JPH1178274A - エラストマー塗布用マスク - Google Patents
エラストマー塗布用マスクInfo
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- JPH1178274A JPH1178274A JP9245397A JP24539797A JPH1178274A JP H1178274 A JPH1178274 A JP H1178274A JP 9245397 A JP9245397 A JP 9245397A JP 24539797 A JP24539797 A JP 24539797A JP H1178274 A JPH1178274 A JP H1178274A
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- Japan
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- elastomer
- mask
- squeegee
- opening
- notch
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L2224/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Abstract
(57)【要約】
【課題】上面が平坦なエラストマー層を形成することが
できるエラストマー塗布用マスクを提供する。 【解決手段】エラストマー層の形状に対応してエラスト
マー塗布用マスク（２０）上に形成された開口部（１０
０）のスキージ摺動方向側の上縁に厚さ５０μｍ、幅
１．０ｍｍ程度の切欠部（１０１）を形成する。上記構
造により、スキージの摺動によって供給されるエラスト
マーは、開口部（１００）および切欠部（１０１）に充
填されるため、スキージの摺動によって発生する盛り上
がりは、切欠部（１０１）の上面に形成される。
できるエラストマー塗布用マスクを提供する。 【解決手段】エラストマー層の形状に対応してエラスト
マー塗布用マスク（２０）上に形成された開口部（１０
０）のスキージ摺動方向側の上縁に厚さ５０μｍ、幅
１．０ｍｍ程度の切欠部（１０１）を形成する。上記構
造により、スキージの摺動によって供給されるエラスト
マーは、開口部（１００）および切欠部（１０１）に充
填されるため、スキージの摺動によって発生する盛り上
がりは、切欠部（１０１）の上面に形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エラストマー塗布
用マスクに関し、特に、エラストマーが充填される開口
部の周縁に切欠を設けることにより、上面が平坦なエラ
ストマー層を得ることができるエラストマー塗布用マス
クに関する。
用マスクに関し、特に、エラストマーが充填される開口
部の周縁に切欠を設けることにより、上面が平坦なエラ
ストマー層を得ることができるエラストマー塗布用マス
クに関する。
【０００２】
【従来の技術】電気、電子部品の高性能化に伴い半導体
装置の高集積化および高密度化が強く望まれており、こ
れに対応して、多ピン用の半導体装置のパッケージ構造
は、チップの二辺にボンディングパッドを有する構造か
ら、四辺のすべてにボンディングパッドを有する構造へ
と変化してきた。
装置の高集積化および高密度化が強く望まれており、こ
れに対応して、多ピン用の半導体装置のパッケージ構造
は、チップの二辺にボンディングパッドを有する構造か
ら、四辺のすべてにボンディングパッドを有する構造へ
と変化してきた。
【０００３】さらに、多ピン化対策として、例えば、米
国特許第５１４８２６５号では、半導体チップの表面
（機能面側）にエラストマー層を介して、配線パターン
を形成した絶縁性フィルムを配置し、さらに絶縁性フィ
ルムの表面に複数の半田ボールを格子状に配置したＢＧ
Ａ（ボールグリッドアレイ）と指称される半導体装置が
提案されている。
国特許第５１４８２６５号では、半導体チップの表面
（機能面側）にエラストマー層を介して、配線パターン
を形成した絶縁性フィルムを配置し、さらに絶縁性フィ
ルムの表面に複数の半田ボールを格子状に配置したＢＧ
Ａ（ボールグリッドアレイ）と指称される半導体装置が
提案されている。
【０００４】この半導体装置では、熱応力の緩和のため
に、半導体チップと配線パターンを設けた絶縁性フィル
ムがエラストマー層を介して、接続されているが、さら
にこのエラストマー層の弾性により、配線パターンとの
接触性が高められ、また緩衝効果により、実装時および
実装後においてもチップクラックの発生が防止され、信
頼性が高められている。
に、半導体チップと配線パターンを設けた絶縁性フィル
ムがエラストマー層を介して、接続されているが、さら
にこのエラストマー層の弾性により、配線パターンとの
接触性が高められ、また緩衝効果により、実装時および
実装後においてもチップクラックの発生が防止され、信
頼性が高められている。
【０００５】通常、上記のようなエラストマー層を具備
する半導体装置は、複数の配線パターンを格子状に形成
した、１枚の絶縁フィルムをもとに形成されるため、こ
の絶縁フィルム上にそれぞれエラストマー層を介して複
数のチップを実装し、樹脂封止行程を完了した後に、個
別製品とするための分断作業を行うという方法がとられ
ている。
する半導体装置は、複数の配線パターンを格子状に形成
した、１枚の絶縁フィルムをもとに形成されるため、こ
の絶縁フィルム上にそれぞれエラストマー層を介して複
数のチップを実装し、樹脂封止行程を完了した後に、個
別製品とするための分断作業を行うという方法がとられ
ている。
【０００６】従来、上記のようなエラストマー層の形成
は、エラストマー塗布用マスクを用いたスクリーン印刷
法によって行われるのが一般的である。
は、エラストマー塗布用マスクを用いたスクリーン印刷
法によって行われるのが一般的である。
【０００７】このスクリーン印刷法では、ＴＡＢテープ
等のフレキシブル基板上に所定形状の開口部を有するエ
ラストマー塗布用マスクを載置し、エラストマー塗布用
マスクの表面をスキージにて摺動しながらエラストマー
を開口部に練り込んむことによってエラストマー層を形
成する。
等のフレキシブル基板上に所定形状の開口部を有するエ
ラストマー塗布用マスクを載置し、エラストマー塗布用
マスクの表面をスキージにて摺動しながらエラストマー
を開口部に練り込んむことによってエラストマー層を形
成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来のスクリーン印刷法では、スキージにてエラストマ
ー塗布用マスクの開口部にエラストマーを練り込んでい
く工程において、当該開口部の周壁付近のうち、スキー
ジの進行方向側に位置する部分にエラストマーの盛り上
がりができるという問題があった。
従来のスクリーン印刷法では、スキージにてエラストマ
ー塗布用マスクの開口部にエラストマーを練り込んでい
く工程において、当該開口部の周壁付近のうち、スキー
ジの進行方向側に位置する部分にエラストマーの盛り上
がりができるという問題があった。
【０００９】図１０は、従来のエラストマー塗布用マス
クの開口部にエラストマーの盛り上がりが生じた様子を
示す断面図である。同図に示すように、スキージ２の摺
動によって開口部１００に練り込まれたエラストマー３
の表面には、スキージの進行方向側に盛り上がりＭが発
生する。これは、スキージの摺動によって押されてきた
エラストマーがスキージの進行方向側の周壁でせき止め
られ、余剰のエラストマーが当該周壁部に集中すること
によって発生する。
クの開口部にエラストマーの盛り上がりが生じた様子を
示す断面図である。同図に示すように、スキージ２の摺
動によって開口部１００に練り込まれたエラストマー３
の表面には、スキージの進行方向側に盛り上がりＭが発
生する。これは、スキージの摺動によって押されてきた
エラストマーがスキージの進行方向側の周壁でせき止め
られ、余剰のエラストマーが当該周壁部に集中すること
によって発生する。
【００１０】この盛り上がりＭは、エラストマー３の上
に半導体チップを搭載する際に異物となり、当該半導体
チップの搭載状態に傾きを生じさせる。
に半導体チップを搭載する際に異物となり、当該半導体
チップの搭載状態に傾きを生じさせる。
【００１１】上記のような半導体チップの傾きを防止す
る方法として、エラストマー層の上面に接着剤を厚めに
塗布し、盛り上がりの影響をなくした上で半導体チップ
を固定するような方法も考えられるが、この方法では、
半導体チップのダイボンド時に接着剤がもれるという問
題があった。
る方法として、エラストマー層の上面に接着剤を厚めに
塗布し、盛り上がりの影響をなくした上で半導体チップ
を固定するような方法も考えられるが、この方法では、
半導体チップのダイボンド時に接着剤がもれるという問
題があった。
【００１２】そこで、本発明は、上面が平坦なエラスト
マー層を形成することができるエラストマー塗布用マス
クを提供することを目的とする。
マー層を形成することができるエラストマー塗布用マス
クを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、スキージの摺動によって基
板上にエラストマー層を形成する際に使用するエラスト
マー塗布用マスクにおいて、前記基板上に形成されるエ
ラストマー層の形状に対応した形状を有する開口部と、
前記開口部の前記スキージの摺動方向側の上縁に形成さ
れた切欠部とを具備することを特徴とする。
め、請求項１記載の発明は、スキージの摺動によって基
板上にエラストマー層を形成する際に使用するエラスト
マー塗布用マスクにおいて、前記基板上に形成されるエ
ラストマー層の形状に対応した形状を有する開口部と、
前記開口部の前記スキージの摺動方向側の上縁に形成さ
れた切欠部とを具備することを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るエラストマー
塗布用マスク一実施の形態を添付図面を参照して詳細に
説明する。
塗布用マスク一実施の形態を添付図面を参照して詳細に
説明する。
【００１５】まず、図１を使用して本発明の概要を説明
する。図１は、本発明に係るエラストマー塗布用マスク
に形成された開口部の構造を示す斜視図である。
する。図１は、本発明に係るエラストマー塗布用マスク
に形成された開口部の構造を示す斜視図である。
【００１６】本発明では、同図に示すように、エラスト
マー層の形状に対応してエラストマー塗布用マスク２０
上に形成された開口部１００のスキージ摺動方向側の上
縁に厚さ５０μｍ、幅１．０ｍｍ程度の切欠部１０１を
形成する。
マー層の形状に対応してエラストマー塗布用マスク２０
上に形成された開口部１００のスキージ摺動方向側の上
縁に厚さ５０μｍ、幅１．０ｍｍ程度の切欠部１０１を
形成する。
【００１７】上記構造により、スキージの摺動によって
供給されるエラストマーは、開口部１００および切欠部
１０１に充填されるため、スキージの摺動によって発生
する盛り上がりは、切欠部１０１の上面に形成される。
供給されるエラストマーは、開口部１００および切欠部
１０１に充填されるため、スキージの摺動によって発生
する盛り上がりは、切欠部１０１の上面に形成される。
【００１８】次に、上記のようにエラストマー塗布用マ
スク上に形成される開口部１００の構造をさらに詳細に
説明する。
スク上に形成される開口部１００の構造をさらに詳細に
説明する。
【００１９】図２は、図１に示すエラストマー塗布用マ
スクのＡ−Ａ’視図を示す断面図である。同図に示すよ
うに、開口部１００は、エラストマー塗布用マスク２０
を貫通するように形成されている。切欠部１０１は、こ
の開口部１００の周壁を厚さ５０μｍ、幅１．０ｍｍ程
度に切削、エッチング等することによって形成する。
スクのＡ−Ａ’視図を示す断面図である。同図に示すよ
うに、開口部１００は、エラストマー塗布用マスク２０
を貫通するように形成されている。切欠部１０１は、こ
の開口部１００の周壁を厚さ５０μｍ、幅１．０ｍｍ程
度に切削、エッチング等することによって形成する。
【００２０】切欠部１０１の厚さおよび幅は、スキージ
の形状や摺動速度等に応じて適宜変更可能であり、当該
各寸法は、スキージの摺動によって盛り上がりが発生し
ない寸法を予め実験的に求めておくことが好ましい。
の形状や摺動速度等に応じて適宜変更可能であり、当該
各寸法は、スキージの摺動によって盛り上がりが発生し
ない寸法を予め実験的に求めておくことが好ましい。
【００２１】また、図２に示す切欠部１０１の底面は水
平な平坦形状となっているが、当該形状以外にも底面を
斜面や曲面としてもよい。この場合の構造を図３および
図４に示す。
平な平坦形状となっているが、当該形状以外にも底面を
斜面や曲面としてもよい。この場合の構造を図３および
図４に示す。
【００２２】図３は、図１に示す切欠部の底面に斜面を
形成した場合のエラストマー塗布用マスクの構造を示す
断面図である。同図のように、切欠部１０１の底面に斜
面１０２を形成すれば、よりスムーズにエラストマーを
切欠部１０１に送り込むことができる。
形成した場合のエラストマー塗布用マスクの構造を示す
断面図である。同図のように、切欠部１０１の底面に斜
面１０２を形成すれば、よりスムーズにエラストマーを
切欠部１０１に送り込むことができる。
【００２３】図４は、図１に示す切欠部の底面に曲面を
形成した場合のエラストマー塗布用マスクの構造を示す
断面図である。同図のように、切欠部１０１の底面に曲
面１０３を形成した場合にも図３に示す斜面と同様、よ
りスムーズにエラストマーを切欠部１０１に送り込むこ
とができる。
形成した場合のエラストマー塗布用マスクの構造を示す
断面図である。同図のように、切欠部１０１の底面に曲
面１０３を形成した場合にも図３に示す斜面と同様、よ
りスムーズにエラストマーを切欠部１０１に送り込むこ
とができる。
【００２４】尚、上記図３および図４に示す斜面および
曲面は、上述した「よりスムーズにエラストマーを切欠
部１０１に送り込む」という効果を奏するものでなくて
も、切削やエッチングの過程で自然に形成されたもので
あってもよい。
曲面は、上述した「よりスムーズにエラストマーを切欠
部１０１に送り込む」という効果を奏するものでなくて
も、切削やエッチングの過程で自然に形成されたもので
あってもよい。
【００２５】次に、図５および図６を使用して、上記に
ように形成されるエラストマー塗布用マスクを使用して
エラストマーを塗布する工程を説明する。
ように形成されるエラストマー塗布用マスクを使用して
エラストマーを塗布する工程を説明する。
【００２６】ここで説明するエラストマーの塗布工程
は、ＢＧＡ型半導体装置に使用されるＴＡＢテープ等の
フレキシブル基板にエラストマーを塗布する場合を想定
している。もっとも、本発明は、ＢＧＡ型半導体装置の
製造以外にも適用できるものである。
は、ＢＧＡ型半導体装置に使用されるＴＡＢテープ等の
フレキシブル基板にエラストマーを塗布する場合を想定
している。もっとも、本発明は、ＢＧＡ型半導体装置の
製造以外にも適用できるものである。
【００２７】図５は、図１に示す開口部を有するエラス
トマー塗布用マスクをフレキシブル基板上に載置した状
態を示す斜視図である。
トマー塗布用マスクをフレキシブル基板上に載置した状
態を示す斜視図である。
【００２８】同図に示すように、エラストマーを塗布す
る工程においては、まず、フレキシブル基板１上のエラ
ストマーを形成する位置と、エラストマー塗布用マスク
に形成された開口部１００の位置とを対応させながら、
エラストマー塗布用マスク２０を当該基板上に載置す
る。
る工程においては、まず、フレキシブル基板１上のエラ
ストマーを形成する位置と、エラストマー塗布用マスク
に形成された開口部１００の位置とを対応させながら、
エラストマー塗布用マスク２０を当該基板上に載置す
る。
【００２９】その後、スキージ２を摺動開始位置にセッ
トするとともに当該スキージの前面に流動状のエラスト
マー３を用意する。
トするとともに当該スキージの前面に流動状のエラスト
マー３を用意する。
【００３０】そして、スキージ２を開口部１００が形成
された方向に摺動し、エラストマーを各開口部１００お
よび切欠部１０１に充填する。この状態を図６に示す。
された方向に摺動し、エラストマーを各開口部１００お
よび切欠部１０１に充填する。この状態を図６に示す。
【００３１】図６は、図５に示すエラストマー塗布用マ
スクの開口部および切欠部にエラストマーが充填された
状態を示す斜視図である。
スクの開口部および切欠部にエラストマーが充填された
状態を示す斜視図である。
【００３２】以上のようにして、エラストマーの塗布が
終了する。この塗布されたエラストマーの状態を図７に
示す。
終了する。この塗布されたエラストマーの状態を図７に
示す。
【００３３】図７は、スキージ摺動によってフレキシブ
ル基板上に塗布されたエラストマーの状態を示す断面図
である。同図に示すように、従来問題であった盛り上が
りＭは、切欠部１０１の上面に形成される。
ル基板上に塗布されたエラストマーの状態を示す断面図
である。同図に示すように、従来問題であった盛り上が
りＭは、切欠部１０１の上面に形成される。
【００３４】その後、所定の加熱工程を経て当該エラス
トマーを硬化させ、エラストマー塗布用マスクをフレキ
シブル基板上から除去してエラストマー層を得る。
トマーを硬化させ、エラストマー塗布用マスクをフレキ
シブル基板上から除去してエラストマー層を得る。
【００３５】図８は、フレキシブル基板からエラストマ
ー塗布用マスクを除去する様子を示す断面図である。同
図に示すように、所定の加熱硬化を行った後、フレキシ
ブル基板１からエラストマー塗布用マスク２０を取り外
すと、切欠部に充填されたエラストマーと盛り上がりＭ
はエラストマー塗布用マスクとともに除去され、フレキ
シブル基板上に形成されたエラストマー層３ａは、その
上面が平坦なものとなる。
ー塗布用マスクを除去する様子を示す断面図である。同
図に示すように、所定の加熱硬化を行った後、フレキシ
ブル基板１からエラストマー塗布用マスク２０を取り外
すと、切欠部に充填されたエラストマーと盛り上がりＭ
はエラストマー塗布用マスクとともに除去され、フレキ
シブル基板上に形成されたエラストマー層３ａは、その
上面が平坦なものとなる。
【００３６】このように、本発明では、エラストマー塗
布用マスクの開口部周縁に所定形状の切欠部を設けるこ
とにより、スキージの摺動によって発生する盛り上がり
が当該切欠部の上面に形成されるため、上面が平坦なエ
ラストマー層を得ることができる。
布用マスクの開口部周縁に所定形状の切欠部を設けるこ
とにより、スキージの摺動によって発生する盛り上がり
が当該切欠部の上面に形成されるため、上面が平坦なエ
ラストマー層を得ることができる。
【００３７】以上のようにして形成されたエラストマー
層の上面に接着剤が塗布され、半導体チップが固定され
る。
層の上面に接着剤が塗布され、半導体チップが固定され
る。
【００３８】次に、本発明に係るエラストマー塗布用マ
スクの第２の実施形態について説明する。
スクの第２の実施形態について説明する。
【００３９】図９は、本発明に係るエラストマー塗布用
マスクに形成された開口部および切欠部の構造を示す斜
視図である。
マスクに形成された開口部および切欠部の構造を示す斜
視図である。
【００４０】同図に示すエラストマー塗布用マスク２０
に形成する切欠部１０１は、開口部１００の周縁のうち
スキージの摺動方向側の周縁だけでなく、その左右両側
の周縁にも形成する。
に形成する切欠部１０１は、開口部１００の周縁のうち
スキージの摺動方向側の周縁だけでなく、その左右両側
の周縁にも形成する。
【００４１】このような構造の切欠部１０１を形成する
ことにより、スキージの摺動によって送り込まれるエラ
ストマーが切欠部に充填され易くなり、開口部１００上
面の盛り上がりの発生をより確実に防止することができ
る。
ことにより、スキージの摺動によって送り込まれるエラ
ストマーが切欠部に充填され易くなり、開口部１００上
面の盛り上がりの発生をより確実に防止することができ
る。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エラストマー塗布用マスクの開口部周縁に所定形状の切
欠部を設けることにより、スキージの摺動によって発生
する盛り上がりが当該切欠部の上面に形成されるため、
上面が平坦なエラストマー層を得ることができる。
エラストマー塗布用マスクの開口部周縁に所定形状の切
欠部を設けることにより、スキージの摺動によって発生
する盛り上がりが当該切欠部の上面に形成されるため、
上面が平坦なエラストマー層を得ることができる。
【図１】本発明に係るエラストマー塗布用マスクに形成
された開口部の構造を示す斜視図。
された開口部の構造を示す斜視図。
【図２】図１に示すエラストマー塗布用マスクのＡ−
Ａ’視図を示す断面図。
Ａ’視図を示す断面図。
【図３】図１に示す切欠部の底面に斜面を形成した場合
のエラストマー塗布用マスクの構造を示す断面図。
のエラストマー塗布用マスクの構造を示す断面図。
【図４】図１に示す切欠部の底面に曲面を形成した場合
のエラストマー塗布用マスクの構造を示す断面図。
のエラストマー塗布用マスクの構造を示す断面図。
【図５】図１に示す開口部を有するエラストマー塗布用
マスクをフレキシブル基板上に載置した状態を示す斜視
図。
マスクをフレキシブル基板上に載置した状態を示す斜視
図。
【図６】図５に示すエラストマー塗布用マスクの開口部
および切欠部にエラストマーが充填された状態を示す斜
視図。
および切欠部にエラストマーが充填された状態を示す斜
視図。
【図７】スキージ摺動によってフレキシブル基板上に塗
布されたエラストマーの状態を示す断面図。
布されたエラストマーの状態を示す断面図。
【図８】フレキシブル基板からエラストマー塗布用マス
クを除去する様子を示す断面図。
クを除去する様子を示す断面図。
【図９】本発明に係るエラストマー塗布用マスクに形成
された開口部および切欠部の構造を示す斜視図。
された開口部および切欠部の構造を示す斜視図。
【図１０】従来のエラストマー塗布用マスクの開口部に
エラストマーの盛り上がりが生じた様子を示す断面図。
エラストマーの盛り上がりが生じた様子を示す断面図。
１…フレキシブル基板、２…スキージ、３…エラストマ
ー、３ａ…エラストマー層、４…接着剤、５…半導体チ
ップ、２０…エラストマー塗布用マスク、１００…開口
部、１０１…切欠部、１０２…斜面、１０３…曲面、Ｍ
…盛り上がり。
ー、３ａ…エラストマー層、４…接着剤、５…半導体チ
ップ、２０…エラストマー塗布用マスク、１００…開口
部、１０１…切欠部、１０２…斜面、１０３…曲面、Ｍ
…盛り上がり。
Claims (1)
- 【請求項１】 スキージの摺動によって基板上にエラス
トマー層を形成する際に使用するエラストマー塗布用マ
スクにおいて、 前記基板上に形成されるエラストマー層の形状に対応し
た形状を有する開口部と、 前記開口部の前記スキージの摺動方向側の上縁に形成さ
れた切欠部とを具備することを特徴とするエラストマー
塗布用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9245397A JPH1178274A (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | エラストマー塗布用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9245397A JPH1178274A (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | エラストマー塗布用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1178274A true JPH1178274A (ja) | 1999-03-23 |
Family
ID=17133053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9245397A Pending JPH1178274A (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | エラストマー塗布用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1178274A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007510306A (ja) * | 2003-10-28 | 2007-04-19 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 平坦な上面を有するパッドの製造方法 |
| JP2015507546A (ja) * | 2011-11-22 | 2015-03-12 | トライメック テクノロジー ピーティーイー．リミテッド | 積層品、積層品を形成する装置および方法 |
| JPWO2021149286A1 (ja) * | 2020-01-22 | 2021-07-29 |
-
1997
- 1997-09-10 JP JP9245397A patent/JPH1178274A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007510306A (ja) * | 2003-10-28 | 2007-04-19 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 平坦な上面を有するパッドの製造方法 |
| JP2013051428A (ja) * | 2003-10-28 | 2013-03-14 | Dow Corning Corp | 基板に組成物の平坦な上面を有する堆積物を塗布することを包含する方法 |
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| WO2021149286A1 (ja) * | 2020-01-22 | 2021-07-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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