、こ
のとき基板は回転していなかった。したがって、実際の
成膜時には、回転することによりさらに均一性が高めら
れるものと考えられる。
膜を行なった。成膜条件は、レーザ繰返し周波数を40
Hz、成膜雰囲気を140mTorr(酸素)とした。
30分間成膜を行なった後、大気圧になるまで酸素ガス
を導入し、基板温度を室温まで下げた。
示す1〜13の各点における超電導転移温度および臨界
電流密度を測定した。その結果を、表1に示す。
電導特性が得られていることがわかった。
その他の条件は実施例1と全く同様として、酸化物超電
導薄膜の成膜を行なった。
図6を参照して、高品質なY1 Ba2 Cu3 O7-y 薄膜
を形成するためには750℃前後の基板温度が必要とな
るが、この比較例では、600℃程度までしか温度は上
がっておらず、分布もマスクを付けた場合と比較してば
らつきが大きくなっていた。
流密度分布を、表2に示す。なお、測定は、図5に示す
1〜13の各点について行なった。
合と比較して、超電導転移温度および臨界電流密度とも
に特性は悪く、分布も不均一となっていることがわかっ
た。
用いて、3インチ径、厚さ0.5mmのAl2 O 3 単結
晶基板上に、Nd1 Ba2 Cu3 O7-y 薄膜の形成を行
なった。熱源には、3mm径のSiC線を使用した。
図7より明らかなように、830±5℃の均一な分布が
得られた。
z、成膜雰囲気を100mTorr(酸素)とし、30
分間成膜を行なった後、大気圧になるまで酸素ガスを導
入し、基板温度を室温まで下げた。
および臨界電流密度分布を、表3に示す。なお、測定
は、図5に示す1〜13の各点について行なった。
電導特性が得られていることがわかった。
その他の条件は実施例2と全く同様として、酸化物超電
導薄膜の成膜を行なった。
図8を参照して、高品質なNd1 Ba2 Cu3 O7-y 薄
膜を形成するためには、820℃前後の基板温度が必要
となるが、この比較例では、650℃程度までしか温度
は上がっておらず、分布もマスクを付けた場合と比較し
てばらつきが大きくなっていた。得られた膜の超電導転
移温度および臨界電流密度分布を、表4に示す。なお、
測定は、図5に示す1〜13の各点について行なった。
合と比較して、超電導転移温度および臨界電流密度とも
に特性は悪く、分布も不均一となっていることがわかっ
た。
用いて、3インチ径、厚さ0.5mmのLaAlO3 単
結晶基板上に、Ho1 Ba2 Cu3 O7-y 薄膜の形成を
行なった。熱源には、ハロゲンランプヒータを使用し
た。
図9より明らかなように、750±7℃の均一な分布が
得られた。
z、成膜雰囲気を150mTorr(酸素)とし、30
分間成膜を行なった後、大気圧になるまで酸素ガスを導
入し、基板温度を室温まで下げた。
および臨界電流密度分布を、表5に示す。なお、測定
は、図5に示す1〜13の各点について行なった。
電導特性が得られていることがわかった。
その他の条件は実施例3と全く同様として、酸化物超電
導薄膜の成膜を行なった。
す。図10を参照して、高品質なHo1 Ba2 Cu3 O
7-y 薄膜を形成するためには、750℃前後の基板温度
が必要となるが、この比較例では、550℃程度までし
か温度は上がっておらず、分布もマスクを付けた場合と
比較してばらつきが大きくなっていた。
流密度分布を、表6に示す。なお、測定は、図5に示す
1〜13の各点について行なった。
合と比較して、超電導転移温度および臨界電流密度とも
に特性は悪く、分布も不均一となっていることがわかっ
た。
スクと基板との距離をそれぞれ20、30、40、5
0、60、70mmと変化させて行なった。それぞれの
成膜前の基板温度分布を、図11〜図16に示す。
との距離が20〜50mmの場合は、すべて750±5
℃の均一な温度分布が得られた。一方、マスクと基板と
の距離が60、70mmの場合には、部分的に750℃
の基板温度が得られておりマスクの効果は認められたも
のの、温度分布のばらつきがやや大きくなっていた。
の超電導転移温度および臨界電流密度分布を、表7〜表
12に示す。なお、測定は、図5に示す1〜13の各点
について行なった。
特性の分布は、基板温度分布に対応した結果となってお
り、60、70mmの場合では、特性分布にばらつきが
大きくなっていた。
離を50mm以下にすることにより、本願発明の効果が
顕著になることがわかった。
ロゲンランプヒータとして、同様の条件で実験を行なっ
たところ、いずれの場合も同等の結果が得られた。
ば、1インチ径以上の大面積単結晶基板においても、均
一に高品質な酸化物超電導薄膜を基板両面に形成するこ
とが可能となる。
一例を示す斜視図である。
である。
電導薄膜の製造装置を用いて、レーザアブレーション法
により酸化物超電導薄膜を製造する状態を示す斜視図で
ある。
す図である。
図である。
す図である。
す図である。
す図である。
す図である。
示す図である。
0mmの場合の成膜前の基板の温度分布を示す図であ
る。
0mmの場合の成膜前の基板の温度分布を示す図であ
る。
0mmの場合の成膜前の基板の温度分布を示す図であ
る。
0mmの場合の成膜前の基板の温度分布を示す図であ
る。
0mmの場合の成膜前の基板の温度分布を示す図であ
る。
0mmの場合の成膜前の基板の温度分布を示す図であ
る。
Claims (14)
- 【請求項1】 薄膜成長法により単結晶基板上に酸化物
超電導薄膜を形成する方法であって、 前記単結晶基板を熱源からの光を用いて加熱する際、前
記熱源から放出された光のうち、前記単結晶基板に吸収
されずに透過した光を、マスクを用いて反射し、かつ、
マスクに吸収された光エネルギを輻射させることによ
り、再度前記単結晶基板の加熱に寄与させることを特徴
とする、酸化物超電導薄膜の製造方法。 - 【請求項2】 前記薄膜成長法は、レーザアブレーショ
ン法を用いることを特徴とする、請求項1記載の酸化物
超電導薄膜の製造方法。 - 【請求項3】 前記マスクは、ハステロイ、インコネ
ル、ステンレス、モリブデンおよびSiCからなる群か
ら選ばれるいずれかの材料からなることを特徴とする、
請求項1または請求項2記載の酸化物超電導薄膜の製造
方法。 - 【請求項4】 前記単結晶基板は、MgO、LaAlO
3 、SrTiO3 、Al2 O3 、YAlO3 、NdGa
O3 およびLaSrGaO4 からなる群から選ばれるい
ずれかの誘電体材料からなることを特徴とする、請求項
1〜請求項3のいずれかに記載の酸化物超電導薄膜の製
造方法。 - 【請求項5】 前記酸化物超電導薄膜は、 Rx BaY CuZ OW (X=0.1〜1.5、Y=1.
5〜2.5、Z=2.5〜3.5、W=6.5〜7.
5)の組成を有し、 RはY、Gd、Eu、Nd、Ho、Yb、Tb、Sm、
Pr、Dy、Lu、ErおよびTmからなる群から選ば
れるいずれか1種以上の元素からなることを特徴とす
る、請求項1〜請求項4のいずれかに記載の酸化物超電
導薄膜の製造方法。 - 【請求項6】 薄膜成長法により単結晶基板上に酸化物
超電導薄膜を形成する装置であって、 前記単結晶基板を加熱するための熱源を有する基板加熱
手段と、 前記熱源から放出された光のうち、前記単結晶基板に吸
収されずに透過した光を、反射し、かつ吸収して光エネ
ルギを輻射することにより再度前記単結晶基板の加熱に
寄与させるためのマスクとを備える、酸化物超電導薄膜
の製造装置。 - 【請求項7】 前記基板加熱手段上に装着された単結晶
基板と、前記マスクとの距離が、50mm以下であるこ
とを特徴とする、請求項6記載の酸化物超電導薄膜の製
造装置。 - 【請求項8】 前記基板加熱手段の熱源は、ニッケル、
クロム、および鉄を主成分とするニクロム線であること
を特徴とする、請求項6または請求項7記載の酸化物超
電導薄膜の製造装置。 - 【請求項9】 前記基板加熱手段の熱源は、SiCであ
ることを特徴とする、請求項6または請求項7記載の酸
化物超電導薄膜の製造装置。 - 【請求項10】 前記基板加熱手段の熱源は、ハロゲン
ランプであることを特徴とする、請求項6または請求項
7記載の酸化物超電導薄膜の製造装置。 - 【請求項11】 前記薄膜成長法は、レーザアブレーシ
ョン法を用いることを特徴とする、請求項5〜請求項1
0のいずれかに記載の酸化物超電導薄膜の製造装置。 - 【請求項12】 前記マスクは、ハステロイ、インコネ
ル、ステンレス、モリブデンおよびSiCからなる群か
ら選ばれるいずれかの材料からなることを特徴とする、
請求項5〜請求項11のいずれかに記載の酸化物超電導
薄膜の製造装置。 - 【請求項13】 前記単結晶基板は、MgO、LaAl
O3 、SrTiO3、Al2 O3 、YAlO3 、NdG
aO3 およびLaSrGaO4 からなる群から選ばれる
いずれかの誘電体材料からなることを特徴とする、請求
項5〜請求項12のいずれかに記載の酸化物超電導薄膜
の製造装置。 - 【請求項14】 前記酸化物超電導薄膜は、Rx BaY
CuZ OW (X=0.1〜1.5、Y=1.5〜2.
5、Z=2.5〜3.5、W=6.5〜7.5)の組成
を有し、 RはY、Gd、Eu、Nd、Ho、Yb、Tb、Sm、
Pr、Dy、Lu、ErおよびTmからなる群から選ば
れるいずれか1種以上の元素からなることを特徴とす
る、請求項5〜請求項13のいずれかに記載の酸化物超
電導薄膜の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23137897A JP3944963B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 酸化物超電導薄膜の製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23137897A JP3944963B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 酸化物超電導薄膜の製造方法および製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1179893A true JPH1179893A (ja) | 1999-03-23 |
JP3944963B2 JP3944963B2 (ja) | 2007-07-18 |
Family
ID=16922689
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23137897A Expired - Fee Related JP3944963B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 酸化物超電導薄膜の製造方法および製造装置 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3944963B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015209363A (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-24 | 国立大学法人島根大学 | Re123結晶膜作成方法。 |
-
1997
- 1997-08-27 JP JP23137897A patent/JP3944963B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015209363A (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-24 | 国立大学法人島根大学 | Re123結晶膜作成方法。 |
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JP3944963B2 (ja) | 2007-07-18 |
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